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UCC3957 -1 / -2 / -3 / -4
初步
三 - 四节锂离子电池保护电路
特点
三,四单元操作
两层过电流限制
30μA典型电源电流
消费
在休眠模式下3.5μA典型电源电流
模式
智能放电最大限度地减少损失
过充电模式
6.5V至20V的VDD电源电压范围
高度精确的内部电压
参考
在外部可调延迟
过电流控制器
检测单元检测的损失
连接
描述
该UCC3957是的BiCMOS三,四节锂离子电池组
保护器设计成与外部P沟道MOSFET操作。泌尿道感染
lizing外部P沟道MOSFET提供无损失的优点
系统地在过放电状态,并且保护IC以及
从损坏电池单元在过充电状态。内部状态
机连续运行,以防止过度的每个锂离子电池
充电和过放电。一个独立的过流保护块亲
tects过度放电电流的电池组。
如果任何电池电压超出过压阈值时,相应的EX-
ternal P沟道MOSFET关断,以防止进一步的充电电流
租。一个外部N沟道MOSFET ,需要进行电平转换,以这样高的
侧P沟道MOSFET 。放电电流仍然可以流过
第二PFET 。同样地,如果任何电池电压降至低于欠压
限,所述第二P沟道MOSFET被关断和只收电流
租金是允许的。这样的电池电压条件会导致芯片去
进入低功耗的睡眠模式。试图给电池组充电会
唤醒芯片。的细胞计数销( CLCNT )被提供给编程集成电路
为三个或四个单元操作。
两层次的过流保护控制器和外部电流分流保护
过度放电电流的电池组。如果所述第一过电流
超过阈值水平时,内部定时电路充电的外部
电容器,以提供用户可编程的消隐时间。
(续)
框图
UDG-97060
SLUS236 - 1999年1月
UCC3957 -1 / -2 / -3 / -4
绝对最大额定值
电源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 20V
电源电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 25毫安
输出电流( CHG , DCHG ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 25毫安
吴输入电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 28V
BATLO输入电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V至2.5V
AN1和AN3输入电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 VAN4 - VDD
CLCNT和CHGEN 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 VAN4 - VDD
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ° C至+ 150°C
结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55 ° C至+ 150°C
引线温度(焊接, 10秒)。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 300℃
接线图
SSOP - 16 (顶视图)
男包
VDD
CLCNT
WU
AN1
AN2
AN3
AN4
BATLO
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
DVDD
AVDD
CDLY2
DCHG
CHG
AN4
CDLY1
CHGEN
除非另有说明,电压参考AN4 。
电流是积极进入,负出指定的终端。
咨询数据手册的热限制包装节
和包的考虑。
描述(续)
如果在截止时间的过流条件到底
重刑仍然存在,外部放电FET关闭
为期17倍长于第一消隐PE-
荒漠化问题,然后放电FET被重新打开。如果在
任何时候第二个更高的过流阈值是EX-
超过容许超过一个用户可编程的时间,则显示
充电FET关断,并且将保持关闭状态的同一
期间作为第一梯队关闭时间。这种两级过流保护
保障计划可充电容性负载
同时保持有效的短路保护。
电气特性:
除非另有说明, VDD = 16V和-20℃ <
A
< 70 ° C,T
A
= T
J
.
所有的电压测量方面的AN4终端。
参数
供电部分
最小V
DD
电源电流
休眠模式下电源电流
输出部分
DCHG输出电流
CHG输出中的电流
状态转换
正常的过充
过充到正常
正常的过充
过充到正常
正常的过充
过充到正常
正常的过充
过充到正常
少收为正常
正常的少收
OV到CHG延迟
(注1 )
UCC3957-1
UCC3957-1
UCC3957-2
UCC3957-2
UCC3957-3
UCC3957-3
UCC3957-4
UCC3957-4
4.15
3.95
4.20
4.00
4.25
4.05
4.30
4.10
2.5
2.2
10
4.20
4.00
4.25
4.05
4.30
4.10
4.35
4.15
2.6
2.3
17
4.25
4.05
4.30
4.10
4.35
4.15
4.40
4.20
2.7
2.4
23
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
ms
驱动逻辑低和V
O
= 1V
驱动逻辑高和V
O
= VDD - 1
驱动逻辑低和V
O
= 1V
驱动逻辑高和V
O
= VDD - 1V
40
–20
40
–20
70
–7
70
–7
100
–3
100
–3
A
mA
A
mA
V
DD
= 10.4V
5.0
30
3.5
5.5
40
7.5
V
A
A
测试条件
典型值
最大单位
2
UCC3957 -1 / -2 / -3 / -4
电气特性:
除非另有说明, VDD = 16V和-20℃ <
A
< 70 ° C,T
A
= T
J
.
所有的电压测量方面的AN4终端。
参数
状态转换(续)
紫外到DCHG延迟
细胞采样率
聪明的放电阈值
唤醒输入阈值
充电使能输入阈值
短路保护
第一层门限电平
第二层门限电平
第一层消隐时间
重启时间
第二层屏蔽时间
V
BATLO
V
BATLO
CDLY1 = 0.1μF
CDLY1 = 0.1μF
CDLY2 = 10pF的
120
300
30
300
200
150
375
50
500
400
180
450
70
700
550
mV
mV
ms
ms
s
(注1 )
(注1 )
BATLO电压
相到V
DD
10
5
12
50
0.8
1.3
2.6
17
8.5
15
23
11.5
20
ms
ms
mV
mV
V
测试条件
典型值
最大单位
注1 :测试仅探头。
注2 :其他过压/欠压阈值可供选择。请咨询厂家。
