UDZS3.9B
二极管
电气特性曲线
(Ta=25°C)
10
1
齐纳电流： IZ （MA ）
0.1
4.7
0.01
4.3
3.9
5.1
5.6
6.8
6.2
7.5
8.2 9.1
10
11 12 13 15
16
18
20
22
24
27
30
3.6
33
36
0.001
0
5
10
15
20
齐纳电压： VZ（ V）
VZ- IZ特性
25
30
35
40
250
10000
PRSM
t
功率耗散钯（ W）
200
反向浪涌最大
POWER： PRSM （ W）
1000
150
100
100
10
50
1
0
0
25
50
75
100
125
150
环境温度： TA（ ℃ ）
PD-钽特性
0.12
0.1
40
35
30
25
20
15
10
5
0
-5
0
10
20
30
齐纳电压： VZ（ V）
γz - Vz的特性
40
0.1
0.001
0.01
0.1
1
10
100
时间： T（毫秒）
PRSM - 时间特性
1000
Rth的第（j-一）
TEMP.COEFFICIENCE ： γz （ ％ / ℃ ）
0.08
0.06
0.04
0.02
0
-0.02
-0.04
-0.06
-0.08
短暂
THAERMAL阻抗的Rth （ ℃ / W）
TEMP.COEFFICIENCE ： γz （MV / ℃ ）
100
RTH （J -C ）
10
安装在环氧板
IM=10mA
IF=100mA
1
1ms
时间
300us
0.1
0.001
0.01
1
10
100
时间： T（ S）
RTH- T特性
0.1
1000
Rev.A的
3/4
UDZS3.9B
二极管
10
Ta=75℃
100
100
Ta=125℃
f=1MHz
反向电流： IR （ NA）
10
1
1
Ta=125℃
Ta=25℃
Ta=75℃
0.1
Ta=25℃
0.01
0.001
0.0001
Ta=-25℃
0.1
Ta=-25℃
0.01
之间的电容
端子的CT （PF ）
1
齐纳电流： IZ （MA ）
10
0.001
0
1
2
3
4
5
齐纳电压： VZ（ V）
VZ- IZ特性
0.00001
0
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9
反向电压VR （ V）
VR -IR特性
1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
反向电压VR （ V）
VR -CT特征
4.1
4
3.9
3.8
AVE ： 3.887V
3.7
3.6
VZ DISRESION地图
Ta=25℃
Iz=5mA
n=30pcs
1
0.9
60
电容
BETWEENTERMINALS的CT （PF ）
反向电流： IR （ NA）
齐纳电压： VZ（ V）
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
AVE ： 0.100nA
Ta=25℃
VR=1.0V
n=30pcs
59
58
57
56
55
54
53
52
51
50
CT DISRESION地图
AVE ： 52.35pF
Ta=25℃
VR=0V
f=1MHz
n=10pcs
IR DISRESION地图
10000
动态阻抗： ZZ （ Ω ）
1000
100
10
0.1
1
齐纳电流（毫安）
ZZ- IZ特性
10
Rev.A的
4/4
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 ， LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改，恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中，因此，请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时，请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据，包括但不限于：应用电路图信息，在此描述
仅作为这样的装置的示意图，而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保，任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利，并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权，或产生的事件的性质，或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备，比使用此类设备本身的买受人的权利等，转售或
以其他方式处置的同时，任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
（如视听设备，办公自动化设备，通信设备，电气
电器及电子玩具） 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用，将直接危及人的生命发生故障（如医疗器械，
交通运输设备，航空器械，核反应控制器，燃料控制器等
安全设备） ，请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 （ 16项）
订单在日本。
在从日本出口，请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" （由通产省第）
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.1
UDZS4.3B
二极管
电气特性曲线
(Ta=25°C)
10
1
齐纳电流： IZ （MA ）
0.1
4.7
0.01
4.3
3.9
5.1
5.6
6.8
6.2
7.5
8.2 9.1
10
11 12 13 15
16
18
20
22
24
27
30
3.6
33
36
0.001
0
5
10
15
20
齐纳电压： VZ（ V）
VZ- IZ特性
25
30
35
40
250
10000
PRSM
t
功率耗散钯（ W）
200
反向浪涌最大
POWER： PRSM （ W）
1000
150
100
100
10
50
1
0
0
25
50
75
100
125
150
环境温度： TA（ ℃ ）
PD-钽特性
0.12
0.1
40
35
30
25
20
15
10
5
0
-5
0
10
20
30
齐纳电压： VZ（ V）
γz - Vz的特性
40
0.1
0.001
0.01
0.1
1
10
100
时间： T（毫秒）
PRSM - 时间特性
1000
Rth的第（j-一）
TEMP.COEFFICIENCE ： γz （ ％ / ℃ ）
0.08
0.06
0.04
0.02
0
-0.02
-0.04
-0.06
-0.08
短暂
THAERMAL阻抗的Rth （ ℃ / W）
