UCD74120
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SLUSAV8 - 2012年10月
高电流，同步降压功率级
检查样品：
UCD74120
1
特点
集成同步降压驱动器和
NexFET功率MOSFET，用于高功率
密度和高效率
25 -A的输出电流能力的DSP和
ASIC
4.7 V至14 V的输入电压范围
操作高达2 MHz的开关频率
内置高边电流保护
DCR电流检测过流
保护和输出电流监视
成比例的电压负载电流监控器
产量
三态PWM输入功率级
关闭
UVLO电路家政服务
集成的热关断
40引脚5毫米× 7毫米， PQFN PowerStack
包
描述
UCD74120是一个多芯片模块，集成的驱动器
设备和两个NexFET功率MOSFET的成
耐热增强型紧凑，五毫米×7毫米QFN
封装。一个25 A的输出电流能力，使
设备适用于驱动DSP和ASIC 。该
设备被设计为补充数字或模拟
PWM控制器。驱动装置的PWM输入
是三态兼容。两个驱动器电路提供高
充电和放电电流为高侧的N-
沟道FET开关和低侧N沟道场效应晶体管
同步整流器中的同步降压
转换器。
输出电流被测量并通过一个监视
精确的电流检测放大器处理
通过一个外部电流检测电压存在
元素。经放大的信号是可通过使用
在IMON引脚上的PWM控制器。板载
比较器监视整个高侧的电压
开关和整个外部电流的电压
感测元件，以保障从功率级
突如其来的大电流负载。消隐延迟设置为
高侧比较器通过以单个电阻
为了避免与开关边缘重合虚假报道
噪声。在偶数的高压侧故障或
过流故障，高侧FET关闭，
故障标志（ FLT）被置位，以提醒PWM的
控制器。
2
应用
数字或模拟POL电源模块
高功率密度DC- DC转换器
电信和网络应用
应用框图
从
调节器
SRE
To
调节器
FLT
IMON
SRE_MD
BP3
ILIM
RDLY
AVGG
PWM
VDD
HS_SNS
VIN
BOOT
SW
CSP
CSN
VGG
保护地
V
OUT
V
IN
UCD74120
VGG_DIS AGND
UDG-11281
1
2
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
的NexFET ， PowerStack是德州仪器的商标。
版权所有2012，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。
订购信息
(1)
温度
范围
-40_C到125_C
(1)
引脚
40
包
裂谷热
订购数量
UCD74120RVF
对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录结束
本文档，或参阅TI的网站
www.ti.com 。
绝对最大额定值
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
(1)
价值
民
VDD ， VIN
SW DC
SW脉冲< 400纳秒， E = 20 μJ
SW脉冲< 64纳秒
SW脉冲< 40纳秒
VGG ， AVGG （对外提供）
电压范围
BOOT DC
BOOT脉冲（在20 V < 400纳秒SW ）
BOOT脉冲（在22 V < 64纳秒SW ）
BOOT脉冲（在25 V < 40纳秒SW ）
ILIM ， VGG_DIS ， IMON ， FLT
CSP ， CSN ， RDLY ， PWM ， SRE ， SRE_MD
HS_SNS
温度
(1)
T
J
T
英镑
–0.3
–1
–2
–5
–7
–0.3
–0.3
–0.3
–0.3
–0.3
–0.3
–0.3
–0.3
–40
–55
最大
16
16
20
22
25
7
23
27
29
32
3.6
5.6
16
150
150
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
°C
°C
单位
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值
只有与设备，在这些或超出下包括任何其他条件的功能操作“推荐工作
条件“是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
热信息
UCD74120
热公制
θ
JA
θ
JCtop
ψ
JT
ψ
JB
θ
JCbot
结至环境热阻
结至外壳（顶部）热阻
结至顶部的特征参数
结至电路板的特征参数
结至外壳（底部）热阻
(1)
PQFN （ RVF ） 40-
针
28.9
15.4
0.2
5.1
0.8
单位
° C / W
(1)
有关传统和新的热度量的更多信息，请参阅
IC封装热度量
申请报告，
SPRA953.
