UCD7242
www.ti.com
SLUS962 - 2010年1月
数字双路同步降压功率驱动器
检查样品：
UCD7242
1
特点
完全集成的电源开关，驱动器
对于双路同步降压转换器
与TI数字电源完全兼容
供给控制器，如UCD92xx
家庭
宽输入电压范围： 4.75 V至18 V
操作低至2.2 V输入，带
外部偏置电源
每通道高达10A的输出电流
运营至2 MHz的开关频率
高边电流限制，电流限制
旗
板载稳压6 V驱动器电源从V
IN
热保护
温度检测输出 - 电压
正比于芯片的温度
UVLO和OVLO电路确保适当的驱动
电压
额定工作在-40° C至125 ° C的结
温度
符合RoHS
精确的片上电流检测（ ± 5 ％ ）
应用
数控同步降压电源
阶段
大电流双相VRM / EVRD
监管层对于台式机，服务器，电信和
笔记本处理器
T
MON
PWM -B
SRE -B
FLT -B
V
GG
DIS
I
MON
-B
BST -B
V
IN
PWM -A
SRE -A
FLT -A
I
MON
-A
BST -A
BSW -B
SW -B
BSW -A
SW -A
保护地
保护地
V
GG
GND BP3
描述
该UCD7242是一个完整的电源系统准备开车两个独立的降压电源（请参阅
图1）。
高边MOSFET ，低边MOSFET ，驱动器，电流检测电路和必要的保护功能
都集成在一个单片解决方案，以便最小尺寸和最大效率。驱动电路
提供高的充放电电流为高侧NMOS开关和低侧NMOS同步
整流器在同步降压电路。 MOSFET栅极由一个内部调节V驱动至6.25 V
GG
供应量。内部V
GG
调节器可以被禁用，以允许用户提供一个独立的栅极驱动器
电压。这种灵活性允许2.2V至18V的宽功率转换输入电压范围。内部欠压
锁定（UVLO ）逻辑确保V
GG
为使芯片运行前好。
同步整流器使能（ SRE）的销控制低侧MOSFET是否被接通时
PWM信号为低。当SRE为高的部分工作在连续导通模式下的所有负载。在这
模式的驱动器逻辑块使用的PWM信号同时控制高侧和低侧栅极驱动信号。
死区时间也进行了优化，以防止交叉传导。当SRE为低时，器件工作在不连续
导通模式在轻负载。在这种模式下，低侧MOSFET总是保持关闭。
1
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
2010 ，德州仪器
UCD7242
SLUS962 - 2010年1月
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这个集成电路可以被ESD损坏。德州仪器建议所有集成电路与处理
适当的预防措施。如果不遵守正确的操作和安装程序，可以造成损坏。
ESD损害的范围可以从细微的性能下降，完成设备故障。精密集成电路可能会更
容易受到伤害，因为很小的参数变化可能导致设备不能满足其公布的规格。
描述（续）
板载比较器监测电流通过高侧开关，以保障从功率级
突如其来的大电流负载。消隐延迟设置为高边比较，以避免不实报道一致
带开关边缘的噪音。在过电流故障时，高侧FET关闭，故障标志
（ FLT）被认定，以提醒控制器。
MOSFET的电流被测量并通过精密监测集成电流感应元件。该方法
提供了± 5％的大部分负载范围的精确度。经放大的信号是可通过使用
控制器上的余
MON
引脚。
片上温度感应芯片温度转换为在T的电压
MON
引脚控制器的使用。
如果芯片温度超过170℃时，温度传感器将启动停止输出热关断
切换并设置FLT标志。恢复正常操作时模具温度低于热
滞后带。
V
IN
T
MON
30
UCD7242
31
32
19
27
28
29
V
IN
V
IN
V
IN
PWM -B
1
SRE -B
2
FLT -B
9
V
IN
PWM -A
热
SENSE
26
DRIVE
逻辑
SRE -A
25
FLT -A
18
DRIVE
逻辑
I
MON
-B
7
BST -B
3
当前
SENSE
处理器
V
IN
V
GG
发电机
当前
SENSE
处理器
V
IN
I
MON
-A
20
BST -A
24
BSW -A
BSW -B
4
V
OUT
-B
SW -B
13
保护地
10
11
12
司机
V
DD
LDO
司机
15
16
17
14
司机
司机
23
SW -A
V
OUT
-A
保护地
8
TESTMODE
21
GND
6
22
V
GG
DIS BP3
5
V
GG
短
图1.典型应用电路和框图
2
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UCD7242
2010 ，德州仪器
UCD7242
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订购信息
