UCC27511
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SLUSAW9B - 2012年2月 - 修订2012年3月
单通道高速，低侧栅极驱动器
（与4 -A峰值源和8 -A峰汇）
检查样品：
UCC27511
1
特点
低成本，栅极驱动器的设备发售
高级更换NPN和PNP的
分立式解决方案
4 -A峰值源和8 - A峰值水槽
非对称的驱动器
强灌电流提供了增强
免疫力米勒开启
分割输出配置（可以轻松和
回合通和独立的调整
关速度）
快速的传输延迟（ 13 ns典型）
快速的上升和下降时间（ 9 - NS和7 -NS
典型）
4.5 V至18 V单电源电压范围
输出保持低电平，在VDD欠压锁定（确保可靠
无故障运行的电和供电
下）
TTL和CMOS兼容输入逻辑
阈值（电源电压无关）
迟滞逻辑阈值高噪音
免疫
双输入设计（选用反相的（ IN-
针）或同相（IN +引脚）驱动程序
配置）
- 未使用的输入引脚，可用于启用
或禁用功能
输出保持低电平时，输入引脚浮
输入端子绝对最大电压电平
不局限于由VDD引脚偏置电源
电压
在-40°C工作温度范围
140°C
6引脚DBV封装（ SOT -23 ）
应用
开关模式电源
的DC- DC转换器
同伴栅极驱动器设备的数字
电源控制器
太阳能，电机控制， UPS
栅极驱动器为新兴宽禁带
功率器件（如GaN ）
描述
该UCC27511单通道，高速，低侧
栅极驱动装置能够有效地驱动
MOSFET和IGBT功率开关。使用设计
这本质上最小的直通电流，
UCC27511能够送出和吸收高，
峰值电流脉冲转换成容性负载提供rail-
至轨驱动能力和极小
传播延迟通常为13纳秒。
该UCC27511提供了4 -A源， 8 -A片
（非对称驱动器）的峰值驱动电流能力。
在非对称的驱动助力较强吸收能力
免疫抗寄生虫，米勒导通效果。该
UCC27511器件还采用了独特的分体式输出
结构，其中，栅极驱动电流源
通过OUTH引脚，并通过OUTL引脚沉没。这
独特的管脚排列允许用户应用
独立的导通和关断电阻的
OUTH和OUTL引脚分别与轻松控制
开关转换速率。
UCC27511的设计工作在很宽的VDD
至18 V宽温度范围范围4.5 V
-40 ℃140 ℃。内部欠压锁定
（ UVLO ）电路的VDD引脚上持有境外输出低电平
VDD工作范围。的能力，在低温操作
电压电平如低于5伏，连同最好在
类的开关特性，特别适用于
驾驶新兴的宽带隙功率开关
设备，诸如GaN功率半导体器件。
1
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
版权所有2012，德州仪器
UCC27511
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典型应用图
非反相输入端
V+
V+
4.5 V至18 V
C2
VSOURCE
C2
4.5 V至18 V
VSOURCE
反相输入
L1
UCC27511
D1
IN +
6
IN +
VDD
1
Q1
R1
5
IN-
OUTH
2
+
R2
4
GND
OUTL
3
C1
4
GND
OUTL
3
R2
IN-
5
IN-
OUTH
2
R1
VOUT
6
IN +
VDD
1
UCC27511
L1
D1
VOUT
Q1
+
C1
说明（续）
UCC27511采用了双输入设计，它提供了实现这两个反相（ IN-引脚）的灵活性和非
反相（IN +引脚），具有相同的设备配置。无论是在+或IN-引脚可被用来控制状态
驱动器输出。未使用的输入引脚，可用于启用/禁用功能。为了安全起见，内部上拉
上拉和下拉电阻输入引脚上确保输出保持低电平时输入引脚处于浮置
条件。因此，未使用的输入引脚不能悬空，需要适当地偏置，以确保
驱动器输出使能正常运行。
该UCC27511器件的输入引脚阈值是基于TTL / CMOS兼容低电压逻辑是
固定的和独立的电源电压VDD的。高，低阈值之间的报价宽滞回
卓越的抗干扰能力。
这个集成电路可以被ESD损坏。德州仪器建议所有集成电路与处理
适当的预防措施。如果不遵守正确的操作和安装程序，可以造成损坏。