TEMP.COEFFICIENCE ： γz （MV / ℃ ）
100
RTH （J -C ）
10
安装在环氧板
IM=10mA
IF=100mA
1
1ms
时间
300us
0.1
0.001
0.01
1
10
100
时间： T（ S）
RTH- T特性
0.1
1000
Rev.A的
3/4
UDZS4.3B
二极管
10
Ta=125℃
100
Ta=125℃
100
f=1MHz
反向电流： IR （ NA）
10
1
0.1
Ta=25℃
0.01
0.001
0.0001
1
0
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9
反向电压VR （ V）
VR -IR特性
1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
反向电压VR （ V）
VR -CT特征
Ta=-25℃
Ta=75℃
1
Ta=75℃
0.1
之间的电容
端子的CT （PF ）
齐纳电流： IZ （MA ）
Ta=25℃
Ta=-25℃
10
0.01
0.001
1
2
3
4
齐纳电压： VZ（ V）
VZ- IZ特性
5
0.00001
4.5
Ta=25℃
IZ=5mA
n=30pcs
1
0.9
50
反向电流： IR （ NA）
齐纳电压： VZ（ V）
4.4
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
AVE ： 0.0979nA
电容
BETWEENTERMINALS的CT （PF ）
Ta=25℃
VR=1.0V
n=30pcs
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
AVE ： 48.78pF
Ta=25℃
f=1MHz
VR=0V
n=10pcs
4.3
4.2
AVE ： 4.292V
4.1
4
VZ DISRESION地图
0
IR DISRESION地图
CT DISRESION地图
10000
动态阻抗： ZZ （ Ω ）
1000
100
10
0.1
1
齐纳电流（毫安）
ZZ- IZ特性
10
Rev.A的
4/4
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 ， LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改，恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中，因此，请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时，请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据，包括但不限于：应用电路图信息，在此描述
仅作为这样的装置的示意图，而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保，任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利，并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权，或产生的事件的性质，或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备，比使用此类设备本身的买受人的权利等，转售或
以其他方式处置的同时，任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
（如视听设备，办公自动化设备，通信设备，电气
电器及电子玩具） 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用，将直接危及人的生命发生故障（如医疗器械，
交通运输设备，航空器械，核反应控制器，燃料控制器等
安全设备） ，请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 （ 16项）
订单在日本。
在从日本出口，请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" （由通产省第）
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.1
UDZS4.7B
二极管
电气特性曲线
(Ta=25°C)
10
1
齐纳电流： IZ （MA ）
0.1
4.7
0.01
4.3
3.9
5.1
5.6
6.8
6.2
7.5
8.2 9.1
10
11 12 13 15
16
18
20
22
24
27
30
3.6
33
36
0.001
0
5
10
15
20
齐纳电压： VZ（ V）
VZ- IZ特性
25
30
35
40
250
10000
PRSM
t
功率耗散钯（ W）
200
反向浪涌最大
POWER： PRSM （ W）
1000
150
100
100
10
50
1
0
0
25
50
75
100
125
150
环境温度： TA（ ℃ ）
PD-钽特性
0.12
0.1
40
35
30
25
20
15
10
5
0
-5
0
10
20
30
齐纳电压： VZ（ V）
γz - Vz的特性
40
0.1
0.001
0.01
0.1
1
10
100
时间： T（毫秒）
PRSM - 时间特性
1000
Rth的第（j-一）
TEMP.COEFFICIENCE ： γz （ ％ / ℃ ）
0.08
0.06
0.04
0.02
0
-0.02
-0.04
-0.06
-0.08
短暂
THAERMAL阻抗的Rth （ ℃ / W）
TEMP.COEFFICIENCE ： γz （MV / ℃ ）
100
RTH （J -C ）
10
安装在环氧板
IM=10mA
IF=100mA
1
1ms
时间
300us
0.1
0.001
0.01
1
10
100
时间： T（ S）
RTH- T特性
0.1
1000
Rev.A的
3/4
UDZS4.7B
二极管
10
1000
Ta=125℃
100
100
f=1MHz
反向电流： IR （ NA）
齐纳电流： IZ （MA ）
1
Ta=125℃
Ta=75℃
10
1
0.1
Ta=75℃
Ta=25℃
Ta=-25℃
0.1
Ta=25℃
Ta=-25℃
之间的电容
端子的CT （PF ）
1
10
0.01
0.01
0.001
0.0001
0.001
0
1
2
3
4
5
齐纳电压： VZ（ V）
VZ- IZ特性
6
1
0
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9
反向电压VR （ V）
VR -IR特性
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
反向电压VR （ V）
VR -CT特征
5
1
50
电容
BETWEENTERMINALS的CT （PF ）
