仅维修
特点
UD61466
64K ×4的DRAM
供应链管理有利于更快的数据操作
与预定义的行地址。通过8
地址输入16位地址
被发送到内部
在地址的记忆时间多
复杂的操作。下降RAS-
边接管该行地址。
经过行地址保持时间
列地址都可以应用。
在读周期地址
转移不被下落锁存
边在CAS输入，从而使
列地址必须施加
直到数据是在输出端有效。
期间写入列地址是
接管用的下降沿
控制信号CAS ，或W ，即
变为活动的最后。该SEL-
的一个或多个存储器税务局局长挠度
cuits可以通过对RAS进行
输入。
数据输出控制
该数据输出的通常状态是
高阻状态。每当CAS是
无效（高） ，Q将漂浮（高阻） 。
因此，中科院作为数据输出
控制权。
之后访问时间，万一读
周期中，输出被激活，并且它
包含的逻辑“0”或“1”。
记忆周期是读，
读写或写周期（ W- CON-
受控） ，Q从高阻抗的变化
状态到激活状态（“0”或“1”） 。
后访问的时间，内容
所选择的小区将是可用的，
除了在写入周期的。
输出保持有效，直到CAS
变为非激活状态，而不管
RAS变为非活动状态或没有。该
存储周期是一个写周期
（CAS控制的） ，该数据输出
保持整个高阻态
整个周期。这种配置
使Q由完全可控
用户仅仅通过W的定时
输出storaging的数据，它们
保持有效的访问结束
时间，直到下一个周期的开始。
F
动态随机存取存储器
F
F
F
F
F
F
F
F
F
F
F
65536 ×4位制造
使用CMOS技术
RAS访问时间70纳秒/ 80纳秒
TTL兼容
三态输出的双向
256刷新周期
4毫秒刷新周期时间
静态列模式
操作模式：读，写，
读 - 写，
RAS只刷新，
隐藏刷新地址
转让
低功耗
电源电压为5 V
包装PDIP18 （ 300万）
工作温度范围
0至70℃
根据质量评估
CECC 90000 ， CECC 90100和
CECC 90112
读写控制
之间的读取或写入的选择
周期的W输入进行。 HIGH
在W输入导致一个读周期，
描述
与此同时低电平导致写
周期。
地址
该UD61466是动态随机两个CAS控制和W-控制 -
存取存储器， 65536率领写周期是可能的
字由4位。
激活RAS信号。
引脚配置
引脚说明
（ OE）的
G
DQ0
DQ1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
18
17
16
15
13
12
11
10
VSS
DQ3
CAS
DQ2
A6
A3
A4
A5
A7
信号名称
A0 - A7
DQ0 - DQ3
W
RAS
G
VCC
VSS
CAS
信号说明
地址输入
IN / OUT数据
读，写控制
行地址选通
OUTPUT ENABLE
电源电压
地
列地址选通
（WE）
W
RAS
A0
A2
A1
VCC
PDIP
14
SOJ
顶视图
1997年12月12日
1
UD61466
特征
所有电压都参考V
SS
= 0V （接地） 。
所有特征都在下面所示的电源电压范围和工作温度范围内有效。
绝对最大额定值
电源电压
输入电压
输出电压
输出电流
功耗
工作温度
储存温度
注：请参阅第7页
1)
1)
1a)
符号
V
CC
V
I
V
O
I
O
P
D
T
a
T
英镑
分钟。
-0.5
-1.0
-1.0
-50
马克斯。
7.0
7.0
7.0
50
1
单位
V
V
V
mA
W
°C
°C
0
-55
70
125
推荐工作条件
电源电压
输入低电压
输入高电压
注：请参阅第7页
1)
符号
V
CC
V
IL
V
IH
分钟。
4.5
-1.0
2.4
马克斯。
5.5
0.8
5.5
单位
V
V
V
电容
输入电容
A0到A7
输入电容
RAS ， CAS ，W和G
输出电容DQ0到DQ3
条件
符号
C
I1
C
I2
C
O
分钟。
马克斯。
6
7
7
单位
pF
pF
pF
V
CC
V
I
f
T
a
= 5.0 V
= V
SS
= 1兆赫
= 25
°C
所有管脚不根据试验（交变电压）必须与地面相连。
1997年12月12日
3
仅维修
特点
