UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
UD4P20
初步
功率MOSFET
4A ， 20V双P沟道
功率MOSFET
描述
在UTC
UD4P20
采用先进的技术来提供
优秀的研发
DS （ ON）
，低栅极电荷和操作与低门
电压。该装置是制造可重复的。在UTC
UD4P20
适合于应用，如电池管理
在游牧设备和电源管理手机。
特点
* R
DS （ ON）
： 0.07Ω （ TYP 。 ）
*低导通电阻
*坚固耐用的雪崩特性
*易于自动化表面贴装标准大纲
*低门槛的驱动器
符号
订购信息
订购数量
无铅
无卤
UD4P20L-S08-R
UD4P20G-S08-R
UD4P20L-S08-T
UD4P20G-S08-T
注：引脚分配： G：门D：漏极S：源
包
SOP-8
SOP-8
填料
带盘
管
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2011 Unisonic技术有限公司
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QW-R502-345.c
UD4P20
引脚配置
初步
功率MOSFET
源1
门1
源2
门2
1
2
3
4
8
7
6
5
排水1
排水1
排水2
排水2
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UD4P20
初步
功率MOSFET
绝对最大额定值
（除非另外指定）。
参数
符号
评级
单位
漏源电压（V
GS
=0V)
V
DSS
-20
V
漏，栅极电压（R
GS
= 20k)
V
DGR
-20
V
栅源电压
V
GSS
±16
V
连续漏电流
I
D
-4
A
(T
C
= 25 ° C，单操作）
漏电流脉冲（注2 ）
I
DM
-16
A
双操作
1.6
W
功率耗散（T
C
=25°C)
P
D
单人操作
2
W
结温
T
J
+150
°C
储存温度
T
英镑
-55 ~ +150
°C
注：1。绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
2.脉冲宽度有限的安全工作区。
热数据
参数
符号
单人操作
结到环境
θ
JA
双操作
注意：当安装在0.5
2
垫2盎司的。铜
评级
62.5
78
单位
° C / W
° C / W
电气特性
(T
C
= 25C ，除非另有说明）。
参数
开关特性
漏源击穿电压
漏极 - 源极漏电流
栅源漏电流
基本特征
（注1 ）
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
测试条件
I
D
= -250μA ，V
GS
= 0 V
V
DS
=-20 V, V
GS
=0 V
V
GS
= ±16 V, V
DS
=0 V
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250μA
V
GS
= -10 V，I
D
=-2A
V
GS
= -4.5 V，I
D
=-2A
民
-20
-1
±100
-1
-1.6
70
85
1350
490
130
25
35
125
35
12.5
5
3
-2.5
80
100
典型值
最大单位
V
A
nA
V
m
m
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
A
A
ns
nC
动力参数
输入电容
C
国际空间站
V
DS
=-25 V, V
GS
=0 V
输出电容
C
OSS
f=1MHz
反向传输电容
C
RSS
切换参数
导通延迟时间
t
D（上）
开启上升时间
t
R
V
DD
= -15V ，我
D
=-2A ,
V
GS
= -4.5 V ，R
G
=4.7
打开-O FF延迟时间
t
D（关闭）
关断下降时间
t
F
总栅极电荷
Q
G
V
DD
=-24 V, V
GS
=-5 V
门源电荷
Q
GS
I
D
=-4 A
闸漏极电荷
Q
GD
源 - 漏二极管额定值和特性
漏源二极管的正向电压（注1 ）
V
SD
I
SD
= -4 A ，V
GS
=0 V
最大连续漏源二极管
I
SD
正向电流
最大脉冲漏源极二极管
I
SDM
正向电流（注2）
反向恢复时间
t
rr
I
SD
= -4A ，V
DD
=-15V
的di / dt = 100A / μs的，T
J
=150°C
反向恢复电荷
Q
RR
注：1。脉冲：脉冲持续时间= 300μS ，占空比cycle≤1.5 ％ 。
2.脉冲宽度有限的安全工作区。
16
-1.2
-4
-16
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初步
功率MOSFET
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可靠，可恕不另行通知。
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