UD3005
P沟道30V的快速开关MOSFET
概述
该UD3005是最高性能的沟
P沟道MOSFET的极端高密度，
它提供了出色的导通电阻和栅极电荷
对于大多数的同步降压转换器的
应用程序。
该UD3005符合RoHS和绿色产品
要求100 ％保证EAS全
功能可靠性批准。
特点
先进的高密度Trench技术
超低栅极电荷
优秀与Cdv / dt的影响下降
100 ％保证EAS
绿色设备可用
产品综述
BV
DSS
-30V
应用
R
DS （ ON）
15m
ID
-45A
高周波同步负载点的
降压转换器为MB / NB / UMPC / VGA
网络式DC -DC电源系统
负荷开关
TO252引脚配置
绝对最大额定值
等级
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
C
=25℃
I
D
@T
C
=100℃
I
D
@T
A
=25℃
I
D
@T
A
=70℃
I
DM
EAS
I
AS
P
D
@T
C
=25℃
P
D
@T
A
=25℃
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流， V
GS
@ -10V
1
连续漏电流， V
GS
@ -10V
1
连续漏电流， V
GS
@ -10V
漏电流脉冲
2
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
总功耗
4
总功耗
4
3
1
10s
稳定状态
-30
±25
-45
-30
单位
V
V
A
A
-15
-12
-150
273
-50
45
5
-55到150
-55到150
-9.6
-7.7
A
A
A
mJ
A
W
连续漏电流， V
GS
@ -10V
1
2.0
W
℃
℃
存储温度范围
工作结温范围
热数据
符号
R
θJA
R
θJA
R
θJC
参数
热阻结到环境
1
热阻结到环境（T
≤
10s)
热阻结案件
1
1
典型值。
---
---
---
马克斯。
62
25
2.8
单位
℃/W
℃/W
℃/W
1
UD3005
P沟道30V的快速开关MOSFET
电气特性（T
J
=25
℃,
除非另有说明）
符号
BV
DSS
参数
漏源击穿电压
条件
V
GS
= 0V时，我
D
=-250uA
参考25 ℃ ，我
D
=-1mA
V
GS
= -10V ，我
D
=-30A
V
GS
= -4.5V ，我
D
=-15A
V
GS
=V
DS
, I
D
=-250uA
V
DS
=-24V , V
GS
= 0V ，T
J
=25℃
V
DS
=-24V , V
GS
= 0V ，T
J
=55℃
V
GS
=±25V
, V
DS
=0V
V
DS
= -5V ，我
D
=-30A
V
DS
=0V , V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
V
DS
=-15V , V
GS
= -4.5V ，我
D
=-15A
分钟。
-30
---
---
---
-1.0
---
---
---
---
---
---
---
---
---
---
V
DD
=-15V , V
GS
= -10V ，R
G
=3.3Ω
I
D
=-15A
---
---
---
---
V
DS
=-15V , V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
---
---
典型值。
---
-0.0232
12
20
-1.5
4.6
---
---
---
30
9
22
8.7
7.2
8
73.7
61.8
24.4
2215
310
237
马克斯。
---
---
15
25
-2.5
---
-1
-5
±100
---
18
30.8
12.2
10
16
132
123
48
3100
434
330
pF
ns
nC
单位
V
V/℃
mΩ
V
毫伏/ ℃
uA
nA
S
Ω
ΔBV
DSS
/△T
J
BVDSS温度系数
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
△V
GS （ TH）
I
DSS
I
GSS
政府飞行服务队
R
g
Q
g
Q
gs
Q
gd
T
D（上）
T
r
T
D（关闭）
T
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
静态漏源导通电阻
2
栅极阈值电压
V
GS （ TH）
温度COEF网络cient
漏极 - 源极漏电流
栅极 - 源极漏电流
正向跨导
栅极电阻
总栅极电荷（ -4.5V ）
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
保证雪崩特性
符号
EAS
参数
单脉冲雪崩能量
5
条件
V
DD
= -25V ， L = 0.1mH ，我
AS
=-24A
分钟。
63
典型值。
---
马克斯。
---
单位
mJ
二极管的特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
参数
连续源电流
脉冲源电流
2,6
二极管的正向电压
2
1,6
条件
V
G
=V
D
= 0V ，强制电流
V
GS
= 0V时，我
S
= -1A ，T
J
=25℃
I
F
= -15A ，的di / dt = 100A / μs的，
T
J
=25℃
分钟。
---
---
---
---
---
典型值。
---
---
---
19
9
马克斯。
-45
-150
-1
---
---
单位
A
A
V
nS
nC
反向恢复时间
反向恢复电荷
注意：
2
安装在一个1英寸FR-4板与2OZ铜表面进行测试1.数据。
脉冲，脉冲宽度2.测试数据
≦
300US ，占空比
≦
2%
3， EAS的数据显示最大。投资评级。测试条件为V
DD
=-25V,V
GS
=-10V,L=0.1mH,I
AS
=-50A
4，功耗为150 ℃的结温限制
5.最小。值为100％的EAS检测保证。
6，数据在理论上是相同的，因为我
D
我
DM
在实际应用中，应该由总功耗的限制。
2
UD3005
P沟道30V的快速开关MOSFET