操作
温度
范围内，T
A
-40_C到125_C
引脚数
订购零件
数
UCD7242RSJR
UCD7242RSJT
供应
2500卷
250的卷轴
包
顶端标记
32-pin
QFN
UCD7242
绝对最大额定值
(1)
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
参数
VIN
BST
V
GG
, V
GG
_Dis
BP3
SW ， BSW
TMON ， IMON ，测试模式
PWM -A ， PWM -B ， SRE -A ，
SRE -B ， FLT -A ， FLT -B
T
J
T
英镑
ESD额定值
电源电压
启动电压
DC
AC
(2)
等级
-0.3 20
-0.3 SW + 7
34
7
4
-2至VIN + 1
价值
V
V
V
V
V
V
V
V
V
°C
°C
V
V
门电源电压
逻辑电源电压
开关电压
模拟输出
数字I / O的
结温
储存温度
HBM ：人体模型
CDM ：带电器件模型
DC
AC
(2)
34
-0.3 3.6
-0.3 5.5
-55到150
-55到150
2000
500
(1)
(2)
强调超越那些在列
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值
该设备在这些或超出标明的任何其他条件，仅及功能操作不暗示。接触
绝对最大额定条件下长时间可能会影响器件的可靠性。所有的电压都是相对于GND 。电流
积极进入，负出指定的终端。咨询公司的包装信息进行热限制和注意事项
包。
交流水平被限制在5纳秒。
耗散额定值（典型值）
包
气流（ LFM ）
0 （自然对流）
RSJ
200
400
(1)
采用TI EVM获取的数据。
R
qJA
TI EVM板
(1)
19.1°C/W
15.1°C/W
13.4°C/W
额定功率
T
A
= 25°C
5.2 W
6.6 W
7.5 W
额定功率
T
A
= 85°C
2.1 W
2.6 W
3.0 W
推荐工作条件
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
民
V
IN
V
IN
V
GG
T
J
f
s
电源输入电压（内部产生V
GG
)
电源输入电压（外部产生V
GG
)
外部提供栅极驱动电压
工作结温范围
开关频率
4.75
2.2
4.75
–40
300
750
典型值
12
12
6.2
125
2000
最大
18
18
单位
V
V
V
°C
千赫
2010 ，德州仪器
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UCD7242
3
UCD7242
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电气特性
V
IN
= 12V ; 1MF从BP3和GND ， 0.22mF从BST到BSW ， 4.7mF从V
GG
到PGND ，T
A
= T
J
= -40 ° C至125°C （除非
另有说明）
参数
供电部分
输出不切换，V
IN
= 2.2 V,
PWM （ INH ） =低， SRE （ INL ） = HIGH ，
V
GG
_DIS = HIGH ，V
GG
= 5V
输出不切换，V
IN
= 18 V,
PWM （ INH ） =低， SRE （ INL ） = HIGH ，
V
GG
_DIS = LOW
BP3上升
BP3下降
6
mA
测试条件
民
TYP MAX
单位
电源电流
6
mA
栅极驱动欠压锁定
V
GG
UVLO开启
UVLO OFF
UVLO迟滞
V
GG
供应发电机
V
GG
V
GG
退出
BP3电源电压
BP3
输入信号（ PWM ， SRE ）
V
IH
V
IL
t
HLD_R
I
PWM
正向输入阈值电压
负向输入阈值电压
三态条件
三态拖延时间
输入电流
V
PWM
= 1.65 V
V
PWM
= 5.0 V
V
PWM
= 3.3 V
V
PWM
= 0 V
V
SRE
= 5.0 V
I
SRE
输入电流
V
SRE
= 3.3 V
V
SRE
= 0 V
V
GG
禁用（V
GG
_DIS ）
输入电阻到AGND
门槛
迟滞
故障标志（ FLT ）
FLT输出高电平
FLT输出低电平
电流限制
过电流阈值
T
fault_HS
拖延，直到HS FET关闭
(1)
T
fault_FF
推迟到FLT断言
高端的消隐时间
(1)
电流检测放大器
收益
带宽
(1)
(1)
(1)
(1)
4.0
3.8
200
V
V
mV
6.8
600
V
mV
V
V
V
1.9
V
ns
mA
V
IN
= 7 18 V