引脚说明
AN1 :
连接到所述顶部电池的负极端子
电池和所述第二电池单元的正端子。
AN2 :
连接到所述第二底部终端
电池单元和第三电池单元的顶终端。
AN3 :
连接至第三电池的底部端
电池和所述第四电池单元的在一个四顶终端
电池堆。在一个三电池组它连接至底部
第三电池和到AN4终端。
AN4 :
连接到所述电池的底部端
栈和电流检测电阻器的顶部。
AVDD :
内部模拟电源旁路电容引脚。连接
该引脚与AN4之间的0.1μF电容。该引脚
标称7.3V 。
BATLO :
连接的当前意义上的底部
电阻器和所述电池组的负极端子。
CHGEN :
充电使能输入用于保护IC 。
这点必须被驱动为高,允许的充
电池组。该引脚有一个非常弱下拉。
CDLY1 :
延时控制引脚短路保护
功能。连接这点和之间的电容
AN4将确定从当一个时间延迟
过流情况被检测到时,场效应管是
关闭。该电容还控制打嗝模式
超时时间。
CDLY2 :
外盖可以将此引脚之间绑
和AN4延长消隐时间上的第二电流
租限制层。
CLCNT :
该引脚方案IC,适用于三,四单元
操作。追平这一引脚为低电平(以AN4 )设置四种细胞能操作
ATION , w`hile它绑高( VDD或首选DSPLY
或ASPLY )设置了三个单元的操作。该引脚在内部
拉低,所以开路条件总是导致
4单元模式。
DCHG :
此引脚用来防止过放电。如果
状态机指示的任何细胞是欠压,这
引脚将被驱动为高电平,相对于芯片的基板上,
该外部P沟道MOSFET ,将进一步阻止
放电。如果所有的电池电压高于最小
阈值时,该引脚将被拉低。
CHG :
这个引脚用来控制一个外部N沟道
的MOSFET ,从而驱动一个P沟道MOSFET 。如果在
至少一个电池电压超过过压阈值时,此引脚
将驱动为低电平相对于AN4 。如果所有电池电压
以下这个阈值时,此引脚将被驱动为高电平。
DVDD :
内部数字电源旁路电容引脚。 CON-
NECT该引脚与AN4之间的0.1μF电容。这
引脚的额定7.3V 。
VDD :
电源电压给IC 。连这一点的
锂离子电池堆的顶部上。
吴:
该引脚用于提供一个唤醒信号提供给
在睡眠模式下IC 。该引脚连接到的漏
N通道电平转换的MOSFET 。
3
UCC3957 -1 / -2 / -3 / -4
应用信息
概观
该UCC3957提供了对完整的保护
过放电,过充电和过电流的3
或4芯锂离子电池组。它采用了“飞钙
pacitor “技术进行采样跨过每个电压
电池单元,并把它比作一个精确的参考。如果
任何细胞是在高于或低于电压,内部状态马
折角采取适当的行动,以防止进一步的
充电或放电。高侧的P- MOSFET的使用
独立地控制充电和放电电流。典型
iCal的应用电路示于图1和图2 。
连接电池堆
当连接电池组的电路,它一点很
坦做以适当的顺序。第一,底
堆应连接到AN4 。的下一个,顶
堆应连接到VDD。该电池可以水龙头
然后连接到AN1 - AN3以任何顺序。
选择三个或四个单元
三个电池组的细胞计数引脚( CLCNT )应
连接到DSPLY销,和AN3引脚应
被捆绑到AN4引脚。四个电池的应用,所述
CLCNT引脚应接地(为AN4 )和AN3
销将被连接到所述bot-的正极端子
汤姆电池堆叠中。
欠压保护
当任何细胞被发现过放电(下面的
正常的少收阈值)时,状态机
关闭两个高侧FET和进入睡眠模式,
其中,电流消耗降至约3.5uA 。它重新
电源在睡眠模式下,直到一个的充电器中的应用是
感测到的唤醒( WU)引脚被上文提出
VDD 。
充电
一旦充电得到了应用,充电FET会
上,只要充电使能输入接通
( CHGEN )被上拉至DSPLY销。如果CHGEN
输入为开路(或连接到AN4 ) ,充电FET
将保持关闭。
在充电时,放电用FET将被关闭(当前意愿
通过体二极管进行),直到电池电压
年龄均高于少收为正常阈值。
一旦电池电压高于该阈值,显示
充电FET将被打开,尽量减少电源耗散
化。
明线保护
该UCC3957提供保护,防止细胞破壁
包内的检测连接。如果感测连接
化到一个细胞(引脚AN1 , 2或3)应该成为
4
断开,内部弱电流源将
连接到导线的细胞似乎是在过
充电和电池组的充电将被阻止。
过电压保护和“智能放电”
特征
如果任何电池被充电到电压超过正常
到过充电阈值时,充电FET将被关
关,防止进一步的充电电流。保持迟滞
充电FET关断,直到电池电压已经下降
下面的过充电,以正常阈值。在大多数亲
tector设计,充电FET保持完全关闭
在此电压带。在此期间,放电电流
租金必须通过的体二极管进行
充电FET 。这个正向电压降可高达
1V ,导致显著功耗在充电
FET和浪费宝贵的电池电量。
该UCC3957具有独特的“智能放电”功能
允许充电FET回来的(显示为
仅收取) ,同时仍然在过充电滞后带。
这大大降低了功耗,在充电
FET 。这是通过感测上的电压降来实现
横跨电流检测电阻。如果这种下降超过
15mV的(对应于0.6安培放电电流的
用0.025检测电阻) ,充电FET导通
重新打开。该阈值可确保只有放电电流
租金进行。在一个例子中使用20米长的FET
用1V体二极管压降以及1安培负载时,电源
消散在第一季度会从1瓦降低到0.02
瓦。注意,在不使用类似的技术
电荷(当放电FET关断,由于细胞被
在欠电压),因为充电电流应
低,而细胞处于欠压。
防止失控充电器
在AP-用一个小的N沟道电平移位器(Q3
折叠术图)允许IC的接口
高侧充电FET (Q1) ,即使是在一个存在
失控的充电器。的唯一的漏 - 源电压等级
充电FET限制充电电压,该保护
化电路可以承受。唤醒( WU)引脚DE-
签署处理输入电压高于VDD ,如
只要电流受到限制。在实施例中示出,但
充电FET的栅极 - 源极电阻( R1 )提供了这种
电流限制。注意,在图2中,电阻器和
齐纳( R2和VR1)已经被添加到保护Q1
反的电压瞬态的任何可能性超过
其最大栅源电压等级。
过电流保护
UCC3957的保护电池组从过
负载或使用两层过流硬短路
保护方案。过电流保护是DE-
UCC3957 -1 / -2 / -3 / -4
PACK ( + )
D1
1A , 50V
R1
1MEG
Q1
IFR7416
& QUOT ;充电& QUOT ;
Q2
IRF7416
& QUOT ;放电& QUOT ;
Q3
2N7002
锂离子电池组
1
C5
4.7F +
25V
2
3
4
5
6
7
R
SENSE
.025
8
VDD
CLCNT
WU
AN1
AN2
AN3
AN4
BATLO
16 DVDD
AVDD 15
CDLY2 14
DCHG 13
CHG 12
AN4 11
CDLY1 10
CHGE
N
9
C1
0.1F
C2
0.1F
C3
可选
C4
0.022F
PACK ( - )
S1
CLOSE TO
能充电
UDG-98016
图1.三节锂离子电池保护应用示意图,显示可选的充电使能开关。
注: D1用于保护Q2从感性踢在关断。
