UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
UF3710
57A ， 100V N沟道
功率MOSFET
描述
在UTC
UF3710
采用先进的工艺技术
提供了优秀的研发
DS （ ON）
，低栅极电荷和操作低
栅极电压。这个装置是适合于用作负载开关或
在PWM应用。
功率MOSFET
特点
* R
DS （ ON）
= 23mΩ @V
GS
= 10 V
*超低栅极电荷（典型值130 NC）
*低反向传输电容（C
RSS
=典型72 pF的）
*快速开关能力
*较高的雪崩能量
*改进dv / dt能力，高耐用性
符号
订购信息
订购数量
无铅
无卤
UF3710L-TA3-T
UF3710G-TA3-T
UF3710L-TQ2-T
UF3710G-TQ2-T
UF3710L-TQ2-R
UF3710G-TQ2-R
注：引脚分配： G：门D：漏极S：源
包
TO-220
TO-263
TO-263
引脚分配
1
2
3
G
D
S
G
D
S
G
D
S
填料
管
管
带盘
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QW-R203-036.E
UF3710
绝对最大额定值
(T
C
= 25 ℃，除非另有规定）
功率MOSFET
参数
符号
评级
单位
栅源电压
V
GSS
±20
V
漏源电压
V
DSS
100
V
连续（V
GS
=10V)
I
D
57
漏电流
A
脉冲（注2）
I
DM
230
雪崩电流（注2）
I
AR
57
A
重复的（注2）
E
AR
20
雪崩能量
mJ
单脉冲（注3 ）
E
AS
1060 （注4 ）
功耗
P
D
165
W
结温
T
J
+150
°C
储存温度
T
英镑
-55 ~ +150
°C
注： 1。绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
2.脉冲宽度限制T
J（下最大）
3. T
J
= 25℃时，L = 0.65mH ，R
G
=25, I
AS
= 57A ，V
GS
=10V
4.这是在破坏设备的典型值，表示操作之外额定极限。
热数据
参数
结到环境
结到外壳
符号
θ
JA
θ
JC
评级
62
0.75
单位
℃
/W
℃
/W
电气特性
(T
J
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
开关特性
漏源击穿电压
漏极 - 源极漏电流
栅极 - 源极漏电流
击穿电压温度系数
基本特征
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
正向跨导
动力参数
输入电容
输出电容
反向传输电容
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
△
BV
DSS
/△T
J
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
测试条件
最小典型最大单位
V
GS
= 0V时，我
D
=250μA
100
V
V
DS
=100V, V
GS
=0V
25
μA
V
GS
=±20V, V
DS
=0V
±100 nA的
I
D
= 1mμA ，参考25 ℃
0.13
V /°C的
V
DS
=V
GS
, I
D
=250μA
V
GS
= 10V ，我
D
= 28A （注）
V
DS
= 25V ，我
D
=28 A
2.0
32
3130
410
72
4.0
23
V
m
S
pF
pF
pF
V
DS
=25V, V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
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UF3710
电气特性（续）
切换参数
总栅极电荷
Q
G
V
DS
= 80V ，我
D
= 28A ，V
GS
=10V
门源电荷
Q
GS
闸漏极电荷
Q
GD
导通延迟时间
t
D（上）
开启上升时间
t
R
V
DD
= 50V ，我
D
= 28A ，R
G
=2.5
V
GS
= 10V （注）
打开-O FF延迟时间
t
D（关闭）
关断下降时间
t
F
源 - 漏二极管额定值和特性
二极管的正向电压
V
SD
I
S
= 28A ，V
GS
= 0V （注）
最大连续漏源二极管
I
S
MOSFET符号显示
正向电流
积分反向的p-n
最大脉冲漏源极二极管
结型二极管。
I
SM
正向电流
体二极管反向恢复时间
t
rr
I
F
= 28A ，的di / dt = 100A / μs的（注）
体二极管反向恢复电荷
Q
RR
注：脉冲宽度
≤
400μS ;占空比
≤
2%.
功率MOSFET
130
26
43
12
58
45
47
1.2
57
230
140 220
670 1010
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
V
A
A
ns
nC
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UF3710
测试电路和波形
功率MOSFET
+
峰值二极管恢复dv / dt的测试电路
V
GS
（驱动器）
期
P.W.
D=
P. W.
期
V
GS
= 10V
I
FM
，体二极管正向电流
I
SD
（ D.U.T. ）
I
RM
体二极管反向电流
的di / dt
体二极管恢复的dv / dt
V
DS
（ D.U.T. ）
V
DD
体二极管
正向电压降
峰值二极管恢复dv / dt的波形
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UF3710
测试电路和波形（续）
功率MOSFET
切换测试电路
开关波形
50kΩ
12V
0.2μF
0.3μF
同一类型
作为D.U.T.
V
GS
V
DS
Q
GS
Q
G
Q
GD
V
GS
DUT
3mA
R
G
R
D
V
G
收费
栅极电荷测试电路
栅极电荷波形
非钳位感应开关测试电路
非钳位感应开关波形
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