UCD7100
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SLUS651C - 2005年3月 - 修订2010年5月
数字控制兼容单低端± 4 -A的MOSFET电流检测驱动程序
检查样品：
UCD7100
1
特点
可调电流限制保护
3.3 V ， 10 mA内部稳压器
DSP / μC兼容输入
单± 4 -A TrueDrive 高电流驱动器
10 ns典型上升和下降时间2.2 nF的
负载
25 - ns输入到输出传输延迟
25 ns的电流检测到输出延迟
可编程电流限制门限
数字输出电流限制标志
4.5 V至15 V的电源电压范围
额定温度范围为-40 ° C至105℃
铅（Pb ） - 免费包装
描述
该UCD7100是UCD7K家族的一个成员
数字控制兼容的驱动程序
利用数字控制技术或应用
需要快速局部峰值电流限制保护。
该UCD7100是一个低侧± 4-A中的高电流
MOSFET的栅极驱动器。它允许数字电源
控制器，如UCD9110和UCD9501为
接口在单功率级结束
拓扑结构。它提供了逐周期电流限制
具有可编程阈值和数字功能
这可以通过监视输出电流限制标志
主机控制器。用快25纳秒的周期接一个周期的
限流保护，驾驶员可以关闭
在不太可能的情况下，数字功率级
在时间系统不能对故障的情况作出反应。
对于快速开关速度，该UCD7100输出级
使用TrueDrive 输出结构，该结构
提供额定的± 4的电流进入的大门
的米勒高原地区时MOSFET
切换过渡。它也包括一个3.3 -V ， 10 -毫安
线性稳压器提供电源给数字
控制器。
2
应用
数字控制电源
DC / DC转换器
电机控制器
线路驱动器
典型应用图
VIN
VOUT
BIAS
曲折
数字控制器
AN1
VDD
PWMA
AGND
INT
PWMB
3
2
5
UCD7100PWP
3V3
IN
CLF
OUT 12
VDD 14
6 ILIM
CS 8
4 AGND
通讯
AN2
AN3
隔离
扩音器
2
1
2
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
TrueDrive ，使用PowerPad是德州仪器的商标。
2005-2010 ，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
UCD7100
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说明（续）
该UCD7000驱动器系列是DSP的标准3.3 VI / O端口，微控制器或ASIC兼容。
UCD7100是在使用PowerPad HTSSOP - 14提供的。
连接图
PWP -14封装
（ TOP VIEW ）
VDD
IN
3V3
AGND
CLF
ILIM
NC
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
PVDD
PVDD
OUT
OUT
保护地
保护地
CS
NC - 无内部连接
订购信息
温度范围
-40 ° C至105℃
(1)
(2)
110 V HV启动电路
No
包装设备
(1)
UCD7100PWP
(2)
使用PowerPad HTSSOP - 14 （ PWP ）
HTSSOP - 14 （ PWP ）软件包可以录音和缠绕。加上R后缀的设备类型（如UCD7100PWPR ）订购的数量
每卷2000设备的PWP封装。
这些产品被包装在无铅和绿色铅钯镍金的完成是与MSL等级1在255 ° C至260 ° C兼容型
峰值回流焊温度与任何无铅或锡/铅焊接操作。
绝对最大额定值
(1)
符号
V
DD
I
DD
V
OUT
I
OUT （ SINK ）
I
OUT （ SOURCE ）
电源电压
电源电流
输出栅极驱动
电压
输出栅极驱动
当前
模拟量输入
数字I / O的
功耗
T
J
T
STR
HBM
清洁发展机制
T
SOL
(1)
(2)
储存温度
ESD额定值
静
(2)
参数
UCD7100
16
20
200
-1 V至VDD
4.0
-4.0
-0.3 3.6
-0.3 3.6
-0.3 3.6
2.67
-55到150
-65到150
2000
500
+300
单位
开关，T
A
= 25 ° C，T
J
= 125°C ，V
DD
= 12 V
OUT
OUT
ISET ， CS
ILIM
IN， CLF
T
A
= 25 ° C，T
J
= 125 ℃， （PWP -14）
mA
V
A
V
W
°C
V
°C
结工作温度
人体模型
更改设备型号
焊接温度（焊接， 10秒）
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值
只是，设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作
条件“是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
所有的电压都是相对于GND 。电流是积极进入，负出指定的终端。
2