反向电流： IR （ NA）
齐纳电压： VZ（ V）
4.9
Ta=25℃
IZ=5mA
n=30pcs
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
AVE ： 0.119nA
Ta=25℃
VR=1.0V
n=30pcs
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
CT DISRESION地图
AVE ： 45.65pF
Ta=25℃
f=1MHz
VR=0V
n=10pcs
4.8
4.7
4.6
AVE ： 4.680V
4.5
VZ DISRESION地图
IR DISRESION地图
10000
1000
100
动态阻抗： ZZ （ Ω ）
10
1
0.1
1
齐纳电流（毫安）
ZZ- IZ特性
10
Rev.A的
4/4
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 ， LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改，恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中，因此，请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时，请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据，包括但不限于：应用电路图信息，在此描述
仅作为这样的装置的示意图，而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保，任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利，并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权，或产生的事件的性质，或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备，比使用此类设备本身的买受人的权利等，转售或
以其他方式处置的同时，任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
（如视听设备，办公自动化设备，通信设备，电气
电器及电子玩具） 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用，将直接危及人的生命发生故障（如医疗器械，
交通运输设备，航空器械，核反应控制器，燃料控制器等
安全设备） ，请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 （ 16项）
订单在日本。
在从日本出口，请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" （由通产省第）
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.1
UDZS5.1B
二极管
电气特性曲线
(Ta=25°C)
10
1
齐纳电流： IZ （MA ）
0.1
4.7
0.01
4.3
3.9
5.1
5.6
6.8
6.2
7.5
8.2 9.1
10
11 12 13 15
16
18
20
22
24
27
30
3.6
33
36
0.001
0
5
10
15
20
齐纳电压： VZ（ V）
VZ- IZ特性
25
30
35
40
250
10000
PRSM
t
功率耗散钯（ W）
200
反向浪涌最大
POWER： PRSM （ W）
1000
150
100
100
10
50
1
0
0
25
50
75
100
125
150
环境温度： TA（ ℃ ）
PD-钽特性
0.12
0.1
40
35
30
25
20
15
10
5
0
-5
0
10
20
30
齐纳电压： VZ（ V）
γz - Vz的特性
40
0.1
0.001
0.01
0.1
1
10
100
时间： T（毫秒）
PRSM - 时间特性
1000
Rth的第（j-一）
TEMP.COEFFICIENCE ： γz （ ％ / ℃ ）
0.08
0.06
0.04
0.02
0
-0.02
-0.04
-0.06
-0.08
短暂
THAERMAL阻抗的Rth （ ℃ / W）
TEMP.COEFFICIENCE ： γz （MV / ℃ ）
100
RTH （J -C ）
10
安装在环氧板
IM=10mA
IF=100mA
1
1ms
时间
300us
0.1
0.001
0.01
1
10
100
时间： T（ S）
RTH- T特性
0.1
1000
Rev.A的
3/4
UDZS5.1B
二极管
10
1000
100
Ta=125℃
Ta=75℃
100
f=1MHz
反向电流： IR （ NA）
齐纳电流： IZ （MA ）
1
10
1
0.1
0.01
0.001
0.1
Ta=125℃
Ta=75℃
0.01
Ta=25℃
Ta=-25℃
Ta=25℃
之间的电容
端子的CT （PF ）
10
Ta=-25℃
0.001
3
3.5
4
4.5
5
齐纳电压： VZ（ V）
VZ- IZ特性
5.5
0.0001
0
0.5
1
1.5
反向电压VR （ V）
VR -IR特性
1
0
0.5
1
1.5
2
反向电压VR （ V）
VR -CT特征
5.4
Ta=25℃
IZ=5mA
n=30pcs
1
0.9
40
电容
BETWEENTERMINALS的CT （PF ）
反向电流： IR （ NA）
齐纳电压： VZ（ V）
5.3
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
AVE ： 0.117nA
Ta=25℃
VR=1.5V
n=30pcs
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
CT DISRESION地图
AVE ： 33.74pF
Ta=25℃
f=1MHz
VR=0V
n=10pcs
5.2
5.1
AVE ： 5.102V
5
4.9
VZ DISRESION地图
0
IR DISRESION地图
10000
动态阻抗： ZZ （ Ω ）
1000
100
10
1
0.1
1
齐纳电流（毫安）
ZZ- IZ特性
10
Rev.A的
4/4
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 ， LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改，恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中，因此，请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时，请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据，包括但不限于：应用电路图信息，在此描述
