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UCC27527

UCC27528

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SLUSBD0B - 2012年12月 - 修订2013年1月

基于CMOS输入阈值逻辑双路5 -A高速低侧栅极驱动器

检查样品：

UCC27527 ， UCC27528

特点

工业标准引脚输出

两个独立的栅极驱动通道

5 A峰值源库驱动电流

CMOS输入逻辑阈值

（电源电压VDD上的引脚功能）

迟滞逻辑阈值高噪音

免疫

独立的使能功能每路输出

输入使能引脚电压电平不

由VDD引脚偏置电源电压的限制

4.5 V至18 V单电源电压范围

输出保持低电平期间VDD欠压锁定，（确保可靠

在电和供电无故障运行

下）

快速的传输延迟（ 17 ns典型）

快速的上升和下降时间（ 7 - NS和6 -NS

典型）

1 - ns典型延迟匹配之间的2-

频道

输出召开不足当输入浮动

SOIC-8 ，和3毫米×3毫米WSON -8包

选项

在-40°C工作温度范围

140°C

-5 -V的负电压处理能力上

输入引脚

双输入配置

UCC27527

INA-

INA +

应用

开关模式电源

的DC- DC转换器

电机控制，太阳能发电

栅极驱动的新兴宽带隙

功率器件如GaN

描述

该UCC2752x系列器件是双通道，

高速，能低侧栅极驱动器设备

有效地推动MOSFET和IGBT功率

开关。使用设计，本质上减少

直通电流， UCC2752x能够

提供高达高的峰值电流脉冲5 -A

源和5 -A沉入随着容性负载

轨到轨驱动能力和极小

传播延迟通常为17纳秒。此外，该

驱动器具有内部匹配的传播延迟

两个通道，这是非常适合的

对于需要与关键的双栅极驱动应用

定时，诸如同步整流器。输入引脚

阈值是基于CMOS的逻辑，这是一个

功能VDD电源电压。宽滞回

高，低阈值之间提供出色

抗干扰能力。使能引脚基于TTL

与CMOS兼容的逻辑，独立于VDD

电源电压。

产品矩阵

双非反相输入

UCC27528

ENA

ENB

INB-

GND

OUTB

INB +

OUTA

VDD

INA

OUTA

GND

VDD

INB

OUTB

请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用

德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。

PRODUCTION数据信息为出版日期。

产品符合占德州条款规范

仪器标准保修。生产加工过程中不

不一定包括所有参数进行测试。

UCC27527

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这个集成电路可以被ESD损坏。德州仪器建议所有集成电路与处理

适当的预防措施。如果不遵守正确的操作和安装程序，可以造成损坏。

ESD损害的范围可以从细微的性能下降，完成设备故障。精密集成电路可能会更

容易受到伤害，因为很小的参数变化可能导致设备不能满足其公布的规格。

说明（续）

该UCC27528是一个双非反相驱动器。 UCC27527采用了双输入设计，提供了灵活性

两个反相（IN-引脚）和非反相（ IN +针）构造为每个信道。无论是在+或IN-引脚可

用来控制驱动器的输出的状态。未使用的输入引脚，可用于启用和禁用功能。

为了安全起见，内部上拉和下拉电阻在UCC2752x所有设备的输入引脚

家庭中，以确保输出端保持低电平时，输入引脚处于浮空状态。 UCC27528的特点

使能引脚（ ENA和ENB ），以更好地控制驱动器应用的操作。针脚

内部上拉至VDD为高电平有效逻辑和可打开的时间标准运作。

订购信息

(1) (2)

产品型号

UCC27527

UCC27528

(1)

(2)

包

SOIC 8引脚（D）和WSON 8引脚（DSD）

工作温度范围，T

-40 ℃140 ℃的

对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾。

所有封装使用无铅钯镍金铅完成这与MSL等级1兼容，在255 ° C到260°C峰值回流焊温度为

有两种无铅或锡/铅焊接操作。 DSD封装，额定MSL 2级。

绝对最大额定值

(1) (2)

在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）

民

电源电压范围

OUTA ， OUTB电压

连续输出源/汇

当前

输出脉冲源/灌电流

(0.5 s)

ENA ， ENB电压

ESD

(5)

(4)

最大

20.0

VDD + 0.3

0.3

单位

VDD

重复脉冲< 200纳秒

(3)

OUT_DC

OUT_pulsed

-0.3

-2.0到

-6.5

-0.3

人体模型HBM

充电设备模型， CDM

-40

-65

焊接， 10秒。

回流

4000

1000

150

300

260

°C

INA ， INB ， INA + ， INA- ， INB + ， INB-电压

(4)

经营虚拟结温，T

范围

存储温度范围，T

英镑

焊接温度

(1)

(2)

(3)

(4)

(5)

