5810-F
UCN5810AF
OUT
8
OUT
7
OUT
6
时钟
地
逻辑
供应
频闪
OUT
5
OUT
4
1
2
3
锁存器
4
5
6
7
8
9
V
DD
ST
CLK
注册
注册
锁存器
BLNK
13
12
11
10
消隐
OUT
1
OUT
2
OUT
3
V
BB
15
14
18
17
16
OUT
9
OUT
10
串行
数据输出
负载
供应
串行
DATA IN
采用BiMOS II 10位串行输入，锁存
与ACTIVE- DMOS下拉功能源极驱动器
该UCN5810AF ， UCN5810EPF和UCN5810LWF结合一个10位
CMOS移位寄存器及相应的数据锁存器，控制电路，双极型
源输出与DMOS主动下拉电阻。设计主要是为了推动
真空荧光显示器， 60 V和-40 mA的输出额定值也让
这些设备中的许多其他外围功率驱动器应用程序中使用。
该UCN5810AF / EPF / LWF功能降低电源要求（主动
DMOS下拉电阻）和更低的饱和电压时，与比较
原来UCN5810A 。
CMOS移位寄存器和锁存允许直接连接与
基于微处理器的系统。采用5 V电源，它们将运行到
至少3.3兆赫。在12V，更高的速度也是可能的。使用带有TTL可能
需要适当的上拉电阻，以确保输入的逻辑高。
数据表
26182.24D
绝对最大额定值
在T
A
= 25°C
逻辑电源电压，V
DD
.....................
15 V
驱动器电源电压，V
BB
....................
60 V
连续输出电流范围，
I
OUT
..........................
-40 mA至15毫安
输入电压范围，
V
IN
........................
0.3 V到V
DD
+ 0.3 V
封装功耗，P
D
（ UCN5810AF ） ...........................
2.08 W*
（ UCN5810EPF ） ........................
1.60 W*
（ UCN5810LWF ） ........................
1.33 W*
工作温度范围，
T
A
..................................
-20
°
C至+ 85
°
C
存储温度范围，
T
S
................................
-55
°
C至+150
°
C
*线性降容为0瓦， + 150°C 。
注意： CMOS器件具有输入静态
保护，但很容易受到损坏时
暴露在极高的静电
收费。
注意， UCN5810AF （双列直插式封装）
和UCN5810LWF （小外形集成电路封装）是
电性相同，并且共享共同的
终端数量分配。
n
e
W
em
E
c
N
la
R
代表
O
d
F
de
T
n
O
me
N
m
o
c
e
R
DWG 。 PP- 029
CMOS串行数据输出使级联的应用
需要附加驱动线路。类似的装置可以作为该
UCN5811A （12位） ， UCN5812AF / EPF （20比特），和UCN5818AF / EPF （32
位）。
该UCN5810AF / EPF / LWF输出源驱动器是NPN达林顿
可输出高达40毫安。该DMOS主动下拉都可以
下沉高达15 mA的电流。对于数字间消隐，所有的输出驱动器的可
是残疾人和DMOS下沉司机打开的消隐输入
高。
该UCN5810AF配在一个18脚双列直插式塑料封装。
该UCN5810EPF被布置在一个20引脚塑料芯片载体。该
UCN5810LWF拥有一种宽体小外形塑料封装
（ SOIC ）与鸥翼引线。铜引线框架，降低了供电电流
要求，并降低输出饱和电压允许所有设备，源
所有输出25毫安不断，在整个工作温度
范围内。所有器件也可用于-40 ° C至+ 85°C的操作。
如需订购，从“世界环保组织”到“ UCQ ”更改前缀。
N
810
IG
A6
S
—
E
t
D
特点
s
高速源驱动
s
60 V最小
输出故障
s
更换改进
对于TL4810B
s
低输出饱和电压
s
低功耗CMOS逻辑器件
和锁存器
s
至3.3 MHz的数据输入速率
s
DMOS主动下拉电阻
通过完整的部件号总是订货，例如，
UCN5810AF
.