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UCD7100
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推荐工作条件
参数
电源电压（VDD）
电源旁路电容
基准旁路电容
工作结温
民
4.25
1
0.22
-40
105
典型值
12
最大
14.5
单位
V
F
°C
电气特性
V
DD
= 12 V ，从V 4.7 μF电容
DD
到GND ，T
A
= T
J
= -40 ℃至105℃， （除非另有说明） 。
参数
供电部分
电源电流，关
电源电流
VDD欠压锁定
VDD UVLO OFF
VDD UVLO迟滞
参考/外部偏置电源
3V3的初始设定点
3V3超温
3V3负载调节
3V3行规
短路电流
3V3行门槛，
3V3确定的阈值，OFF
输入信号
高，正向输入阈值
电压（ VIT + ）
低负向输入阈值
电压（维特）
输入电压滞后， （ VIT + -
维特）
频率
电流限制（ ILIM ）
ILIM内部电流限制阈值
ILIM电流限制阈值
ILIM最小电流限制阈值
CLF输出高电平
CLF输出低电平
传播延迟从IN至CLF
ILIM = OPEN
I
LIM
= 0.75 V
I
LIM
= 0.25 V
CS >我
LIM
, I
负载
= -7毫安
CS
≤
I
LIM
, I
负载
= 7毫安
在当前限事件之后上升到CLF下降
10
0.466
0.975
0.700
0.21
2.64
0.66
20
0.50
1.025
0.725
0.23
0.536
1.075
0.750
0.25
V
V
mV
V
ns
ILIM最大电流限制阈值I
LIM
= 3.3 V
1.65
1.16
0.6
2.08
1.5
0.8
2
兆赫
V
I
负载
= 1 mA至10毫安， VDD = 5 V
VDD = 4.75 V至12 V，I
负载
= 10毫安
VDD = 4.75 12 V
3.3 V上升
3.3 V下降
11
2.9
2.7
T
A
= 25°C
3.267
3.234
3.3
3.3
1
1
20
3.0
2.8
3.333
3.366
6.6
6.6
35
3.1
2.9
V
mV
mA
V
V
DD
= 4.2 V
输出不切换IN =低
4.25
4.05
150
200
1.5
4.5
4.25
250
400
2.5
4.75
4.45
350
A
mA
测试条件
民
典型值
最大
单位
低电压欠压锁定
V
mV
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UCD7100
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电气特性（续）
V
DD
= 12 V ，从V 4.7 μF电容
DD
到GND ，T
A
= T
J
= -40 ℃至105℃， （除非另有说明） 。
参数
电流检测比较器
偏压
输入偏置电流
传播延迟从CS到的OUTx
传播延迟从CS到CLF
放电电阻
输出驱动器
源出电流
灌电流
灌电流
上升时间，t
R
秋季时间，t
F
(1)
(1)
测试条件
包括CS偏移补偿
I
LIM
= 0.5 V ，上的OUTx ， CS =阈值+ 60 mV的测量
I
LIM
= 0.5 V ，在CLF ， CS =阈值+ 60 mV的测量
IN =低，从CS耐AGND
V
DD
= 12 V ， IN =高， OUT = 5 V
V
DD
= 12 V ， IN =低， OUT = 5 V
V
DD
= 4.75 V ， IN =高， OUT = 0
V
DD
= 4.75 V ， IN =低， OUT = 4.75 V
C
负载
= 2.2 nF的，V
DD
= 12 V
C
负载
= 2.2 nF的，V
DD
= 12 V
V
DD
= 1.0 V，I
SINK
= 10毫安
C
负载
= 2.2 nF的，V
DD
= 12 V ， CLK上升沿
民
5
典型值
25
–1
25
25
最大
50
40
50
75
单位
mV
uA
ns
电流检测放电晶体管
10
35
4
4
2
3
10
10
0.8
20
20
15
1.2
35
ns
V
ns
A
源出电流
(1)
(1)
(1)
(1)
与V输出
DD
< UVLO
传播延迟从IN到的OUTx ，
t
D1
(1)
由设计保证。不是100 ％生产测试。
VIT +
输入
维特
t
F
t
D1
产量
90%
t
D2
t
F
10%
记
的10 ％和90％阈值的描绘双极性输出设备的动态那
通过主导经营的米勒区域的功率MOSFET过渡。
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功能框图
14 PVDD
VDD 1
3V3稳压器
＆放大器;
参考
IN 2
13 PVDD
UVLO
12个
11 OUT
3V3 3
10 PGND
AGND 4
CLF 5
Q ±标准差
Q
ILIM 6
N / C 7
R
+
25毫伏
+
9
保护地
8
CS
图1. UCD7100
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5
