A5800和A5801
采用BiMOS II锁存驱动程序
最后一次购买
这些零件在生产，但已被确定为
最后一次购买。这种分类表明该产品是
过时，通知已发出。出售该设备是目前
受限于现有的客户应用程序。该设备不应该
购买的过时，因为在新的设计应用
不久的将来。样品将不再可用。
状态更改日期： 2005年5月2日
的截止日期最后一次购买的订单： 2005年10月28日
推荐换人：
新客户或新的应用，指的是
6800
和
6801.
注：有关购买选项的详细信息，请联系您
当地快板现场应用工程师或销售代表。
Allegro MicroSystems公司保留作出正确的，不时，修订预期的产品生命周期计划为
产品以适应变化的生产能力，替代产品的供应量，还是市场的需求。信息
此处包含被认为是准确和可靠。然而， Allegro MicroSystems公司不承担其使用不承担任何责任;也不
对第三方专利或其他权利的任何侵犯，可能导致其使用。
5800
和
5801
UCN5800L
1
14
采用BiMOS II锁存驱动程序
该UCN5800A / L和UCN5801A / EP / LW锁存输入BiMOS集成电路
合并大电流，高电压输出CMOS逻辑。该CMOS
输入部分包括4个或8个数据（ “D”型）锁存器相关的COM
周一晴，频闪和输出使能电路。电源
输出为双极NPN达林顿。这种合并技术提供
多才多艺，灵活的接口。这些公司BiMOS电源接口IC受益匪浅
计算机或微处理器I / O的简化。该UCN5800A和
UCN5800L每个包含四个锁存驱动程序;在UCN5801A ， UCN5801EP ，
和UCN5801LW包含8锁存驱动程序。
该UCN5800A / L和UCN5801A / EP / LW取代原来的
采用BiMOS锁存输入驱动器IC （ UCN4400A和UCN4801A ） 。这些
第二代设备能够高得多的数据输入速率和
通常以优于5兆赫与5V逻辑电源供电。电路
工作在12 V能提供实质性的改善在5 MHz的数字。
CMOS输入与标准CMOS和NMOS兼容
电路。 TTL电路可能会指定另外输入上拉电阻。
双极达林顿输出适用于直接驱动多个外设
ERAL /功率负载：继电器，灯，电磁阀，直流小电机等
所有器件都具有集电极开路输出和积分二极管
感性负载瞬态抑制。输出晶体管是
可以吸收500毫安并能承受至少50伏在OFF状态。
由于在封装功耗的限制，同时
所有的驱动程序在最大额定电流的操作只能完成
通过在工作周期的降低。输出可以并联，以更高的负载
电流的能力。
该UCN5800A被布置在一个标准的14引脚DIP ;在UCN5800L
和UCN5801LW在表面安装SOIC封装;在一个22针的UCN5801A
DIP与0.400" （10.16 MM）行中心;在一个28引脚的UCN5801EP
PLCC 。
数据表
26180.10B*
UCN5800A
明确
频闪
IN
1
IN
2
IN
3
IN
4
地
1
2
3
4
5
6
7
14
V
DD
13
12
产量
启用
供应
OUT
1
OUT
2
OUT
3
OUT
4
常见
锁存器
11
10
9
8
DWG 。 PP- 014A
注意UCN5800A （ DIP ）和UCN5800L
（SOIC）电相同的，并且共享一个
常见的终端数量分配。
绝对最大额定值
at
+25
°
自由空气的温度
输出电压V
CE
. . . . . . . . . . . . . . 50 V
电源电压，V
DD
. . . . . . . . . . . . . . 15 V
输入电压范围，
V
IN
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V到V
DD
+ 0.3 V
连续集电极电流，
l
C
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 500毫安
封装功耗，
P
D
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。请参阅图表
工作温度范围，
T
A
. . . . . . . . . . . . . . . . -20
°
C至+ 85
°
C
存储温度范围，
T
S
. . . . . . . . . . . . . . . -55
°
C至+150
°
C
注意： CMOS器件具有输入静态
保护，但很容易受到损坏时
暴露在极高的静电
收费。
特点
s
4.4 MHz的数据输入速率
s
高电压，
高电流输出
s
输出瞬态保护
s
CMOS ， NMOS ，
s
内部下拉电阻
TTL兼容的输入
s
低功耗CMOS锁存
s
汽车有能力
通过完整的部件号总是订货，例如，
UCN5801EP
.