ESD损害的范围可以从细微的性能下降，完成设备故障。精密集成电路可能会更
容易受到伤害，因为很小的参数变化可能导致设备不能满足其公布的规格。
订购信息
(1) (2)
产品型号
包
峰值电流
（源/汇）
4-A/8-A
（非对称驱动器）
输入阈值
逻辑
CMOS / TTL兼容
（低电压，独立
VDD的偏置电压）
操作
温度范围
T
A
-40 ℃140 ℃的
UCC27511DBV
(1)
(2)
SOT - 23 6针
对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾。
所有封装使用无铅钯镍金铅完成这与MSL等级1兼容，在255 ° C到260°C峰值回流焊温度为
有两种无铅或锡/铅焊接操作。 DRS封装，额定MSL 2级。
表1. UCC2751x产品系列概述
产品型号
UCC27511DBV
UCC27512DRS
UCC27516DRS
UCC27517DBV
UCC27518DBV
UCC27519DBV
(1)
(1)
(1)
(1)
(1)
(1)
包
SOT - 23 ， 6针
3毫米x 3毫米WSON ， 6针
3毫米x 3毫米WSON ， 6针
SOT - 23 ， 5针
SOT - 23 ， 5针
SOT - 23 ， 5针
峰值电流
（源/汇）
4-A/8-A
（非对称驱动器）
4-A/4-A
（对称的驱动）
输入阈值逻辑
CMOS / TTL兼容
（低电压，独立于VDD
偏置电压）
CMOS
（如下VDD偏压）
访问
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最新的产品数据表。
2
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UCC27511
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绝对最大额定值
(1) (2) (3)
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
民
电源电压范围
OUTH电压
OUTL电压
连续输出电流
（ OUTH源电流和OUTL灌电流）
输出脉冲电流（ 0.5微秒）
（ OUTH源电流和OUTL灌电流）
IN + ， IN-
(4)
人体模型HBM
ESD
工作结温范围，T
J
存储温度范围，T
英镑
焊接温度
(1)
(2)
(3)
(4)
焊接， 10秒。
回流
带电器件模型， SOT- CDM
23
-40
-65
I
OUT_DC
（来源）
I
OUT_DC
（汇）
I
OUT_pulsed
（来源）
I
OUT_pulsed
（汇）
-0.3
VDD
-0.3
-0.3
最大
20
V
20
0.3
0.6
4
8
20
2000
500
150
150
300
260
°C
V
A
单位
-0.3 VDD + 0.3
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值
只有与设备，在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作
条件“是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
所有的电压是相对于GND ，除非另有说明。电流是积极进入，负出指定的终端。看
该数据表的热限制和包装的考虑，包装部。
这些器件对静电放电敏感;遵循正确的设备处理程序。
在输入引脚的最大电压不受VDD引脚上的电压限制。
热信息
UCC27511
热公制
(1)
θ
JA
θ
JCtop
θ
JB
ψ
JT
ψ
JB
结至环境热阻
结至电路板的热阻
(4)
(2)
SOT- 23 （ DBV ）
6针
217.8
137.7
67.4
60.4
单位
结至外壳（顶部）热阻
(3)
结至顶部的特征参数
(5)
结至电路板的特征参数
(6)
° C / W
66.8
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
有关传统和新的热度量的更多信息，请参阅
IC封装热度量
申请报告，
SPRA953.
