UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
UD9926
双N沟道
增强型
特点
* 20V / 6A
*低字节R
DS （ ON）
*可靠，坚固耐用
功率MOSFET
SOP-8
符号
TSSOP-8
无铅：
UD9926L
无卤： UD9926G
订购信息
正常
UD9926-S08-R
UD9926-P08-R
订购数量
无铅电镀
UD9926L-S08-R
UD9926L-P08-R
无卤
UD9926G-S08-R
UD9926G-P08-R
引脚分配
填料
1 2 3 4 5 6 7 8
SOP- 8 S1 G1 S2 G2 D2 D1 D2 D1带卷轴
TSSOP - 8 D1 S1 S1 G1 G2 S2 S2 D2带卷轴
包
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2009 Unisonic技术有限公司
1 5
QW-R502-143.B
UD9926
引脚配置
FOR SOP- 8封装
功率MOSFET
对于TSSOP - 8封装
Drain1 1
Source1
Source1
Gate1
2
3
4
8 Drain2
7源2
6源2
5 GATE2
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UD9926
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ° C，除非另有规定编）
参数
功率MOSFET
符号
评级
单位
漏源电压
V
DSS
20
V
门源电压
V
GSS
±10
V
连续（注3）
I
D
6
A
漏电流
脉冲（注2）
I
DM
20
A
SOP-8
1.6
W
功耗
P
D
TSSOP-8
1.0
W
结温
T
J
+150
°C
储存温度
T
英镑
-55 ~ +150
°C
注：1。绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
2
2.表面安装在1英寸焊盘面积， t≤10sec
.
3.脉冲宽度限制T
J（下最大）
热数据
参数
结到环境
符号
θ
JA
民
典型值
最大
80
单位
°C
/W
电气特性
(T
A
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
开关特性
漏源击穿电压
漏极 - 源极漏电流
栅极 - 源极漏电流
基本特征
栅极阈值电压
漏源导通电阻（注2 ）
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=250uA
V
DS
=16V, V
GS
=0V
V
DS
=0V, V
GS
=±8V
V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA
V
GS
= 4.5V ，我
D
=6A
V
GS
= 2.5V ，我
D
=5.2A
民
20
1
±100
0.5
0.7
28
38
520
110
70
17
15
45
25
10
3.6
2
0.6
1.3
2.5
1.5
32
45
典型值
最大单位
V
uA
nA
V
m
m
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
A
动态特性
输入电容
C
国际空间站
V
GS
=0V,V
DS
=15V,f=1.0MHz
输出电容
C
OSS
反向传输电容
C
RSS
开关特性
导通延迟时间（注）
t
D（上）
开启上升时间
t
R
V
DD
=10V, V
GS
= 4.5V ，我
D
=1A,
R
G
=0.2
打开-O FF延迟时间
t
D（关闭）
关断下降时间
t
F
总栅极电荷（注）
Q
G
V
DS
=10V, V
GS
= -4.5V ，我
D
=6A
栅极 - 源电荷
Q
GS
栅极 - 漏极电荷
Q
GD
源 - 漏二极管额定值和特性
漏源二极管的正向电压（注2 ）
V
SD
I
S
= 1.7A ，V
GS
=0V
最大连续漏源二极管
I
S
正向电流
注：脉冲宽度
≤300us,
占空比
≤2%.
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典型特征
输出特性
20
V
GS
=2,3,4,5,6,7,8,9,10V
16
1V
15
20
功率MOSFET
传输特性
12
0.5V
8
5
T
J
=125℃
T
J=
55℃
10
T
J
=25℃
4
0
0
1
2
3
4
5
0
0.0
漏极至源极电压，V
DS
(V)
1.5
0.5
1.0
2.0
栅极 - 源极电压，V
GS
(V)
2.5
导通电阻与漏电流
0.040
0.035
V
GS
=4.5V
0.030
V
GS
=10V
0.025
0.12
0.11
导通电阻，R
DS （ ON）
(Ω)
0.10
导通电阻，R
DS （ ON）
(Ω)
0.09
0.08
0.07
0.06
0.05
0.04
0.03
0.02
0.01
0.010
0
5
10
漏电流，我
D
(A)
0.00
15
20
0
导通电阻与栅极至源极电压
I
D
=6A
0.020
0.015
1
2
3
4
5
6
7
8
栅极 - 源极电压，V
GS
(V)
9
10
栅源电压，V
GS
(V)
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电容（pF）
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典型特征（续）
源极 - 漏极二极管正向电压
20
80
功率MOSFET
单脉冲功率
10
源电流，我
S
(A)
功率（W）的
T
J
=150℃
T
J
=25℃
1
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8
60
40
20
1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
0
0.01
0.1
1
时间（秒）
10
源极到漏极电压，V
SD
(V)
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超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作环境范围或
其他参数）的任何产品规格及所有UTC产品上市的描述或包含
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