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UCC27323 , UCC27324 , UCC27325
UCC37323 , UCC37324 , UCC37325
SLUS492B - 2001年6月 - 修订2002年9月
双4A峰值高速低侧功率MOSFET驱动器
特点
D
业界标准引脚输出
D
高电流驱动能力
±4
a。在
D
D
D
D
D
D
D
D
D
米勒高原地区
高效恒流采购使用
独特的双极& CMOS输出级
的TTL / CMOS兼容输入独立
电源电压
20 - ns典型上升和15 - ns典型秋季
与1.8 nF的加载时间
为25 ns典型传播延迟时间
输入下降到35 ns的输入与瑞星
4 V至15 V电源电压
0.3 mA电源电流
双输出可以并联以更高
驱动电流
采用耐热增强型MSOP
使用PowerPad
TM
包带4.7 ° C / W
θJC
额定工作在-40° C至85°C
应用
D
开关模式电源
D
DC / DC转换器
D
电机控制器
D
线路驱动器
描述
该UCC37323 / 4/5系列高速双MOSFET
驱动程序可以提供较大的峰值电流为电容
loads.Three标准逻辑选项提供 -
双反转,双同相和1相和
一个同相的驱动程序。热增强型8引脚
使用PowerPad
TM
MSOP封装( DGN )显着降低
的热阻,提高长期可靠性。
它也提供在标准的SOIC -8 (D)或PDIP- 8
(P)的包。
使用设计,本质上减少贯通
目前,这些驱动器提供的当前4 -A它在哪里
在最需要的米勒高原地区
MOSFET的开关转换。独特的双极和
并联混合动力MOSFET输出级还可以
有效的电流源和吸收在低电源
电压。
框图
反相
N / C 1
8 N / C
INA 2
GND 3
7 OUTA
非反相
反相
6 VDD
INB 4
5 OUTB
非反相
UDG–01063
PowerPADt是德州仪器的商标。
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并在德州仪器公司的关键应用程序使用
半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
2002年,德州仪器
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1
UCC27323 , UCC27324 , UCC27325
UCC37323 , UCC37324 , UCC37325
SLUS492B - 2001年6月 - 修订2002年9月
订购信息
产量
CON组fi guration
温度范围
TA = TJ
-40 ° C至+ 85°C
双反相
双通道同相
人nonIn二厅
一个反相,
一个同相
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
0 ° C至+ 70°C
包装设备
SOIC-8 (D)的
UCC27323D
UCC37323D
UCC27324D
UCC37324D
UCC27325D
UCC37325D
MSOP - 8使用PowerPad
( DGN )
UCC27323DGN
UCC37323DGN
UCC27324DGN
UCC37324DGN
UCC27325DGN
UCC37325DGN
PDIP - 8 ( P)
UCC27323P
UCC37323P
UCC27324P
UCC37324P
UCC27325P
UCC37325P
D( SOIC - 8)和DGN (使用PowerPad - MSOP )封装都提供卷带封装。加上R后缀的设备类型(例如UCC27323DR ,
UCC27324DGNR )订购的每卷2500设备为D或每卷1000设备的DGN包的数量。
在使用PowerPad
不是直接连接到封装的任何线索。然而,电和热连接到所述基板
是该装置的接地。
D, DGN或P包装
( TOP VIEW )
N / A 1
INA 2
GND 3
INB 4
8
7
6
5
不适用
OUTA
VDD
OUTB
D, DGN或P包装
( TOP VIEW )
N / A 1
INA 2
GND 3
INB 4
8
7
6
5
不适用
OUTA
VDD
OUTB
D, DGN或P包装
( TOP VIEW )
N / A 1
INA 2
GND 3
INB 4
8
7
6
5
不适用
OUTA
VDD
OUTB
(双反相)
( DUAL同相)
(一个反相,
ONE同相)
功耗额定值表
SOIC-8
PDIP-8
MSOP PowerPAD的- 8
见注3
苏FFI X
D
P
DGN
θJC
( ° C / W)
42
49
4.7
θJA
( ° C / W)
84 – 160}
110
50 – 59}
额定功率(毫瓦)
TA = 70 ° C见注1
344-655见注2
500
1370
降额因子以上
70 ° C(毫瓦/ C )看
注1
6.25 - 11.9见注2
9
17.1
注:1。 125 ° C的工作结温是用于额定功率计算
2.值的范围表示印刷电路板的影响。这些值是为了给系统设计者的一个指示
最好的和最坏的情况下。一般情况下,系统设计人员应该尝试尽可能的印制电路板用较大的痕迹
以传播的热量带走,更有效地形成该设备。有关PowerPADt包的信息,请参见技术
简单地说,
PowerPAD热增强型封装,
德州仪器文学第SLMA002和应用简介,
使用PowerPad制造
很简单,
德州仪器文献编号SLMA004 。
3.使用PowerPad
不是直接连接到封装的任何线索。然而,它是电和热连接到
基材,并且是该装置的接地。
表1.输入/输出表
输入( VIN_L , VIN_H )
INA
L
L
H
H
INB
L
H
L
H
UCC37323
OUTA
H
H
L
L
OUTB
H
L
H
L
UCC37324
OUTA
L
L
H
H
OUTB
L
H
L
H
UCC37325
OUTA
H
H
L
L
OUTB
L
H
L
H
2
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UCC27323 , UCC27324 , UCC27325
UCC37323 , UCC37324 , UCC37325
SLUS492B - 2001年6月 - 修订2002年9月
在工作自由空气的温度绝对最大额定值(除非另有说明)
电源电压,V
DD
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V至16 V
输出电流( OUTA , OUTB )直流,我
OUT_DC
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.3 A
脉冲, ( 0.5
s),
I
OUT_pulsed
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.5 A . . .