UCD7100
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数字控制兼容单低端
±4-A
用电流检测MOSFET驱动器
特点
可调电流限制保护
3.3 V ， 10 mA内部稳压器
DSP / μC兼容输入
单身
±4-A
TrueDrive 高电流驱动器
10 ns典型上升和下降时间2.2 nF的
负载
25 - ns输入到输出传输延迟
25 ns的电流检测到输出延迟
可编程电流限制门限
数字输出电流限制标志
4.5 V至15 V的电源电压范围
额定温度范围为-40 ° C至105℃
铅（Pb ） - 免费包装
描述
该UCD7100是UCD7K家族的一个成员
数字控制兼容的驱动程序
利用数字控制技术的应用，或重新
quiring快速局部峰值电流限制保护。
该UCD7100是一个低侧
±4-A
高电流
MOSFET的栅极驱动器。它允许数字电源
控制器，如UCD9110和UCD9501为
接口，以单端顶级功率级
ologies 。它提供了逐周期电流限制
具有可编程阈值和数字功能
这可以通过监视输出电流限制标志
主机控制器。用快25纳秒的周期接一个周期的
限流保护，驾驶员可以关闭
在不太可能的情况下，数字功率级
在时间系统不能对故障的情况作出反应。
对于快速开关速度，该UCD7100输出级
使用TrueDrive 输出架构，这决定了
肝脏的额定电流
±4
阿成的大门
的米勒高原地区时MOSFET
切换过渡。它也包括一个3.3 -V ， 10 -毫安
线性稳压器提供电源给数字控制 -
LER 。
应用
数字控制电源
DC / DC转换器
电机控制器
线路驱动器
典型应用图
VIN
VOUT
BIAS
曲折
数字控制器
AN1
VDD
PWMA
AGND
INT
PWMB
3
2
5
UCD7100PWP
3V3
IN
CLF
OUT 12
VDD 14
6 ILIM
CS 8
4 AGND
通讯
AN2
AN3
隔离
扩音器
2
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
TrueDrive ，使用PowerPad是德州仪器的商标。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
版权所有 2005年，德州仪器
UCD7100
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说明（续）
该UCD7K驱动器系列与标准的3.3伏兼容的DSP ，微控制器或ASIC的I / O端口。
UCD7100在使用PowerPad HTSSOP - 14或节省空间的QFN- 14封装。
连接图
PWP -14封装
（ TOP VIEW ）
RGY -14封装
（底视图）
VDD
IN
3V3
AGND
CLF
ILIM
NC
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
PVDD
PVDD
OUT
OUT
保护地
保护地
CS
AGND
4
2
3
5
VDD
ILIM
6
7
CLF
3V3
IN
1
NC
NC - 无内部连接
PVDD
14
13 12 11 10
8
9
CS
保护地
订购信息
包装设备
(1) (2) (3)
温度范围
-40 ° C至105℃
(1)
(2)
(3)
110 V HV启动电路
No
使用PowerPad HTSSOP -14
（ PWP ）
UCD7100PWP
QFN - 14 （ RGY ）
UCD7100RGYT
HTSSOP - 14 （ PWP）和QFN - 14 （ RGY ）软件包可以录音和缠绕。加上R后缀的设备类型（例如UCD7100PWPR ）到
订货量每卷2000设备的PWP封装，每卷1000设备为红绿黄包。标准包装
对于UCD7100RGYT量为250台设备。
这些产品被包装在无铅和绿色铅钯镍金的完成是与MSL等级1在255 ° C至260 ° C兼容型
峰值回流焊温度与任何无铅或锡/铅焊接操作。
QFN封装尚不可用。
2
保护地
PVDD
OUT
OUT
UCD7100
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绝对最大额定值
(1) (2)
符号
V
DD
I
DD
V
OUT
I
OUT （ SINK ）
I
OUT （ SOURCE ）
电源电压
电源电流
静
开关，T
A
= 25 ° C，T
J
= 125°C ，V
DD
= 12 V
参数
UCD7100
16
20
200
-1 V至VDD
4.0
-4.0
-0.3 3.6
-0.3 3.6
-0.3 3.6
2.67
-55到150
-65到150
人体模型
更改设备型号
2000
500
+300
W
°C
V
°C
V
mA
V
A
单位
输出栅极驱动电压
OUT
AGE
输出栅极驱动电流
租金
模拟量输入
数字I / O的
功耗
OUT
ISET ， CS
ILIM
IN， CLF
T
A
= 25 ° C，T
J
= 125 ℃， （PWP -14）
T
J
T
STR
HBM
清洁发展机制
T
SOL