在自然对流的结点至环境热阻是在一个JEDEC标准，高K板上的模拟获得，如
在JESD51-7指定，在JESD51-2a描述的环境。
通过模拟在封装顶部冷板试验获得的结到壳体（顶部）的热阻。没有具体JEDEC-
标准测试存在，但密切描述可以在ANSI SEMI标准G30-88被发现。
通过模拟的环境中具有环冷板夹具来控制印刷电路板得到的结到电路板的热阻
温度，如在JESD51-8说明。
结至顶部的特征参数，
ψ
JT
估计装置的结温在实际的系统中，并且被提取
从仿真数据用于获得
θ
JA
使用在JESD51-2a描述的方法（第6和7）。
结至电路板的特征参数，
ψ
JB
估计装置的结温在实际的系统中，并且被提取
从仿真数据用于获得
θ
JA
使用在JESD51-2a描述的方法（第6和7）。
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推荐工作条件
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
民
电源电压范围， VDD
工作结温范围
输入电压，IN +和IN
4.5
-40
0
典型值
12
最大
18
140
18
单位
V
°C
V
电气特性
VDD = 12 V ，T
A
= T
J
= -40 ° C至140 ° C， 1μF电容， VDD和GND 。电流是积极进入，负出的
指定的终端。
参数
偏置电流
IN + = VDD ， IN- = GND
I
DD （ OFF ）
启动电流
VDD = 3.4 V
IN + IN- = = GND或+ IN = IN - = VDD
IN + = GND ， IN- = VDD
欠压锁定（ UVLO ）
V
ON
V
关闭
V
DD_H
供应启动阈值
最小工作
之后，启动电压
电源电压迟滞
输入信号高
门槛
输入信号低门槛
输出高电平IN +引脚，
输出低IN-引脚
输出低电平IN +引脚，
输出高电平IN-引脚
1.0
T
A
= 25°C
T
A
= -40 ℃至140 ℃的
3.91
3.70
3.45
0.2
4.20
4.20
3.9
0.3
4.5
4.65
4.35
0.5
V
40
25
20
100
75
60
160
145
115
A
测试条件
民
典型值
最大
单位
输入端（IN + ， IN- ）
V
IN_H
V
IN_L
2.2
1.2
1.0
2.4
V
V
IN_HYS
输入信号滞后
源出/吸入电流
I
SRC / SNK
源/汇峰
当前
(1)
C
负载
= 0.22 F, F
SW
= 1千赫
-4/+8
A
输出（ OUTH ， OUTL ， OUT ）
V
DD
-
V
OH
VDD = 12 V
I
OUTH
= -10毫安
VDD = 4.5 V
I
OUTH
= -10毫安
VDD = 12
I
OUTL
= 10毫安
VDD = 4.5 V
I
OUTL
= 10毫安
VDD = 12 V
I
OUTH
= -10毫安
VDD = 4.5 V
I
OUTH
= -10毫安
VDD = 12 V
I
OUTL
= 10毫安
VDD = 4.5 V
I
OUTL
= 10毫安
50
60
5
5.5
5.0
5.0
0.375
0.45
90
130
mV
6.5
10
7.5
11.0
Ω
0.650
0.750
高输出电压
V
OL
低输出电压
R
OH
输出上拉
阻力
(2)
R
OL
输出下拉
阻力
(1)
(2)
由设计保证。
R
OH
表示的导通电阻的P沟道MOSFET在UCC27511的输出级的拉结构。
4
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UCC27511
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电气特性（续）
VDD = 12 V ，T
A
= T
J
= -40 ° C至140 ° C， 1μF电容， VDD和GND 。电流是积极进入，负出的
指定的终端。
参数
开关时间
VDD = 12 V
C
负载
= 1.8 nF的，连接到OUTH和OUTL引脚连接
一起
VDD = 4.5 V
C
负载
= 1.8 nF的
VDD = 12 V
C
负载
= 1.8 nF的，连接到OUTH和OUTL引脚连接
一起
VDD=4.5V
C
负载
= 1.8 nF的
VDD = 12 V
5 - V输入脉冲C
负载
= 1.8 nF的，连接到OUTH和
OUTL引脚连在一起
VDD = 4.5 V
5 - V输入脉冲C
负载
= 1.8 nF的，连接到OUTH和
OUTL引脚连在一起
VDD = 12 V
C
负载
= 1.8 nF的，连接到OUTH和OUTL引脚连接
一起
VDD = 4.5 V
C
负载
= 1.8 nF的，连接到OUTH和OUTL引脚连接
一起
4
8
16
7
7
13
12
22
11
11
23
ns
测试条件
民
典型值
最大
单位
t
R
上升时间
(3)
t
F
下降时间
(3)
t
D1
IN +输出传播
延迟
(3)
4
15
26
4
13
23
t
D2
IN-输出传播
延迟