5810-F
10位串行输入，
锁存源极驱动器
与ACTIVE- DMOS下拉功能
UCN5810EPF
20
19
3
OUT
10
OUT
6
2
1
功能框图
时钟
V
DD
逻辑
供应
串行
数据输出
时钟
NC
地
逻辑
供应
频闪
4
5
6
7
8
CLK
锁存器
注册
18
V
BB
17
16
串行
数据输出
负载
供应
NC
串行
DATA IN
消隐
串行
DATA IN
频闪
串并移位寄存器
锁存器
V
DD
ST
注册
15
锁存器
BLNK
14
消隐
MOS
双极
12
10
11
13
9
OUT
5
OUT
1
V
BB
DWG 。 PP- 059
负载
供应
地
OUT
1
OUT
2
OUT
3
OUT
N
DWG 。 FP- 013-1
UCN5810LWF
OUT
8
OUT
7
OUT
6
时钟
地
逻辑
供应
频闪
OUT
5
OUT
4
1
2
3
锁存器
4
5
6
7
8
9
V
DD
ST
CLK
注册
注册
锁存器
BLNK
13
12
11
10
消隐
OUT
1
OUT
2
OUT
3
V
BB
15
14
18
17
16
OUT
9
OUT
10
串行
数据输出
负载
供应
串行
DATA IN
典型的输入电路
VDD
IN
DWG 。 PP- 029-1
ALLOWABLE封装功耗（瓦）
2.5
DWG 。 EP- 010-4A
2.0
后缀' A' ，R
θJA
= 60 ° C / W
典型的输出驱动器
V
BB
后缀' EP '，R
θJA
= 78 ° C / W
1.5
1.0
0.5
后缀' LW '，R
θJA
= 94 ° C / W
OUT
N
0
25
50
75
100
125
环境温度
°
C
150
DWG 。 GP- 024C
DWG 。编号A- 14219
115东北托夫，箱15036
马萨诸塞州伍斯特01615-0036 （ 508 ） 853-5000
版权所有 1988年， 2002 Allegro MicroSystems公司
5810-F
10位串行输入，
锁存源极驱动器
与ACTIVE- DMOS下拉功能
在T电气特性
A
= +25
°
C，V
BB
= 60伏，除非另有说明。
限@ V
DD
= 5 V
特征
输出漏电流
输出电压
符号
I
CEX
V
OUT(1)
V
OUT(0)
测试条件
V
OUT
= 0 V ，T
A
= +70°C
I
OUT
= -25毫安
I
OUT
= 1毫安
I
OUT
= 2毫安
输出下拉电流
I
OUT(0)
V
OUT
= 5 V到V
BB
V
OUT
= 20 V到V
BB
输入电压
V
IN(1)
V
IN(0)
输入电流
I
IN(1)
I
IN(0)
串行数据输出电压
V
OUT(1)
V
OUT(0)
最大时钟频率
电源电流
f
CLK
I
DD(1)
I
DD(0)
I
BB(1)
I
BB(0)
消隐到输出延迟
t
PHL
t
PLH
输出下降时间
输出上升时间
t
f
t
r
所有输出高
所有输出低
输出高，空载
输出低电平
C
L
= 30 pF的，50％至50％的
C
L
= 30 pF的，50％至50％的
C
L
= 30 pF的，90％至10％的
C
L
= 30 pF的，10％至90％的
V
IN
= V
DD
V
IN
= 0.8 V
I
OUT
= -200
A
I
OUT
= 200
A
万。
—
58
—
—
2.0
—
3.5
-0.3
—
—
4.5
—
3.3*
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值。
-5.0
58.5
1.0
—
3.5
—
—
—
—
-0.05
4.7
200
—
100
100
0.7
10
2000
1000
1450
650
马克斯。
-15
—
1.5
—
—
—
5.3
+0.8
100
-0.5
—
250
—
300
300
2.0
100
—
—
—
—
限@ V
DD
= 12 V
分钟。
—
58
—
—
—
8.0
10.5
-0.3
—
—
11.7
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值。
-5.0
58.5
—
1.0
—
13
—
—
—
-0.1
11.8
100
—
200
200
0.7
10
1000
850
650
700
马克斯。
-15
—
—
1.5
—
—
12.3
+0.8
240
-1.0
—
200
—
500
500
2.0
100
—
—
—
—
单位
A
V
V
V
mA
mA
V
V
A
A
V
mV
兆赫
A
A
mA
A
ns
ns
ns
ns
负电流去连接定义为走出（采购）的特定网络版器件的引脚。
*操作的时钟频率大于规定的最小值是可能的，但不warranteed 。
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5810-F