5800
和
5801
采用BiMOS II
锁存驱动程序
功能框图
供应
V
DD
常见
IN
N
OUT
N
频闪
明确
地
OUTPUT ENABLE
普通MOS管
典型MOS LATCH
典型的双极性驱动
DWG 。 FP- 016-1
典型的输入电路
V
DD
2.5
22引脚DIP ，R
θJA
= 56 ° C / W
ALLOWABLE封装功耗（瓦）
28引脚PLCC ，R
θJA
= 68 ° C / W
14引脚DIP ，R
θJA
= 73_C / W
2.0
IN
24引脚SOIC ，R
θJA
= 85°C / W
1.5
1.0
DWG 。 EP- 010-4A
0.5
14引脚SOIC ，R
θJA
= 120 ° C / W
0
25
50
75
100
125
150
环境温度
°
C
DWG 。 GP- 023-1A
115东北托夫，箱15036
马萨诸塞州伍斯特01615-0036 （ 508 ） 853-5000
版权所有 1985年， 2002年Allegro MicroSystems公司
5800
和
5801
采用BiMOS II
锁存驱动程序
在T电气特性
A
= +25
°
C，V
DD
= 5V （除非另有说明） 。
特征
输出漏电流
符号
I
CEX
测试条件
V
CE
= 50 V ，T
A
= +25°C
V
CE
= 50 V ，T
A
= +70°C
集电极 - 发射极
饱和电压
V
CE （ SAT ）
I
C
= 100毫安
I
C
= 200毫安
I
C
= 350毫安， V
DD
= 7.0 V
输入电压
V
IN(0)
V
IN(1)
V
DD
= 12 V
V
DD
= 10 V
V
DD
= 5.0 V （见注）
输入阻抗
r
IN
V
DD
= 12 V
V
DD
= 10 V
V
DD
= 5.0 V
电源电流
I
DD （ ON）
（每
舞台）
I
DD （ OFF ）
（总）
钳位二极管
漏电流
钳位二极管的正向电压
I
R
V
DD
= 12 V ，输出打开
V
DD
= 10 V ，输出打开
V
DD
= 5.0 V ，输出打开
V
DD
= 12 V ，输出打开，输入= 0 V
V
DD
= 5.0 V ，输出打开，输入= 0 V
V
R
= 50 V ，T
A
= +25°C
V
R
= 50 V ，T
A
= +70°C
V
F
I
F
= 350毫安
分钟。
—
—
—
—
—
—
10.5
8.5
3.5
50
50
50
—
—
—
—
—
—
—
—
范围
典型值。马克斯。
—
—
0.9
1.1
1.3
—
—
—
—
200
300
600
1.0
0.9
0.7
—
50
—
—
1.7
50
100
1.1
1.3
1.6
1.0
—
—
—
—
—
—
2.0
1.7
1.0
200
100
50
100
2.0
单位
A
A
V
V
V
V
V
V
V
k
k
k
mA
mA
mA
A
A
A
A
V
注意：这些设备与标准TTL或DTL的操作可能需要使用适当的上拉电阻，以确保最小的逻辑“1”。
频闪
28
产量
启用
27
供应
V
DD
明确
ST
NC
OE
C
NC
NC
26
4
3
2
1
IN
1
IN
2
5
6
7
锁存器
25
24
23
22
OUT
1
OUT
2
OUT
3
OUT
4
UCN5801EP
（额外的引脚图
是下页）
IN
3
IN
4
IN
5
8
9
21
OUT
5
20
19
OUT
6
OUT
7
IN
6
10
IN
7
11
14
NC
13
NC
17
NC
K
15
16
12
LAMP二极管
常见
地
OUT
8
IN
8
18
DWG 。 PP- 037
5800
和
5801
采用BiMOS II
锁存驱动程序
UCN5801A
明确
频闪
IN
1
IN
2
IN
3
IN
4
IN
5
IN
6
IN
7
IN
8
地
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
锁存器
明确
F
22
V
DD
21
20
19
18
17
16
15
14
13
12
产量
启用
供应
频闪
A
产量
启用
C
B
C
B
A
C
B
OUT
1
OUT
2
OUT
3
OUT
4
OUT
5
OUT
6
OUT
7
OUT
8
常见
G
G
客栈
D
OUTN
E
E
DWG 。编号A- 10,895A
时序条件
（逻辑电平V
DD
和地面）
A.
