UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
UD4606
双增强模式
（N沟道/ P沟道）
描述
在UTC
UD4606
提供了优秀的研发
DS （ ON）
和低门
充电采用先进沟道技术MOSFET的。该
互补的MOSFET ，可以有助于形成一个电平移位高
侧开关和也对许多其他应用。
DIP-8
功率MOSFET
特点
*
N通道： 30V / 6.9A
R
DS （ ON）
= 22.5毫欧（典型值）。
@V
GS
=10V
R
DS （ ON）
= 34.5毫欧（典型值）。
@V
GS
=4.5V
SOP-8
*
P通道： -30V / -6A
R
DS （ ON）
= 28毫欧（典型值）。
@V
GS
= -10V
R
DS （ ON）
= 44毫欧（典型值）。
@V
GS
= -4.5V
*
可靠，坚固耐用
符号
订购信息
订购数量
无铅电镀
无卤
UD4606L-D08-T
UD4606G-D08-T
UD4606L-S08-R
UD4606G-S08-R
包
DIP-8
SOP-8
引脚分配
填料
1 2 3 4 5 6 7 8
S1 G1 S2 G2 D2 D1 D2 D1
管
S1 G1 S2 G2 D2 D1 D2 D1带卷轴
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2010 Unisonic技术有限公司
1第8
QW-R502-144.C
UD4606
引脚配置
功率MOSFET
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2 9
QW-R502-144.C
UD4606
绝对最大额定值
(T
A
= 25° С ，除非另有规定）
N沟道
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（注2 ）
漏电流脉冲（注2 ）
功耗
结温
储存温度
P沟道
参数
DIP-8
SOP-8
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DM
P
D
T
J
T
英镑
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DM
功率MOSFET
评级
30
±20
6.9
30
2.5
2
+150
-55 ~ +150
单位
V
V
A
A
W
W
°С
°С
评级
单位
漏源电压
-30
V
栅源电压
±20
V
连续漏电流（注2 ）
-6
A
漏电流脉冲（注2 ）
-30
A
DIP-8
2.5
W
功耗
P
D
SOP-8
2
W
结温
T
J
+150
°С
储存温度
T
英镑
-55 ~ +150
°С
注：1。绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
2.表面安装在1英寸
2
垫区域， t≤10sec
热数据
参数
DIP-8
SOP-8
2
注：表面安装在1英寸焊盘面积， t≤10sec
结到环境（注）
符号
θ
JA
民
典型值
74
67
最大
110
80
单位
°С/W
°С/W
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3 9
QW-R502-144.C
UD4606
电气特性
(T
A
= 25 ℃，除非另有规定）
N沟道
参数
开关特性
漏源击穿电压
漏极 - 源极漏电流
栅极 - 源极漏电流
基本特征
栅极阈值电压
漏源导通电阻
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=250uA
V
DS
=24V, V
GS
=0V
V
DS
=0V, V
GS
=±20V
V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA
V
GS
= 10V ，我
D
=6.9A
V
GS
= 4.5V ，我
D
=5A
功率MOSFET
民
30
典型值
最大单位
V
uA
nA
V
m
m
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
1
3
V
A
ns
nC
1
100
1
1.9
22.5
34.5
680
102
77
4.6
4.1
20.6
5.2
13.8
1.82
3.2
0.76
16.5
7.8
民
-30
-1
±100
-1.2
-2
28
44
920
190
122
7.7
5.7
20.2
9.5
18.5
2.7
4.5
-2.4
35
58
典型值
3
28
42
动态特性
输入电容
C
国际空间站
V
GS
=0V,V
DS
=15V,f=1.0MHz
输出电容
C
OSS
反向传输电容
C
RSS
开关特性
导通延迟时间（注2 ）
t
D（上）
V
DS
=15V, V
GS
= 10V ，R
G
=3,
开启上升时间
t
R
R
L
=2.2
打开-O FF延迟时间
t
D（关闭）
关断下降时间
t
F
总栅极电荷（注2 ）
Q
G
V
DS
=15V, V
GS
= 10V ，我
D
=6.9A
栅极 - 源电荷
Q
GS
栅极 - 漏极电荷
Q
GD
源 - 漏二极管额定值和特性
漏源二极管的正向电压（注2 ）
V
SD
I
S
= 1A ，V
GS
=0V
连续二极管正向电流（注3 ）
I
S
反向恢复时间
t
RR
I
DS
= 6.9A ，的di / dt = 100A / μs的
反向恢复电荷
Q
RR
P沟道
参数
开关特性
漏源击穿电压
漏极 - 源极漏电流
栅极 - 源极漏电流
基本特征
栅极阈值电压
漏源导通电阻（注2 ）
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关特性
导通延迟时间（注2 ）
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷（注2 ）
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
R
t
D（关闭）
t
F
Q
G
Q
GS
Q
GD
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=-250uA
V
DS
=-24V, V
GS
=0V
V
DS
=0V, V
GS
=±20V
V
DS
=V
GS
, I
D
=-250uA
V
GS
= -10V ，我
D
=-6A
V
GS
= -4.5V ，我
D
=-5A
最大单位
V
uA
nA
V
m
m
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
GS
=0V,V
DS
=-15V,f=1.0MHz
V
DS
=-15V, V
GS
=-10V,
R
G
=3, R
L
=2.7
V
DS
=-15V, V
GS
=-10V,
I
D
=-6A
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QW-R502-144.C
UD4606
电气特性（续）
参数
符号
测试条件
源 - 漏二极管额定值和特性
漏源二极管的正向电压（注2 ）
V
SD
I
S
= -1A ，V
GS
=0V
连续二极管正向电流（注3 ）
I
S
反向恢复时间
t
RR
I
DS
= -6A ，的di / dt = 100A / μs的
反向恢复电荷
Q
RR
注意事项： 1，脉冲宽度限制T
J（下最大）
2.脉冲宽度
≤300s,
占空比
≤2%.
2
3.表面安装在1英寸焊盘面积， t≤10sec
.
功率MOSFET
民
典型值
-0.76
20
8.8
最大单位
-1
-4.2
V
A
ns
nC
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5 9
QW-R502-144.C
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