10位串行输入，
锁存源极驱动器
与ACTIVE- DMOS下拉功能
时钟
DATA IN
C
频闪
消隐
G
OUT
N
DWG 。编号A- 12,649A
A
B
D
E
F
串行数据输入端存在被转印
上的逻辑，移位寄存器的“0 ”到逻辑“1”的
该时钟输入脉冲的过渡。上
以后的时钟脉冲，移位寄存器的数据
对串行数据信息OUT-
PUT 。串行数据必须出现在
输入之前的时钟输入的上升沿
波形。
信息存在任何寄存器传输
ferred到各自的锁存器时，该选通
是高（串行到并行转换）。该
锁存器将继续，只要接受新数据
在选通脉冲保持高电平。应用场合
锁存器被旁路（频闪拉高）会
需要消隐输入是在高
串行数据输入。
当消隐输入为高时，
输出源驱动器被禁用（ OFF） ;该
DMOS下沉司机开。信息
存储在锁存器中不会受
消隐输入。随着消隐输入
低时，输出由状态控制
它们各自的锁存器。
时序要求
(T
A
= + 25 ° C，V
DD
= 5 V ，逻辑电平V
DD
和地面）
A.
最小数据有效时钟脉冲之前
（数据建立时间） ........................................... ...............................
75纳秒
B.
最小数据有效时间时钟脉冲后
（数据保持时间） ............................................. ................................
75纳秒
C.
最小数据脉冲宽度.............................................. ..................
150纳秒
D.
最小时钟脉冲宽度.............................................. .................
150纳秒
E.
之间的时钟激活和频闪最短时间.......................
300纳秒
F.
最小选通脉冲宽度.............................................. ...............
100纳秒
G.
间频闪激活和典型时间
输出Transistion ................................................ .........................
500纳秒
时间就是代表一个3.3 MHz的时钟。更高的速度可能会达到
增加的电源电压;操作在高温下会降低
规定的最大时钟频率。
真值表
串行
移位寄存器的内容
数据时钟
输入输入我
1
I
2
I
3
... I
N-1
I
N
H
L
X
H
L
R
1
R
2
...
R
1
R
2
...
R
N-2
R
N-1
R
N-2
R
N-1
R
N-1
R
N
X
X
串行
数据选通
输出输入
R
N-1
R
N-1
R
N
X
P
N
L
H
R
1
R
2
R
3
...
P
1
P
2
P
3
...
X
L =低逻辑电平
H =高逻辑电平
X =无关
锁存器的内容
I
1
I
2
I
3
...
I
N-1
I
N
Blanklng
输出内容
I
1
I
2
I
3
... I
N-1
I
N
R
1
R
2
R
3
...
X
X
X
...
R
N-1
R
N
P
N-1
P
N
X
X
L
H
P
1
P
2
P
3
... P
N-1
P
N
L
L
L
... L
L
P
1
P
2
P
3
...
P
N-1
P
N
X
X
...
P =现状
R =以前的状态
115东北托夫，箱15036
马萨诸塞州伍斯特01615-0036 （ 508 ） 853-5000
5810-F
10位串行输入，
锁存源极驱动器
与ACTIVE- DMOS下拉功能
UCN5810AF
尺寸以英寸
（控制尺寸）
18
10
0.014
0.008
0.430
0.280
0.240
最大
0.300
BSC
1
0.070
0.045
0.100
0.920
0.880
BSC
9
0.005
民
0.210
最大
0.015
民
0.150
0.115
0.022
0.014
DWG 。 MA- 001-18A中
单位：毫米
（仅供参考）
10
0.355
0.204
18
10.92
7.11
6.10
最大
7.62
BSC
1
1.77
1.15
2.54
23.37
22.35
BSC
9
0.13
民
5.33
最大
0.39
民
3.81
2.93
0.558
0.356
DWG 。 MA- 001-18A毫米
注：1 。
2.
3.
4.
确切的身体和领先的配置，在显示范围内的供应商的选择。
引线间距有容乃非累积。
铅厚度的测量是在座位平面或以下。
提供在21设备的标准棒/管。
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QQ：2880707522 复制