概述
该UD3005是最高性能的沟
P沟道MOSFET的极端高密度，
它提供了出色的导通电阻和栅极电荷
对于大多数的同步降压转换器的
应用程序。
该UD3005符合RoHS和绿色产品
要求100 ％保证EAS全
功能可靠性批准。
特点
先进的高密度Trench技术
超低栅极电荷
优秀与Cdv / dt的影响下降
100 ％保证EAS
绿色设备可用
产品综述
BV
DSS
-30V
应用
R
DS （ ON）
15m
ID
-45A
高周波同步负载点的
降压转换器为MB / NB / UMPC / VGA
网络式DC -DC电源系统
负荷开关
TO252引脚配置
绝对最大额定值
等级
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
C
=25℃
I
D
@T
C
=100℃
I
D
@T
A
=25℃
I
D
@T
A
=70℃
I
DM
EAS
I
AS
P
D
@T
C
=25℃
P
D
@T
A
=25℃
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流， V
GS
@ -10V
1
连续漏电流， V
GS
@ -10V
1
连续漏电流， V
GS
@ -10V
漏电流脉冲
2
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
总功耗
4
总功耗
4
3
1
10s
稳定状态
-30
±25
-45
-30
单位
V
V
A
A
-15
-12
-150
273
-50
45
5
-55到150
-55到150
-9.6
-7.7
A
A
A
mJ
A
W
连续漏电流， V
GS
@ -10V
1
2.0
W
℃
℃
存储温度范围
工作结温范围
热数据
符号
R
θJA
R
θJA
R
θJC
参数
热阻结到环境
1
热阻结到环境（T
≤
10s)
热阻结案件
1
1
典型值。
---
---
---
马克斯。
62
25
2.8
单位
℃/W
℃/W
℃/W
1
UD3005
P沟道30V的快速开关MOSFET
电气特性（T
J
=25
℃,
除非另有说明）
符号
BV
DSS
参数
漏源击穿电压
条件
V
GS
= 0V时，我
D
=-250uA
参考25 ℃ ，我
D
=-1mA
V
GS
= -10V ，我
D
=-30A
V
GS
= -4.5V ，我
D
=-15A
V
GS
=V
DS
, I
D
=-250uA
V
DS
=-24V , V
GS
= 0V ，T
J
=25℃
V
DS
=-24V , V
GS
= 0V ，T
J
=55℃
V
GS
=±25V
, V
DS
=0V
V
DS
= -5V ，我
D
=-30A
V
DS
=0V , V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
V
DS
=-15V , V
GS
= -4.5V ，我
D
=-15A
分钟。
-30
---
---
---
-1.0
---
---
---
---
---
---
---
---
---
---
V
DD
=-15V , V
GS
= -10V ，R
G
=3.3Ω
I
D
=-15A
---
---
---
---
V
DS
=-15V , V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
---
---
典型值。
---
-0.0232
12
20
-1.5
4.6
---
---
---
30
9
22
8.7
7.2
8
73.7
61.8
24.4
2215
310
237
马克斯。
---
---
15
25
-2.5
---
-1
-5
±100
---
18
30.8
12.2
10
16
132
123
48
3100
434
330
pF
ns
nC
单位
V
V/℃
mΩ
V
毫伏/ ℃
uA
nA
S
Ω
ΔBV
DSS
/△T
J
BVDSS温度系数
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
△V
GS （ TH）
I
DSS
I
GSS
政府飞行服务队
R
g
Q
g
Q
gs
Q
gd
T
D（上）
T
r
T
D（关闭）
T
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
静态漏源导通电阻
2
栅极阈值电压
V
GS （ TH）
温度COEF网络cient
漏极 - 源极漏电流
栅极 - 源极漏电流
正向跨导
栅极电阻
总栅极电荷（ -4.5V ）
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
保证雪崩特性
符号
EAS
参数
单脉冲雪崩能量
5
条件
V
DD
= -25V ， L = 0.1mH ，我
AS
=-24A
分钟。
63
典型值。
---
马克斯。
---
单位
mJ
二极管的特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
参数
连续源电流
脉冲源电流
2,6
二极管的正向电压
2
1,6
条件
V
G
=V
D
= 0V ，强制电流
V
GS
= 0V时，我
S
= -1A ，T
J
=25℃
I
F
= -15A ，的di / dt = 100A / μs的，
T
J
=25℃
分钟。
---
---
---
---
---
典型值。
---
---
---
19
9
马克斯。
-45
-150
-1
---
---
单位
A
A
V
nS
nC
反向恢复时间
反向恢复电荷
注意：
2
安装在一个1英寸FR-4板与2OZ铜表面进行测试1.数据。
脉冲，脉冲宽度2.测试数据
≦
300US ，占空比
≦
2%
3， EAS的数据显示最大。投资评级。测试条件为V
DD
=-25V,V
GS
=-10V,L=0.1mH,I
AS
=-50A
4，功耗为150 ℃的结温限制
5.最小。值为100％的EAS检测保证。
6，数据在理论上是相同的，因为我
D
我
DM
在实际应用中，应该由总功耗的限制。
2
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