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UD3004
N-CH 30V的快速开关MOSFET
概述
该UD3004是最高性能的沟
N沟道MOSFET的极端高密度,
它提供了出色的导通电阻和栅极电荷
对于大多数的同步降压转换器的
应用程序。
该UD3004符合RoHS和绿色产品
要求, 100 %保证EAS全
功能可靠性批准。
特点
先进的高密度Trench技术
超低栅极电荷
优秀与Cdv / dt的影响下降
100 %保证EAS
绿色设备可用
产品综述
BV
DSS
30V
应用
R
DS ( ON)
8.5m
ID
55A
高周波同步负载点的
降压转换器为MB / NB / UMPC / VGA
网络式DC -DC电源系统
负荷开关
TO252引脚配置
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
C
=25℃
I
D
@T
C
=100℃
I
D
@T
A
=25℃
I
D
@T
A
=70℃
I
DM
EAS
I
AS
P
D
@T
C
=25℃
P
D
@T
A
=25℃
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流, V
GS
@ 10V
1
连续漏电流, V
GS
@ 10V
连续漏电流, V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
2
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
总功耗
4
总功耗
4
3
1
1
等级
30
±20
55
40
13.6
11.4
110
130
34
41
2.42
-55至175
-55至175
单位
V
V
A
A
A
A
A
mJ
A
W
W
连续漏电流, V
GS
@ 10V
1
存储温度范围
工作结温范围
热数据
符号
R
θJA
R
θJC
参数
热阻结到环境(稳态)
热阻结案件
1
1
典型值。
---
---
马克斯。
62
3.6
单位
℃/W
℃/W
1
UD3004
N-CH 30V的快速开关MOSFET
电气特性(T
J
=25
℃,
除非另有说明)
符号
BV
DSS
参数
漏源击穿电压
条件
V
GS
= 0V时,我
D
=250uA
参考25 ℃ ,我
D
=1mA
V
GS
= 10V ,我
D
=30A
V
GS
= 4.5V ,我
D
=15A
V
GS
=V
DS
, I
D
=250uA
V
DS
=24V , V
GS
= 0V ,T
J
=25℃
V
DS
=24V , V
GS
= 0V ,T
J
=55℃
V
GS
=±20V
, V
DS
=0V
V
DS
= 5V ,我
D
=30A
V
DS
=0V , V
GS
= 0V , F = 1MHz的
V
DS
=15V , V
GS
= 4.5V ,我
D
=15A
分钟。
30
---
---
---
1.0
---
---
---
---
---
---
---
---
---
---
V
DD
=15V , V
GS
= 10V ,R
G
=3.3Ω
I
D
=15A
---
---
---
---
V
DS
=15V , V
GS
= 0V , F = 1MHz的
---
---
典型值。
---
0.027
7.5
11
1.5
-5.8
---
---
---
38
2.2
12.6
4.2
5.1
4.6
12.2
26.6
8
1317
163
131
马克斯。
---
---
8.5
14
2.5
---
1
5
±100
---
3.5
17.6
5.9
7.1
9.2
22
53
16
1843
228
183
pF
ns
nC
单位
V
V/℃
V
毫伏/ ℃
uA
nA
S
Ω
ΔBV
DSS
/△T
J
BVDSS温度系数
R
DS ( ON)
V
GS ( TH)
△V
GS ( TH)
I
DSS
I
GSS
政府飞行服务队
R
g
Q
g
Q
gs
Q
gd
T
D(上)
T
r
T
D(关闭)
T
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
静态漏源导通电阻
2
栅极阈值电压
V
GS ( TH)
温度COEF网络cient
漏极 - 源极漏电流
栅极 - 源极漏电流
正向跨导
栅极电阻
总栅极电荷( 4.5V )
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
保证雪崩特性
符号
EAS
参数
单脉冲雪崩能量
5
条件
V
DD
= 25V ,L = 0.1mH ,我
AS
=20A
分钟。
45
典型值。
---
马克斯。
---
单位
mJ
二极管的特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
参数
连续源电流
1,6
脉冲源电流
2,6
二极管的正向电压
2
条件
V
G
=V
D
= 0V ,强制电流
V
GS
= 0V时,我
S
= 1A ,T
J
=25℃
I
F
= 30A ,的di / dt = 100A / μs的,T
J
=25℃
分钟。
---
---
---
---
---
典型值。
---
---
---
9.2
2
马克斯。
55
110
1.2
---
---
单位
A
A
V
nS
nC
反向恢复时间
反向恢复电荷
注意:
2
安装在一个1英寸FR-4板与2OZ铜表面进行测试1.数据。
脉冲,脉冲宽度2.测试数据
300US ,占空比
2%
3, EAS的数据显示最大。投资评级。测试条件为V
DD
=25V,V
GS
=10V,L=0.1mH,I
AS
=34A
4,功耗为175 ℃结温限制
5.最小。值为100%的EAS检测保证。
6,数据在理论上是相同的,因为我
D
DM
在实际应用中,应该由总功耗的限制。
2
UD3004
N-CH 30V的快速开关MOSFET
典型特征
100
I
D
漏电流( A)
75
V
GS
=10V
V
GS
=7V
V
GS
=5V
V
GS
=4.5V
V
GS
=3V
50
25
0
0
0.5
V
DS
,漏极至源极电压( V)
1
1.5
2
2.5
3
图1典型的输出特性
12
图2导通电阻与G- S间电压
10
I
D
=15A
9
V
GS
,门源电压( V)
T
J
=150℃
T
J
=25℃
8
I
S
(A)
6
V
DS
=15V
V
DS
=24V
6
4
3
2
0
0
0.3
0.6
0.9
1.2
0
0
6
V
SD
,源极到漏极电压(V )
Q
G
,总栅极电荷( NC)
12
18
24
30
反向图3正向特性
1.8
图4栅极电荷特性
1.8
1.4
1
0.6
0.2
-50
25
100
175
归一化导通电阻
1.4
V
GS ( TH)
1.0
0.6
0.2
-50
-5
40
85
130
175
T
J
,结温( ℃ )
T
J
,结温( ℃ )
图5归V
GS ( TH)
与T
J
图6归
DSON
与T
J
3
UD3004
N-CH 30V的快速开关MOSFET
10000
F=1.0MHz
西塞
电容(pF)
1000
1000.00
100.00
10us
100us
1ms
10ms
100ms
10.00
科斯
100
I
D
(A)
1.00
DC
CRSS
0.10
10
1
5
9
13
17
21
25
T
C
=25℃
单脉冲
0.01
0.1
1
10
100
V
DS
,漏源极电压( V)
V
DS
(V)
图7电容
1
图8安全工作区
归热响应(R
θJC
)
DUTY=0.5
0.3
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
0.0001
0.001
0.01
P
DM
T
ON
T
D =吨
ON
/T
T
J
峰值= T
C
+ P
DM
个R
θJC
0.1
1
0.01
0.00001
T,脉冲宽度(S )
图9归最大瞬态热阻抗
图10开关时间波形
图11非钳位感应开关波形
4
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