UCC27611
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SLUSBA5A - 2012年12月
4 -A和6 -A高速5 - V驱动，优化的单闸极驱动器
检查样品：
UCC27611
1
特点
增强型氮化镓场效应晶体管
（ eGANFETs ）
4.0 V至18 V单电源电压范围VDD范围
驱动电压VREF调整为5 V
4 -A峰值源和6 - A峰值漏驱动器
当前
1 - Ω和0.35 Ω的上拉和下拉
电阻（最大的高转换率的DV和DT
免疫）
分割输出配置（允许开启和
关闭优化个人场效应管）
快速的传输延迟（ 14 ns典型）
快速的上升和下降时间（ 9 - NS和4 -NS
典型）
TTL和CMOS兼容输入
（电源电压的独立便于
接口数字和模拟控制器）
双输入设计，提供驱动器灵活性
（两反相和非反相
CON连接gurations ）
输出保持低电平时，输入浮动
VDD欠压锁定（ UVLO ）
优化的引脚兼容eGANFET
占用空间，便于布局
2毫米×2mm的WSON - 6封装，带有裸
热和地垫， （最小化寄生
电感以降低门铃声）
在-40°C工作温度范围
140°C
应用
开关模式电源
的DC- DC转换器
同步整流
太阳能逆变器，电机控制， UPS
包络跟踪电源
描述
该UCC27611是一种单信道，高速，栅
驱动5 -V驱动器进行了优化，专门解决
增强型GaN FET的。驱动电压
VREF由内部线性精确控制
调节至5 V的UCC27611提供不对称
轨到轨与4 -A峰值电流驱动能力
来源和6 -A片。分割输出配置允许
个别的导通和关断时间取决于优化
在FET 。封装和引脚排列，以最小的寄生
电感降低了上升和下降时间和限制
响。此外，短传播延迟
最小公差和变化实现高效
运行在高频下。 2- Ω和0.3 Ω
上拉和下拉电阻增强免疫力
硬开关与高压摆率dV和DT 。
从VDD输入信号阈值的独立性
确保TTL和CMOS的低电压逻辑
兼容性。出于安全原因，当输入引脚
处于浮空状态，内部输入上拉
和下拉电阻保持输出为低电平。国内
电路VREF引脚上提供欠压
锁定功能保存输出低电平，直到VREF
电源电压的工作范围内。 UCC27611
提供小2毫米×2mm的WSON -6封装
（ DRV ） ，外露的热和地垫
提高了封装的功率处理能力。该
UCC27611工作在较宽的温度范围内
从-40 ° C至140 ℃。
反相输入
4.5 V至18 V
VDD
C2
VREF
C3
VSOURCE
典型应用图
非反相输入端
4.5 V至18 V
VDD
C2
L1
UCC27611
D1
1
VDD
VREF
6
Q1
R1
2
IN-
OUTH
5
+
R2
IN +
3
IN +
GND
7
OUTL
4
C1
VREF
3
IN +
GND
7
OUTL
4
R2
IN-
2
IN-
OUTH
5
+
C1
R1
VOUT
1
VDD
VREF
6
Q1
UCC27611
D1
VOUT
VREF
C3
VSOURCE
L1
1
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
版权所有2012，德州仪器
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这个集成电路可以被ESD损坏。德州仪器建议所有集成电路与处理
适当的预防措施。如果不遵守正确的操作和安装程序，可以造成损坏。
ESD损害的范围可以从细微的性能下降，完成设备故障。精密集成电路可能会更
容易受到伤害，因为很小的参数变化可能导致设备不能满足其公布的规格。
订购信息
温度范围T
A
= T
J
-40 ° C至+ 140℃
(1)
包装设备
WSON -6（ DRV ）
UCC27611DRV
(1)
）有关传统和新的热度量的更多信息，请参阅IC封装热度量应用报告SPRA953 。
绝对最大额定值
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
价值
V
DD
电源电压范围
OUTH
OUTL
VREF
I
OUT_DC
I
OUT_pulsed
OUTL的OUTH /灌电流的连续电流源
OUTL的OUTH /灌电流连续源电流（ 0.5
s),
IN + ， IN-
HBM
清洁发展机制
T
J
T
英镑
ESD，人体模型
ESD，带电器件模型
经营虚拟结温范围
存储温度范围
焊接温度，焊接， 10秒。
铅的温度，回流
-0.3 20.0
-0.3到+0.3 VREF
-0.3V至VREF +0.3
6
0.3/0.6
4/8
-0.3V至20
2000
500 （ WSON ）
-40至150
-65到150
300
260
°C
V
A
V
单位
2
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推荐工作条件
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
民
VDD
T
J
IN
电源电压范围，
工作结温范围
IN + ， IN-电阻范围
输入电压
0
4.0
-40
喃
12
最大
18
+140
100
18
单位
V
°C
kΩ
V
热信息
UCC27611
热公制
(1)
θ
JA
θ
JCtop
θ
JB
ψ
JT
ψ
JB
θ
JCbot
结至环境热阻
(2)
结至外壳（顶部）热阻
结至电路板的热阻
(4)
结至顶部的特征参数
(5)
结至电路板的特征参数
(6)
结至外壳（底部）热阻
(7)
(3)
DRV
6针
80.3
11.9
49.7
5.5
50.1
18.8
单位
° C / W
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
(7)
有关传统和新的热度量的更多信息，请参阅
IC封装热度量
申请报告，
SPRA953.
