UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
UD4614
双增强模式
（N沟道/ P沟道）
描述
在UTC
UD4614
可以提供优秀的研发
DS （ ON）
和低门
充电采用先进沟道技术MOSFET的。该
世界标准时间
UD4614
可以以H桥，逆变器和其他用于
应用程序。
功率MOSFET
特点
* N通道： 40V / 6A
R
DS （ ON）
= 23.2mΩ （典型值）。
@
V
GS
=10V
R
DS （ ON）
= 32.6mΩ （典型值）。
@
V
GS
= 4.5V
* P通道： -40V / -5A
R
DS （ ON）
= 34.7mΩ （典型值）。
@
V
GS
= -10V
R
DS （ ON）
= 50.6mΩ （典型值）。
@
V
GS
= -4.5V
*超级高密度电池设计
*可靠，坚固耐用
符号
订购信息
订购数量
无铅
无卤
UD4614L-S08-R
UD4614G-S08-R
包
SOP-8
填料
带盘
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2008 Unisonic技术有限公司
1 9
QW-R502-147.B
UD4614
引脚配置
功率MOSFET
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2 9
QW-R502-147.B
UD4614
绝对最大额定值
（ TA = 25℃ ，除非另有规定）
N通道：
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（注3 ）
漏电流脉冲（注3 ）
功耗
结温
储存温度
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
T
J
T
英镑
参数
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
功率MOSFET
T
C
=25°C
T
C
=25°C
T
C
=25°C
T
C
=100°C
评级
40
±20
6
20
2
1.28
+150
-55 ~ +150
单位
V
V
A
A
W
W
°C
°C
P通道：
评级
单位
漏源电压
-40
V
栅源电压
±20
V
连续漏电流（注3 ）
T
C
=25°C
-5
A
漏电流脉冲（注3 ）
T
C
=25°C
-20
A
T
C
=25°C
2
W
P
D
功耗
T
C
=100°C
1.28
W
结温
T
J
+150
°C
储存温度
T
英镑
-55 ~ +150
°C
注意：绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
热数据
参数
结到环境（注3 ）
符号
θ
JA
民
典型值
74
最大
110
单位
° C / W
电气特性
（ TA = 25℃ ，除非另有规定）
N沟道
参数
开关特性
漏源击穿电压
漏极 - 源极漏电流
栅极 - 源极漏电流
基本特征
栅极阈值电压
漏源导通电阻（注2 ）
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关特性
导通延迟时间（注2 ）
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷（注2 ）
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
R
t
D（关闭）
t
F
Q
G
Q
GS
Q
GD
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=10mA
V
DS
=32V, V
GS
=0V
V
DS
=0V, V
GS
=±20V
V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA
V
GS
= 10V ，我
D
=6A
V
GS
= 4.5V ，我
D
=5A
民
40
1
±100
1
2.3
23.2
32.6
404
95
37
4.2
3.3
15.6
3
8.3
1.3
2.3
3
31
45
典型值
最大单位
V
uA
nA
V
m
m
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
3 9
QW-R502-147.B
V
GS
=0V,V
DS
=20V,f=1.0MHz
V
DS
=20V, V
GS
= 10V ，R
G
=3,
R
L
=3.3
V
DS
=20V, V
GS
= 10V ，我
D
=6A
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UD4614
电气特性（续）
参数
符号
测试条件
源 - 漏二极管额定值和特性
漏源二极管的正向电压（注2 ）
V
SD
I
S
= 1A ，V
GS
=0V
二极管连续正向电流
I
S
反向恢复时间
t
RR
I
DS
= 6A ，的di / dt = 100A / μs的
反向恢复电荷
Q
RR
P沟道
参数
开关特性
漏源击穿电压
漏极 - 源极漏电流
栅极 - 源极漏电流
基本特征
栅极阈值电压
漏源导通电阻（注2 ）
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=-10mA
V
DS
=-32V, V
GS
=0V
V
DS
=0V, V
GS
=±20V
V
DS
=V
GS
, I
D
=-250uA
V
GS
= -10V ，我
D
=-5A
V
GS
= -4.5V ，我
D
=-2A
功率MOSFET
民
典型值
0.77
20.5
14.5
最大单位
1
3
V
A
ns
nC
民
-40
典型值
最大单位
V
uA
nA
V
m
m
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
-1
-3.2
V
A
ns
nC
-1
±100
-1
-1.9
34.7
50.6
657
143
63
7.5
6.7
26
11.2
13.6
1.8
3.9
-0.75
22.3
15.2
-3
45
63
动态特性
输入电容
C
国际空间站
V
GS
=0V,V
DS
=-20V,f=1.0MHz
输出电容
C
OSS
反向传输电容
C
RSS
开关特性
导通延迟时间（注2 ）
t
D（上）
V
DS
=-20V, V
GS
=-10V,
开启上升时间
t
R
R
G
=3, R
L
=4
打开-O FF延迟时间
t
D（关闭）
关断下降时间
t
F
总栅极电荷（注2 ）
Q
G
V
DS
=-20V, V
GS
= -10V ，我
D
=-5A
栅极 - 源电荷
Q
GS
栅极 - 漏极电荷
Q
GD
源 - 漏二极管额定值和特性
漏源二极管的正向电压（注2 ）
V
SD
I
S
= -1A ，V
GS
=0V
二极管连续正向电流
I
S
反向恢复时间
t
RR
I
DS
= -5A ，的di / dt = 100A / μs的
反向恢复电荷
Q
RR
注意事项： 1，脉冲宽度限制T
J（下最大）
2.脉冲width≤300us ，占空比
≤2%.
2
3.表面安装在1英寸焊盘面积， t≤10sec
.
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QW-R502-147.B
UD4614
典型特征
N沟道
上辞职特点
30
25
漏电流，我
D
(A)
20
4V
15
10
5
0
0
V
GS
=3.5V
10V
5V
4.5V
漏电流，我
D
(A)
15
20
V
DS
=5V
功率MOSFET
传输特性
10
125℃
5
25℃
1
3
4
2
漏源电压，V
DS
(V)
5
0
2
2.5
3
3.5
4
栅源电压，V
GS
(V)
4.5
导通电阻，R
DS （ ON）
(mΩ)
栅源电压，V
GS
(V)
源电流，我
S
(A)
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电容（pF）
5 9
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