在T功耗
A
= 25 ° C( DGN包) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3 W
(D包) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 650毫瓦
(P封装) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 350毫瓦
结的工作温度,T
J
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55 ° C至150℃
贮藏温度,T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
引线温度(焊接, 10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300℃
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只,和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
所有的电压是相对于GND 。电流是积极进入,负出指定的终端。
电气特性,V
DD
= 4.5 V至15 V ,T
A
= T
J
(除非另有说明)
输入( INA , INB )
参数
V
IN_H
,逻辑1输入阈值
V
IN_L
,逻辑0输入阈值
输入电流
0 V < = V
IN
< = V
DD
–10
0
测试条件
2
1
10
典型值
最大
单位
V
V
A
输出( OUTA , OUTB )
参数
输出电流
VOH ,高层次的输出电压
VOL ,低电平输出电平
输出电阻高
测试条件
VDD = 14 V ,
见注1 ,
V
OH
= V
DD
– V
OUT
,
I
OUT
= 10毫安
TA = 25℃ ,
见注3
TA =全系列,
见注3
输出电阻低
TA = 25℃ ,
见注3
TA =全系列
见注3
闭锁保护
见注1
I
OUT
= -10毫安,
I
OUT
= -10毫安,
I
OUT
= 10毫安,
I
OUT
= 10毫安,
V
DD
= 14 V,
V
DD
= 14 V,
V
DD
= 14 V,
V
DD
= 14 V,
25
18
1.9
1.2
500
2.2
见注2
I
OUT
= -10毫安
典型值
4
300
22
30
450
40
35
42
2.5
4.0
最大
单位
A
mV
mV
mA
注: 1,通过设计保证。在生产中测试。
2.驱动器的上拉/下拉电路是并联双极型和MOSFET晶体管。脉冲输出电流额定值为
合并从双极和MOSFET晶体管的电流。
3.驱动器的上拉/下拉电路是并联双极型和MOSFET晶体管。输出电阻为R
DS ( ON)
of
在MOSFET晶体管,当在驱动器输出端的电压小于所述双极晶体管的饱和电压。
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3
UCC27323 , UCC27324 , UCC27325
UCC37323 , UCC37324 , UCC37325
SLUS492B - 2001年6月 - 修订2002年9月
电气特性,V
DD
= 4.5 V至15 V ,T
A
= T
J
(除非另有说明)
开关时间
参数
t
R
,上升时间( OUTA , OUTB )
t
F
,下降时间( OUTA , OUTB )
t
D1
,延迟时间,上升(IN与OUT )
t
D2
,延迟,在属于(IN与OUT )
测试条件
C
负载
= 1.8 nF的,
C
负载
= 1.8 nF的,
C
负载
= 1.8 nF的,
C
负载
= 1.8 nF的,
见图1
见图1
见图1
见图1
典型值
20
15
25
35
最大
40
40
40
50
单位
ns
ns
ns
ns
整体
参数
INA = 0 V ,
INA = 0 V ,
UCCx7323
INA = HIGH ,
INA = HIGH ,
INA = 0 V ,
INA = 0 V ,
国际直拨电话,静态工作电流
rrent
UCCx7324
UCC 7324
INA = HIGH ,
INA = HIGH ,
INA = 0 V ,
INA = 0 V ,
UCCx7325
UCC 7325
INA = HIGH ,
INA = HIGH ,