V
IN
= 4.75 7 V，I
VGG
< 50毫安
I
DD
= 0 10 mA的
5.2
6.25
3.15
3.3
2.1
3.45
2.3
1
1.4
1.2
275
133
66
–66
1
1
1
mA
V
GG
_Dis
50
1.35
100
550
150
1.6
k
V
mV
V
I
OH
= 2毫安
I
OL
= -2毫安
2.7
0.6
14.5
15
15.5
80
100
V
A
ns
ns
ns
ns
毫安/ A
千赫
从PWM传播延迟复位FLT
1 PWM下降边缘无故障事件
以上，在此期间电流不会被检测到
I
MON
/ I
OUT
（见
图14
)
19
5
20
st
100
60
21
由于设计和特点。不是100 ％生产测试。
4
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UCD7242
2010 ，德州仪器
UCD7242
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电气特性（续）
V
IN
= 12V ; 1MF从BP3和GND ， 0.22mF从BST到BSW ， 4.7mF从V
GG
到PGND ，T
A
= T
J
= -40 ° C至125°C （除非
另有说明）
参数
热感
热关断
(2)
热关断迟滞
温感牛逼
功率MOSFET
从PWM切换节点的传输延迟
去高
高边MOSFET
DS （ ON）
低端MOSFET
DS （ ON）
高边MOSFET导通 - 死区时间
(2)
低边MOSFET的导通 - 死区时间
(2)
(2)
(2)
(2)
测试条件
民
TYP MAX
170
20
单位
°C
°C
毫伏/°C的
mV
ns
mΩ
mΩ
增益，T
J
= -20 ° C至125°C
T
J
= 0°C, –100
mA
≤
I
TMON
≤
100
mA
10
470
32
15.5
6.5
5
6
10
11
温感牛逼偏移
(2)
ns
ns
由于设计和特点。不是100 ％生产测试。
设备信息
引脚
引脚
（ TOP VIEW ）
引脚
（底视图）
SWB
SWA
V
IN
V
IN
V
IN
V
IN
NC
NC
27 28
29
30
31 32
V
IN
PWM_B
SRE_B
BST_B
BSW_B
V
GG
V
GG_
DIS
IMON_B
TESTMODE
FLT -B
保护地
1
2
3
4
5
6
7
8
9
32 31
30
29
28 27
V
IN
26
25
PWM_A
SRE_A
BST_A
BSW_A
BP3
AGND
IMON_A
TMON
FLT -A
保护地
26
25
24
23
22
21
20
19
18
1
2
3
4
5
6
7
8
9
特别
采用6mm x 6mm
QFN
PKG代码： RSJ
24
23
22
21
20
19
18
10 11
12
13
14
15
16 17
SWB
保护地
SWA
保护地
保护地
NC
保护地
NC
17 16
15
14
13
12
11
10
2010 ，德州仪器
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UCD7242
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数字双路同步降压功率驱动器
检查样品：
UCD7242
1
特点
完全集成的电源开关，驱动器
对于双路同步降压转换器
与TI数字电源完全兼容
供给控制器，如UCD92xx
家庭
宽输入电压范围： 4.75 V至18 V
操作低至2.2 V输入，带
外部偏置电源
每通道高达10A的输出电流
运营至2 MHz的开关频率
高边电流限制，电流限制
旗
板载稳压6 V驱动器电源从V
IN
热保护
温度检测输出 - 电压
正比于芯片的温度
UVLO和OVLO电路确保适当的驱动
电压
额定工作在-40° C至125 ° C的结
温度
符合RoHS
精确的片上电流检测（ ± 5 ％ ）
应用
数控同步降压电源
阶段
大电流双相VRM / EVRD
监管层对于台式机，服务器，电信和
笔记本处理器
T
MON
PWM -B
SRE -B
FLT -B
V
GG
DIS
I
MON
-B
BST -B
V
IN
PWM -A
SRE -A
FLT -A
I
MON
-A
BST -A
BSW -B
SW -B
BSW -A
SW -A
保护地
保护地
V
GG
GND BP3
描述
该UCD7242是一个完整的电源系统准备开车两个独立的降压电源（请参阅
图1）。
高边MOSFET ，低边MOSFET ，驱动器，电流检测电路和必要的保护功能
都集成在一个单片解决方案，以便最小尺寸和最大效率。驱动电路
