UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 , LTD。
UD2195
初步
NPN硅晶体管
NPN外延平面
晶体管
描述
*本UTC
UD2195
设计用于一般用途
放大器和低速切换应用程序。
*无铅封装工艺采用。
无铅:
UD2195L
无卤: UD2195G
订购信息
正常
UD2195-AB3-R
订购数量
无铅
UD2195L-AB3-R
无卤
UD2195G-AB3-R
包
SOT-89
引脚分配
1
2
3
B
C
E
填料
带盘
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2008 Unisonic技术有限公司
1第3
QW-R208-043.a
UD2195
初步
NPN硅晶体管
等效电路
UTC UD2195
C
B
8K
120
E
B:基本
C:收藏家
E:发射器
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QW-R208-043.a
UD2195
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
初步
NPN硅晶体管
绝对最大额定值
(T
a
=25°C)
参数
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
DC
脉冲(注2 )
I
C
评级
130
120
5
4
单位
V
V
V
A
6
集电极耗散
P
C
0.6
W
结温
T
J
150
℃
储存温度
T
英镑
-55 ~ +150
℃
注: 1。绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
注: 1 .Absolute
最大额定值只是应力额定值和功能设备操作不暗示。
注意:
2.脉冲测试:脉冲宽度≦ 350μS ,占空比≦ 2 %
热数据
参数
结到环境
符号
θ
JA
评级
208
单位
℃
/W
电气特性
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
基射极导通电压
收藏家Cuto FF电流
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
基本特征
直流电流增益(注)
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
V
BE(上)
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
测试条件
I
C
= 100μA ,我
E
=0
I
C
= 1mA时,我
B
=0
V
CE
= 4V ,我
C
=2A
V
CB
= 100V ,我
E
=0
V
CE
= 50V ,我
B
=0
V
EB
= 5V ,我
C
=0
V
CE
= 4V ,我
C
=1A
V
CE
= 4V ,我
C
=2A
I
C
= 2A ,我
B
=2mA
民
130
120
典型值
最大单位
V
V
2.8
1
2
2
1000
500
2
200
V
pF
V
mA
mA
mA
集电极 - 发射极饱和电压
V
CE ( SAT )
小信号特性
输出电容
C
ob
V
CB
= 10V ,我
E
= 0A , F = 1MHz的
注:脉冲测试:脉冲宽度≦ 380μs ,占空比≦ 2 %
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