(3)
4
19
30
(3)
见时序图
图1，图2，图3
和
图4中。
高
输入
（IN +引脚）
低
高
IN- PIN
低
90%
产量
10%
t
D1
t
r
t
D1
t
f
图1.非反相配置
（ PWM输入到IN +引脚（引脚IN-连接到GND ）
输出代表OUTH和OUTL引脚连接在一起）
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UCC27511
UCC27512
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单通道高速，低侧栅极驱动器
（与4 -A峰值源和8 -A峰汇）
检查样品：
UCC27511 ， UCC27512
1
特点
低成本，栅极驱动器的设备发售
高级更换NPN和PNP的
分立式解决方案
4 -A峰值源和8 - A峰值水槽
非对称的驱动器
强灌电流提供了增强
免疫力米勒开启
分割输出配置（可以轻松和
回合通和独立的调整
断速度）在UCC27511
快速的传输延迟（ 13 ns典型）
快速的上升和下降时间（ 9 - NS和7 -NS
典型）
4.5 V至18 V单电源电压范围
输出保持低电平，在VDD欠压锁定（确保可靠
无故障运行的电和供电
下）
TTL和CMOS兼容输入逻辑
阈值（电源电压无关）
迟滞逻辑阈值高噪音
免疫
双输入设计（选用反相的（ IN-
针）或同相（IN +引脚）驱动程序
配置）
- 未使用的输入引脚，可用于启用
或禁用功能
输出保持低电平时，输入引脚浮
输入端子绝对最大电压电平
不局限于由VDD引脚偏置电源
电压
在-40°C工作温度范围
140°C
6引脚DBV （ SOT- 23）和6引脚DRS （ 3× 3
毫米WSON与裸露热焊盘）
封装选项
应用
开关模式电源
的DC- DC转换器
同伴栅极驱动器设备的数字
电源控制器
太阳能，电机控制， UPS
栅极驱动器为新兴宽禁带
功率器件（如GaN ）
描述
该UCC27511和UCC27512单通道，高
高速，低侧栅极驱动器设备能够
有效地推动MOSFET和IGBT功率
开关。使用设计，本质上减少
直通电流， UCC27511和UCC27512
能够送出和吸收高，峰值 -
电流脉冲为容性负载，提供轨到轨
驱动能力和极小的传播
通常延迟13纳秒。
该UCC27511与UCC27512提供了4 -A源，
8 -A片（非对称的驱动器）的峰值驱动电流
能力。在非对称的驱动强大的吸收能力
增强免疫能力，抵抗寄生虫，米勒导通
的影响。该UCC27511器件还具有一个独特的
分割输出配置，其中栅极驱动电流
通过OUTH销货源，并通过下沉
OUTL引脚。这种独特的针布置允许
用户申请独立的导通和关断
分别电阻与OUTH和OUTL销
与轻松控制的开关转换速率。
UCC27511和UCC27512被设计成操作
在4.5 V至18 V的宽很宽VDD范围
温度范围为-40 ℃至140 ℃。在内部
VDD引脚上的电压锁定（UVLO ）电路保持
输出低电平之外VDD工作范围。该
能力，在低电压电平，例如操作
低于5 V，以及一流的开关
特性，特别适用于驱动
新兴宽带隙功率开关器件
诸如GaN功率半导体器件。
1
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
版权所有2012，德州仪器
UCC27511
UCC27512
SLUSAW9C - 2012年2月 - 修订2012年6月
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典型应用图
非反相输入端
V+
4.5 V至18 V
C2
VSOURCE
非反相输入端
VSOURCE
L1
UCC27511
D1
IN +
6
IN +
VDD
1
Q1
R1
5
IN-
OUTH
2
+
R2
4
GND
OUTL
3
C1
V+
C2
3
VDD
OUT
4
4.5 V至18 V
R3
2
GND
GND
5
VOUT
IN +
1
IN +
IN-
6
UCC27512
L1
D1
VOUT
Q1
+
C1
反相输入
V+
VSOURCE
C2
4.5 V至18 V
反相输入
VSOURCE
L1
L1
UCC27511
D1
6
IN +
VDD
1
Q1
R1
IN-
5
IN-
OUTH
2
+
R2
4
GND
OUTL
3
C2
C1
V+
3
VDD
OUT
4
4.5 V至18 V
R3
C1
2
GND
GND
5
VOUT
Q1
+
1
IN +
IN-
6
IN-
UCC27512
D1
说明（续）
UCC27511采用了双输入设计，它提供了实现这两个反相（ IN-引脚）的灵活性和非
反相（IN +引脚），具有相同的设备配置。无论是在+或IN-引脚可被用来控制状态
驱动器输出。未使用的输入引脚，可用于启用和禁用功能。为了安全起见，内部
上拉和下拉电阻输入引脚上确保输出保持低电平时输入引脚处于浮置
条件。因此，未使用的输入引脚不能悬空，需要适当地偏置，以确保
驱动器输出使能正常运行。
该UCC27511器件的输入引脚的阈值是基于TTL和CMOS兼容低电压逻辑，