仅作为这样的装置的示意图，而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保，任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利，并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权，或产生的事件的性质，或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备，比使用此类设备本身的买受人的权利等，转售或
以其他方式处置的同时，任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
（如视听设备，办公自动化设备，通信设备，电气
电器及电子玩具） 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用，将直接危及人的生命发生故障（如医疗器械，
交通运输设备，航空器械，核反应控制器，燃料控制器等
安全设备） ，请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 （ 16项）
订单在日本。
在从日本出口，请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" （由通产省第）
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.1
UDZS5.6B
二极管
电气特性曲线
(Ta=25°C)
10
1
齐纳电流： IZ （MA ）
0.1
4.7
0.01
4.3
3.9
5.1
5.6
6.8
6.2
7.5
8.2 9.1
10
11 12 13 15
16
18
20
22
24
27
30
3.6
33
36
0.001
0
5
10
15
20
齐纳电压： VZ（ V）
VZ- IZ特性
25
30
35
40
250
10000
PRSM
t
功率耗散钯（ W）
200
反向浪涌最大
POWER： PRSM （ W）
1000
150
100
100
10
50
1
0
0
25
50
75
100
125
150
环境温度： TA（ ℃ ）
PD-钽特性
0.12
0.1
40
35
30
25
20
15
10
5
0
-5
0
10
20
30
齐纳电压： VZ（ V）
γz - Vz的特性
40
0.1
0.001
0.01
0.1
1
10
100
时间： T（毫秒）
PRSM - 时间特性
1000
Rth的第（j-一）
TEMP.COEFFICIENCE ： γz （ ％ / ℃ ）
0.08
0.06
0.04
0.02
0
-0.02
-0.04
-0.06
-0.08
短暂
THAERMAL阻抗的Rth （ ℃ / W）
TEMP.COEFFICIENCE ： γz （MV / ℃ ）
100
RTH （J -C ）
10
安装在环氧板
IM=10mA
IF=100mA
1
1ms
时间
300us
0.1
0.001
0.01
1
10
100
时间： T（ S）
RTH- T特性
0.1
1000
Rev.A的
3/4
UDZS5.6B
二极管
10
Ta=125℃
Ta=75℃
100
10
Ta=125℃
100
f=1MHz
齐纳电流： IZ （MA ）
1
Ta=75℃
1
0.1
0.01
Ta=-25℃
0.001
0.0001
Ta=25℃
Ta=-25℃
0.1
之间的电容
端子的CT （PF ）
2.5
Ta=25℃
反向电流： IR （ NA）
10
0.01
0.001
4
4.5
5
5.5
6
6.5
齐纳电压： VZ（ V）
VZ- IZ特性
7
1
0
0.5
1
1.5
2
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
反向电压VR （ V）
VR -IR特性
反向电压VR （ V）
VR -CT特征
5.9
Ta=25℃
IZ=5mA
n=30pcs
1
0.9
20
反向电流： IR （ NA）
齐纳电压： VZ（ V）
5.8
电容
BETWEENTERMINALS的CT （PF ）
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
AVE ： 0.080nA
Ta=25℃
VR=2.5V
n=30pcs
19
18
17
16
15
14
13
12
11
10
AVE ： 15.64pF
Ta=25℃
f=1MHz
VR=0V
n=10pcs
5.7
5.6
5.5
AVE ： 5.659V
5.4
VZ DISRESION地图
IR DISRESION地图
CT DISRESION地图
1000
动态阻抗： ZZ （ Ω ）
100
10
1
0.1
1
齐纳电流（毫安）
ZZ- IZ特性
10
Rev.A的
4/4
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 ， LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改，恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中，因此，请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时，请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据，包括但不限于：应用电路图信息，在此描述
仅作为这样的装置的示意图，而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保，任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利，并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权，或产生的事件的性质，或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备，比使用此类设备本身的买受人的权利等，转售或
以其他方式处置的同时，任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
（如视听设备，办公自动化设备，通信设备，电气
电器及电子玩具） 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用，将直接危及人的生命发生故障（如医疗器械，
交通运输设备，航空器械，核反应控制器，燃料控制器等
安全设备） ，请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 （ 16项）
订单在日本。