提供高的充放电电流为高侧NMOS开关和低侧NMOS同步
整流器在同步降压电路。 MOSFET栅极由一个内部调节V驱动至6.25 V
GG
供应量。内部V
GG
调节器可以被禁用，以允许用户提供一个独立的栅极驱动器
电压。这种灵活性允许2.2V至18V的宽功率转换输入电压范围。内部欠压
锁定（UVLO ）逻辑确保V
GG
为使芯片运行前好。
同步整流器使能（ SRE）的销控制低侧MOSFET是否被接通时
PWM信号为低。当SRE为高的部分工作在连续导通模式下的所有负载。在这
模式的驱动器逻辑块使用的PWM信号同时控制高侧和低侧栅极驱动信号。
死区时间也进行了优化，以防止交叉传导。当SRE为低时，器件工作在不连续
导通模式在轻负载。在这种模式下，低侧MOSFET总是保持关闭。
1
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
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UCD7242
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这个集成电路可以被ESD损坏。德州仪器建议所有集成电路与处理
适当的预防措施。如果不遵守正确的操作和安装程序，可以造成损坏。
ESD损害的范围可以从细微的性能下降，完成设备故障。精密集成电路可能会更
容易受到伤害，因为很小的参数变化可能导致设备不能满足其公布的规格。
描述（续）
板载比较器监测电流通过高侧开关，以保障从功率级
突如其来的大电流负载。消隐延迟设置为高边比较，以避免不实报道一致
带开关边缘的噪音。在过电流故障时，高侧FET关闭，故障标志
（ FLT）被认定，以提醒控制器。
MOSFET的电流被测量并通过精密监测集成电流感应元件。该方法
提供了± 5％的大部分负载范围的精确度。经放大的信号是可通过使用
控制器上的余
MON
引脚。
片上温度感应芯片温度转换为在T的电压
MON
引脚控制器的使用。
如果芯片温度超过170℃时，温度传感器将启动停止输出热关断
切换并设置FLT标志。恢复正常操作时模具温度低于热
滞后带。
V
IN
T
MON
30
UCD7242
31
32
19
27
28
29
V
IN
V
IN
V
IN
PWM -B
1
SRE -B
2
FLT -B
9
V
IN
PWM -A
热
SENSE
26
DRIVE
逻辑
SRE -A
25
FLT -A
18
DRIVE
逻辑
I
MON
-B
7
BST -B
3
当前
SENSE
处理器
V
IN
V
GG
发电机
当前
SENSE
处理器
V
IN
I
MON
-A
20
BST -A
24
BSW -A
BSW -B
4
V
OUT
-B
SW -B
13
保护地
10
11
12
司机
V
DD
LDO
司机
15
16
17
14
司机
司机
23
SW -A
V
OUT
-A
保护地
8
TESTMODE
21
GND
6
22
V
GG
DIS BP3
5
V
GG
短
图1.典型应用电路和框图
2
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订购信息
操作
温度
范围内，T
A
-40_C到125_C
引脚数
订购零件
数
UCD7242RSJR
UCD7242RSJT
供应
2500卷
250的卷轴
包
顶端标记
32-pin
QFN
UCD7242
绝对最大额定值
(1)
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
参数
VIN
BST
V
GG
, V
GG
_Dis
BP3
SW ， BSW
TMON ， IMON ，测试模式
PWM -A ， PWM -B ， SRE -A ，
SRE -B ， FLT -A ， FLT -B
T
J
T
英镑
ESD额定值
电源电压
启动电压
DC
AC
(2)
等级
-0.3 20
-0.3 SW + 7
34
7
4
-2至VIN + 1
价值
V
V
V
V
V
V
V
V
V
°C
°C
V
V
门电源电压
逻辑电源电压
开关电压
模拟输出
数字I / O的
结温
储存温度
HBM ：人体模型
CDM ：带电器件模型
DC
AC
(2)
34
-0.3 3.6
-0.3 5.5
-55到150
-55到150
2000
500
(1)
(2)
强调超越那些在列
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值
该设备在这些或超出标明的任何其他条件，仅及功能操作不暗示。接触
绝对最大额定条件下长时间可能会影响器件的可靠性。所有的电压都是相对于GND 。电流
