=
EC
---
---
z
=
an
AMP
公司
射频MOSFET功率晶体管， 15W ， 28V
100 - 500兆赫
特点
l
l
l
l
l
l
UF28156
v2.00
N沟道增强型器件
DMOS结构
对于宽带运营更低的电容
常见源配置
低-Noise楼
100MHz至500MHz的操作
在25 ° C绝对最大额定值
L
n
3.66
.LO
4.32
35
344
JJ04 1
.l70
DO6
电气特性
在25℃下
InputCapacitance
输出电容
ReverseCapacitance
功率增益
漏EF网络效率
负载不匹配公差
CCM
CRSS
GP
‘7D
VSWR -T
10
50
-
15
7.2
-
-
2O ：L
pF
pF
dB
%
-
V ,, = 28.0 V，F = L .O兆赫
沃斯= 28.0 V，F = L .OMHz
V ,, = 28.0 V. F =升.OMHz
V ,, = 28.0 V， 1 ,, = 150.0毫安，P ,, 5.0美元
V ,, = 28.0 V，I ,, = 1 50.0毫安，P ,, L5.0
V ,, = 28.0 V， 1 ,, = 150.0毫安，P ,,, = L5.0
W， F&O0兆赫
W， F = 500 MHz的
W. F = 500 MHz的
特定网络阳离子
如有更改，恕不另行通知。
M / A - COM ，
公司
射频MOSFET功率晶体管，
15W ， 28V
UF2815B
v2.00
典型的宽带性能
曲线
电源输出
I
电容
16
,
VS电压
VS电压
兆赫
F =升.O兆赫
P ,, = L .O W IDO = 50毫安F&O0
10
5
t
a-
.
2r
5
10
15
" ,, （ " ）
20
2.5
30
增益与频率
v,,r28
V P ,, = 15
W LDQ = LOO
mA
70
效率
与频率
mA
PO ,, = 15瓦
VDD = 28 V I ,, = 150
“I
I
0
厕所
200
300
400
500
50
厕所
200
300
400
500
频率（MHz）
频率（MHz）
功率输出VS电源输入
VO ， = 28 V IDO = 50毫安
I
0.08
0.1
0.25
输入功率（ W）
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
M / A - COM ，
公司
射频MOSFET功率晶体管，
15W ， 28V
UF2815B
v2.ocl
典型的设备阻抗
频率
100
300
500
（兆赫）
,, （欧姆）
6.4 - j 25.0
6.5 - j 12.0
1.7-j
V,,=28
V,
10.5
I,,=150
毫安，
P,,,=15.0
瓦
LOAD
（欧姆）
22.0
+ j 16.0
15.0 + j 14.0
8.0 + j 10.5
Z,,
是串联等效
is
Z， OAD的pptimum
输入阻抗
该装置的从栅极到源极。
作为从漏极测量到地面。
串联等效
负载阻抗
RF测试夹具
零件
c7
c4
名单
C6
c5. 8
c3
c2
c9
Cl
CLL
12
13, 15
Cl0
Cl4
Rl
(11
LL
3
L2
L4
L5
L6
L7
2.0
pf
3npF
3.6pf
5&f
9.lpf
13pf
270pf
82Opf
.OlSuf
MUF
5ouf 5ovo
10K欧姆
lx28158
9圈DF NO 。 22 AWG
第22 AWG的20圈
0.55 “的JO欧姆传输线
0.25 “的50欧姆传输线
1.20 “的50 DHM TRANSMSSIDN线
作者： 50 OHM JO
输电线路
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
MIA -COM ，
公司
QQ：2881677436 复制
