UCC27518
UCC27519
www.ti.com
SLUSB33 - 2012年5月
单通道高速，低侧栅极驱动器
（基于CMOS输入阈值与4 -A峰值源和4 -A峰汇）
检查样品：
UCC27518
,
UCC27519
1
特点
低成本，栅极驱动器的设备发售
高级更换NPN和PNP的
分立式解决方案
引脚对引脚兼容于TI的
TPS2828
和
该
TPS2829
4 -A峰值源和4 - A峰值水槽
对称的驱动
快速的传输延迟（ 17 ns典型）
快速的上升和下降时间（ 8 - NS和7 -NS
典型）
4.5 V至18 V单电源电压范围
输出保持低电平，在VDD欠压锁定（确保可靠
无故障运行的电和供电
下）
的CMOS输入逻辑阈值（函数
与滞后电源电压）
迟滞逻辑阈值高噪音
免疫
EN引脚为使能功能（允许无
连接）
输出保持低电平时，输入引脚浮
输入端子绝对最大电压电平
不局限于由VDD引脚偏置电源
电压
在-40°C工作温度范围
140°C
5引脚DBV封装（ SOT -23 ）
应用
开关模式电源
的DC- DC转换器
同伴栅极驱动器设备的数字
电源控制器
太阳能，电机控制， UPS
栅极驱动器为新兴宽禁带
功率器件（如GaN ）
描述
该UCC27518和UCC27519单通道，高
高速，低侧栅极驱动器设备能够
有效地推动MOSFET和IGBT功率
开关。使用设计，本质上减少
直通电流， UCC27518和UCC27519
能够送出和吸收高，峰值 -
电流脉冲为容性负载，提供轨到轨
驱动能力和极小的传播
通常延迟17纳秒。
该UCC27518与UCC27519提供4 -A源，
4 -A片（对称的驱动器）的峰值驱动电流
在VDD能力= 12 V.
该UCC27518和UCC27519被设计成
4.5 V的宽VDD范围内工作到18 V和
宽的温度范围为-40 ℃至140 ℃。国内
在VDD引脚上的电压锁定（ UVLO ）电路
保持输出低电平之外VDD工作范围。该
能力，在低电压电平，例如操作
低于5 V，以及一流的开关
特性，特别适用于驱动
新兴宽带隙功率开关器件
诸如GaN功率半导体器件。
典型应用图
UCC27518/19
EN
1
EN
VDD
5
C1
2
GND
R1
IN
3
IN + / IN-
OUT
4
Q1
4.5 V至18 V
V+
1
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
版权所有2012，德州仪器
UCC27518
UCC27519
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说明（续）
该UCC27518和UCC27519的输入引脚阈值是基于CMOS逻辑，其中所述阈值电压
是V DD电源电压的函数。通常情况下输入高阈值（V
IN -H
）为55 ％V
DD
和输入低
阈值（V
IN -L
）为39 ％V
DD
。宽磁滞（ 16 ％V
DD
高，低阈值之间的报价一般）
优良的抗噪声性能，并允许用户介绍使用输入PWM信号之间的RC电路的延迟
并且该装置的INx的销。
该UCC27518与UCC27519还提供对EN引脚可浮动使能功能。 EN引脚可以留在
无连接状态，这使得UCC27518 ， UCC27519和之间的引脚对引脚兼容性
TPS2828 ， TPS2829分别。使能引脚阈值是固定的电压阈值，并且不基于不同而不同
V
DD
引脚的偏置电压。通常情况下启用高阈值（V
EN -H
）是2.1 V和启用低阈值（V
EN -L
）为1.25
V.