在自然对流的结点至环境热阻是在一个JEDEC标准，高K板上的模拟获得，如
在JESD51-7指定，在JESD51-2a描述的环境。
通过模拟在封装顶部冷板试验获得的结到壳体（顶部）的热阻。没有具体JEDEC-
标准测试存在，但密切描述可以在ANSI SEMI标准G30-88被发现。
通过模拟的环境中具有环冷板夹具来控制印刷电路板得到的结到电路板的热阻
温度，如在JESD51-8说明。
结至顶部的特征参数，
ψ
JT
估计装置的结温在实际的系统中，并且被提取
从仿真数据用于获得
θ
JA
使用在JESD51-2a描述的方法（第6和7）。
结至电路板的特征参数，
ψ
JB
估计装置的结温在实际的系统中，并且被提取
从仿真数据用于获得
θ
JA
使用在JESD51-2a描述的方法（第6和7）。
通过在暴露的（功率）垫模拟冷板试验获得的结到壳体（底部）的热阻。没有具体
JEDEC标准测试存在，但密切描述可以在ANSI SEMI标准G30-88被发现。
间隔
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电气特性
VDD = 12 V ，T
A
= T
J
= -40 ° C至140 ° C， 2 - μF电容从VDD到GND和VREF到GND 。电流是积极进入，
负出指定的终端。 OUTH和OUTL连接在一起。 （除非另有说明）
(1)
参数
偏置电流
I
DD （ OFF ）
启动电流
VDD = 3.0 ，IN + = VDD ， IN- =
GND
IN + = GND ， IN- = VDD
欠压锁定（ UVLO ）
V
DD （ ON）
V
DD （ OFF ）
V
DD_H
输入端（IN + ， IN- ）
V
IN_L
V
IN_H
V
IN_HYS
V
REF
V
REF
V
REF_LINE
V
REF_lioad
I
SCC
VREF稳压输出范围
VREF线路调整
VREF负载调节
短路电流
来源峰值电流（ OUTH ） /沉峰
电流（ OUTL ）
(2)
OUTH高压
OUTL低电压
C
负载
= 0.22 F, F
SW
= 1千赫，
(2)
条件
民
典型值
最大
单位
100
75
3.55
3.3
3.8
3.55
0.25
180
160
4.15
3.9
μA
供应启动阈值
供应后的最低工作电压
开始
电源电压迟滞
输出高的IN-引脚，输出
低IN +引脚
输出高的IN +引脚，输出
低IN-引脚
V
输入信号低门槛
输入信号的高门槛
输入信号滞后
0.9
1.95
1.3
2.25
1.0
V
4.75
从6 V至18 V的VDD
I
R
在0 mA到50mA
-90
5.0
5.15
0.05
0.075
V
mA
-75
-60
输出（ OUTH / OUTL和输出）
I
SRC / SNK
V
OH
V
OL
-4/+8
VDD -
0.05
0.02
1
2
Ω
0.35
1.5
A
I
OUTH
= -10毫安
I
OUTL
= 10毫安
T
A
= 25 ° C，I
OUT
= -25 mA至-50
mA
T
A
= -40 ℃至140 ℃，我
OUT
= -50
mA
T
A
= 25 ° C，I
OUT
= 25 mA至50
mA
TA = -40 ° C至140 ° C， IOUT = 50
mA
C
负载
= 1.0 nF的
C
负载
= 1.0 nF的
(3)
(3)
V
R
OH
OUTH拉电阻
R
OL
OUTH下拉电阻
开关时间
t
R
t
F
t
D1
t
D2
(1)
(2)
(3)
上升时间
(3)
下降时间
(3)
导通传播延迟
关断传播延迟
5
5
14
14
25
25
ns
C
负载
= 1.0 nF的， IN = 0 V至5 V
C
负载
= 1.0 nF的，IN = 5V到0V
设备操作与输出切换。
通过设计保证，不在生产中测试。
SEE
图1
和
图2
时序图。
4
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时序图（ OUTH绑OUTL ）
高
输入
低
90%
10%
90%
产量
10%
t
D1
t
R
t
F
t
D2
图1.非反相配置
（输入= IN +和输出= OUT （ IN- = GND） ）
高
输入
低
90%
10%
90%
产量
10%
t
D1
t
F
t
D2
t
R
图2反相配置
（输入=输入和输出= OUT （IN + = VDD ） ）
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