积极进入，负出指定的终端。咨询公司的包装信息进行热限制和注意事项
包。
交流水平被限制在5纳秒。
耗散额定值（典型值）
包
气流（ LFM ）
0 （自然对流）
RSJ
200
400
(1)
采用TI EVM获取的数据。
R
qJA
TI EVM板
(1)
19.1°C/W
15.1°C/W
13.4°C/W
额定功率
T
A
= 25°C
5.2 W
6.6 W
7.5 W
额定功率
T
A
= 85°C
2.1 W
2.6 W
3.0 W
推荐工作条件
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
民
V
IN
V
IN
V
GG
T
J
f
s
电源输入电压（内部产生V
GG
)
电源输入电压（外部产生V
GG
)
外部提供栅极驱动电压
工作结温范围
开关频率
4.75
2.2
4.75
–40
300
750
典型值
12
12
6.2
125
2000
最大
18
18
单位
V
V
V
°C
千赫
2010 ，德州仪器
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电气特性
V
IN
= 12V ; 1MF从BP3和GND ， 0.22mF从BST到BSW ， 4.7mF从V
GG
到PGND ，T
A
= T
J
= -40 ° C至125°C （除非
另有说明）
参数
供电部分
输出不切换，V
IN
= 2.2 V,
PWM （ INH ） =低， SRE （ INL ） = HIGH ，
V
GG
_DIS = HIGH ，V
GG
= 5V
输出不切换，V
IN
= 18 V,
PWM （ INH ） =低， SRE （ INL ） = HIGH ，
V
GG
_DIS = LOW
BP3上升
BP3下降
6
mA
测试条件
民
TYP MAX
单位
电源电流
6
mA
栅极驱动欠压锁定
V
GG
UVLO开启
UVLO OFF
UVLO迟滞
V
GG
供应发电机
V
GG
V
GG
退出
BP3电源电压
BP3
输入信号（ PWM ， SRE ）
V
IH
V
IL
t
HLD_R
I
PWM
正向输入阈值电压
负向输入阈值电压
三态条件
三态拖延时间
输入电流
V
PWM
= 1.65 V
V
PWM
= 5.0 V
V
PWM
= 3.3 V
V
PWM
= 0 V
V
SRE
= 5.0 V
I
SRE
输入电流
V
SRE
= 3.3 V
V
SRE
= 0 V
V
GG
禁用（V
GG
_DIS ）
输入电阻到AGND
门槛
迟滞
故障标志（ FLT ）
FLT输出高电平
FLT输出低电平
电流限制
过电流阈值
T
fault_HS
拖延，直到HS FET关闭
(1)
T
fault_FF
推迟到FLT断言
高端的消隐时间
(1)
电流检测放大器
收益
带宽
(1)
(1)
(1)
(1)
4.0
3.8
200
V
V
mV
6.8
600
V
mV
V
V
V
1.9
V
ns
mA
V
IN
= 7 18 V
V
IN
= 4.75 7 V，I
VGG
< 50毫安
I
DD
= 0 10 mA的
5.2
6.25
3.15
3.3
2.1
3.45
2.3
1
1.4
1.2
275
133
66
–66
1
1
1
mA
V
GG
_Dis
50
1.35
100
550
150
1.6
k
V
mV
V
I
OH
= 2毫安
I
OL
= -2毫安
2.7
0.6
14.5
15
15.5
80
100
V
A
ns
ns
ns
ns
毫安/ A
千赫
从PWM传播延迟复位FLT
1 PWM下降边缘无故障事件
以上，在此期间电流不会被检测到
I
MON
/ I
OUT
（见
图14
)
19
5
20
st
100
60
21
由于设计和特点。不是100 ％生产测试。
4
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UCD7242
2010 ，德州仪器
UCD7242
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电气特性（续）
V
IN
= 12V ; 1MF从BP3和GND ， 0.22mF从BST到BSW ， 4.7mF从V
GG
到PGND ，T
A
= T
J
= -40 ° C至125°C （除非
另有说明）
参数
热感
热关断
(2)
热关断迟滞
温感牛逼
功率MOSFET
从PWM切换节点的传输延迟
去高
高边MOSFET
DS （ ON）
低端MOSFET
DS （ ON）
高边MOSFET导通 - 死区时间
(2)
低边MOSFET的导通 - 死区时间
(2)
(2)
(2)
(2)
测试条件
民
TYP MAX
170
20
单位
°C
°C