VR1 18V
PACK ( + )
D1
1A , 50V
R1 1MEG
Q1
IFR7416
& QUOT ;充电& QUOT ;
Q2
IRF7416
& QUOT ;放电& QUOT ;
锂离子电池组
C5
4.7F
25V
+
2
3
4
5
6
7
R
SENSE
.025
8
R2
10K
Q3
2N7002
C1
0.1F
1
VDD
CLCNT
WU
AN1
AN2
AN3
AN4
BATLO
16 DVDD
AVDD 15
CDLY2 14
DCHG 13
CHG 12
AN4 11
CDLY1 10
CHGEN
9
UDG-98017
C2
0.1F
C3
可选
C4
0.022F
PACK ( - )
图2.四节电池保护与可选组件,以保护充电FET过度栅源
瞬变。
注1 。 VR1和R2是可选的。他们保护过度的开路电压的充电器Q1 。
注2: D1保护Q2从感性踢在关断。
5
UCC3957 -1 / -2 / -3 / -4
初步
三 - 四节锂离子电池保护电路
特点
三,四单元操作
两层过电流限制
30μA典型电源电流
消费
在休眠模式下3.5μA典型电源电流
模式
智能放电最大限度地减少损失
过充电模式
6.5V至20V的VDD电源电压范围
高度精确的内部电压
参考
在外部可调延迟
过电流控制器
检测单元检测的损失
连接
描述
该UCC3957是的BiCMOS三,四节锂离子电池组
保护器设计成与外部P沟道MOSFET操作。泌尿道感染
lizing外部P沟道MOSFET提供无损失的优点
系统地在过放电状态,并且保护IC以及
从损坏电池单元在过充电状态。内部状态
机连续运行,以防止过度的每个锂离子电池
充电和过放电。一个独立的过流保护块亲
tects过度放电电流的电池组。
如果任何电池电压超出过压阈值时,相应的EX-
ternal P沟道MOSFET关断,以防止进一步的充电电流
租。一个外部N沟道MOSFET ,需要进行电平转换,以这样高的
侧P沟道MOSFET 。放电电流仍然可以流过
第二PFET 。同样地,如果任何电池电压降至低于欠压
限,所述第二P沟道MOSFET被关断和只收电流
租金是允许的。这样的电池电压条件会导致芯片去
进入低功耗的睡眠模式。试图给电池组充电会
唤醒芯片。的细胞计数销( CLCNT )被提供给编程集成电路
为三个或四个单元操作。
两层次的过流保护控制器和外部电流分流保护
过度放电电流的电池组。如果所述第一过电流
超过阈值水平时,内部定时电路充电的外部
电容器,以提供用户可编程的消隐时间。
(续)
框图
UDG-97060
SLUS236 - 1999年1月
UCC3957 -1 / -2 / -3 / -4
绝对最大额定值
电源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 20V
电源电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 25毫安
输出电流( CHG , DCHG ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 25毫安
吴输入电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 28V
BATLO输入电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V至2.5V
AN1和AN3输入电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 VAN4 - VDD
CLCNT和CHGEN 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 VAN4 - VDD
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ° C至+ 150°C
结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55 ° C至+ 150°C
引线温度(焊接, 10秒)。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 300℃
接线图
SSOP - 16 (顶视图)
男包
VDD
CLCNT
WU
AN1
AN2
AN3
AN4
BATLO
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
DVDD
AVDD
CDLY2
DCHG
CHG
AN4
CDLY1
CHGEN
除非另有说明,电压参考AN4 。
电流是积极进入,负出指定的终端。
咨询数据手册的热限制包装节
和包的考虑。
描述(续)
如果在截止时间的过流条件到底
重刑仍然存在,外部放电FET关闭
为期17倍长于第一消隐PE-
荒漠化问题,然后放电FET被重新打开。如果在
任何时候第二个更高的过流阈值是EX-
超过容许超过一个用户可编程的时间,则显示
充电FET关断,并且将保持关闭状态的同一
期间作为第一梯队关闭时间。这种两级过流保护
保障计划可充电容性负载
同时保持有效的短路保护。
电气特性:
除非另有说明, VDD = 16V和-20℃ <
A
< 70 ° C,T
A
= T
J
.
所有的电压测量方面的AN4终端。
参数
供电部分
最小V
DD
电源电流
休眠模式下电源电流
输出部分
DCHG输出电流
CHG输出中的电流
状态转换
正常的过充
过充到正常
正常的过充
过充到正常
正常的过充
过充到正常
正常的过充
过充到正常
少收为正常
正常的少收
OV到CHG延迟
(注1 )
UCC3957-1
UCC3957-1
UCC3957-2
UCC3957-2
UCC3957-3
UCC3957-3
UCC3957-4
UCC3957-4
4.15
3.95
4.20
4.00
4.25
4.05
4.30
4.10
2.5
2.2
10
4.20
4.00
4.25
4.05
4.30
4.10
4.35
4.15
2.6
2.3
17
4.25
4.05
4.30
4.10
4.35
4.15
4.40
4.20
2.7
2.4
23
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
ms
驱动逻辑低和V
O
= 1V
驱动逻辑高和V
O
= VDD - 1
驱动逻辑低和V
O
= 1V
驱动逻辑高和V
O
= VDD - 1V
40
–20
40
–20
70
–7
70
–7
100
–3
100
–3
A
mA
A
mA
V
DD
= 10.4V
5.0
30
3.5
5.5
40
7.5
V
A
A
测试条件
典型值
最大单位
2
UCC3957 -1 / -2 / -3 / -4
电气特性:
除非另有说明, VDD = 16V和-20℃ <
A
< 70 ° C,T
A
= T
J
.