(1)
(2)
结工作温度
储存温度
ESD额定值
焊接温度（焊接， 10秒）
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值
只是，设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作
条件“是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
所有的电压都是相对于GND 。电流是积极进入，负出指定的终端。
推荐工作条件
参数
电源电压（VDD）
电源旁路电容
基准旁路电容
工作结温
民
4.25
1
0.22
-40
105
典型值
12
最大
14.5
单位
V
F
°C
3
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SLUS651A - 2005年3月 - 修订2005年5月
电气特性
V
DD
= 12 V ，从V 4.7 μF电容
DD
到GND ，T
A
= T
J
= -40 ℃至105℃， （除非另有说明） 。
参数
供电部分
电源电流，关
电源电流
VDD欠压锁定
VDD UVLO OFF
VDD UVLO迟滞
参考/外部偏置电源
3V3的初始设定点
3V3超温
3V3负载调节
3V3行规
短路电流
3V3行门槛，
3V3确定的阈值，OFF
输入信号
高，正向输入阈值
电压（ VIT + ）
低负向输入阈值
电压（维特）
输入电压滞后， （ VIT + -
维特）
频率
电流限制（ ILIM ）
ILIM内部电流限制阈值
ILIM电流限制阈值
ILIM最小电流限制阈值
CLF输出高电平
CLF输出低电平
传播延迟从IN至CLF
电流检测比较器
偏压
输入偏置电流
传播延迟从CS到的OUTx
传播延迟从CS到CLF
放电电阻
I
LIM
= 0.5 V ，上的OUTx ， CS =阈值+ 60 mV的测量
I
LIM
= 0.5 V ，在CLF ， CS =阈值+ 60 mV的测量
IN =低，从CS耐AGND
10
包括CS偏移补偿
5
25
–1
25
25
35
40
50
75
50
mV
uA
ns
ILIM = OPEN
I
LIM
= 0.75 V
I
LIM
= 0.25 V
CS >我
LIM
, I
负载
= -7毫安
CS
≤
I
LIM
, I
负载
= 7毫安
在当前限事件之后上升到CLF下降
10
0.466
0.975
0.700
0.21
2.64
0.66
20
0.50
1.025
0.725
0.23
0.536
1.075
0.750
0.25
V
V
mV
V
ns
ILIM最大电流限制阈值I
LIM
= 3.3 V
1.65
1.16
0.6
2.08
1.5
0.8
2
兆赫
V
I
负载
= 1 mA至10毫安， VDD = 5 V
VDD = 4.75 V至12 V，I
负载
= 10毫安
VDD = 4.75 12 V
3.3 V上升
3.3 V下降
11
2.9
2.7
T
A
= 25°C
3.267
3.234
3.3
3.3
1
1
20
3.0
2.8
3.333
3.366
6.6
6.6
35
3.1
2.9
V
mV
mA
V
V
DD
= 4.2 V
输出不切换IN =低
4.25
4.05
150
200
1.5
4.5
4.25
250
400
2.5
4.75
4.45
350
A
mA
测试条件
民
典型值
最大
单位
低电压欠压锁定
V
mV
电流检测放电晶体管
4
UCD7100
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SLUS651A - 2005年3月 - 修订2005年5月
电气特性（续）
V
DD
= 12 V ，从V 4.7 μF电容
DD
到GND ，T
A
= T
J
= -40 ℃至105℃， （除非另有说明） 。
参数
输出驱动器
源出电流
灌电流
灌电流
秋季时间，t
F
(1)
(1)
测试条件
V
DD
= 12 V ， IN =高， OUT = 5 V
V
DD
= 12 V ， IN =低， OUT = 5 V
V
DD
= 4.75 V ， IN =高， OUT = 0
V
DD
= 4.75 V ， IN =低， OUT = 4.75 V
C
负载
= 2.2 nF的，V
DD
= 12 V
C
负载
= 2.2 nF的，V
DD
= 12 V
V
DD
= 1.0 V，I
SINK
= 10毫安
C
负载
= 2.2 nF的，V
DD
= 12 V ， CLK上升沿
民
典型值
4
4
2
3
10
10
0.8
20
最大
单位
源出电流
(1)
(1)
A
上升时间，t
R (1)
(1)
20
15
1.2
35
ns
V
ns
与V输出
DD
< UVLO
传播延迟从IN到的OUTx ，
t
D1
(1)
由设计保证。不是100 ％生产测试。
VIT +
输入
维特
t
F
t
D1
产量
90%
t
D2
t
F
10%
注意：
的10 ％和90％阈值的描绘双极性输出设备的动态那
通过主导经营的米勒区域的功率MOSFET过渡。
5
QQ：2881677436 复制