最小数据有效时间之前频闪启用
（数据建立时间） ........................................... ...............
50纳秒
B.
最小数据有效时间选通后禁用
（数据保持时间） ............................................. .................
50纳秒
C.
最小选通脉冲宽度.............................................. ....
125纳秒
DWG 。 PP- 015
D.
间频闪激活和典型时间
输出ON到OFF转换............................................
500纳秒
E.
间频闪激活和最少的时间
输出OFF到ON的转变............................................
500纳秒
UCN5801LW
明确
频闪
IN
1
IN
2
IN
3
IN
4
IN
5
IN
6
IN
7
IN
8
地
NO
连接
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
NC
NC
锁存器
F.
最小净脉冲宽度.............................................. ......
300纳秒
24
V
DD
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
产量
启用
供应
OUT
1
OUT
2
OUT
3
OUT
4
OUT
5
OUT
6
OUT
7
OUT
8
常见
NO
连接
DWG 。 PP- 015-1
G.
最小数据脉冲宽度.............................................. 225 .......
ns
信息存在于一个输入端传送到其锁存时
频闪高。高CLEAR输入会设置所有锁存到输出
关闭条件下，无论数据或选通输入电平。高
OUTPUT ENABLE将设置所有输出为OFF状态，而不管
的任何其他的输入条件。当输出使能低，则
输出取决于它们各自的锁存器的状态。
真值表
产量
IN
N
0
1
X
X
X
X
频闪
1
1
X
X
0
0
明确
0
0
1
X
0
0
启用
0
0
X
1
0
0
t-1
X
X
X
X
ON
关闭
OUT
N
t
关闭
ON
关闭
关闭
ON
关闭
X =无关。
T-1 =前一输出状态。
t为当前的输出状态。
115东北托夫，箱15036
马萨诸塞州伍斯特01615-0036 （ 508 ） 853-5000
5800
和
5801
采用BiMOS II
锁存驱动程序
5800
和
5801
采用BiMOS II锁存驱动程序
该UCN5800A / L和UCN5801A / EP / LW锁存输入BiMOS
集成电路合并大电流，高电压输出CMOS逻辑。该
CMOS输入部分包括4个或8个数据（ “D”型）锁存器
相关的常见CLEAR ， STROBE和OUTPUT ENABLE
电路。电源输出为双极NPN达林顿。该合并
技术提供通用的，灵活的接口。这些公司BiMOS电源
接口IC大大有利于计算机或微处理器的的简化
处理器的I / O 。该UCN5800A和UCN5800L每个包含四个锁存
驱动程序;在UCN5801A ， UCN5801EP和UCN5801LW包含8
锁存驱动程序。
该UCN5800A / L和UCN5801A / EP / LW取代原来的
采用BiMOS锁存输入驱动器IC （ UCN4400A和UCN4801A ） 。这些
第二代设备能够高得多的数据输入的
率并将于优于5 MHz的5 V逻辑通常工作
供应量。在12 V的电路工作能提供实质性的改进
在5 MHz的数字。
CMOS输入与标准CMOS和NMOS兼容
电路。 TTL电路可以强制增加输入上拉电阻
器。双极达林顿输出适用于直接驱动
很多外设/功率负载：继电器，灯，电磁阀，小DC
电机等
所有器件都具有集电极开路输出和积分二极管
感性负载瞬态抑制。输出晶体管是
可以吸收500毫安并能承受至少50 V ，在关中
状态。由于在封装功耗的限制， simul-
所有驱动程序的最大额定电流taneous操作只能是
通过在工作周期的降低来实现的。输出可以并联
对于更高的负载电流能力。
该UCN5800A被布置在一个标准的14引脚DIP ;该
UCN5800L和UCN5801LW在表面安装SOIC封装;该
UCN5801A在一个22引脚DIP与0.400" （10.16 MM）行中心;该