所有的电压测量方面的AN4终端。
参数
状态转换(续)
紫外到DCHG延迟
细胞采样率
聪明的放电阈值
唤醒输入阈值
充电使能输入阈值
短路保护
第一层门限电平
第二层门限电平
第一层消隐时间
重启时间
第二层屏蔽时间
V
BATLO
V
BATLO
CDLY1 = 0.1μF
CDLY1 = 0.1μF
CDLY2 = 10pF的
120
300
30
300
200
150
375
50
500
400
180
450
70
700
550
mV
mV
ms
ms
s
(注1 )
(注1 )
BATLO电压
相到V
DD
10
5
12
50
0.8
1.3
2.6
17
8.5
15
23
11.5
20
ms
ms
mV
mV
V
测试条件
典型值
最大单位
注1 :测试仅探头。
注2 :其他过压/欠压阈值可供选择。请咨询厂家。
引脚说明
AN1 :
连接到所述顶部电池的负极端子
电池和所述第二电池单元的正端子。
AN2 :
连接到所述第二底部终端
电池单元和第三电池单元的顶终端。
AN3 :
连接至第三电池的底部端
电池和所述第四电池单元的在一个四顶终端
电池堆。在一个三电池组它连接至底部
第三电池和到AN4终端。
AN4 :
连接到所述电池的底部端
栈和电流检测电阻器的顶部。
AVDD :
内部模拟电源旁路电容引脚。连接
该引脚与AN4之间的0.1μF电容。该引脚
标称7.3V 。
BATLO :
连接的当前意义上的底部
电阻器和所述电池组的负极端子。
CHGEN :
充电使能输入用于保护IC 。
这点必须被驱动为高,允许的充
电池组。该引脚有一个非常弱下拉。
CDLY1 :
延时控制引脚短路保护
功能。连接这点和之间的电容
AN4将确定从当一个时间延迟
过流情况被检测到时,场效应管是
关闭。该电容还控制打嗝模式
超时时间。
CDLY2 :
外盖可以将此引脚之间绑
和AN4延长消隐时间上的第二电流
租限制层。
CLCNT :
该引脚方案IC,适用于三,四单元
操作。追平这一引脚为低电平(以AN4 )设置四种细胞能操作
ATION , w`hile它绑高( VDD或首选DSPLY
或ASPLY )设置了三个单元的操作。该引脚在内部
拉低,所以开路条件总是导致
4单元模式。
DCHG :
此引脚用来防止过放电。如果
状态机指示的任何细胞是欠压,这
引脚将被驱动为高电平,相对于芯片的基板上,
该外部P沟道MOSFET ,将进一步阻止
放电。如果所有的电池电压高于最小
阈值时,该引脚将被拉低。
CHG :
这个引脚用来控制一个外部N沟道
的MOSFET ,从而驱动一个P沟道MOSFET 。如果在
至少一个电池电压超过过压阈值时,此引脚
将驱动为低电平相对于AN4 。如果所有电池电压
以下这个阈值时,此引脚将被驱动为高电平。
DVDD :
内部数字电源旁路电容引脚。 CON-
NECT该引脚与AN4之间的0.1μF电容。这
引脚的额定7.3V 。
VDD :
电源电压给IC 。连这一点的
锂离子电池堆的顶部上。
吴:
该引脚用于提供一个唤醒信号提供给
在睡眠模式下IC 。该引脚连接到的漏
N通道电平转换的MOSFET 。
3
UCC3957 -1 / -2 / -3 / -4
应用信息
概观
该UCC3957提供了对完整的保护
过放电,过充电和过电流的3
或4芯锂离子电池组。它采用了“飞钙
pacitor “技术进行采样跨过每个电压
电池单元,并把它比作一个精确的参考。如果
任何细胞是在高于或低于电压,内部状态马
折角采取适当的行动,以防止进一步的
充电或放电。高侧的P- MOSFET的使用
独立地控制充电和放电电流。典型
iCal的应用电路示于图1和图2 。
连接电池堆
当连接电池组的电路,它一点很
坦做以适当的顺序。第一,底
堆应连接到AN4 。的下一个,顶
堆应连接到VDD。该电池可以水龙头
然后连接到AN1 - AN3以任何顺序。
选择三个或四个单元
三个电池组的细胞计数引脚( CLCNT )应
连接到DSPLY销,和AN3引脚应
被捆绑到AN4引脚。四个电池的应用,所述
CLCNT引脚应接地(为AN4 )和AN3
销将被连接到所述bot-的正极端子
汤姆电池堆叠中。
欠压保护
当任何细胞被发现过放电(下面的
正常的少收阈值)时,状态机
关闭两个高侧FET和进入睡眠模式,
其中,电流消耗降至约3.5uA 。它重新
电源在睡眠模式下,直到一个的充电器中的应用是
感测到的唤醒( WU)引脚被上文提出
VDD 。
充电
一旦充电得到了应用,充电FET会
上,只要充电使能输入接通
( CHGEN )被上拉至DSPLY销。如果CHGEN
输入为开路(或连接到AN4 ) ,充电FET
将保持关闭。
在充电时,放电用FET将被关闭(当前意愿
通过体二极管进行),直到电池电压
年龄均高于少收为正常阈值。
一旦电池电压高于该阈值,显示
充电FET将被打开,尽量减少电源耗散
化。
明线保护
该UCC3957提供保护,防止细胞破壁
包内的检测连接。如果感测连接
化到一个细胞(引脚AN1 , 2或3)应该成为
4
断开,内部弱电流源将
连接到导线的细胞似乎是在过
充电和电池组的充电将被阻止。
过电压保护和“智能放电”
特征
如果任何电池被充电到电压超过正常
到过充电阈值时,充电FET将被关
关,防止进一步的充电电流。保持迟滞
充电FET关断,直到电池电压已经下降
下面的过充电,以正常阈值。在大多数亲
tector设计,充电FET保持完全关闭
在此电压带。在此期间,放电电流
租金必须通过的体二极管进行
充电FET 。这个正向电压降可高达
1V ,导致显著功耗在充电
FET和浪费宝贵的电池电量。
该UCC3957具有独特的“智能放电”功能
允许充电FET回来的(显示为
仅收取) ,同时仍然在过充电滞后带。
这大大降低了功耗,在充电
FET 。这是通过感测上的电压降来实现
横跨电流检测电阻。如果这种下降超过
15mV的(对应于0.6安培放电电流的
用0.025检测电阻) ,充电FET导通
重新打开。该阈值可确保只有放电电流
租金进行。在一个例子中使用20米长的FET
用1V体二极管压降以及1安培负载时,电源
消散在第一季度会从1瓦降低到0.02
瓦。注意,在不使用类似的技术
电荷(当放电FET关断,由于细胞被
在欠电压),因为充电电流应
低,而细胞处于欠压。
防止失控充电器
在AP-用一个小的N沟道电平移位器(Q3
折叠术图)允许IC的接口
高侧充电FET (Q1) ,即使是在一个存在
失控的充电器。的唯一的漏 - 源电压等级
充电FET限制充电电压,该保护
化电路可以承受。唤醒( WU)引脚DE-
签署处理输入电压高于VDD ,如
只要电流受到限制。在实施例中示出,但
充电FET的栅极 - 源极电阻( R1 )提供了这种
电流限制。注意,在图2中,电阻器和
齐纳( R2和VR1)已经被添加到保护Q1
反的电压瞬态的任何可能性超过
其最大栅源电压等级。
过电流保护
UCC3957的保护电池组从过
负载或使用两层过流硬短路
保护方案。过电流保护是DE-
UCC3957 -1 / -2 / -3 / -4
PACK ( + )
D1
1A , 50V
R1
1MEG
Q1
IFR7416
& QUOT ;充电& QUOT ;
Q2
IRF7416
& QUOT ;放电& QUOT ;
Q3
2N7002
锂离子电池组
1
C5
4.7F +
25V
2
3
4
5
6
7
R
SENSE
.025
8
VDD
CLCNT
WU
AN1
AN2
AN3
AN4