测试条件
INB = 0 V
INB =高
INB = 0 V
INB =高
INB = 0 V
INB =高
INB = 0 V
INB =高
INB = 0 V
INB =高
INB = 0 V
INB =高
典型值
300
300
300
300
2
300
300
600
150
450
150
450
最大
450
450
450
450
50
450
450
750
300
600
300
600
A
A
单位
注: 1,通过设计保证。不生产。
2.驱动器的上拉/下拉电路是并联双极型和MOSFET晶体管。峰值输出电流额定值为
合并从双极和MOSFET晶体管的电流。
3.驱动器的上拉/下拉电路是并联双极型和MOSFET晶体管。输出电阻为R
DS ( ON)
of
在MOSFET晶体管,当在驱动器输出端的电压小于所述双极晶体管的饱和电压。
(a)
+5V
90%
90%
(b)
输入
输入
10%
0V
tD1
16V
90%
产量
90%
tF
tD2
tf
10%
tF
tD1
产量
90%
tD2
tF
10%
0V
10%
图1.开关波形为( A)反相驱动器和(b )同相驱动器
4
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UCC27323 , UCC27324 , UCC27325
UCC37323 , UCC37324 , UCC37325
SLUS492B - 2001年6月 - 修订2002年9月
终端功能
终奌站
1
2
3
4
5
6
7
8
名字
N / C
INA
GND
INB
OUTB
VDD
OUTA
N / C
I / O
I
I
O
I
O
无连接。应接地。
输入A.输入有逻辑兼容阈值和迟滞的驱动程序的信号。
如果不使用,该输入应连接到VDD或GND 。它不应该被悬空。
共同点。这个理由应该是很密切相连的源
功率MOSFET ,驾驶员正在驱动。
它具有逻辑兼容阈值和迟滞的驱动程序的输入B.输入信号。
如果不使用,该输入应连接到VDD或GND 。它不应该被悬空。
驱动器的输出B的输出级能够提供4-A中的驱动电流来的栅极
功率MOSFET 。
供应。电源电压和该设备的电源输入连接。
驱动器输出A的输出级能够提供4-A中的驱动电流来的栅极
功率MOSFET 。
无连接。应接地。
功能
应用信息
一般信息
高频电源往往需要高速,大电流驱动器,如UCC37323 / 4/5系列。
领先的应用是需要提供控制的PWM输出之间的高功率缓冲级
集成电路和主功率MOSFET的栅极或IGBT的开关装置。在其他情况下,该驱动器IC是
利用通过一个驱动变压器来驱动功率器件栅极。同步整流电源也
有必要同时驱动可呈现非常大的载荷来控制多个设备
电路。
驱动器IC使用时,它是不具有主PWM调节器集成电路直接驱动开关可行
装置为一个或多个原因。在PWM IC可能没有所需的意图强力驱动能力
开关MOSFET ,限制在应用程序中的切换性能。在其他情况下,可能有希望
通过将高电流驱动器物理上接近,以减少高频开关噪声的影响
的负载。此外,新的芯片针对的最高工作频率不得将内置栅极驱动器
在所有。其PWM输出仅用于驱动高阻抗输入到驱动器,如
UCC37323 / 4/5 。最后,该控制IC可以是在热应力下,由于功率消耗和一个外部
驾驶员可以通过移动来自控制器的热量向外部包帮助。
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UCC27323 , UCC27324 , UCC27325
UCC37323 , UCC37324 , UCC37325
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双4 - A峰值高速低侧功率MOSFET驱动器
检查样品:
UCC27323 , UCC27324 , UCC27325 , UCC37323 , UCC37324 , UCC37325
1
特点
业界标准引脚输出
为± 4 A的大电流驱动能力
米勒高原地区
高效恒流采购,即使在
低电源电压
的TTL / CMOS兼容输入独立
电源电压
20 - ns典型上升和15 - ns典型秋季
与1.8 nF的加载时间
为25 ns典型传播延迟时间
输入下降到35 ns的输入与瑞星
4.5 V至15 V电源电压
0.3 mA电源电流
双输出并联的高驱动
当前
采用耐热增强型MSOP