这个集成电路可以被ESD损坏。德州仪器建议所有集成电路与处理
适当的预防措施。如果不遵守正确的操作和安装程序，可以造成损坏。
ESD损害的范围可以从细微的性能下降，完成设备故障。精密集成电路可能会更
容易受到伤害，因为很小的参数变化可能导致设备不能满足其公布的规格。
订购信息
(1) (2)
产品型号
UCC27518DBV
SOT - 23 5针
UCC27519DBV
(1)
(2)
4-A/4-A
（对称的驱动）
包
峰值电流
（源/汇）
输入阈值
逻辑
CMOS反相逻辑
（如下VDD偏压）
非反相CMOS
逻辑
（如下VDD偏压）
-40 ℃140 ℃的
操作
温度范围
T
A
对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾。
所有封装使用无铅钯镍金铅完成这与MSL等级1兼容，在255 ° C到260°C峰值回流焊温度为
有两种无铅或锡/铅焊接操作。 DRS封装，额定MSL 2级。
表1. UCC2751x产品系列概述
产品型号
UCC27511DBV
(1)
UCC27512DRS
UCC27516DRS
UCC27517DBV
(1)
(1)
(1)
包
SOT - 23 ， 6针
3毫米x 3毫米WSON ， 6针
3毫米x 3毫米WSON ， 6针
SOT - 23 ， 5针
SOT - 23 ， 5针
SOT - 23 ， 5针
峰值电流
（源/汇）
4-A/8-A
（非对称驱动器）
输入阈值逻辑
CMOS / TTL兼容
（低电压，独立于VDD
偏置电压）
CMOS
（如下VDD偏压）
UCC27518DBV
UCC27519DBV
(1)
4-A/4-A
（对称的驱动）
访问
www.ti.com
最新的产品数据表。
2
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绝对最大额定值
(1) (2) (3)
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
民
电源电压范围
输出电压
连续输出电流
输出脉冲电流（ 0.5微秒）
IN + ， IN-
(4)
， EN
人体模型HBM
ESD
工作结温范围，T
J
存储温度范围，T
英镑
焊接温度
(1)
(2)
(3)
(4)
焊接， 10秒。
回流
带电器件模型， SOT- CDM
23
-40
-65
I
OUT_DC
（源/汇）
I
OUT_pulsed
（源/汇）
-0.3
VDD
-0.3
最大
20
0.3
4
20
2000
500
150
150
300
260
°C
V
单位
V
A
-0.3 VDD + 0.3
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值
只有与设备，在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作
条件“是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
所有的电压是相对于GND ，除非另有说明。电流是积极进入，负出指定的终端。看
该数据表的热限制和包装的考虑，包装部。
这些器件对静电放电敏感;遵循正确的设备处理程序。
在输入引脚的最大电压不受VDD引脚上的电压限制。
热信息
UCC27518
热公制
θ
JA
θ
JCtop
θ
JB
ψ
JT
ψ
JB
结至环境热阻
结至电路板的热阻
(4)
(5)
(2)
UCC27519
SOT- 23 DBV
(1)
5针
217.6
85.8
44.0
4.0
43.2
° C / W
单位
SOT- 23 DBV
5针
217.6
85.8
44.0
4.0
43.2
结至外壳（顶部）热阻
(3)
结至顶部的特征参数
结至电路板的特征参数
(6)
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
有关传统和新的热度量的更多信息，请参阅
IC封装热度量
申请报告，
SPRA953.