在从日本出口，请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" （由通产省第）
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.1
UDZS6.2B
二极管
电气特性曲线
(Ta=25°C)
10
1
齐纳电流： IZ （MA ）
0.1
4.7
0.01
4.3
3.9
5.1
5.6
6.8
6.2
7.5
8.2 9.1
10
11 12 13 15
16
18
20
22
24
27
30
3.6
33
36
0.001
0
5
10
15
20
齐纳电压： VZ（ V）
VZ- IZ特性
25
30
35
40
250
10000
PRSM
t
功率耗散钯（ W）
200
反向浪涌最大
POWER： PRSM （ W）
1000
150
100
100
10
50
1
0
0
25
50
75
100
125
150
环境温度： TA（ ℃ ）
PD-钽特性
0.12
0.1
40
35
30
25
20
15
10
5
0
-5
0
10
20
30
齐纳电压： VZ（ V）
γz - Vz的特性
40
0.1
0.001
0.01
0.1
1
10
100
时间： T（毫秒）
PRSM - 时间特性
1000
Rth的第（j-一）
TEMP.COEFFICIENCE ： γz （ ％ / ℃ ）
0.08
0.06
0.04
0.02
0
-0.02
-0.04
-0.06
-0.08
短暂
THAERMAL阻抗的Rth （ ℃ / W）
TEMP.COEFFICIENCE ： γz （MV / ℃ ）
100
RTH （J -C ）
10
安装在环氧板
IM=10mA
IF=100mA
1
1ms
时间
300us
0.1
0.001
0.01
1
10
100
时间： T（ S）
RTH- T特性
0.1
1000
Rev.A的
3/4
UDZS6.2B
二极管
1000
Ta=25℃
100
Ta=125℃
100
f=1MHz
10
反向电流： IR （ NA）
1
Ta=-25℃
Ta=75℃
Ta=125℃
10
1
Ta=75℃
0.1
Ta=25℃
0.1
0.01
0.001
0.0001
Ta=-25℃
之间的电容
端子的CT （PF ）
3
齐纳电流： IZ （MA ）
10
0.01
0.001
5
5.5
6
6.5
齐纳电压： VZ（ V）
VZ- IZ特性
7
0
1
2
1
0
1
2
3
反向电压VR （ V）
VR -CT特征
反向电压VR （ V）
VR -IR特性
6.5
Ta=25℃
IZ=5mA
n=30pcs
1
0.9
30
电容
BETWEENTERMINALS的CT （PF ）
反向电流： IR （ NA）
齐纳电压： VZ（ V）
6.4
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
AVE ： 0.138nA
Ta=25℃
VR=3.0V
n=30pcs
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
CT DISRESION地图
AVE ： 21.59pF
Ta=25℃
f=1MHz
VR=0V
n=10pcs
6.3
6.2
6.1
AVE ： 6.245V
6
VZ DISRESION地图
IR DISRESION地图
100
动态阻抗： ZZ （ Ω ）
10
1
0.1
1
齐纳电流（毫安）
ZZ- IZ特性
10
Rev.A的
4/4
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 ， LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改，恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中，因此，请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时，请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据，包括但不限于：应用电路图信息，在此描述
仅作为这样的装置的示意图，而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保，任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利，并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权，或产生的事件的性质，或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备，比使用此类设备本身的买受人的权利等，转售或
以其他方式处置的同时，任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
（如视听设备，办公自动化设备，通信设备，电气
电器及电子玩具） 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用，将直接危及人的生命发生故障（如医疗器械，
交通运输设备，航空器械，核反应控制器，燃料控制器等
安全设备） ，请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 （ 16项）
订单在日本。
在从日本出口，请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" （由通产省第）
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.1
UDZS8.2B
二极管
电气特性曲线
(Ta=25°C)
10
1
齐纳电流： IZ （MA ）
0.1
4.7
0.01
4.3
3.9
5.1
5.6
6.8
6.2
7.5
8.2 9.1
10
11 12 13 15
16
18
20
22
24
27
30
3.6
33
36
0.001
0
5
10
15
20
齐纳电压： VZ（ V）
VZ- IZ特性
25
30
35
40
250
10000
PRSM
t
功率耗散钯（ W）
200
反向浪涌最大
POWER： PRSM （ W）
1000
150
100
100
10
50
1
0
0
25
50
75
100
125
150
环境温度： TA（ ℃ ）
PD-钽特性
0.12
0.1
40
35
30
25
20
15
10
5
0
-5
0
10
20
30
齐纳电压： VZ（ V）
γz - Vz的特性
40
0.1
0.001
0.01
0.1
1
10
100
时间： T（毫秒）
PRSM - 时间特性
1000
Rth的第（j-一）
TEMP.COEFFICIENCE ： γz （ ％ / ℃ ）
0.08
0.06
0.04
0.02
0
-0.02
-0.04
-0.06
-0.08
短暂