BATLO
16 DVDD
AVDD 15
CDLY2 14
DCHG 13
CHG 12
AN4 11
CDLY1 10
CHGE
N
9
C1
0.1F
C2
0.1F
C3
可选
C4
0.022F
PACK ( - )
S1
CLOSE TO
能充电
UDG-98016
图1.三节锂离子电池保护应用示意图,显示可选的充电使能开关。
注: D1用于保护Q2从感性踢在关断。
VR1 18V
PACK ( + )
D1
1A , 50V
R1 1MEG
Q1
IFR7416
& QUOT ;充电& QUOT ;
Q2
IRF7416
& QUOT ;放电& QUOT ;
锂离子电池组
C5
4.7F
25V
+
2
3
4
5
6
7
R
SENSE
.025
8
R2
10K
Q3
2N7002
C1
0.1F
1
VDD
CLCNT
WU
AN1
AN2
AN3
AN4
BATLO
16 DVDD
AVDD 15
CDLY2 14
DCHG 13
CHG 12
AN4 11
CDLY1 10
CHGEN
9
UDG-98017
C2
0.1F
C3
可选
C4
0.022F
PACK ( - )
图2.四节电池保护与可选组件,以保护充电FET过度栅源
瞬变。
注1 。 VR1和R2是可选的。他们保护过度的开路电压的充电器Q1 。
注2: D1保护Q2从感性踢在关断。
5
UCC3957 -1 / -2 / -3 / -4
初步
三 - 四节锂离子电池保护电路
特点
三,四单元操作
两层过电流限制
30μA典型电源电流
消费
在休眠模式下3.5μA典型电源电流
模式
智能放电最大限度地减少损失
过充电模式
6.5V至20V的VDD电源电压范围
高度精确的内部电压
参考
在外部可调延迟
过电流控制器
检测单元检测的损失
连接
描述
该UCC3957是的BiCMOS三,四节锂离子电池组
保护器设计成与外部P沟道MOSFET操作。泌尿道感染
lizing外部P沟道MOSFET提供无损失的优点
系统地在过放电状态,并且保护IC以及
从损坏电池单元在过充电状态。内部状态
机连续运行,以防止过度的每个锂离子电池
充电和过放电。一个独立的过流保护块亲
tects过度放电电流的电池组。
如果任何电池电压超出过压阈值时,相应的EX-
ternal P沟道MOSFET关断,以防止进一步的充电电流
租。一个外部N沟道MOSFET ,需要进行电平转换,以这样高的
侧P沟道MOSFET 。放电电流仍然可以流过
第二PFET 。同样地,如果任何电池电压降至低于欠压
限,所述第二P沟道MOSFET被关断和只收电流
租金是允许的。这样的电池电压条件会导致芯片去
进入低功耗的睡眠模式。试图给电池组充电会
唤醒芯片。的细胞计数销( CLCNT )被提供给编程集成电路
为三个或四个单元操作。
两层次的过流保护控制器和外部电流分流保护
过度放电电流的电池组。如果所述第一过电流
超过阈值水平时,内部定时电路充电的外部
电容器,以提供用户可编程的消隐时间。
(续)
框图
UDG-97060
SLUS236 - 1999年1月
UCC3957 -1 / -2 / -3 / -4
绝对最大额定值
电源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 20V
电源电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 25毫安
输出电流( CHG , DCHG ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 25毫安
吴输入电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 28V
BATLO输入电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V至2.5V
AN1和AN3输入电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 VAN4 - VDD
CLCNT和CHGEN 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 VAN4 - VDD
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ° C至+ 150°C
结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55 ° C至+ 150°C
引线温度(焊接, 10秒)。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 300℃
接线图
SSOP - 16 (顶视图)
男包
VDD
CLCNT
WU
AN1
AN2
AN3
AN4
BATLO
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
DVDD
AVDD
CDLY2
DCHG
CHG
AN4
CDLY1
CHGEN
除非另有说明,电压参考AN4 。
电流是积极进入,负出指定的终端。
咨询数据手册的热限制包装节
和包的考虑。
描述(续)
如果在截止时间的过流条件到底
重刑仍然存在,外部放电FET关闭
为期17倍长于第一消隐PE-
荒漠化问题,然后放电FET被重新打开。如果在
任何时候第二个更高的过流阈值是EX-
超过容许超过一个用户可编程的时间,则显示
充电FET关断,并且将保持关闭状态的同一
期间作为第一梯队关闭时间。这种两级过流保护
保障计划可充电容性负载
同时保持有效的短路保护。
电气特性:
除非另有说明, VDD = 16V和-20℃ <
A
< 70 ° C,T
A
= T
J
.
所有的电压测量方面的AN4终端。
参数
供电部分
最小V
DD
电源电流
休眠模式下电源电流
输出部分
DCHG输出电流
CHG输出中的电流
状态转换
正常的过充
过充到正常
正常的过充
过充到正常
正常的过充
过充到正常
正常的过充
过充到正常
少收为正常
正常的少收
OV到CHG延迟
(注1 )
UCC3957-1
UCC3957-1
UCC3957-2
UCC3957-2
UCC3957-3
UCC3957-3
UCC3957-4
UCC3957-4
4.15
3.95
4.20
4.00
4.25
4.05
4.30
4.10
2.5
2.2
10
4.20
4.00
4.25
4.05
4.30
4.10
4.35
4.15
2.6
2.3
17
4.25
4.05
4.30
4.10
4.35
4.15
4.40
4.20
2.7
2.4
23
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
ms
驱动逻辑低和V
O
= 1V
驱动逻辑高和V
O
= VDD - 1
驱动逻辑低和V
O
= 1V
驱动逻辑高和V
O
= VDD - 1V
40
–20
40
–20
70
–7
70
–7
100
–3
100
–3
A
mA
A
mA
V
DD
= 10.4V
5.0
30
3.5
5.5
40
7.5
V
A
A
测试条件
典型值
最大单位
2
UCC3957 -1 / -2 / -3 / -4
电气特性:
除非另有说明, VDD = 16V和-20℃ <
A
< 70 ° C,T
A
= T
J
.
