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不建议用于新设计
1 UCC3957 , UCC3957 2 , 3 UCC3957 , UCC3957 4
SLUS236B - 1999年1月 - 修订2002年9月
三,四芯锂离子电池
保护电路
特点
描述
该UCC3957是一个的BiCMOS三种或四种细胞
锂离子电池保护器设计
操作与外部P沟道MOSFET 。
利用外部P沟道MOSFET提供
的损失,系统的无地在一个益处
过放电状态,并保护IC以及
从伤害过充电过程中电池芯
状态。内部状态机连续运行
以防止过充电的每个锂离子电池
和过放电。一个单独的overcurrent-
保护块可保护电池组
过度放电电流。
如果任何电池电压超过过压
阈值时,相应的外部P沟道
MOSFET关断,防止进一步的充
电流。一个外部N沟道MOSFET
需要电平转换这一高端P沟道
MOSFET。放电电流仍然可以流过
该第二P沟道MOSFET。同样地,如果任何
电池电压低于欠压限制,
第二P沟道MOSFET被关断,只
充电电流是允许的。这种细胞 - 电压
条件使芯片进入低功耗
睡眠模式。试图对电池充电
包唤醒芯片。一种细胞计数引脚( CLCNT )
被提供给编程的集成电路为三种或四种细胞
操作。
一个两级过流保护控制器和外部
电流分流保护电池组从
过度放电电流。如果第一
过电流阈值电平被超过时,一个
内部时序电路费外
电容器,以提供用户可编程
消隐时间。如果在消隐时间结束
过电流状况仍然存在,则外部
放电FET关断一段17次
长于第一消隐周期,然后将
放电FET被重新打开。如果在任何时候
第二个更高的过流阈值被超过
对于多于一个用户可编程的时间,则
放电用FET关断,并保持关断状态的
同一时期作为第一梯队关闭时间。这种两级
过电流保护方案允许
充电容性负载,同时保留有效
短路保护。
D
D
D
D
D
D
D
D
D
三或四单元操作
双层过电流限制
30 μA典型电源电流消耗
在休眠模式3.5 μA典型电源电流
智能放电
最大限度地减少损失
过充电模式
6.5 V至20 V的VDD电源电压范围
高精度内部参考电压
在过电流外部可调延迟
调节器
检测失细胞的检测线
男包
( TOP VIEW )
VDD
CLCNT
WU
AN1
AN2
AN3
AN4
BATLO
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
DVDD
AVDD
CDLY2
DCHG
CHG
AN4
CDLY1
CHGEN
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并在德州仪器公司的关键应用程序使用
半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
2002年,德州仪器
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1
1 UCC3957 , UCC3957 2 , 3 UCC3957 , UCC3957 4
SLUS236B - 1999年1月 - 修订2002年9月
不建议用于新设计
框图
VDD
CLCNT
WU
AN1
AN2
AN3
AN4
BATLO
1
2
3
4
5
6
7
8
CELL
电压
SELECT
16
参考
电压
选择并
比较
REF
UV
S
R
Q
睡觉
状态
15
14
时钟
13
12
11
过电流
调节器
10
9
DVDD
AVDD
CDLY2
DCHG
CHG
AN4
CDLY1
CHGEN
UDG–00129
VDD
+
在工作自由空气的温度范围内绝对最大额定值(除非另有说明)
电源电压(VDD ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 20 V
电源电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 25毫安
输出电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 25毫安
输入电压: ( WU) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 24 V
( AN1 , AN2 , AN3 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 VAN4 - VDD
( CLCNT , CHGEN ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15 V
输入电压范围( BATLO ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V至2.5 V
存储温度范围,T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
工作结温范围,T
J
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55 ° C至150℃
引线温度(焊接, 10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300℃