THAERMAL阻抗的Rth （ ℃ / W）
TEMP.COEFFICIENCE ： γz （MV / ℃ ）
100
RTH （J -C ）
10
安装在环氧板
IM=10mA
IF=100mA
1
1ms
时间
300us
0.1
0.001
0.01
1
10
100
时间： T（ S）
RTH- T特性
0.1
1000
Rev.A的
3/4
UDZS8.2B
二极管
10
100
100
Ta=125℃
Ta=-25℃
1
f=1MHz
Ta=75℃
0.1
1
0.1
0.01
0.001
0.0001
Ta=25℃
Ta=125℃
Ta=-25℃
0.01
0.001
之间的电容
端子的CT （PF ）
5
齐纳电流： IZ （MA ）
Ta=25℃
反向电流： IR （ NA）
10
Ta=75℃
10
1
1
2
3
4
0
1
2
3
4
5
7
7.5
8
8.5
齐纳电压： VZ（ V）
VZ- IZ特性
9
反向电压VR （ V）
VR -IR特性
反向电压VR （ V）
VR -CT特征
8.5
Ta=25℃
IZ=5mA
n=30pcs
1
0.9
30
电容
BETWEENTERMINALS的CT （PF ）
反向电流： IR （ NA）
齐纳电压： VZ（ V）
8.4
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
AVE ： 0.074nA
Ta=25℃
VR=5.0V
n=30pcs
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
AVE ： 24.75pF
Ta=25℃
f=1MHz
VR=0V
n=10pcs
8.3
8.2
8.1
AVE ： 8.206V
8
VZ DISRESION地图
IR DISRESION地图
CT DISRESION地图
1000
动态阻抗： ZZ （ Ω ）
100
10
1
0.1
1
齐纳电流（毫安）
ZZ- IZ特性
10
Rev.A的
4/4
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 ， LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改，恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中，因此，请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时，请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据，包括但不限于：应用电路图信息，在此描述
仅作为这样的装置的示意图，而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保，任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利，并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权，或产生的事件的性质，或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备，比使用此类设备本身的买受人的权利等，转售或
以其他方式处置的同时，任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
（如视听设备，办公自动化设备，通信设备，电气
电器及电子玩具） 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用，将直接危及人的生命发生故障（如医疗器械，
交通运输设备，航空器械，核反应控制器，燃料控制器等
安全设备） ，请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 （ 16项）
订单在日本。
在从日本出口，请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" （由通产省第）
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.1
UDZS9.1B
二极管
电气特性曲线
(Ta=25°C)
10
1
齐纳电流： IZ （MA ）
0.1
4.7
0.01
4.3
3.9
5.1
5.6
6.8
6.2
7.5
8.2 9.1
10
11 12 13 15
16
18
20
22
24
27
30
3.6
33
36
0.001
0
5
10
15
20
齐纳电压： VZ（ V）
VZ- IZ特性
25
30
35
40
250
10000
PRSM
t
功率耗散钯（ W）
200
反向浪涌最大
POWER： PRSM （ W）
1000
150
100
100
10
50
1
0
0
25
50
75
100
125
150
环境温度： TA（ ℃ ）
PD-钽特性
0.12
0.1
40
35
30
25
20
15
10
5
0
-5
0
10
20
30
齐纳电压： VZ（ V）
γz - Vz的特性
40
0.1
0.001
0.01
0.1
1
10
100
时间： T（毫秒）
PRSM - 时间特性
1000
Rth的第（j-一）
TEMP.COEFFICIENCE ： γz （ ％ / ℃ ）
0.08
0.06
0.04
0.02
0
-0.02
-0.04
-0.06
-0.08
短暂
THAERMAL阻抗的Rth （ ℃ / W）
TEMP.COEFFICIENCE ： γz （MV / ℃ ）
100
RTH （J -C ）
10
安装在环氧板
IM=10mA
IF=100mA
1
1ms
时间
300us
0.1
0.001
0.01
1
10
100
时间： T（ S）
RTH- T特性
0.1
1000
Rev.A的
3/4
UDZS9.1B
二极管
10
100
Ta=125℃
100
f=1MHz
反向电流： IR （ NA）
齐纳电流： IZ （MA ）
1
Ta=25℃
Ta=75℃
Ta=-25℃
Ta=75℃
1
0.1
0.01
0.001
0.0001
0
1
2
3
4
5
6
0.1
Ta=25℃
之间的电容
端子的CT （PF ）
Ta=125℃
10
10
0.01
Ta=-25℃
0.001
7
8
9
10
齐纳电压： VZ（ V）
VZ- IZ特性
11
1
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
反向电压VR （ V）
VR -IR特性
反向电压VR （ V）
VR -CT特征
9.3
1
30
反向电流： IR （ NA）
齐纳电压： VZ（ V）
9.2
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
AVE ： 0.0831nA
电容
BETWEENTERMINALS的CT （PF ）
Ta=25℃
IZ=5mA