4.7 ° C / W使用PowerPad 封装
θ
JC
额定温度范围为-40 ° C至+ 125°C
TrueDrive 输出架构采用双极
和CMOS晶体管并联
应用
开关模式电源
DC / DC转换器
电机控制器
线路驱动器
D类开关放大器
2
描述
该UCC37323 / 4/5系列高速双
MOSFET驱动器提供大的峰值电流为
的容性负载。三个标准逻辑选项
提供 - 双反相,双同相和单
反相和一个非反相驱动器。热
增强型8引脚MSOP使用PowerPad封装( DGN )
大大降低了热阻,提高
长期可靠性。 UCC3732x也提供在
标准SOIC-8 (D)或PDIP- 8 (P)的包。
使用设计,本质上减少了拍摄开启
通过电流,这些驱动器提供电流的4 -A
它是在米勒高原地区最需要的
在MOSFET的开关转换。独特
平行双极和MOSFET混合输出级
还可以有效的电流源,并在下沉
低的电源电压。
框图
反相
N / C
1
8
N / C
INA
GND
2
3
非反相
7
OUTA
反相
6
VDD
INB
4
非反相
5
OUTB
1
2
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
使用PowerPad , TrueDrive是德州仪器的商标。
版权所有 2001至2013年,德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
UCC27323 , UCC27324 , UCC27325
UCC37323 , UCC37324 , UCC37325
SLUS492H - 2001年6月 - 修订2013年5月
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D, DGN或P包装
( TOP VIEW )
订购信息
(1)
输出CON组fi guration
温度
范围
T
A
= T
J
-40 ° C至+ 125°C
0 ° C至+ 70°C
双通道同相
一个反相,一是同相
-40 ° C至+ 125°C
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 125°C
0 ° C至+ 70°C
(1)
(2)
包装设备
SOIC-8 (D)的
UCC27323D
UCC37323D
UCC27324D
UCC37324D
UCC27325D
UCC37325D
MSOP - 8使用PowerPad
( DGN )
(2)
UCC27323DGN
UCC37323DGN
UCC27324DGN
UCC37324DGN
UCC27325DGN
UCC37325DGN
PDIP - 8 ( P)
UCC27323P
UCC37323P
UCC27324P
UCC37324P
UCC27325P
UCC37325P
双反相
D( SOIC - 8)和DGN (使用PowerPad - MSOP )封装都提供卷带封装。加上R后缀设备类型(例如
UCC27323DR , UCC27324DGNR )订购的每卷2500设备为D或每卷1000设备的DGN包的数量。
在将PowerPAD不直接连接到封装的任何线索。然而,将PowerPAD是电和热连接到
这是该装置的接地基板上。
功率耗散额定值
苏FFI X
θ
JC
( ° C / W)
θ
JA
( ° C / W)
额定功率(毫瓦)
T
A
= 70°C
(1)
344到655
(3)
500
1370
降额因子
70°C以上
(毫瓦/ ° C)
(1)
6.25至11.9
(3)
9
17.1
SOIC-8
PDIP-8
MSOP PowerPAD的- 8
(2)
(1)
(2)
(3)
D
P
DGN
42
49
4.7
84 160
(2)
110
50 59
(2)
125 ° C的工作结温是用于额定功率计算。
在将PowerPAD不直接连接到封装的任何线索。然而,电和热连接到衬底
这是该装置的接地。
值的范围表示印刷电路板的影响。这些值是为了给系统设计者的最佳指示
而最坏的情况下。在一般情况下,系统设计人员应该尝试,以便在印刷电路板,其中可能使用更大的痕迹
传播的热量带走更有效地形成该设备。有关PowerPAD封装的信息,请参阅技术简介,
PowerPAD热增强型封装,
德州仪器文学数
SLMA002,
和应用简介,
使用PowerPad制造
很简单,
德州仪器文学数
SLMA004.