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只,和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
除非另有说明,电压参考接地,电流是正到负和从指定的终端。请教
包装信息
的部分
便携式产品数据手册
( TI文献号SLUD001 )的热限制和注意事项
包。所有电压参考的AN4终端。
可选项
封装器件
SSOP (M )
TA
4.20
-20℃ 70℃
UCC3957M–1
正常过载电压( V)
4.25
UCC3957M–2
4.30
UCC3957M–3
4.35
UCC3957M–4
的男包被提供卷带封装。加入TR后缀设备类型(例如,
UCC3957M - 1TR )订购的每卷2500设备的数量。
2
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不建议用于新设计
1 UCC3957 , UCC3957 2 , 3 UCC3957 , UCC3957 4
SLUS236B - 1999年1月 - 修订2002年9月
电气特性在推荐工作的自由空气的温度范围内, VDD = 16 V,
-20_C <牛逼
A
< 70_C ,T
A
= T
J
。 (除非另有说明)
供应
参数
VDDMIN最小VDD
国际直拨电话
电源电流
ISL
VIN
睡眠模式电源电流
输入电压为吴
VDD = 10.4 V
见注2
测试条件
典型值
5.0
30
3.5
最大
5.5
40
7.5
20
单位
V
A
A
V
产量
参数
IDCHG
ICHG
DCHG TP T C rrent
输出电流
CHG输出中的电流
测试条件
驾驶逻辑低,
驾驶逻辑高电平,
驾驶逻辑低,
驾驶逻辑高电平,
VO = 1 V
VO = (VDD - 1)
VO = 1 V
VO = ( VDD - 1V )
40
40
典型值
70
–13
70
–15
最大
100
–3
100
–3
单位
A
mA
A
mA
状态转换
参数
VOV
VOVR
VOV
VOVR
VOV
VOVR
VOV
VOVR
真空紫外
VUVR
TDOV
tdUV
tS
VSM
被害人和证人股
VCE
正常的过充电电压
过充电正常电压
正常的过充电电压
过充电正常电压
正常的过充电电压
过充电正常电压
正常的过充电电压
过充电正常电压
少收至正常电压
正常的少收的电压
过电压CHG延迟
欠压到DCHG延迟
细胞采样率
聪明的放电阈值
唤醒输入阈值
充电使能输入阈值
BATLO电压
相对于VDD的
见注1
见注1
UCC3957–4
UCC3957 4
见注1
UCC3957–3
UCC3957 3
见注1
UCC3957–2
UCC3957 2
测试条件
见注1
UCC3957–1
UCC3957 1
4.15
3.95
4.20
4.00
4.25
4.05
4.30
4.10
2.5
2.2
8
8
4
4
50
0.8
典型值
4.20
4.00
4.25
4.05
4.30
4.10
4.35
4.15
2.6
2.3
17
17
8.5
15
230
1.3
最大
4.25
4.05
4.30
4.10
4.35
4.15
4.40
4.20
2.7
2.4
23
23
11.5
25
750
2.6
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
ms
ms
ms
mV
mV
V
短路保护
参数
VCL1
VCL2
tB1
TRST
一线阈值电平
二线阈值电平
一线消隐时间
重启时间
VBATLO
VBATLO
CDLY1 = 0.1
F
CDLY1 = 0.1
F
测试条件
120
275
30
300
100
典型值
150
375
50
500
400
最大
190
450
70
700
600
单位
mV
mV
ms
ms
s
tB2
二线消隐时间
CDLY2 = 10 pF的
注1 :其他过压或欠压阈值可供选择。请咨询厂家。
2 :请参考图6 ,吴泄漏特性。
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1 UCC3957 , UCC3957 2 , 3 UCC3957 , UCC3957 4
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不建议用于新设计
终端功能
终奌站
名字
AN1
AN2
AN3
AN4
AVDD
BATLO
CHGEN
CDLY1
4
5
6
7
15
8
9
10
O
CDLY2
CLCNT
14
2
I
DCHG
13
O
CHG
12
O
DVDD
VDD
WU
16
1
3
I / O
I
I
I
I
O
I
I
描述
连接到所述顶部的电池单元的负极端子和所述第二电池单元的正端子。
连接到第二电池单元的底端和所述第三电池单元的所述顶终端。
连接到所述第三电池单元的底端和所述第四电池单元的在一个四顶终端
电池堆。在三种细胞收拾它连接到所述第三电池的底部端和AN4 。
连接到所述电池堆的底部端子和所述电流检测电阻器的顶部。
内部模拟电源旁路电容引脚。连接该引脚和AN4之间的一个0.1 μF的电容。该引脚
名义上7.3 V.
