5812-F
UCN5812EPF
串行
数据输出
逻辑
供应
负载
供应
OUT
20
串行
DATA IN
OUT
19
OUT
1
采用BiMOS II 20位串行输入，锁存
与ACTIVE- DMOS下拉功能源极驱动器
该UCN5812AF / EPF结合一个20位CMOS移位寄存器，数据
锁存器和控制电路具有高压双极型源极驱动器和
DMOS主动下拉电阻，可降低电源电流的要求。虽然
主要设计用于真空荧光显示器，高电压，高
电流输出，也让他们在其他外围功率驱动器中使用
应用程序。他们改进了原有的UCN5812A / EP的版本。
25
24
注册
注册
锁存器
锁存器
数据表
26182.26B
V
DD
28
V
BB
27
26
4
3
2
1
OUT
18
5
6
7
8
9
10
OUT
2
23
22
21
20
19
OUT
8
CMOS移位寄存器和锁存允许直接连接与
基于微处理器的系统。采用5 V电源，它们将运行到
至少3.3兆赫。在12V，更高的速度也是可能的。对于特别有用
数字间消隐，消隐输入禁止输出源驱动器
并在DMOS匝下沉的驱动程序。使用带有TTL可能需要使用
适当的上拉电阻，以确保输入的逻辑高。
CMOS串行数据输出使级联的应用
需要附加驱动线路。类似的装置可以作为该
UCN5810AF / LWF （10位） ， UCN5811A （12位） ，和UCN5818AF / EPF
（32位） 。
输出源极驱动器是高电压PNP ， NPN达林顿用
60 V最小击穿，并有能力采购高达40毫安。该
DMOS主动下拉都可以吸收高达15毫安。
该UCN5812AF采用28脚双列直插式塑料封装，提供
0.600" （15.24 MM）的行间距。表面安装时， UCN5812EPF是
提供28引脚塑料芯片载体（四组）与0.050" （1.22 MM）
中心。铜引线框架，降低了供电电流的要求，下
输出饱和电压，可连续运转，所有输出
采购25毫安的UCN5812AF的，在整个工作温度范围内，
和UCN5812EPF高达+ 75℃。所有器件也可用于操作
在-40 ° C至+ 85°C化。如需订购，从“世界环保组织”来更改前缀
“ UCQ ” 。
OUT
12
11
CLK
12
14
ST
17
OUT
10
13
15
OUT
11
16
消隐
地
频闪
时钟
OUT
9
18
DWG 。 PP- 059-1
绝对最大额定值
在T
A
= 25°C
逻辑电源电压，V
DD
.....................
15 V
驱动器电源电压，V
BB
....................
60 V
连续输出电流范围，
I
OUT
.................................
-40到15毫安
输入电压范围，
V
IN
........................
0.3 V到V
DD
+ 0.3 V
封装功耗，P
D
（ UCN5812AF ） ...........................
3.12 W*
（ UCN5812EPF ） ........................
1.92 W
工作温度范围，
T
A
..................................
-20
°
C至+ 85
°
C
存储温度范围，
T
S
................................