n=30pcs
0.9
Ta=25℃
VR=6.0V
n=30pcs
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
AVE ： 21.56pF
Ta=25℃
f=1MHz
VR=0V
n=10pcs
9.1
AVE ： 9.107V
9
8.9
8.8
VZ DISRESION地图
0
IR DISRESION地图
CT DISRESION地图
1000
动态阻抗： ZZ （ Ω ）
100
10
1
0.1
1
齐纳电流（毫安）
ZZ- IZ特性
10
Rev.A的
4/4
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 ， LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改，恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中，因此，请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时，请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据，包括但不限于：应用电路图信息，在此描述
仅作为这样的装置的示意图，而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保，任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利，并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权，或产生的事件的性质，或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备，比使用此类设备本身的买受人的权利等，转售或
以其他方式处置的同时，任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
（如视听设备，办公自动化设备，通信设备，电气
电器及电子玩具） 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用，将直接危及人的生命发生故障（如医疗器械，
交通运输设备，航空器械，核反应控制器，燃料控制器等
安全设备） ，请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 （ 16项）
订单在日本。
在从日本出口，请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" （由通产省第）
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.1
UDZS10B
二极管
电气特性曲线
(Ta=25°C)
10
1
齐纳电流： IZ （MA ）
0.1
4.7
0.01
4.3
3.9
5.1
5.6
6.8
6.2
7.5
8.2 9.1
10
11 12 13 15
16
18
20
22
24
27
30
3.6
33
36
0.001
0
5
10
15
20
齐纳电压： VZ（ V）
VZ- IZ特性
25
30
35
40
250
10000
PRSM
t
功率耗散钯（ W）
200
反向浪涌最大
POWER： PRSM （ W）
1000
150
100
100
10
50
1
0
0
25
50
75
100
125
150
环境温度： TA（ ℃ ）
PD-钽特性
0.12
0.1
40
35
30
25
20
15
10
5
0
-5
0
10
20
30
齐纳电压： VZ（ V）
γz - Vz的特性
40
0.1
0.001
0.01
0.1
1
10
100
时间： T（毫秒）
PRSM - 时间特性
1000
Rth的第（j-一）
TEMP.COEFFICIENCE ： γz （ ％ / ℃ ）
0.08
0.06
0.04
0.02
0
-0.02
-0.04
-0.06
-0.08
短暂
THAERMAL阻抗的Rth （ ℃ / W）
TEMP.COEFFICIENCE ： γz （MV / ℃ ）
100
RTH （J -C ）
10
安装在环氧板
IM=10mA
IF=100mA
1
1ms
时间
300us
0.1
0.001
0.01
1
10
100
时间： T（ S）
RTH- T特性
0.1
1000
Rev.A的
3/4
UDZS10B
二极管
10
1000
Ta=125℃
Ta=125℃
100
10
1
Ta=25℃
0.1
0.01
0.001
8
8.5
9
9.5
10
10.5
齐纳电压： VZ（ V）
VZ- IZ特性
11
100
f=1MHz
反向电流： IR （ NA）
1
Ta=75℃
Ta=25℃
Ta=75℃
之间的电容
端子的CT （PF ）
7
齐纳电流： IZ （MA ）
0.1
10
Ta=-25℃
0.01
Ta=-25℃
0.001
1
0
1
2
3
4
5
6
0
2
4
6
8
10
反向电压VR （ V）
VR -IR特性
反向电压VR （ V）
VR -CT特征
10.2
Ta=25℃
IZ=5mA
n=30pcs
1
0.9
Ta=25℃
VR=7.0V
n=30pcs
20
19
反向电流： IR （ NA）
齐纳电压： VZ（ V）
10.1
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
AVE ： 0.128nA
电容
BETWEENTERMINALS的CT （PF ）
18
17
16
15
14
13
12
11
10
AVE ： 19.35p
Ta=25℃
f=1MHz
VR=0V
n=10pcs
10
AVE ： 9.994V
9.9
9.8
9.7
VZ DISRESION地图
0
IR DISRESION地图
CT DISRESION地图
1000
动态阻抗： ZZ （ Ω ）
100
10
1
0.1
1
齐纳电流（毫安）
ZZ- IZ特性
10
Rev.A的
4/4
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 ， LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改，恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中，因此，请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时，请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据，包括但不限于：应用电路图信息，在此描述