UCN5801EP采用28引脚PLCC 。
数据表
26180.10B
UCN5800L
1
14
UCN5800A
明确
频闪
IN
1
IN
2
IN
3
IN
4
地
1
2
3
4
5
6
7
14
V
DD
13
12
产量
启用
供应
OUT
1
OUT
2
OUT
3
OUT
4
常见
锁存器
11
10
9
8
DWG 。 PP- 014A
注意UCN5800A （ DIP ）和UCN5800L
（SOIC）电相同的，并且共享一个
常见的终端数量分配。
绝对最大额定值
at
+25
°
自由空气的温度
输出电压V
CE
. . . . . . . . . . . . . . 50 V
电源电压，V
DD
. . . . . . . . . . . . . . 15 V
输入电压范围，
V
IN
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V到V
DD
+ 0.3 V
连续集电极电流，
l
C
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 500毫安
封装功耗，
P
D
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。请参阅图表
工作温度范围，
T
A
. . . . . . . . . . . . . . . . -20
°
C至+ 85
°
C
存储温度范围，
T
S
. . . . . . . . . . . . . . . -55
°
C至+150
°
C
注意： CMOS器件具有输入静态
保护，但很容易受到损坏时
暴露在极高的静电
收费。
特点
s
s
4.4 MHz的数据输入速率
s
s
高电压，
s
高电流输出
s
s
CMOS ， NMOS ，
TTL兼容的输入
输出瞬态保护
内部下拉电阻
低功耗CMOS锁存
汽车有能力
通过完整的部件号总是订货，例如，
UCN5801EP
.
5800
和
5801
采用BiMOS II
锁存驱动程序
功能框图
供应
V
DD
常见
IN
N
OUT
N
频闪
明确
地
OUTPUT ENABLE
普通MOS管
典型MOS LATCH
典型的双极性驱动
DWG 。 FP- 016-1
典型的输入电路
VDD
2.5
22引脚DIP ，R
θJA
= 50℃ / W的
ALLOWABLE封装功耗（瓦）
28引脚PLCC ，R
θJA
= 55 ° C / W
14引脚DIP ，R
θJA
= 60 ° C / W
2.0
IN
24引脚SOIC ，R
1.5
θJA
= 68 ° C / W
1.0
DWG 。 EP- 010-4A
0.5
14引脚SOIC ，R
θJA
= 95 ° C / W
0
25
50
75
100
125
150
环境温度
°C
DWG 。 GP- 023-1
115东北托夫，箱15036
马萨诸塞州伍斯特01615-0036 （ 508 ） 853-5000
版权所有 1985年， 1997年， Allegro MicroSystems公司
5800
和
5801
采用BiMOS II
锁存驱动程序
在T电气特性
A
= +25
°
C，V
DD
= 5V （除非另有说明） 。
特征
输出漏电流
符号
I
CEX
测试条件
V
CE
= 50 V ，T
A
= +25°C
V
CE
= 50 V ，T
A
= +70°C
集电极 - 发射极
饱和电压
V
CE （ SAT ）
I
C
= 100毫安
I
C
= 200毫安
I
C
= 350毫安， V
DD
= 7.0 V
输入电压
V
IN(0)
V
IN(1)
V
DD
= 12 V
V
DD
= 10 V
V
DD
= 5.0 V （见注）
输入阻抗
r
IN
V
DD
= 12 V
V
DD
= 10 V
V
DD
= 5.0 V
电源电流
I
DD （ ON）
（每
舞台）
I
DD （ OFF ）
（总）
钳位二极管
漏电流
钳位二极管的正向电压
I
R
V
DD
= 12 V ，输出打开
V
DD
= 10 V ，输出打开
V
DD
= 5.0 V ，输出打开
V
DD
= 12 V ，输出打开，输入= 0 V
V
DD
= 5.0 V ，输出打开，输入= 0 V
V
R
= 50 V ，T
A
= +25°C
V
R
= 50 V ，T
A
= +70°C
V
F
I
F
= 350毫安
分钟。
—
—
—
—
—
—
10.5
8.5
3.5
50
50
50
—
—
—
—
—
—
—
