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mESD3.3DT5G
系列
ESD保护二极管
在超小型SOT- 723封装
MESD
一系列旨在保护电压敏感元件
从ESD 。出色的钳位能力,低泄漏,响应速度快
时间,使这些器件非常适合于设计中板ESD保护
空间是十分宝贵的。因为它的尺寸小,它是适合于在使用中
蜂窝式电话,便携式设备,数码相机,电源和
许多其它的便携式应用。
规格特点:
http://onsemi.com
1
3
2
小机身外形尺寸:
0.047 “× 0.032 ” (1.20毫米× 0.80毫米)
低矮的车身高度: 0.020 “ ( 0.5mm)的
对峙电压: 3.3 V - 6.0 V
低漏
响应时间通常< 1纳秒
ESD额定值3类( > 16千伏)每人体模型
IEC61000-4-2 4级ESD保护
IEC61000-4-4第4级EFT保护
这些无铅器件
PIN 1阴极
2.阴极
3.阳极
3
1
2
记号
XX M
SOT723
CASE 631AA
方式4
机械特性:
案例:
无空隙,传递模塑,热固性塑料
xx
M
=器件代码
=日期代码
环氧符合UL 94 V- 0
铅表面处理:
100 %雾锡(锡)
安装位置:
任何
合格MAX回流焊温度:
260°C
订购信息
设备
mESDxxDT5G
SOT723
航运
8000 /磁带&卷轴
器件符合MSL 1的要求
最大额定值
等级
IEC 61000-4-2 ( ESD )
IEC 61000-4-4 ( EFT )
ESD电压
每个人体模型
每台机器型号
P
D
R
qJA
T
J
, T
英镑
T
L
空气
联系
符号
价值
±30
±30
40
16
400
240
1.9
525
-55
+150
260
单位
kV
A
kV
V
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
°C
。有关磁带和卷轴规格,
包括部分方向和磁带大小,请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册, BRD8011 / D 。
器件标识信息
请参阅该设备的特定标识信息标识
表中的本数据表第2页栏。
在FR - 5局总功耗
(注1 ) @ T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻结到环境
结温和存储温度范围
无铅焊锡温度 - 最大
(持续10秒)
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1, FR - 5 = 1.0 X 0.75 X 0.62英寸
半导体元件工业有限责任公司, 2006年
1
2006年10月 - 第1版
出版订单号:
mESD3.3DT5G/D
mESD3.3DT5G
系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
符号
I
PP
V
C
V
RWM
I
R
V
BR
I
T
I
F
V
F
P
pk
C
参数
最大反向峰值脉冲电流
钳位电压@ I
PP
工作峰值反向电压
最大反向漏电流@ V
RWM
击穿电压@ I
T
测试电流
正向电流
正向电压@ I
F
峰值功耗
马克斯。电容@V
R
= 0且f = 1 MHz的
I
PP
V
C
V
BR
V
RWM
I
R
V
F
I
T
V
I
F
I
单向TVS
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明,V
F
= 0.9 V最大。 @我
F
= 10 mA,对于所有类型)
V
RWM
(V)
最大
3.3
5.0
6.0
I
R
(毫安) @ V
RWM
最大
1.0
0.1
0.1
V
BR
( V) @我
T
(注2 )
5.0
6.2
7.0
I
T
mA
1.0
1.0
1.0
C( pF)的
典型值
47
38
34
设备*
mESD3.3DT5G
mESD5.0DT5G
mESD6.0DT5G
设备
记号
L0
L2
L3
*可根据要求提供其它电压。
2. V
BR
测量用脉冲测试电流I
T
在25 ℃的环境温度下进行。
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2
mESD3.3DT5G
系列
典型特征
击穿电压(V ) (V
Z
@ I
Z
)
7.4
7.3
7.2
7.1
7.0
6.9
6.8
6.7
6.6
6.5
6.4
6.3
55
+ 25
温度(℃)
+ 150
mESDxxDT5G
I
R
( nA的)
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
55
+ 25
温度(℃)
+ 150
mESDxxDT5G
图1.典型击穿电压
与温度的关系
45
40
电容(pF)
35
30
25
20
15
10
5
0
0
1
2
3
4
5
mESDxxDT5G
P
D
,功耗(毫瓦)
300
250
200
150
100
图2.典型漏电流
与温度的关系
FR- 5局
50
0
0
25
50
75
100
125
温度(℃)
150
175
偏置电压( V)
图3.典型电容与偏置电压
图4.稳态功率降额曲线
符合IEC 6100-4-2图5.正8 kV接触
mESD5.0DT5G
图6负,符合IEC 61000-4-2 8 kV接触
mESD5.0DT5G
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3
mESD3.3DT5G
系列
包装尺寸
SOT723
CASE 631AA -01
发出
X
D
b1
Y
3
注意事项:
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:毫米。
3.最大引线厚度包括对引线
完成。最小引线厚度是最小的
厚度基体材料。
4.尺寸D和E不包括塑模
FLASH中,突出或毛刺。
MILLIMETERS
最大
0.45
0.50
0.55
0.15
0.20
0.27
0.25
0.3
0.35
0.07
0.12
0.17
1.15
1.20
1.25
0.75
0.80
0.85
0.40 BSC
1.15
1.20
1.25
0.15
0.20
0.25
英寸
最大
0.018 0.020 0.022
0.0059 0.0079 0.0106
0.010 0.012 0.014
0.0028 0.0047 0.0067
0.045 0.047 0.049
0.03 0.032 0.034
0.016 BSC
0.045 0.047 0.049
0.0059 0.0079 0.0098
A
E
1
2
L
C
H
E
e
b
2X
0.08 ( 0.0032 ) X Y
暗淡
A
b
b1
C
D
E
e
H
E
L
方式4 :
PIN 1阴极
2.阴极
3.阳极
焊锡足迹*
0.40
0.0157
0.40
0.0157
1.0
0.039
0.40
0.0157
0.40
0.0157
0.40
0.0157
尺度20:1
mm
英寸
SOT723
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息,请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册, SOLDERRM / D 。
安森美半导体
是半导体元件工业,LLC ( SCILLC )的注册商标。 SCILLC保留随时更改,恕不另行通知的权利
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运行参数,包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。 SCILLC不转达根据其专利权的任何许可
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