毫伏/°C的
mV
ns
mΩ
mΩ
增益，T
J
= -20 ° C至125°C
T
J
= 0°C, –100
mA
≤
I
TMON
≤
100
mA
10
470
32
15.5
6.5
5
6
10
11
温感牛逼偏移
(2)
ns
ns
由于设计和特点。不是100 ％生产测试。
设备信息
引脚
引脚
（ TOP VIEW ）
引脚
（底视图）
SWB
SWA
V
IN
V
IN
V
IN
V
IN
NC
NC
27 28
29
30
31 32
V
IN
PWM_B
SRE_B
BST_B
BSW_B
V
GG
V
GG_
DIS
IMON_B
TESTMODE
FLT -B
保护地
1
2
3
4
5
6
7
8
9
32 31
30
29
28 27
V
IN
26
25
PWM_A
SRE_A
BST_A
BSW_A
BP3
AGND
IMON_A
TMON
FLT -A
保护地
26
25
24
23
22
21
20
19
18
1
2
3
4
5
6
7
8
9
特别
采用6mm x 6mm
QFN
PKG代码： RSJ
24
23
22
21
20
19
18
10 11
12
13
14
15
16 17
SWB
保护地
SWA
保护地
保护地
NC
保护地
NC
17 16
15
14
13
12
11
10
2010 ，德州仪器
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UCD7242
5
UCD7242
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数字双路同步降压功率驱动器
检查样品：
UCD7242
1
特点
完全集成的电源开关，驱动器
对于双路同步降压转换器
与TI数字电源完全兼容
供给控制器，如UCD92xx
家庭
宽输入电压范围： 4.75 V至18 V
操作低至2.2 V输入，带
外部偏置电源
每通道高达10A的输出电流
运营至2 MHz的开关频率
高边电流限制，电流限制
旗
板载稳压6 V驱动器电源从V
IN
热保护
温度检测输出 - 电压
正比于芯片的温度
UVLO和OVLO电路确保适当的驱动
电压
额定工作在-40° C至125 ° C的结
温度
符合RoHS
精确的片上电流检测（ ± 5 ％ ）
应用
数控同步降压电源
阶段
大电流双相VRM / EVRD
监管层对于台式机，服务器，电信和
笔记本处理器
T
MON
PWM -B
SRE -B
FLT -B
V
GG
DIS
I
MON
-B
BST -B
V
IN
PWM -A
SRE -A
FLT -A
I
MON
-A
BST -A
BSW -B
SW -B
BSW -A
SW -A
保护地
保护地
V
GG
GND BP3
描述
该UCD7242是一个完整的电源系统准备开车两个独立的降压电源（请参阅
图1）。
高边MOSFET ，低边MOSFET ，驱动器，电流检测电路和必要的保护功能
都集成在一个单片解决方案，以便最小尺寸和最大效率。驱动电路
提供高的充放电电流为高侧NMOS开关和低侧NMOS同步
整流器在同步降压电路。 MOSFET栅极由一个内部调节V驱动至6.25 V
GG
供应量。内部V
GG
调节器可以被禁用，以允许用户提供一个独立的栅极驱动器
电压。这种灵活性允许2.2V至18V的宽功率转换输入电压范围。内部欠压
锁定（UVLO ）逻辑确保V
GG
为使芯片运行前好。
同步整流器使能（ SRE）的销控制低侧MOSFET是否被接通时
PWM信号为低。当SRE为高的部分工作在连续导通模式下的所有负载。在这
模式的驱动器逻辑块使用的PWM信号同时控制高侧和低侧栅极驱动信号。
死区时间也进行了优化，以防止交叉传导。当SRE为低时，器件工作在不连续
导通模式在轻负载。在这种模式下，低侧MOSFET总是保持关闭。
1
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
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UCD7242
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这个集成电路可以被ESD损坏。德州仪器建议所有集成电路与处理
适当的预防措施。如果不遵守正确的操作和安装程序，可以造成损坏。
ESD损害的范围可以从细微的性能下降，完成设备故障。精密集成电路可能会更
容易受到伤害，因为很小的参数变化可能导致设备不能满足其公布的规格。
描述（续）
板载比较器监测电流通过高侧开关，以保障从功率级
突如其来的大电流负载。消隐延迟设置为高边比较，以避免不实报道一致
带开关边缘的噪音。在过电流故障时，高侧FET关闭，故障标志