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电气特性
T
J
= -40 ° C至125°C ，V
VDD
, V
VIN
= 12 V时，所有参数处于零功耗（除非另有说明）
参数
输入电源
V
VIN
V
VDD
I
VDD
V
GG -ON
V
GG -OFF
V
GG- HYS
V
GG
V
DO
V
BP3
V
IH- PWM
V
IL - PWM
PWM
V
IH- SRE
V
IL - SRE
SRE
I
PWM
输入电源电压范围
电源电流
UVLO电压
UVLO电压关
UVLO滞后电压
输出电压
压差电压，V
VDD
– V
GG
输出电压
正向输入阈值电压
负向输入阈值电压
输入电压滞后， （V
IH
– V
IL
)
正向输入阈值电压
负向输入阈值电压
输入电压滞后， （V
IH
– V
IL
)
V
PWM
= 5 V
输入电流
V
PWM
= 3.3 V
V
PWM
= 0 V
V
SRE
= 5 V
I
SRE
输入电流
V
SRE
= 3.3 V
V
SRE
= 0 V
t
HLD -R
(1)
测试条件
民
典型值
最大
单位
4.7
没有开关， PWM =低
8
4.4
4.1
4.3
80
V
VIN
= 12 V，I
GG
= 50毫安
V
VIN
= 4. 7V ，我
GG
= 50毫安
V
VIN
= 12 V，I
BP3
= 2毫安
3.0
3.2
1.8
0.8
0.9
0.9
1.5
0.9
1.0
0.45
140
70
–63
190
12
–330
450
600
5.3
6.0
14
10
4.6
V
mA
V
V
mV
栅极驱动欠压锁定
VGG电源发生器
6.8
350
3.3
2.1
V
mV
V
V
V
V
1.7
V
V
A
BP3稳压器
数字输入信号（ PWM ， SRE ）
A
三态拖延时间
V
PWM
从0 V至1.65 V过渡，
时间，直到低侧驱动器下降到0 V.
750
ns
输出电流限制（ ILIM ）
R
ILIM式（1）
V
ILIM
V
FLT- HI
V
FLT -LO
t
故障- FLT （ 1 ）
t
DLY （1）
ILIM输入阻抗
ILIM设定点范围
FLT输出高电平
FLT输出低电平
故障检测时间。推迟到FLT
断言
从PWM传播延迟复位FLT
I
负载
= -2毫安
I
负载
= 2毫安
V
ILIM
= 1.5 V, (V
CSP
- V
CSN
） = 20 mV时，
V
CSN
= 1.8 V
PWM下降到FLT限流后下降
事件被清除。 PWM脉冲宽度
≥
100纳秒
从RDLY 8.06 kΩ电阻到AGND
5.00
R
RDLY
= 8.06kΩ 。从SW上升到HS故障
比较有效。
T
J
= 25 ° C， （V
BOOT
– V
SW
) = 5.5V
110
0.5
2.7
3.3
0.1
350
85
0.6
475
200
250
3
k
V
V
V
ns
ns
电流检测消隐（ RDLY ， HS_SNS ）
I
RDLY
R
RDLY （1）
t
空白
I
OCH
(1)
RDLY源电流
RDLY电阻范围
HS_SNS消隐时间
过流阈值的高侧FET
90
8.06
125
50
25.00
140
A
kΩ
ns
A
由设计保证。未经生产测试。
4
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电气特性（续）
T
J
= -40 ° C至125°C ，V
VDD
, V
VIN
= 12 V时，所有参数处于零功耗（除非另有说明）
参数
电流检测放大器（ IMON ， CSP ， CSN ）
V
IMON
R
CS- IN （2）
G
CS
VCM
(2)
V
IMON （分钟）
V
IMON （MAX）中
SR
R
HI
R
LO
V
F
T
TSD- R（2）
T
TSD- F（2）
T
TSD- HYS
(2)
(2)
(2)
测试条件
CSP CSN = = 1.8V
差， （V
CSP
- V
CSN
)
(V
CSP
- V
CSN
）= 10 mV时， 0.5 V
≤
V
CSN
≤
3.3 V
民
0.46
48
45.0
–0.3
典型值
0.50
100
50.2
47.0
最大
0.54
52.4
49.2
5.3
单位
V
kΩ
V/V
V
V
V
MSPS
在无负载电压IMON
输入阻抗
闭环直流增益
输入共模电压范围
最低IMON电压
最大IMON电压
采样率
高侧器件电阻
低侧器件电阻
正向电压
阈值上升
下降阈值
迟滞
增益2.49 kΩ的电阻串联
CSP ， CSN
V
CM
最大限制为（Ⅴ
VGG
– 1.2 V)
V
CSP
= 1.2 V; V
CSN
= 1.3 V，I
IMON
= –250 A
V
CSP
= 1.3 V; V
CSN
= 1.2 V，I
IMON
= 500 A
0.1
3.0
3.2
5
0.15
3.3
输出级
T
J
= 25 ° C，V
BOOT
– V
SW
= 5.5 V
T
J
= 25°C
正向偏置电流20 mA
155
135
4.5
1.9
0.4
165
145
20
175
155
6.5
2.7
mΩ
自举二极管
V
°C
C
C
热关断
由设计保证。未经生产测试。
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5
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