UD61466
64K ×4的DRAM
供应链管理有利于更快的数据操作
与预定义的行地址。通过8
地址输入16位地址
被发送到内部
在地址的记忆时间多
复杂的操作。下降RAS-
边接管该行地址。
经过行地址保持时间
列地址都可以应用。
在读周期地址
转移不被下落锁存
边在CAS输入，从而使
列地址必须施加
直到数据是在输出端有效。
期间写入列地址是
接管用的下降沿
控制信号CAS ，或W ，即
变为活动的最后。该SEL-
的一个或多个存储器税务局局长挠度
cuits可以通过对RAS进行
输入。
数据输出控制
该数据输出的通常状态是
高阻状态。每当CAS是
无效（高） ，Q将漂浮（高阻） 。
因此，中科院作为数据输出
控制权。
之后访问时间，万一读
周期中，输出被激活，并且它
包含的逻辑“0”或“1”。
记忆周期是读，
读写或写周期（ W- CON-
受控） ，Q从高阻抗的变化
状态到激活状态（“0”或“1”） 。
后访问的时间，内容
所选择的小区将是可用的，
除了在写入周期的。
输出保持有效，直到CAS
变为非激活状态，而不管
RAS变为非活动状态或没有。该
存储周期是一个写周期
（CAS控制的） ，该数据输出
保持整个高阻态
整个周期。这种配置
使Q由完全可控
用户仅仅通过W的定时
输出storaging的数据，它们
保持有效的访问结束
时间，直到下一个周期的开始。
F
动态随机存取存储器
F
F
F
F
F
F
F
F
F
F
F
65536 ×4位制造
使用CMOS技术
RAS访问时间70纳秒/ 80纳秒
TTL兼容
三态输出的双向
256刷新周期
4毫秒刷新周期时间
静态列模式
操作模式：读，写，
读 - 写，
RAS只刷新，
隐藏刷新地址
转让
低功耗
电源电压为5 V
包装PDIP18 （ 300万）
工作温度范围
0至70℃
根据质量评估
CECC 90000 ， CECC 90100和
CECC 90112
读写控制
之间的读取或写入的选择
周期的W输入进行。 HIGH
在W输入导致一个读周期，
描述
与此同时低电平导致写
周期。
地址
该UD61466是动态随机两个CAS控制和W-控制 -
存取存储器， 65536率领写周期是可能的
字由4位。
激活RAS信号。
引脚配置
引脚说明
（ OE）的
G
DQ0
DQ1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
18
17
16
15
13
12
11
10
VSS
DQ3
CAS
DQ2
A6
A3
A4
A5
A7
信号名称
A0 - A7
DQ0 - DQ3
W
RAS
G
VCC
VSS
CAS
信号说明
地址输入
IN / OUT数据
读，写控制
行地址选通
OUTPUT ENABLE
电源电压
地
列地址选通
（WE）
W
RAS
A0
A2
A1
VCC
PDIP
14
SOJ
顶视图
1997年12月12日
1
UD61466
特征
所有电压都参考V
SS
= 0V （接地） 。
所有特征都在下面所示的电源电压范围和工作温度范围内有效。
绝对最大额定值
电源电压
输入电压
输出电压
输出电流
功耗
工作温度
储存温度
注：请参阅第7页
1)
1)
1a)
符号
V
CC
V
I
V
O
I
O
P
D
T
a
T
英镑
分钟。
-0.5
-1.0
-1.0
-50
马克斯。
7.0
7.0
7.0
50
1
单位
V
V
V
mA
W
°C
°C
0
-55
70
125
推荐工作条件
电源电压
输入低电压
输入高电压
注：请参阅第7页
1)
符号
V
CC
V
IL
V
IH
分钟。
4.5
-1.0
2.4
马克斯。
5.5
0.8
5.5
单位
V
V
V
电容
输入电容
A0到A7
输入电容
RAS ， CAS ，W和G
输出电容DQ0到DQ3
条件
符号
C
I1
C
I2
C
O
分钟。
马克斯。
6
7
7
单位
pF
pF
pF
V
CC
V
I
f
T
a
= 5.0 V
= V
SS
= 1兆赫
= 25
°C
所有管脚不根据试验（交变电压）必须与地面相连。
1997年12月12日
3
QQ：2880707522 复制