在自然对流的结点至环境热阻是在一个JEDEC标准，高K板上的模拟获得，如
在JESD51-7指定，在JESD51-2a描述的环境。
通过模拟在封装顶部冷板试验获得的结到壳体（顶部）的热阻。没有具体JEDEC-
标准测试存在，但密切描述可以在ANSI SEMI标准G30-88被发现。
通过模拟的环境中具有环冷板夹具来控制印刷电路板得到的结到电路板的热阻
温度，如在JESD51-8说明。
结至顶部的特征参数，
ψ
JT
估计装置的结温在实际的系统中，并且被提取
从仿真数据用于获得
θ
JA
使用在JESD51-2a描述的方法（第6和7）。
结至电路板的特征参数，
ψ
JB
估计装置的结温在实际的系统中，并且被提取
从仿真数据用于获得
θ
JA
使用在JESD51-2a描述的方法（第6和7）。
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UCC27518 UCC27519
3
UCC27518
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推荐工作条件
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
民
电源电压范围， VDD
工作结温范围
输入电压（IN +和IN ）和Enable （ EN ）
4.5
-40
0
典型值
12
最大
18
140
18
单位
V
°C
V
电气特性
VDD = 12 V ，T
A
= T
J
= -40 ° C至140 ° C， 1μF电容， VDD和GND 。电流是积极进入，负出的
指定的终端。
参数
偏置电流
IN + = VDD （ UCC27519 ）
IN- = GND （ UCC27518 ）
IN + = GND （ UCC27519 ）
IN- = VDD （ UCC27518 ）
51
51
85
70
123
A
103
测试条件
民
典型值
最大
单位
I
DD （ OFF ）
启动电流
VDD = 3.4 V
欠压锁定（ UVLO ）
V
ON
V
关闭
V
DD_H
V
IN_H
V
IN_L
V
IN_HYS
V
IN_H
V
IN_L
V
IN_HYS
V
IN_H
V
IN_L
V
IN_HYS
供应启动阈值
最小工作
之后，启动电压
电源电压迟滞
输入信号高
门槛
输入信号低门槛
输入信号滞后
输入信号高
门槛
输入信号低门槛
输入信号滞后
输入信号高
门槛
输入信号低门槛
输入信号滞后
使能信号高
门槛
使能信号低
门槛
启用滞后
VDD = 12 V
1.00
VDD = 18 V
35
VDD = 12 V
31
VDD = 4.5 V
31
T
A
= 25°C
T
A
= -40 ℃至140 ℃的
3.85
3.80
3.45
0.19
4.20
4.20
3.9
0.3
55
39
16
55
39
16
55
38
17
58
59
％ VDD
4.57
4.67
4.35
0.45
62
V
输入端（IN + ， IN- ）
使能（ EN ）
V
EN_H
V
EN_L
V
EN_HYS
2.1
1.25
0.86
2.3
V
4
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UCC27518 UCC27519
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UCC27518
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电气特性（续）
VDD = 12 V ，T
A
= T
J
= -40 ° C至140 ° C， 1μF电容， VDD和GND 。电流是积极进入，负出的
指定的终端。
参数
源出/吸入电流
I
SRC / SNK
源/汇峰
当前
(1)
C
负载
= 0.22 F, F
SW
= 1千赫
-4/+4
A
测试条件
民
典型值
最大
单位
输出（ OUT ）
VDD = 12 V
I
OUT
= -10毫安
VDD = 4.5 V
I
OUT
= -10毫安
VDD = 12
I
OUT
= 10毫安
VDD = 4.5 V
I
OUT
= 10毫安
VDD = 12 V
I
OUT
= -10毫安
VDD = 4.5 V
I
OUT
= -10毫安
VDD = 12 V
I
OUT
= 10毫安
VDD = 4.5 V
I
OUT
= 10毫安
C
负载
= 1.8 nF的
C
负载
= 1.8 nF的
6
6
4
4
50
60
5
6
5.0
5.0
0.5