超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值

只有与设备，在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作

条件“是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。

所有的电压是相对于GND ，除非另有说明。电流是积极进入，负出指定的终端。看

该数据表的热限制和包装的考虑，包装部。

值由替补席上特性验证。

对输入的最大电压和启用引脚不受VDD引脚上的电压限制。

这些器件对静电放电敏感;遵循正确的设备处理程序。

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推荐工作条件

在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）

民

电源电压范围， VDD

工作结温范围

输入电压， INA ， INB ， INA + ， INA- ， INB + ， INB-

使能电压， ENA和ENB

4.5

-40

-5

典型值

最大

140

单位

°C

热信息

UCC27527 ， UCC27528

热公制

JCtop

JCbot

结至环境热阻

(1)

结至外壳（顶部）热阻

结至电路板的热阻

(3)

(2)

8引脚

128

77.7

68.5

20.7

68.0

不适用

DSD

8引脚

46.1

50.7

21.8

1.1

22.0

9.0

单位

结至顶部的特征参数

(4)

结至电路板的特征参数

(5)

结至外壳（底部）热阻

(6)

° C / W

(1)

(2)

(3)

(4)

(5)

(6)

在自然对流的结点至环境热阻是在一个JEDEC标准，高K板上的模拟获得，如

在JESD51-7指定，在JESD51-2a描述的环境。

通过模拟在封装顶部冷板试验获得的结到壳体（顶部）的热阻。没有具体JEDEC-

标准测试存在，但密切描述可以在ANSI SEMI标准G30-88被发现。

通过模拟的环境中具有环冷板夹具来控制印刷电路板得到的结到电路板的热阻

温度，如在JESD51-8说明。

结至顶部的特征参数，

估计装置的结温在实际的系统中，并且被提取

从仿真数据用于获得

使用在JESD51-2a描述的方法（第6和7）。

结至电路板的特征参数，

估计装置的结温在实际的系统中，并且被提取

从仿真数据用于获得

使用在JESD51-2a描述的方法（第6和7）。

通过在暴露的（功率）垫模拟冷板试验获得的结到壳体（底部）的热阻。没有具体

JEDEC标准测试存在，但密切描述可以在ANSI SEMI标准G30-88被发现。

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电气特性

= 12 V ，T

= T

= -40 ° C至140 ° C，从V 1 μF电容

到GND 。电流是积极进入，负出的

指定终端（除非另有说明，）

参数

偏置电流

VDD = 3.4 V，

INA = VDD ，

INB = VDD

VDD = 3.4 V，

INA = GND ，

INB = GND

= 25°C

= -40 ℃至140 ℃的

125

225

μA

125

225

测试条件

民

典型值

最大

单位

DD （ OFF ）

启动电流，

（基于UCC27524的输入

配置）

欠压锁定（ UVLO ）

关闭

VDD_H

供应启动阈值

最低工作电压

之后开始供应

电源电压迟滞

输出高的非反相输入引脚

输出低电平反相输入引脚

产量低的非反相输入引脚

高输出反相输入引脚

3.91

3.75

3.60

0.20

4.20

3.90

0.30

4.50

4.65

4.40

0.50

输入（ INA ， INB ， INA + ， INA- ， INB + ， INB- ）， UCC2752X （D ， DSD ）

IN_H

IN_L

IN_HYS

EN_H

EN_L

EN_HYS

SNK / SRC

-V

, t

(1)

(2)

(3)

输入信号的高门槛

输入信号低门槛

输入滞后

使能信号高门槛

使能信号低门槛

启用滞后

汇/源极峰值电流

(1)

高输出电压

低输出电压

输出上拉电阻

(2)

输出下拉电阻

上升时间

下降时间

(3)

启用（ ENA ， ENB ） UCC2752X （D ， DSD ）

输出启用

输出禁用

1.7

0.95

0.70

负载

= 0.22 F, F

= 1千赫

OUT

= -10毫安

OUT

= 10毫安

OUT

= -10毫安

OUT

= 10毫安

负载

= 1.8 nF的，V

= 10 V

负载

= 1.8 nF的，V

= 10 V

INA = INB ， OUTA和OUTB ，在50 ％的过渡

点，V

= 10 V

负载

= 1.8 nF的， 7 -V输入脉冲，V

= 10 V

负载

= 1.8 nF的， 7 -V启动脉冲，V

= 10 V

2.5

0.15

0.5

1.9

1.10

0.80

±5

0.075

0.01

7.5

2.1

1.25

1.10

输出（ OUTA ， OUTB ）

开关时间

(3)

2之间的延迟匹配

频道

最小输入脉冲宽度

改变输出

状态

(3)

输入到输出的传播

延迟

(3)

EN输出传播

延迟

(3)

由设计保证。

表示的导通电阻只P沟道MOSFET器件中UCC2752X输出级的拉结构。

见时序图

图1，图2，图3

和

图4

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时序图

高

输入

低

高

输入

低

高

启用

低

启用

低

90%

产量

10%

产量

10%

UDG-11217

UDG-11218

图1.使能功能

（对于非反相输入端驱动操作）

图2.启用功能

（反相输入驱动器操作）

高

输入

低

高

输入

低

高

启用

低

启用

低

90%

产量

10%

产量

10%

UDG-11220

UDG-11219

图3.非反相输入驱动程序操作

图4.反相输入驱动程序操作

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