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UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
UDN302
P沟道2.5V指定
的PowerTrench MOSFET
描述
该
UDN302
采用先进的沟槽技术，提供
优秀的研发
DS （ ON）
，低栅极电荷和操作与低门
电压。这个装置是适合于用作负载开关或以PWM
应用程序。
功率MOSFET
特点
* R
DS （ ON）
=55m
@
V
GS
=-4.5V
* R
DS （ ON）
=80m
@
V
GS
=-2.5V
*低电容
*低栅极电荷
*快速开关能力
*较高的雪崩能量
符号
3.Drain
2.Gate
1.Source
订购信息
订购数量
无铅
无卤
UDN302L-AE3-R
UDN302G-AE3-R
包
SOT-23
引脚分配
1
2
3
S
G
D
填料
带盘
记号
NC03
L：无铅
G：无卤
www.unisonic.com.tw
2009 Unisonic技术有限公司
1 4
QW-R502-278.B
UDN302
绝对最大额定值
(T
a
= 25 ℃ ，除非另有规定）
参数
功率MOSFET
符号
评级
单位
漏源电压
V
DSS
-20
V
栅源电压
V
GSS
±12
V
连续漏电流
I
D
-2.4
A
漏电流脉冲
I
DM
-10
A
最大功率耗散
P
D
0.5
W
℃
结温
T
J
+150
℃
储存温度
T
英镑
-55 ~ +150
注意：绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
热数据
参数
结到环境
结到外壳
符号
θ
JA
θ
JC
民
典型值
最大
250
75
单位
℃/W
℃/W
电气特性
(T
a
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
开关特性
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
漏极 - 源极漏电流
栅极 - 源极漏电流
基本特征（注）
栅极阈值电压
栅极阈值电压温度
系数
静态漏源导通电阻
通态漏电流
正向跨导
动力参数
输入电容
输出电容
反向传输电容
切换参数
（注）
总栅极电荷
符号
BV
DSS
ΔBV
DSS
/ΔT
J
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=-250A
I
D
=-250A,
参考25 ℃下
V
DS
=-16V, V
GS
=0V
V
GS
=±12V, V
DS
=0V
民
-20
-12
-1
±100
-0.6
-1.0
3
44
64
-10
10
882
211
112
9
2
3
13
11
25
15
-0.7
14
55
80
-1.5
典型值
最大单位
V
毫伏/°C的
A
nA
V
毫伏/°C的
m
A
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
V
A
V
DS
=V
GS
, I
D
=-250A
I
D
=-250 A,
ΔV
GS （ TH）
/ΔT
J
参考25 ℃下
V
GS
= -4.5V ，我
D
=-2.4A
R
DS （ ON）
V
GS
= -2.5V ，我
D
=-2A
I
D（上）
V
GS
=-4.5V, V
DS
=-5V
g
FS
V
DS
= -5V ，我
D
=-2.4A
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
G
V
DS
=-10V, V
GS
= 0V ， F = 1.0MHz的
门源电荷
Q
GS
闸漏极电荷
Q
GD
导通延迟时间
t
D（上）
V
DD
= -10V ，我
D
= -1A ，V
GS
=-4.5V
开启上升时间
t
R
R
G
=6
打开-O FF延迟时间
t
D（关闭）
关断下降时间
t
F
源 - 漏二极管额定值和特性
二极管的正向电压
V
SD
V
GS
= 0V时，我
S
= -0.42A （注）
最大体二极管连续电流
I
S
注：脉冲测试：脉冲宽度
≤
300μS ，占空比
≤
2%
V
DS
= -10V ，我
D
=-2.4A,
V
GS
=-4.5V
23
20
40
27
-1.2
-0.42
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
www.unisonic.com.tw
2 4
QW-R502-278.B
UDN302
典型特征
功率MOSFET
漏极电流与栅极阈值电压
300
250
200
150
100
50
0
450
400
350
300
250
200
150
100
50
0
0.2
0.8
0.4
0.6
栅极阈值电压，V
TH
(V)
漏极 - 源极导通状态
阻力特性
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
I
D
=-2A
V
GS
=-2.5V
I
D
=-2.4A
V
GS
=-4.5V
漏电流与
漏源击穿电压
1.0
0
0
10
20
30
40
漏源击穿电压BV
DSS
(V)
0
50
100
150
200
漏源极电压，V
DS
（毫伏）
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
www.unisonic.com.tw
3 4
QW-R502-278.B
UDN302
功率MOSFET
UTC不承担由于使用产品价值的设备故障不承担责任的原则
超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作环境范围或
其他参数）的任何产品规格及所有UTC产品上市的描述或包含
在本文中。 UTC产品并非设计用于生命支持设备，装置或系统中使用
这些产品的故障可合理预期会导致人身伤害。再现
不得全部或部分未经版权所有人的事先书面同意。信息
本文件并不构成任何报价或合同的一部分提出的，被认为是准确的
可靠，可恕不另行通知。
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
www.unisonic.com.tw
4 4
QW-R502-278.B
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    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    UDN302G-AE3-R
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