0.6
90
130
mV
11
12
7.5
11.0
Ω
1.0
1.2
V
DD
-V
OH
高输出电压
V
OL
低输出电压
R
OH
输出上拉
阻力
(2)
R
OL
输出下拉
阻力
开关时间
t
R
t
F
t
D1
t
D2
t
D3
t
D4
(1)
(2)
(3)
上升时间
(3)
下降时间
(3)
8
7
17
17
12
12
12
11
25
24
16
19
ns
IN +输出传播VDD = 10V
延迟
(3)
7 -V输入脉冲，C
负载
= 1.8 nF的
IN-输出传播
延迟
(3)
EN到输出高
传播延迟
(3)
EN输出低电平
传播延迟
(3)
VDD = 10 V
7 -V输入脉冲，C
负载
= 1.8 nF的
C
负载
= 1.8 nF的， 5 - V使能脉冲
C
负载
= 1.8 nF的， 5 - V使能脉冲
由设计保证。
R
OH
表示的导通电阻的P沟道MOSFET的UCC27518和UCC27519的输出级的拉结构。
见时序图
图1，图2，图3
和
图4中。
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SLUSB33 - 2012年5月
单通道高速，低侧栅极驱动器
（基于CMOS输入阈值与4 -A峰值源和4 -A峰汇）
检查样品：
UCC27518
,
UCC27519
1
特点
低成本，栅极驱动器的设备发售
高级更换NPN和PNP的
分立式解决方案
引脚对引脚兼容于TI的
TPS2828
和
该
TPS2829
4 -A峰值源和4 - A峰值水槽
对称的驱动
快速的传输延迟（ 17 ns典型）
快速的上升和下降时间（ 8 - NS和7 -NS
典型）
4.5 V至18 V单电源电压范围
输出保持低电平，在VDD欠压锁定（确保可靠
无故障运行的电和供电
下）
的CMOS输入逻辑阈值（函数
与滞后电源电压）
迟滞逻辑阈值高噪音
免疫
EN引脚为使能功能（允许无
连接）
输出保持低电平时，输入引脚浮
输入端子绝对最大电压电平
不局限于由VDD引脚偏置电源
电压
在-40°C工作温度范围
140°C
5引脚DBV封装（ SOT -23 ）
应用
开关模式电源
的DC- DC转换器
同伴栅极驱动器设备的数字
电源控制器
太阳能，电机控制， UPS
栅极驱动器为新兴宽禁带
功率器件（如GaN ）
描述
该UCC27518和UCC27519单通道，高
高速，低侧栅极驱动器设备能够
有效地推动MOSFET和IGBT功率
开关。使用设计，本质上减少
直通电流， UCC27518和UCC27519
能够送出和吸收高，峰值 -
电流脉冲为容性负载，提供轨到轨
驱动能力和极小的传播
通常延迟17纳秒。
该UCC27518与UCC27519提供4 -A源，
4 -A片（对称的驱动器）的峰值驱动电流
在VDD能力= 12 V.
该UCC27518和UCC27519被设计成
4.5 V的宽VDD范围内工作到18 V和
宽的温度范围为-40 ℃至140 ℃。国内
在VDD引脚上的电压锁定（ UVLO ）电路
保持输出低电平之外VDD工作范围。该
能力，在低电压电平，例如操作
低于5 V，以及一流的开关
特性，特别适用于驱动
新兴宽带隙功率开关器件
诸如GaN功率半导体器件。
典型应用图
UCC27518/19
EN
1
EN
VDD
5
C1
2
GND
R1
IN
3
IN + / IN-
OUT
4
Q1
4.5 V至18 V
V+
1
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
版权所有2012，德州仪器
UCC27518
UCC27519
SLUSB33 - 2012年5月
www.ti.com
说明（续）
该UCC27518和UCC27519的输入引脚阈值是基于CMOS逻辑，其中所述阈值电压
是V DD电源电压的函数。通常情况下输入高阈值（V
IN -H
）为55 ％V
DD
和输入低
阈值（V
IN -L
）为39 ％V
DD
。宽磁滞（ 16 ％V
DD
高，低阈值之间的报价一般）
优良的抗噪声性能，并允许用户介绍使用输入PWM信号之间的RC电路的延迟
并且该装置的INx的销。
该UCC27518与UCC27519还提供对EN引脚可浮动使能功能。 EN引脚可以留在
无连接状态，这使得UCC27518 ， UCC27519和之间的引脚对引脚兼容性
TPS2828 ， TPS2829分别。使能引脚阈值是固定的电压阈值，并且不基于不同而不同
V
DD
引脚的偏置电压。通常情况下启用高阈值（V
EN -H
）是2.1 V和启用低阈值（V
EN -L
）为1.25
V.