所有的电压测量方面的AN4终端。
参数
状态转换(续)
紫外到DCHG延迟
细胞采样率
聪明的放电阈值
唤醒输入阈值
充电使能输入阈值
短路保护
第一层门限电平
第二层门限电平
第一层消隐时间
重启时间
第二层屏蔽时间
V
BATLO
V
BATLO
CDLY1 = 0.1μF
CDLY1 = 0.1μF
CDLY2 = 10pF的
120
300
30
300
200
150
375
50
500
400
180
450
70
700
550
mV
mV
ms
ms
s
(注1 )
(注1 )
BATLO电压
相到V
DD
10
5
12
50
0.8
1.3
2.6
17
8.5
15
23
11.5
20
ms
ms
mV
mV
V
测试条件
典型值
最大单位
注1 :测试仅探头。
注2 :其他过压/欠压阈值可供选择。请咨询厂家。
引脚说明
AN1 :
连接到所述顶部电池的负极端子
电池和所述第二电池单元的正端子。
AN2 :
连接到所述第二底部终端
电池单元和第三电池单元的顶终端。
AN3 :
连接至第三电池的底部端
电池和所述第四电池单元的在一个四顶终端
电池堆。在一个三电池组它连接至底部
第三电池和到AN4终端。
AN4 :
连接到所述电池的底部端
栈和电流检测电阻器的顶部。
AVDD :
内部模拟电源旁路电容引脚。连接
该引脚与AN4之间的0.1μF电容。该引脚
标称7.3V 。
BATLO :
连接的当前意义上的底部
电阻器和所述电池组的负极端子。
CHGEN :
充电使能输入用于保护IC 。
这点必须被驱动为高,允许的充
电池组。该引脚有一个非常弱下拉。
CDLY1 :
延时控制引脚短路保护
功能。连接这点和之间的电容
AN4将确定从当一个时间延迟
过流情况被检测到时,场效应管是
关闭。该电容还控制打嗝模式
超时时间。
CDLY2 :
外盖可以将此引脚之间绑
和AN4延长消隐时间上的第二电流
租限制层。
CLCNT :
该引脚方案IC,适用于三,四单元
操作。追平这一引脚为低电平(以AN4 )设置四种细胞能操作
ATION , w`hile它绑高( VDD或首选DSPLY
或ASPLY )设置了三个单元的操作。该引脚在内部
拉低,所以开路条件总是导致
4单元模式。
DCHG :
此引脚用来防止过放电。如果
状态机指示的任何细胞是欠压,这
引脚将被驱动为高电平,相对于芯片的基板上,
该外部P沟道MOSFET ,将进一步阻止
放电。如果所有的电池电压高于最小
阈值时,该引脚将被拉低。
CHG :
这个引脚用来控制一个外部N沟道
的MOSFET ,从而驱动一个P沟道MOSFET 。如果在
至少一个电池电压超过过压阈值时,此引脚
将驱动为低电平相对于AN4 。如果所有电池电压
以下这个阈值时,此引脚将被驱动为高电平。
DVDD :
内部数字电源旁路电容引脚。 CON-
NECT该引脚与AN4之间的0.1μF电容。这
引脚的额定7.3V 。
VDD :
电源电压给IC 。连这一点的
锂离子电池堆的顶部上。
吴:
该引脚用于提供一个唤醒信号提供给
在睡眠模式下IC 。该引脚连接到的漏
N通道电平转换的MOSFET 。
3
UCC3957 -1 / -2 / -3 / -4
应用信息
概观
该UCC3957提供了对完整的保护
过放电,过充电和过电流的3
或4芯锂离子电池组。它采用了“飞钙
pacitor “技术进行采样跨过每个电压
电池单元,并把它比作一个精确的参考。如果
任何细胞是在高于或低于电压,内部状态马
折角采取适当的行动,以防止进一步的
充电或放电。高侧的P- MOSFET的使用
独立地控制充电和放电电流。典型
iCal的应用电路示于图1和图2 。
连接电池堆
当连接电池组的电路,它一点很
坦做以适当的顺序。第一,底
堆应连接到AN4 。的下一个,顶
堆应连接到VDD。该电池可以水龙头
然后连接到AN1 - AN3以任何顺序。
选择三个或四个单元
三个电池组的细胞计数引脚( CLCNT )应
连接到DSPLY销,和AN3引脚应
被捆绑到AN4引脚。四个电池的应用,所述
CLCNT引脚应接地(为AN4 )和AN3
销将被连接到所述bot-的正极端子
汤姆电池堆叠中。
欠压保护
当任何细胞被发现过放电(下面的
正常的少收阈值)时,状态机
关闭两个高侧FET和进入睡眠模式,
其中,电流消耗降至约3.5uA 。它重新
电源在睡眠模式下,直到一个的充电器中的应用是
感测到的唤醒( WU)引脚被上文提出
VDD 。
充电
一旦充电得到了应用,充电FET会
上,只要充电使能输入接通
( CHGEN )被上拉至DSPLY销。如果CHGEN
输入为开路(或连接到AN4 ) ,充电FET
将保持关闭。
在充电时,放电用FET将被关闭(当前意愿
通过体二极管进行),直到电池电压
年龄均高于少收为正常阈值。
一旦电池电压高于该阈值,显示
充电FET将被打开,尽量减少电源耗散
化。
明线保护
该UCC3957提供保护,防止细胞破壁
包内的检测连接。如果感测连接
化到一个细胞(引脚AN1 , 2或3)应该成为
4
断开,内部弱电流源将
连接到导线的细胞似乎是在过
充电和电池组的充电将被阻止。
过电压保护和“智能放电”
特征
如果任何电池被充电到电压超过正常
到过充电阈值时,充电FET将被关
关,防止进一步的充电电流。保持迟滞
充电FET关断,直到电池电压已经下降
下面的过充电,以正常阈值。在大多数亲
tector设计,充电FET保持完全关闭
在此电压带。在此期间,放电电流
租金必须通过的体二极管进行
充电FET 。这个正向电压降可高达
1V ,导致显著功耗在充电
FET和浪费宝贵的电池电量。
该UCC3957具有独特的“智能放电”功能
允许充电FET回来的(显示为
仅收取) ,同时仍然在过充电滞后带。
这大大降低了功耗,在充电
FET 。这是通过感测上的电压降来实现
横跨电流检测电阻。如果这种下降超过
15mV的(对应于0.6安培放电电流的
用0.025检测电阻) ,充电FET导通
重新打开。该阈值可确保只有放电电流
租金进行。在一个例子中使用20米长的FET
用1V体二极管压降以及1安培负载时,电源
消散在第一季度会从1瓦降低到0.02
瓦。注意,在不使用类似的技术
电荷(当放电FET关断,由于细胞被
在欠电压),因为充电电流应
低,而细胞处于欠压。
防止失控充电器
在AP-用一个小的N沟道电平移位器(Q3
折叠术图)允许IC的接口
高侧充电FET (Q1) ,即使是在一个存在
失控的充电器。的唯一的漏 - 源电压等级
充电FET限制充电电压,该保护
化电路可以承受。唤醒( WU)引脚DE-
签署处理输入电压高于VDD ,如
只要电流受到限制。在实施例中示出,但
充电FET的栅极 - 源极电阻( R1 )提供了这种
电流限制。注意,在图2中,电阻器和
齐纳( R2和VR1)已经被添加到保护Q1
反的电压瞬态的任何可能性超过
其最大栅源电压等级。
过电流保护
UCC3957的保护电池组从过
负载或使用两层过流硬短路
保护方案。过电流保护是DE-
UCC3957 -1 / -2 / -3 / -4
PACK ( + )
D1
1A , 50V
R1
1MEG
Q1
IFR7416
& QUOT ;充电& QUOT ;
Q2
IRF7416
& QUOT ;放电& QUOT ;
Q3
2N7002
锂离子电池组
1
C5
4.7F +
25V
2
3
4
5
6
7
R
SENSE
.025
8
VDD
CLCNT
WU
AN1
AN2
AN3
AN4
BATLO
16 DVDD
AVDD 15
CDLY2 14
DCHG 13
CHG 12
AN4 11
CDLY1 10
CHGE
N
9
C1
0.1F
C2
0.1F
C3
可选
C4
0.022F
PACK ( - )