（ FLT）被认定，以提醒控制器。
MOSFET的电流被测量并通过精密监测集成电流感应元件。该方法
提供了± 5％的大部分负载范围的精确度。经放大的信号是可通过使用
控制器上的余
MON
引脚。
片上温度感应芯片温度转换为在T的电压
MON
引脚控制器的使用。
如果芯片温度超过170℃时，温度传感器将启动停止输出热关断
切换并设置FLT标志。恢复正常操作时模具温度低于热
滞后带。
V
IN
T
MON
30
UCD7242
31
32
19
27
28
29
V
IN
V
IN
V
IN
PWM -B
1
SRE -B
2
FLT -B
9
V
IN
PWM -A
热
SENSE
26
DRIVE
逻辑
SRE -A
25
FLT -A
18
DRIVE
逻辑
I
MON
-B
7
BST -B
3
当前
SENSE
处理器
V
IN
V
GG
发电机
当前
SENSE
处理器
V
IN
I
MON
-A
20
BST -A
24
BSW -A
BSW -B
4
V
OUT
-B
SW -B
13
保护地
10
11
12
司机
V
DD
LDO
司机
15
16
17
14
司机
司机
23
SW -A
V
OUT
-A
保护地
8
TESTMODE
21
GND
6
22
V
GG
DIS BP3
5
V
GG
短
图1.典型应用电路和框图
2
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UCD7242
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UCD7242
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订购信息
操作
温度
范围内，T
A
-40_C到125_C
引脚数
订购零件
数
UCD7242RSJR
UCD7242RSJT
供应
2500卷
250的卷轴
包
顶端标记
32-pin
QFN
UCD7242
绝对最大额定值
(1)
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
参数
VIN
BST
V
GG
, V
GG
_Dis
BP3
SW ， BSW
TMON ， IMON ，测试模式
PWM -A ， PWM -B ， SRE -A ，
SRE -B ， FLT -A ， FLT -B
T
J
T
英镑
ESD额定值
电源电压
启动电压
DC
AC
(2)
等级
-0.3 20
-0.3 SW + 7
34
7
4
-2至VIN + 1
价值
V
V
V
V
V
V
V
V
V
°C
°C
V
V
门电源电压
逻辑电源电压
开关电压
模拟输出
数字I / O的
结温
储存温度
HBM ：人体模型
CDM ：带电器件模型
DC
AC
(2)
34
-0.3 3.6
-0.3 5.5
-55到150
-55到150
2000
500
(1)
(2)
强调超越那些在列
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值
该设备在这些或超出标明的任何其他条件，仅及功能操作不暗示。接触
绝对最大额定条件下长时间可能会影响器件的可靠性。所有的电压都是相对于GND 。电流
积极进入，负出指定的终端。咨询公司的包装信息进行热限制和注意事项
包。
交流水平被限制在5纳秒。
耗散额定值（典型值）
包
气流（ LFM ）
0 （自然对流）
RSJ
200
400
(1)
采用TI EVM获取的数据。
R
qJA
TI EVM板
(1)
19.1°C/W
15.1°C/W
13.4°C/W
额定功率
T
A
= 25°C
5.2 W
6.6 W
7.5 W
额定功率
T
A
= 85°C
2.1 W
2.6 W
3.0 W
推荐工作条件
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
民
V
IN
V
IN
V
GG
T
J
f
s
电源输入电压（内部产生V
GG
)
电源输入电压（外部产生V
GG
)
外部提供栅极驱动电压
工作结温范围
开关频率
4.75
2.2
4.75
–40
300
750
典型值
12
12
6.2
125
2000
最大
18
18
单位
V
V
V
°C
千赫
2010 ，德州仪器
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UCD7242
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电气特性
V
IN
= 12V ; 1MF从BP3和GND ， 0.22mF从BST到BSW ， 4.7mF从V
GG
到PGND ，T