这个集成电路可以被ESD损坏。德州仪器建议所有集成电路与处理
适当的预防措施。如果不遵守正确的操作和安装程序，可以造成损坏。
ESD损害的范围可以从细微的性能下降，完成设备故障。精密集成电路可能会更
容易受到伤害，因为很小的参数变化可能导致设备不能满足其公布的规格。
订购信息
(1) (2)
产品型号
UCC27518DBV
SOT - 23 5针
UCC27519DBV
(1)
(2)
4-A/4-A
（对称的驱动）
包
峰值电流
（源/汇）
输入阈值
逻辑
CMOS反相逻辑
（如下VDD偏压）
非反相CMOS
逻辑
（如下VDD偏压）
-40 ℃140 ℃的
操作
温度范围
T
A
对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾。
所有封装使用无铅钯镍金铅完成这与MSL等级1兼容，在255 ° C到260°C峰值回流焊温度为
有两种无铅或锡/铅焊接操作。 DRS封装，额定MSL 2级。
表1. UCC2751x产品系列概述
产品型号
UCC27511DBV
(1)
UCC27512DRS
UCC27516DRS
UCC27517DBV
(1)
(1)
(1)
包
SOT - 23 ， 6针
3毫米x 3毫米WSON ， 6针
3毫米x 3毫米WSON ， 6针
SOT - 23 ， 5针
SOT - 23 ， 5针
SOT - 23 ， 5针
峰值电流
（源/汇）
4-A/8-A
（非对称驱动器）
输入阈值逻辑
CMOS / TTL兼容
（低电压，独立于VDD
偏置电压）
CMOS
（如下VDD偏压）
UCC27518DBV
UCC27519DBV
(1)
4-A/4-A
（对称的驱动）
访问
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最新的产品数据表。
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UCC27518 UCC27519
版权所有2012，德州仪器
UCC27518
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绝对最大额定值
(1) (2) (3)
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
民
电源电压范围
输出电压
连续输出电流
输出脉冲电流（ 0.5微秒）
IN + ， IN-
(4)
， EN
人体模型HBM
ESD
工作结温范围，T
J
存储温度范围，T
英镑
焊接温度
(1)
(2)
(3)
(4)
焊接， 10秒。
回流
带电器件模型， SOT- CDM
23
-40
-65
I
OUT_DC
（源/汇）
I
OUT_pulsed
（源/汇）
-0.3
VDD
-0.3
最大
20
0.3
4
20
2000
500
150
150
300
260
°C
V
单位
V
A
-0.3 VDD + 0.3
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值
只有与设备，在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作
条件“是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
所有的电压是相对于GND ，除非另有说明。电流是积极进入，负出指定的终端。看
该数据表的热限制和包装的考虑，包装部。
这些器件对静电放电敏感;遵循正确的设备处理程序。
在输入引脚的最大电压不受VDD引脚上的电压限制。
热信息
UCC27518
热公制
θ
JA
θ
JCtop
θ
JB
ψ
JT
ψ
JB
结至环境热阻
结至电路板的热阻
(4)
(5)
(2)
UCC27519
SOT- 23 DBV
(1)
5针
217.6
85.8
44.0
4.0
43.2
° C / W
单位
SOT- 23 DBV
5针
217.6
85.8
44.0
4.0
43.2
结至外壳（顶部）热阻
(3)
结至顶部的特征参数
结至电路板的特征参数
(6)
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
有关传统和新的热度量的更多信息，请参阅
IC封装热度量
申请报告，
SPRA953.