仅作为这样的装置的示意图，而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保，任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利，并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权，或产生的事件的性质，或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备，比使用此类设备本身的买受人的权利等，转售或
以其他方式处置的同时，任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
（如视听设备，办公自动化设备，通信设备，电气
电器及电子玩具） 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用，将直接危及人的生命发生故障（如医疗器械，
交通运输设备，航空器械，核反应控制器，燃料控制器等
安全设备） ，请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 （ 16项）
订单在日本。
在从日本出口，请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" （由通产省第）
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.1
UDZS5.1B
二极管
电气特性曲线
(Ta=25°C)
10
1
齐纳电流： IZ （MA ）
0.1
4.7
0.01
4.3
3.9
5.1
5.6
6.8
6.2
7.5
8.2 9.1
10
11 12 13 15
16
18
20
22
24
27
30
3.6
33
36
0.001
0
5
10
15
20
齐纳电压： VZ（ V）
VZ- IZ特性
25
30
35
40
250
10000
PRSM
t
功率耗散钯（ W）
200
反向浪涌最大
POWER： PRSM （ W）
1000
150
100
100
10
50
1
0
0
25
50
75
100
125
150
环境温度： TA（ ℃ ）
PD-钽特性
0.12
0.1
40
35
30
25
20
15
10
5
0
-5
0
10
20
30
齐纳电压： VZ（ V）
γz - Vz的特性
40
0.1
0.001
0.01
0.1
1
10
100
时间： T（毫秒）
PRSM - 时间特性
1000
Rth的第（j-一）
TEMP.COEFFICIENCE ： γz （ ％ / ℃ ）
0.08
0.06
0.04
0.02
0
-0.02
-0.04
-0.06
-0.08
短暂
THAERMAL阻抗的Rth （ ℃ / W）
TEMP.COEFFICIENCE ： γz （MV / ℃ ）
100
RTH （J -C ）
10
安装在环氧板
IM=10mA
IF=100mA
1
1ms
时间
300us
0.1
0.001
0.01
1
10
100
时间： T（ S）
RTH- T特性
0.1
1000
Rev.A的
3/4
UDZS5.1B
二极管
10
1000
100
Ta=125℃
Ta=75℃
100
f=1MHz
反向电流： IR （ NA）
齐纳电流： IZ （MA ）
1
10
1
0.1
0.01
0.001
0.1
Ta=125℃
Ta=75℃
0.01
Ta=25℃
Ta=-25℃
Ta=25℃
之间的电容
端子的CT （PF ）
10
Ta=-25℃
0.001
3
3.5
4
4.5
5
齐纳电压： VZ（ V）
VZ- IZ特性
5.5
0.0001
0
0.5
1
1.5
反向电压VR （ V）
VR -IR特性
1
0
0.5
1
1.5
2
反向电压VR （ V）
VR -CT特征
5.4
Ta=25℃
IZ=5mA
n=30pcs
1
0.9
40
电容
BETWEENTERMINALS的CT （PF ）
反向电流： IR （ NA）
齐纳电压： VZ（ V）
5.3
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
AVE ： 0.117nA
Ta=25℃
VR=1.5V
n=30pcs
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
CT DISRESION地图
AVE ： 33.74pF
Ta=25℃
f=1MHz
VR=0V
n=10pcs
5.2
5.1
AVE ： 5.102V
5
4.9
VZ DISRESION地图
0
IR DISRESION地图
10000
动态阻抗： ZZ （ Ω ）
1000
100
10
1
0.1
1
齐纳电流（毫安）
ZZ- IZ特性
10
Rev.A的
4/4
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 ， LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改，恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中，因此，请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时，请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据，包括但不限于：应用电路图信息，在此描述
仅作为这样的装置的示意图，而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保，任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利，并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权，或产生的事件的性质，或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备，比使用此类设备本身的买受人的权利等，转售或
以其他方式处置的同时，任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
（如视听设备，办公自动化设备，通信设备，电气
电器及电子玩具） 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用，将直接危及人的生命发生故障（如医疗器械，
交通运输设备，航空器械，核反应控制器，燃料控制器等
安全设备） ，请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 （ 16项）
订单在日本。
在从日本出口，请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" （由通产省第）
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.1
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