—
范围
典型值。马克斯。
—
—
0.9
1.1
1.3
—
—
—
—
200
300
600
1.0
0.9
0.7
—
50
—
—
1.7
50
100
1.1
1.3
1.6
1.0
—
—
—
—
—
—
2.0
1.7
1.0
200
100
50
100
2.0
单位
A
A
V
V
V
V
V
V
V
k
k
k
mA
mA
mA
A
A
A
A
V
注意：这些设备与标准TTL或DTL的操作可能需要使用适当的上拉电阻，以确保最小的逻辑“1”。
频闪
28
产量
启用
27
供应
V
DD
明确
ST
NC
OE
C
NC
NC
26
4
3
2
1
IN
1
IN
2
5
6
7
25
24
23
OUT
1
OUT
2
OUT
3
OUT
4
OUT
5
OUT
6
OUT
7
锁存器
UCN5801EP
（额外的引脚图
是下页）
IN
3
IN
4
IN
5
8
9
22
21
20
19
IN
6
10
IN
7
11
14
NC
13
NC
17
NC
15
12
16
K
钳位二极管
常见
地
OUT
8
18
IN
8
DWG 。 PP- 037
5800
和
5801
采用BiMOS II
锁存驱动程序
UCN5801A
明确
频闪
IN
1
IN
2
IN
3
IN
4
IN
5
IN
6
IN
7
IN
8
地
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
22
V
DD
21
20
19
18
产量
启用
供应
OUT
1
OUT
2
OUT
3
OUT
4
OUT
5
OUT
6
OUT
7
OUT
8
常见
OUTN
明确
F
频闪
A
产量
启用
客栈
D
E
E
C
B
C
B
A
C
B
G
G
DWG 。编号A- 10,895A
锁存器
17
16
15
14
13
12
时序条件
（逻辑电平V
DD
和地面）
A.
最小数据有效时间之前频闪启用
（数据建立时间） ........................................... ...............
50纳秒
B.
最小数据有效时间选通后禁用
（数据保持时间） ............................................. .................
50纳秒
C.
最小选通脉冲宽度.............................................. 125 ....
ns
DWG 。 PP- 015
D.
间频闪激活和典型时间
输出ON到OFF转换............................................ 500
ns
E.
间频闪激活和最少的时间
输出OFF到ON的转变............................................ 500
ns
UCN5801LW
明确
频闪
IN
1
IN
2
IN
3
IN
4
IN
5
IN
6
IN
7
IN
8
地
NO
连接
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
NC
NC
V
DD
24
23
22
21
20
产量
启用
供应
OUT
1
OUT
2
OUT
3
OUT
4
OUT
5
OUT
6
OUT
7
OUT
8
常见
NO
连接
DWG 。 PP- 015-1
F.
最小净脉冲宽度.............................................. ...... 300
ns
G.
最小数据脉冲宽度.............................................. 225 .......
ns
信息存在于一个输入端传送到其锁存时
频闪高。高CLEAR输入会设置所有锁存到输出
关闭条件下，无论数据或选通输入电平。高
OUTPUT ENABLE将设置所有输出为OFF状态，而不管
的任何其他的输入条件。当输出使能低，则
输出取决于它们各自的锁存器的状态。
锁存器
19
18
17
16
15
14
13
真值表
产量
IN
N
0
1
X
X
X
X
频闪
1
1
X
X
0
0
明确
0
0
1
X
0
0
启用
0
0
X
1
0
0
t-1
X
X
X
X
ON
关闭
OUT
N
t
关闭
ON
关闭
关闭
ON
关闭
X =无关。
T-1 =前一输出状态。
t为当前的输出状态。
115东北托夫，箱15036
马萨诸塞州伍斯特01615-0036 （ 508 ） 853-5000