在自然对流的结点至环境热阻是在一个JEDEC标准，高K板上的模拟获得，如
在JESD51-7指定，在JESD51-2a描述的环境。
通过模拟在封装顶部冷板试验获得的结到壳体（顶部）的热阻。没有具体JEDEC-
标准测试存在，但密切描述可以在ANSI SEMI标准G30-88被发现。
通过模拟的环境中具有环冷板夹具来控制印刷电路板得到的结到电路板的热阻
温度，如在JESD51-8说明。
结至顶部的特征参数，
ψ
JT
估计装置的结温在实际的系统中，并且被提取
从仿真数据用于获得
θ
JA
使用在JESD51-2a描述的方法（第6和7）。
结至电路板的特征参数，
ψ
JB
估计装置的结温在实际的系统中，并且被提取
从仿真数据用于获得
θ
JA
使用在JESD51-2a描述的方法（第6和7）。
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UCC27518
UCC27519
SLUSB33 - 2012年5月
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推荐工作条件
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
民
电源电压范围， VDD
工作结温范围
输入电压（IN +和IN ）和Enable （ EN ）
4.5
-40
0
典型值
12
最大
18
140
18
单位
V
°C
V
电气特性
VDD = 12 V ，T
A
= T
J
= -40 ° C至140 ° C， 1μF电容， VDD和GND 。电流是积极进入，负出的
指定的终端。
参数
偏置电流
IN + = VDD （ UCC27519 ）
IN- = GND （ UCC27518 ）
IN + = GND （ UCC27519 ）
IN- = VDD （ UCC27518 ）
51
51
85
70
123
A
103
测试条件
民
典型值
最大
单位
I
DD （ OFF ）
启动电流
VDD = 3.4 V
欠压锁定（ UVLO ）
V
ON
V
关闭
V
DD_H
V
IN_H
V
IN_L
V
IN_HYS
V
IN_H
V
IN_L
V
IN_HYS
V
IN_H
V
IN_L
V
IN_HYS
供应启动阈值
最小工作
之后，启动电压
电源电压迟滞
输入信号高
门槛
输入信号低门槛
输入信号滞后
输入信号高
门槛
输入信号低门槛
输入信号滞后
输入信号高
门槛
输入信号低门槛
输入信号滞后
使能信号高
门槛
使能信号低
门槛
启用滞后
VDD = 12 V
1.00
VDD = 18 V
35
VDD = 12 V
31
VDD = 4.5 V
31
T
A
= 25°C
T
A
= -40 ℃至140 ℃的
3.85
3.80
3.45
0.19
4.20
4.20
3.9
0.3
55
39
16
55
39
16
55
38
17
58
59
％ VDD
4.57
4.67
4.35
0.45
62
V
输入端（IN + ， IN- ）
使能（ EN ）
V
EN_H
V
EN_L
V
EN_HYS
2.1
1.25
0.86
2.3
V
4
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电气特性（续）
VDD = 12 V ，T
A
= T
J
= -40 ° C至140 ° C， 1μF电容， VDD和GND 。电流是积极进入，负出的
指定的终端。
参数
源出/吸入电流
I
SRC / SNK
源/汇峰
当前
(1)
C
负载
= 0.22 F, F
SW
= 1千赫
-4/+4
A
测试条件
民
典型值
最大
单位
输出（ OUT ）
VDD = 12 V
I
OUT
= -10毫安
VDD = 4.5 V
I
OUT
= -10毫安
VDD = 12
I
OUT
= 10毫安
VDD = 4.5 V
I
OUT
= 10毫安
VDD = 12 V
I
OUT
= -10毫安
VDD = 4.5 V
I
OUT
= -10毫安
VDD = 12 V
I
OUT
= 10毫安
VDD = 4.5 V
I
OUT
= 10毫安
C
负载
= 1.8 nF的
C
负载
= 1.8 nF的
6
6
4
4
50
60
5
6
5.0
5.0
0.5
0.6
90
130
mV
11
12
7.5
11.0
Ω
1.0
1.2
V
DD
-V
OH
高输出电压
V
OL
低输出电压
R
OH
输出上拉
阻力
(2)
R
OL
输出下拉
阻力
开关时间
t
R
t
F
t
D1
t
D2
t
D3
t
D4
(1)
(2)
(3)
上升时间
(3)
下降时间
(3)
8
7
17
17
12
12
12
11
25
24
16
19
ns
IN +输出传播VDD = 10V
延迟
(3)
7 -V输入脉冲，C
负载
= 1.8 nF的
IN-输出传播
延迟
(3)
EN到输出高
传播延迟
(3)
EN输出低电平
传播延迟
(3)
VDD = 10 V
7 -V输入脉冲，C
负载
= 1.8 nF的
C
负载
= 1.8 nF的， 5 - V使能脉冲
C
负载
= 1.8 nF的， 5 - V使能脉冲
由设计保证。
R
OH
表示的导通电阻的P沟道MOSFET的UCC27518和UCC27519的输出级的拉结构。
见时序图
图1，图2，图3
和
图4中。
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