连接到电流检测电阻的底部与所述电池组的负极端子。
充电使能输入用于保护IC 。这一点必须驱动为高电平到DVDD或AVDD允许
对电池组充电的。该引脚有一个非常弱下拉。
延时控制引脚短路保护功能。连接这点和AN4之间的电容
确定从当过流情况被检测到时,在FET截止的时间延迟。这
电容也控制打嗝模式超时时间。
外部帽可以把该管脚和AN4之间被捆扎延长消隐时间上的第二电流限制
层。
该引脚方案IC,适用于三,四单元操作。追平这一引脚为低电平(以AN4 )设置4单元操作,
同时搭售其高(到DVDD或AVDD )设置三种细胞操作。该引脚在内部被拉低,那么开放税务局局长
CUIT条件总是导致四单元模式。
此引脚用来防止过放电。如果状态机指示的任何细胞是欠压,该引脚
被驱动为高电平相对于芯片基板,使得外部P沟道MOSFET,可以防止进一步显示
费。如果所有电池的电压都高于最低阈值时,该引脚被拉低。
该引脚用于控制一个外部N沟道MOSFET ,从而驱动一个P沟道MOSFET 。如果在
至少一个电池电压超过过压阈值时,该引脚被拉低相对于AN4 。如果所有单元格
电压低于这个阈值时,该引脚驱动为高电平。
内部数字电源旁路电容引脚。连接该引脚和AN4之间的一个0.1 μF的电容。该引脚
标称7.3V 。
电源电压给IC 。这点连接到锂离子电池组的顶部。
该引脚用于在睡眠模式下提供了一个唤醒信号的IC 。该引脚连接到的漏
N通道电平转换的MOSFET 。
O
O
I
I
4
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不建议用于新设计
1 UCC3957 , UCC3957 2 , 3 UCC3957 , UCC3957 4
SLUS236B - 1999年1月 - 修订2002年9月
应用信息
概观
该UCC3957提供了针对过放电,过充电和过电流的三完整的保护
或4芯锂离子电池组。它使用了
飞电容
技术进行采样跨过每个电压
电池单元,并把它比作一个精确的参考。如果有任何单元格处于过压或欠压时,
内部状态机采取相应的措施,以防止进一步充电或放电。高端P沟道
MOSFET用于独立地控制充电和放电电流。图1示出一个三单元
锂离子电池保护程序框图与可选的充电使能开关。在这个应用中,二极管
D1可防止感应球的MOSFET Q2关断时。
PACK ( + )
Q1
IFR7416
收费
Q2
IFR7416
放电
C1
0.1
F
1
锂离子
电池
C5
4.7
F
25 V
VDD
DVDD
16
C2
0.1
F
C3
可选
3
+
4
+
5
+
6
AN3
AN4
11
C4
0.022
F
PACK ( - )
RSENSE
0.025
7
AN4
CDLY1
10
AN2
CHG
12
AN1
DCHG 13
WU
CDLY2
14
R1
1 M
Q3
2N7002
D1
1 A, 50 V
2
CLCNT
AVDD
15
8
BATLO
CHGEN
9
S1
CLOSE TO ENABLE CHARGING
UDG–98016
图1.三节锂离子电池保护应用框图
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    UCC3957M-3G4
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:0755-23996734
联系人:李先生
地址:深圳市福田区华航社区中航路4号都会100大厦A座11C
UCC3957M-3G4
TI
20+
22500
原厂原封
TI原装现货假一赔十★品惠特价热卖
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:97671959 复制

电话:171-4729-9698(微信同号)
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UCC3957M-3G4
TI
24+
1001
SSOP-16
★体验愉快问购元件!!就找我吧!《停产物料》
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电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
UCC3957M-3G4
Texas Instruments
21+
16000
16-SSOP(0.154,3.90mm 宽)
全新原装正品/质量有保证
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电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:刘经理
地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
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Texas Instruments
21+
9561
8-SOIC(0.154
全新原装正品/质量有保证
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:5645336 复制
电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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