S1
CLOSE TO
能充电
UDG-98016
图1.三节锂离子电池保护应用示意图,显示可选的充电使能开关。
注: D1用于保护Q2从感性踢在关断。
VR1 18V
PACK ( + )
D1
1A , 50V
R1 1MEG
Q1
IFR7416
& QUOT ;充电& QUOT ;
Q2
IRF7416
& QUOT ;放电& QUOT ;
锂离子电池组
C5
4.7F
25V
+
2
3
4
5
6
7
R
SENSE
.025
8
R2
10K
Q3
2N7002
C1
0.1F
1
VDD
CLCNT
WU
AN1
AN2
AN3
AN4
BATLO
16 DVDD
AVDD 15
CDLY2 14
DCHG 13
CHG 12
AN4 11
CDLY1 10
CHGEN
9
UDG-98017
C2
0.1F
C3
可选
C4
0.022F
PACK ( - )
图2.四节电池保护与可选组件,以保护充电FET过度栅源
瞬变。
注1 。 VR1和R2是可选的。他们保护过度的开路电压的充电器Q1 。
注2: D1保护Q2从感性踢在关断。
5
不建议用于新设计
1 UCC3957 , UCC3957 2 , 3 UCC3957 , UCC3957 4
SLUS236B - 1999年1月 - 修订2002年9月
三,四芯锂离子电池
保护电路
特点
描述
该UCC3957是一个的BiCMOS三种或四种细胞
锂离子电池保护器设计
操作与外部P沟道MOSFET 。
利用外部P沟道MOSFET提供
的损失,系统的无地在一个益处
过放电状态,并保护IC以及
从伤害过充电过程中电池芯
状态。内部状态机连续运行
以防止过充电的每个锂离子电池
和过放电。一个单独的overcurrent-
保护块可保护电池组
过度放电电流。
如果任何电池电压超过过压
阈值时,相应的外部P沟道
MOSFET关断,防止进一步的充
电流。一个外部N沟道MOSFET
需要电平转换这一高端P沟道
MOSFET。放电电流仍然可以流过
该第二P沟道MOSFET。同样地,如果任何
电池电压低于欠压限制,
第二P沟道MOSFET被关断,只
充电电流是允许的。这种细胞 - 电压
条件使芯片进入低功耗
睡眠模式。试图对电池充电
包唤醒芯片。一种细胞计数引脚( CLCNT )
被提供给编程的集成电路为三种或四种细胞
操作。
一个两级过流保护控制器和外部
电流分流保护电池组从
过度放电电流。如果第一
过电流阈值电平被超过时,一个
内部时序电路费外
电容器,以提供用户可编程
消隐时间。如果在消隐时间结束
过电流状况仍然存在,则外部
放电FET关断一段17次
长于第一消隐周期,然后将
放电FET被重新打开。如果在任何时候
第二个更高的过流阈值被超过
对于多于一个用户可编程的时间,则
放电用FET关断,并保持关断状态的
同一时期作为第一梯队关闭时间。这种两级
过电流保护方案允许
充电容性负载,同时保留有效
短路保护。
D
D
D
D
D
D
D
D
D
三或四单元操作
双层过电流限制
30 μA典型电源电流消耗
在休眠模式3.5 μA典型电源电流
智能放电
最大限度地减少损失
过充电模式
6.5 V至20 V的VDD电源电压范围
高精度内部参考电压
在过电流外部可调延迟
调节器
检测失细胞的检测线
男包
( TOP VIEW )
VDD
CLCNT
WU
AN1
AN2
AN3
AN4
BATLO
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
DVDD
AVDD
CDLY2
DCHG
CHG
AN4
CDLY1
CHGEN
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并在德州仪器公司的关键应用程序使用
半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
2002年,德州仪器
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1
1 UCC3957 , UCC3957 2 , 3 UCC3957 , UCC3957 4
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不建议用于新设计
框图
VDD
CLCNT
WU
AN1
AN2
AN3
AN4
BATLO
1
2
3
4
5
6
7
8
CELL
电压
SELECT
16
参考
电压
选择并
比较
REF
UV
S
R
Q
睡觉
状态
15
14
时钟
13
12
11
过电流
调节器
10
9
DVDD
AVDD
CDLY2
DCHG
CHG
AN4
CDLY1
CHGEN
UDG–00129
VDD
+
在工作自由空气的温度范围内绝对最大额定值(除非另有说明)
电源电压(VDD ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 20 V
电源电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 25毫安
输出电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 25毫安
输入电压: ( WU) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 24 V
( AN1 , AN2 , AN3 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 VAN4 - VDD
( CLCNT , CHGEN ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15 V
输入电压范围( BATLO ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V至2.5 V
存储温度范围,T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
工作结温范围,T
J
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55 ° C至150℃
引线温度(焊接, 10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300℃
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只,和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
除非另有说明,电压参考接地,电流是正到负和从指定的终端。请教
包装信息
的部分
便携式产品数据手册
( TI文献号SLUD001 )的热限制和注意事项
包。所有电压参考的AN4终端。
可选项
封装器件
SSOP (M )
TA
4.20
-20℃ 70℃
UCC3957M–1
正常过载电压( V)
4.25
UCC3957M–2
4.30
UCC3957M–3
4.35
UCC3957M–4
的男包被提供卷带封装。加入TR后缀设备类型(例如,
UCC3957M - 1TR )订购的每卷2500设备的数量。
2
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不建议用于新设计
1 UCC3957 , UCC3957 2 , 3 UCC3957 , UCC3957 4
SLUS236B - 1999年1月 - 修订2002年9月