表1.输入/输出表
输入( VIN_L , VIN_H )
INA
L
L
H
H
INB
L
H
L
H
H
H
L
L
UCC37323
OUTA
OUTB
H
L
H
L
L
L
H
H
UCC37324
OUTA
OUTB
L
H
L
H
H
H
L
L
UCC37325
OUTA
OUTB
L
H
L
H
2
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版权所有 2001至2013年,德州仪器
产品文件夹链接:
UCC27323 UCC27324 UCC27325 UCC37323 UCC37324 UCC37325
UCC27323 , UCC27324 , UCC27325
UCC37323 , UCC37324 , UCC37325
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SLUS492H - 2001年6月 - 修订2013年5月
绝对最大额定值
(1) (2)
在工作自由空气的温度范围内(除非另有说明)
模拟输入电压( INA , INB )
输出的体二极管的直流电流( OUTA , OUTB )
I
OUT_DC
I
OUT_PULSE
D
最大
不超过16
0.2
0.2
4.5
1.14
2.12
780
16
单位
V
-0.3到V
DD
+ 0.3 V
DC
脉冲( 0.5微秒)
输出电流( OUTA , OUTB )
A
在T功耗
A
= 25°C
DGN包装
P包
W
mW
V
V
°C
输出电压( OUTA , OUTB )
V
DD
T
J
T
英镑
电源电压
结工作温度
储存温度
引线温度(焊接, 10秒)
(1)
(2)
–0.3
–55
–65
16
150
150
300
强调超越那些在列
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值
只和功能在这些或任何其他条件超出下所指示的设备的操作
推荐工作
条件
是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
所有的电压都是相对于GND 。电流是积极进入,负出指定的终端。
电气特性
V
DD
= 4.5 15 V ,T
A
= T
J
(除非另有说明)
参数
输入( INA , INB )
V
IN_H
V
IN_L
逻辑1输入阈值
逻辑0输入阈值
输入电流
输出( OUTA , OUTB )
输出电流
V
OH
V
OL
高电平输出电压
低级别的输出电平
输出电阻高
输出电阻低
闭锁保护
(1)
(2)
V
DD
= 14 V
(1)
V
OH
= V
DD
– V
OUT
, I
OUT
= -10毫安
I
OUT
= 10毫安
T
A
= 25 ° C,I
OUT
= -10毫安,V
DD
= 14 V
(2)
T
A
=齐全,我
OUT
= -10毫安,V
DD
= 14 V
(2)
T
A
= 25 ° C,I
OUT
= 10 mA时, V
DD
= 14 V
(2)
测试条件
2
典型值
最大
单位
1
0 V
V
IN
V
DD
–10
4
300
22
25
18
1.9
1.2
500
2.2
30
450
45
35
42
2.5
4
10
V
A
V
mV
Ω
T
A
=齐全,我
OUT
= 10 mA时, V
DD
= 14 V
(2)
mA
驱动器的上拉和下拉电路是并联双极型和MOSFET晶体管。脉冲输出电流额定值为
合并从双极和MOSFET晶体管的电流。
驱动器的上拉和下拉电路是并联双极型和MOSFET晶体管。输出电阻为R
DS ( ON)
的MOSFET晶体管,当在驱动器输出端的电压小于所述双极晶体管的饱和电压。
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SLUS492H - 2001年6月 - 修订2013年5月
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电气特性(续)
V
DD
= 4.5 15 V ,T
A
= T
J
(除非另有说明)
参数
整体
INA = 0 V , INB = 0 V
UCCx7323
INA = 0 V , INB = HIGH
INA = HIGH , INB = 0 V
INA = HIGH , INB = HIGH
INA = 0 V , INB = 0 V
I
DD
静态工作
当前
UCCx7324
INA = 0 V , INB = HIGH
INA = HIGH , INB = 0 V
INA = HIGH , INB = HIGH
INA = 0 V , INB = 0 V
UCCx7325
INA = 0 V , INB = HIGH
INA = HIGH , INB = 0 V
INA = HIGH , INB = HIGH
300
300
300
300
2
300
300
600
150
450
150
450
450
450
450
450
50
450
450
750
300
600
300
600
A
测试条件
典型值
最大
单位
开关特性
在工作自由空气的温度范围内(除非另有说明)
参数
T
R
T
F
T
D1
T
D2
上升时间( OUTA , OUTB )
下降时间( OUTA , OUTB )
延迟时间,上升(IN与OUT )
延迟时间,下降(IN与OUT )
测试条件
C
负载
= 1.8 nF的,看
图1
C
负载
= 1.8 nF的,看
图1
C
负载
= 1.8 nF的,看
图1
C
负载
= 1.8 nF的,看
图1
典型值
20
15
25
35
最大
40
40
40
35
ns
单位
图1.开关波形为( A)反相驱动器和(b )同相驱动器
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SLUS492H - 2001年6月 - 修订2013年5月
终端功能
终奌站
名字
GND
INA
INB
N / C
N / C
OUTA
OUTB
VDD
3
2
4
1
8
7
5
6
O
O
I
I
I
I / O
功能
共同点:
这个理由应该很好地连接到电源MOSFET的源极
该驱动器被驱动。
输入A :
它具有逻辑兼容阈值和迟滞的驱动程序的输入信号。如果不使用,
该输入必须连接到VDD或GND ;它不能悬空。
INPUT B :
它具有逻辑兼容阈值和迟滞的驱动程序的输入信号。如果不使用,
该输入必须连接到VDD或GND ;它不能悬空。
无连接:
必须接地。
无连接:
必须接地。
驱动器输出一个:
输出级能够提供4-甲驱动电流到电源的栅极
MOSFET。
驱动器输出B:
输出级能够提供4-甲驱动电流到电源的栅极
MOSFET。
供应:
电源电压和该设备的电源输入连接。
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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    -
    -
    -
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