-55
°
C至+150
°
C
*减免25毫瓦率/ ° C以上牛逼
A
= +25°C
减额在15毫瓦率/ ° C以上牛逼
A
= +25°C
注意：快板CMOS器件具有输入静态
保护，但很容易受到损坏时
暴露在极高的静电
收费。
注意， UCN5812AF （双列直插式封装）
和UCN5812EPF （ PLCC封装）是electri-
美云相同，并共享共同的终端
号分配。
特点
I
I
I
I
I
高速源驱动
I
DMOS主动下拉电阻
60 V电源输出
I
降低电源电流
至3.3 MHz的数据输入速率
需求
低输出饱和电压
I
更换改进
低功耗CMOS逻辑电路和锁存
为TL5812
通过完整的部件号总是订货，例如，
UCN5812AF 。
5812-F
20位串行输入，
锁存源极驱动器
与ACTIVE- DMOS下拉功能
UCN5812AF
功能框图
负载
供应
串行
数据输出
OUT
20
OUT
19
OUT
18
OUT
17
OUT
16
OUT
15
OUT
14
OUT
13
OUT
12
OUT
11
消隐
地
1
2
3
4
5
6
V
BB
V
DD
28
27
26
25
24
23
逻辑
供应
串行
DATA IN
OUT
1
OUT
2
OUT
3
OUT
4
OUT
5
V
BB
时钟
串行
DATA IN
频闪
V
DD
逻辑
供应
串行
数据输出
串并移位寄存器
锁存器
消隐
MOS
双极
负载
供应
注册
注册
锁存器
锁存器
7
8
9
10
11
12
13
14
BLNK
22
21
20
19
18
17
ST
CLK
28
16
27
15
OUT
6
OUT
7
OUT
8
OUT
9
OUT
10
频闪
时钟
地
OUT
1
OUT
2
OUT
3
OUT
N
DWG 。 FP- 013-1
DWG 。 PP- 029-7
典型的输入电路
V
DD
典型的输出驱动器
V
BB
IN
OUT
N
DWG 。 EP- 010-5
DWG 。编号A- 14219
115东北托夫，箱15036
马萨诸塞州伍斯特01615-0036 （ 508 ） 853-5000
版权所有 1988年， 2000 Allegro MicroSystems公司
5812-F
20位串行输入，
锁存源极驱动器
与ACTIVE- DMOS下拉功能
在T电气特性
A
= +25
°
C，V
BB
= 60 V（除非另有说明） 。
特征
输出漏电流
输出电压
符号
I
CEX
V
OUT(1)
V
OUT(0)
输出下拉电流
I
OUT(0)
测试条件
V
OUT
= 0 V ，T
A
= +70°C
I
OUT
= -25毫安，V
BB
= 60 V
I
OUT
= 1毫安
I
OUT
= 2毫安
V
OUT
= 5 V到V
BB
V
OUT
= 20 V到V
BB
输入电压
V
IN(1)
V
IN(0)
输入电流
I
IN(1)
I
IN(0)
串行数据
V
OUT(1)
V
OUT(0)
最大时钟频率
电源电流
f
CLK
I
DD(1)
I
DD(0)
I
BB(1)
I
BB(0)
消隐到输出延迟
t
PHL
t
PLH
输出下降时间
输出上升时间
t
f
t
r
所有输出高
所有输出低
输出高，空载
输出低电平
C
L
= 30 pF的，50％至50％的
C
L
= 30 pF的，50％至50％的
C
L
= 30 pF的，90％至10％的
C
L
= 30 pF的，10％至90％的
V
IN
= V
DD
V
IN
= 0.8 V
I
OUT
= -200
A
I
OUT
= 200
A
限@ V
DD
= 5 V
万。典型值。马克斯。
—
58
—
—
2.0
—
3.5
-0.3
—
—
4.5
—
3.3*
—
—
—
—
—
—
—
—
-5.0
58.5
2.0
—
3.5
—
—
—
0.05
-0.05
4.7
200
—
100
100
1.5
10
2000
1000
1450
650
-15
—
3.0
—
—
—
5.3
+0.8
0.5
-0.5
—
250
—
300
300
4.0
100
—
—
—
—
限@ V
DD
= 12 V
分钟。典型值。马克斯。
—
58
—
—
—
8.0
10.5
-0.3
—
—
11.7
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
-5.0
58.5
—
2.0
—
13
—
—
0.1
-0.1
11.8
100
—
200
200
1.5
10
1000
850
650
700
-15
—
—
3.5
—
—
12.3
+0.8
1.0
-1.0
—
200
—
500
500
4.0
100
—
—
—
—
单位
A
V
V
V
mA
mA
V
V
A
A
V
mV
兆赫
A
A
mA
A
ns
ns
ns
ns
负电流去连接定义为走出（采购）的特定网络版器件的引脚。
*操作的时钟频率大于规定的最小值是可能的，但不warranteed 。
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5812-F
20位串行输入，
锁存源极驱动器
与ACTIVE- DMOS下拉功能
时钟
DATA IN
C
频闪
消隐
G
OUT
N
DWG 。第12,649A
A
B
D
E
F
串行数据输入端存在被转印
上的逻辑，移位寄存器的“0 ”到逻辑“1”的
该时钟输入脉冲的过渡。在succeed-
将时钟脉冲，移位寄存器的数据
对串行数据信息OUT-
PUT 。串行数据必须出现在
输入之前的时钟输入的上升沿
波形。
信息存在任何寄存器传输
ferred到各自的锁存器时，该选通
是高（串行到并行转换）。锁存器
将继续接受
新的数据，只要选通高举。
其中，锁存器绕过应用程序
（频闪拉高）将要求
消隐输入是在串行数据的高
条目。
当消隐输入为高时，
输出源驱动器被禁用（ OFF） ;该
DMOS下沉司机开，信息
存储在锁存器中不会受
消隐输入。随着消隐输入
低时，输出由状态控制
它们各自的锁存器。
时序要求
(T
A
= + 25 ° C，V
DD
= 5 V ，逻辑电平V
DD
和地面）
A.