电气特性在推荐工作的自由空气的温度范围内, VDD = 16 V,
-20_C <牛逼
A
< 70_C ,T
A
= T
J
。 (除非另有说明)
供应
参数
VDDMIN最小VDD
国际直拨电话
电源电流
ISL
VIN
睡眠模式电源电流
输入电压为吴
VDD = 10.4 V
见注2
测试条件
典型值
5.0
30
3.5
最大
5.5
40
7.5
20
单位
V
A
A
V
产量
参数
IDCHG
ICHG
DCHG TP T C rrent
输出电流
CHG输出中的电流
测试条件
驾驶逻辑低,
驾驶逻辑高电平,
驾驶逻辑低,
驾驶逻辑高电平,
VO = 1 V
VO = (VDD - 1)
VO = 1 V
VO = ( VDD - 1V )
40
40
典型值
70
–13
70
–15
最大
100
–3
100
–3
单位
A
mA
A
mA
状态转换
参数
VOV
VOVR
VOV
VOVR
VOV
VOVR
VOV
VOVR
真空紫外
VUVR
TDOV
tdUV
tS
VSM
被害人和证人股
VCE
正常的过充电电压
过充电正常电压
正常的过充电电压
过充电正常电压
正常的过充电电压
过充电正常电压
正常的过充电电压
过充电正常电压
少收至正常电压
正常的少收的电压
过电压CHG延迟
欠压到DCHG延迟
细胞采样率
聪明的放电阈值
唤醒输入阈值
充电使能输入阈值
BATLO电压
相对于VDD的
见注1
见注1
UCC3957–4
UCC3957 4
见注1
UCC3957–3
UCC3957 3
见注1
UCC3957–2
UCC3957 2
测试条件
见注1
UCC3957–1
UCC3957 1
4.15
3.95
4.20
4.00
4.25
4.05
4.30
4.10
2.5
2.2
8
8
4
4
50
0.8
典型值
4.20
4.00
4.25
4.05
4.30
4.10
4.35
4.15
2.6
2.3
17
17
8.5
15
230
1.3
最大
4.25
4.05
4.30
4.10
4.35
4.15
4.40
4.20
2.7
2.4
23
23
11.5
25
750
2.6
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
ms
ms
ms
mV
mV
V
短路保护
参数
VCL1
VCL2
tB1
TRST
一线阈值电平
二线阈值电平
一线消隐时间
重启时间
VBATLO
VBATLO
CDLY1 = 0.1
F
CDLY1 = 0.1
F
测试条件
120
275
30
300
100
典型值
150
375
50
500
400
最大
190
450
70
700
600
单位
mV
mV
ms
ms
s
tB2
二线消隐时间
CDLY2 = 10 pF的
注1 :其他过压或欠压阈值可供选择。请咨询厂家。
2 :请参考图6 ,吴泄漏特性。
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不建议用于新设计
终端功能
终奌站
名字
AN1
AN2
AN3
AN4
AVDD
BATLO
CHGEN
CDLY1
4
5
6
7
15
8
9
10
O
CDLY2
CLCNT
14
2
I
DCHG
13
O
CHG
12
O
DVDD
VDD
WU
16
1
3
I / O
I
I
I
I
O
I
I
描述
连接到所述顶部的电池单元的负极端子和所述第二电池单元的正端子。
连接到第二电池单元的底端和所述第三电池单元的所述顶终端。
连接到所述第三电池单元的底端和所述第四电池单元的在一个四顶终端
电池堆。在三种细胞收拾它连接到所述第三电池的底部端和AN4 。
连接到所述电池堆的底部端子和所述电流检测电阻器的顶部。
内部模拟电源旁路电容引脚。连接该引脚和AN4之间的一个0.1 μF的电容。该引脚
名义上7.3 V.
连接到电流检测电阻的底部与所述电池组的负极端子。
充电使能输入用于保护IC 。这一点必须驱动为高电平到DVDD或AVDD允许
对电池组充电的。该引脚有一个非常弱下拉。
延时控制引脚短路保护功能。连接这点和AN4之间的电容
确定从当过流情况被检测到时,在FET截止的时间延迟。这
电容也控制打嗝模式超时时间。
外部帽可以把该管脚和AN4之间被捆扎延长消隐时间上的第二电流限制
层。
该引脚方案IC,适用于三,四单元操作。追平这一引脚为低电平(以AN4 )设置4单元操作,
同时搭售其高(到DVDD或AVDD )设置三种细胞操作。该引脚在内部被拉低,那么开放税务局局长
CUIT条件总是导致四单元模式。
此引脚用来防止过放电。如果状态机指示的任何细胞是欠压,该引脚
被驱动为高电平相对于芯片基板,使得外部P沟道MOSFET,可以防止进一步显示
费。如果所有电池的电压都高于最低阈值时,该引脚被拉低。
该引脚用于控制一个外部N沟道MOSFET ,从而驱动一个P沟道MOSFET 。如果在
至少一个电池电压超过过压阈值时,该引脚被拉低相对于AN4 。如果所有单元格
电压低于这个阈值时,该引脚驱动为高电平。
内部数字电源旁路电容引脚。连接该引脚和AN4之间的一个0.1 μF的电容。该引脚
标称7.3V 。
电源电压给IC 。这点连接到锂离子电池组的顶部。
该引脚用于在睡眠模式下提供了一个唤醒信号的IC 。该引脚连接到的漏
N通道电平转换的MOSFET 。
O
O
I
I
4
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不建议用于新设计
1 UCC3957 , UCC3957 2 , 3 UCC3957 , UCC3957 4
SLUS236B - 1999年1月 - 修订2002年9月
应用信息
概观
该UCC3957提供了针对过放电,过充电和过电流的三完整的保护
或4芯锂离子电池组。它使用了
飞电容
技术进行采样跨过每个电压
电池单元,并把它比作一个精确的参考。如果有任何单元格处于过压或欠压时,
内部状态机采取相应的措施,以防止进一步充电或放电。高端P沟道
MOSFET用于独立地控制充电和放电电流。图1示出一个三单元
锂离子电池保护程序框图与可选的充电使能开关。在这个应用中,二极管
D1可防止感应球的MOSFET Q2关断时。
PACK ( + )
Q1
IFR7416
收费
Q2
IFR7416
放电
C1
0.1
F
1
锂离子
电池
C5
4.7
F
25 V
VDD
DVDD
16
C2
0.1
F
C3
可选
3
+
4
+
5
+
6
AN3
AN4
11
C4
0.022
F
PACK ( - )
RSENSE
0.025
7
AN4
CDLY1
10
AN2
CHG
12
AN1
DCHG 13
WU
CDLY2
14
R1
1 M
Q3
2N7002
D1
1 A, 50 V
2
CLCNT
AVDD
15
8
BATLO
CHGEN
9
S1
CLOSE TO ENABLE CHARGING
UDG–98016
图1.三节锂离子电池保护应用框图
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型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    UCC3957-2
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:5645336 复制
电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
UCC3957-2
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