A
= T
J
= -40 ° C至125°C （除非
另有说明）
参数
供电部分
输出不切换，V
IN
= 2.2 V,
PWM （ INH ） =低， SRE （ INL ） = HIGH ，
V
GG
_DIS = HIGH ，V
GG
= 5V
输出不切换，V
IN
= 18 V,
PWM （ INH ） =低， SRE （ INL ） = HIGH ，
V
GG
_DIS = LOW
BP3上升
BP3下降
6
mA
测试条件
民
TYP MAX
单位
电源电流
6
mA
栅极驱动欠压锁定
V
GG
UVLO开启
UVLO OFF
UVLO迟滞
V
GG
供应发电机
V
GG
V
GG
退出
BP3电源电压
BP3
输入信号（ PWM ， SRE ）
V
IH
V
IL
t
HLD_R
I
PWM
正向输入阈值电压
负向输入阈值电压
三态条件
三态拖延时间
输入电流
V
PWM
= 1.65 V
V
PWM
= 5.0 V
V
PWM
= 3.3 V
V
PWM
= 0 V
V
SRE
= 5.0 V
I
SRE
输入电流
V
SRE
= 3.3 V
V
SRE
= 0 V
V
GG
禁用（V
GG
_DIS ）
输入电阻到AGND
门槛
迟滞
故障标志（ FLT ）
FLT输出高电平
FLT输出低电平
电流限制
过电流阈值
T
fault_HS
拖延，直到HS FET关闭
(1)
T
fault_FF
推迟到FLT断言
高端的消隐时间
(1)
电流检测放大器
收益
带宽
(1)
(1)
(1)
(1)
4.0
3.8
200
V
V
mV
6.8
600
V
mV
V
V
V
1.9
V
ns
mA
V
IN
= 7 18 V
V
IN
= 4.75 7 V，I
VGG
< 50毫安
I
DD
= 0 10 mA的
5.2
6.25
3.15
3.3
2.1
3.45
2.3
1
1.4
1.2
275
133
66
–66
1
1
1
mA
V
GG
_Dis
50
1.35
100
550
150
1.6
k
V
mV
V
I
OH
= 2毫安
I
OL
= -2毫安
2.7
0.6
14.5
15
15.5
80
100
V
A
ns
ns
ns
ns
毫安/ A
千赫
从PWM传播延迟复位FLT
1 PWM下降边缘无故障事件
以上，在此期间电流不会被检测到
I
MON
/ I
OUT
（见
图14
)
19
5
20
st
100
60
21
由于设计和特点。不是100 ％生产测试。
4
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电气特性（续）
V
IN
= 12V ; 1MF从BP3和GND ， 0.22mF从BST到BSW ， 4.7mF从V
GG
到PGND ，T
A
= T
J
= -40 ° C至125°C （除非
另有说明）
参数
热感
热关断
(2)
热关断迟滞
温感牛逼
功率MOSFET
从PWM切换节点的传输延迟
去高
高边MOSFET
DS （ ON）
低端MOSFET
DS （ ON）
高边MOSFET导通 - 死区时间
(2)
低边MOSFET的导通 - 死区时间
(2)
(2)
(2)
(2)
测试条件
民
TYP MAX
170
20
单位
°C
°C
毫伏/°C的
mV
ns
mΩ
mΩ
增益，T
J
= -20 ° C至125°C
T
J
= 0°C, –100
mA
≤
I
TMON
≤
100
mA
10
470
32
15.5
6.5
5
6
10
11
温感牛逼偏移
(2)
ns
ns
由于设计和特点。不是100 ％生产测试。
设备信息
引脚
引脚
（ TOP VIEW ）
引脚
（底视图）
SWB
SWA
V
IN
V
IN
V
IN
V
IN
NC
NC
27 28
29
30
31 32
V
IN
PWM_B
SRE_B
BST_B
BSW_B
V
GG
V
GG_
DIS
IMON_B
TESTMODE
FLT -B
保护地
1
2
3
4
5
6
7
8
9
32 31
30
29
28 27
V
IN
26
25
PWM_A
SRE_A
BST_A
BSW_A
BP3
AGND
IMON_A
TMON
FLT -A
保护地
26
25
24
23
22
21
20
19
18
1
2
3
4
5
6
7
8
9
特别
采用6mm x 6mm
QFN
PKG代码： RSJ
24
23
22
21
20
19
18
10 11
12
13
14
15
16 17
SWB
保护地
SWA
保护地
保护地
NC
保护地
NC
17 16
15
14
13
12
11
10
2010 ，德州仪器
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