最小数据有效时钟脉冲之前
（数据建立时间） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
75纳秒
B.
最小数据有效时间时钟脉冲后
（数据保持时间） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
75纳秒
C.
最小数据脉冲宽度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
150纳秒
D.
最小时钟脉冲宽度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
150纳秒
E.
之间的时钟激活和频闪最短时间。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
300纳秒
F.
最小选通脉冲宽度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
100纳秒
G.
间频闪激活和典型时间
输出Transistion 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
500纳秒
时间就是代表一个3.3 MHz的时钟。更高的速度可能会达到
增加的电源电压;操作在高温下会降低
规定的最大时钟频率。
真值表
串行
数据时钟
INPUT输入
H
L
X
移位寄存器的内容
I
1
H
L
I
2
I
3
…
I
N-1
I
N
R
N-2
R
N-1
R
N-2
R
N-1
R
N-1
R
N
X
X
串行
数据选通
输出输入
R
N-1
R
N-1
R
N
X
P
N
X =无关
锁存器的内容
I
1
I
2
I
3
…
I
N-1
I
N
消隐
I
1
输出内容
I
2
I
3
…
I
N-1
I
N
R
1
R
2
…
R
1
R
2
…
R
1
R
2
R
3
…
X
X
X
…
L
H
R
1
R
2
R
3
…
P
1
P
2
P
3
…
X
X
X
…
R
N-1
R
N
P
N-1
P
N
X
X
L
H
P
1
P
2
P
3
…
L
L
L
…
P
N1
P
N
L
L
P
1
P
2
P
3
…
L =低逻辑电平
P
N-1
P
N
H =高逻辑电平
P =现状R =前一个状态
115东北托夫，箱15036
马萨诸塞州伍斯特01615-0036 （ 508 ） 853-5000
5812-F
20位串行输入，
锁存源极驱动器
与ACTIVE- DMOS下拉功能
UCN5812AF
尺寸以英寸
（控制尺寸）
28
15
0.015
0.008
0.700
0.580
0.485
最大
0.600
BSC
1
2
0.070
0.030
3
4
1.565
1.380
14
0.100
BSC
0.005
民
0.250
最大
0.015
民
0.200
0.115
0.022
0.014
DWG 。 MA- 003-28的
单位：毫米
（仅供参考）
28
15
0.381
0.204
17.78
14.73
12.32
最大
15.24
BSC
1
2
1.77
0.77
3
4
39.7
35.1
14
2.54
BSC
0.13
民
6.35
最大
0.39
民
5.08
2.93
0.558
0.356
DWG 。 MA- 003-28毫米
注：1 。
2.
3.
4.
确切的身体和领先的配置，在显示范围内的供应商的选择。
引线间距有容乃非累积。
铅厚度的测量是在座位平面或以下。
在提供的12个设备标准棒/管。
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