是固定的，独立的VDD电源电压。高，低阈值之间的报价宽滞回
卓越的抗干扰能力。
2
版权所有2012，德州仪器
UCC27511
UCC27512
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SLUSAW9C - 2012年2月 - 修订2012年6月
这个集成电路可以被ESD损坏。德州仪器建议所有集成电路与处理
适当的预防措施。如果不遵守正确的操作和安装程序，可以造成损坏。
ESD损害的范围可以从细微的性能下降，完成设备故障。精密集成电路可能会更
容易受到伤害，因为很小的参数变化可能导致设备不能满足其公布的规格。
订购信息
(1) (2)
产品型号
包
峰值电流
（源/汇）
4-A/8-A
（非对称驱动器）
4-A/8-A
（非对称驱动器）
输入阈值
逻辑
CMOS / TTL兼容
（低电压，独立
VDD的偏置电压）
CMOS / TTL兼容
（低电压，独立
VDD的偏置电压）
操作
温度范围
T
A
UCC27511DBV
SOT - 23 6针
3毫米×3mm的WSON ， 6
针
-40 ℃140 ℃的
UCC27512DRS
(1)
(2)
对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾。
所有封装使用无铅钯镍金铅完成这与MSL等级1兼容，在255 ° C到260°C峰值回流焊温度为
有两种无铅或锡/铅焊接操作。 DRS封装，额定MSL 2级。
表1. UCC2751x产品系列概述
产品型号
UCC27511DBV
UCC27512DRS
UCC27516DRS
UCC27517DBV
UCC27518DBV
UCC27519DBV
(1)
(1)
(1)
(1)
(1)
包
SOT - 23 ， 6针
3毫米x 3毫米WSON ， 6针
3毫米x 3毫米WSON ， 6针
SOT - 23 ， 5针
SOT - 23 ， 5针
SOT - 23 ， 5针
峰值电流
（源/汇）
4-A/8-A
（非对称驱动器）
4-A/4-A
（对称的驱动）
输入阈值逻辑
CMOS / TTL兼容
（低电压，独立于VDD
偏置电压）
CMOS
（如下VDD偏压）
访问
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3
UCC27511
UCC27512
SLUSAW9C - 2012年2月 - 修订2012年6月
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绝对最大额定值
(1) (2) (3)
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
民
电源电压范围
OUTH的电压， （ UCC27511 ）
OUTL的电压， （ UCC27511 ）
输出电压（ UCC27512 ）
连续输出电流
（ OUTH源电流和OUTL灌电流）
输出脉冲电流（ 0.5微秒）
（ OUTH源电流和OUTL灌电流）
IN + ， IN-
(5)
ESD
工作结温范围，T
J
存储温度范围，T
英镑
焊接温度
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
焊接， 10秒。
回流
人体模型HBM
带电器件模型， CDM
-40
-65
DC
重复脉冲小于200纳秒
(4)
I
OUT_DC
（来源）
I
OUT_DC
（汇）
I
OUT_pulsed
（来源）
I
OUT_pulsed
（汇）
-0.3
VDD
-0.3
-0.3
最大
20
20
V
单位
-0.3 VDD + 0.3
-0.3 VDD + 0.3
-2 VDD + 0.3
0.3
0.6
4
8
20
4000
1000
150
150
300
260
°C
V
A
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值
只有与设备，在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作
条件“是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
所有的电压是相对于GND ，除非另有说明。电流是积极进入，负出指定的终端。看
该数据表的热限制和包装的考虑，包装部。
这些器件对静电放电敏感;遵循正确的设备处理程序。
值由替补席上特性验证。
在输入引脚的最大电压不受VDD引脚上的电压限制。
4
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UCC27511
UCC27512
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推荐工作条件
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
民
电源电压范围， VDD
工作结温范围
输入电压，IN +和IN
4.5
-40
0
典型值
12
最大
18
140
18
单位
V
°C
V
热信息
UCC27511
热公制
θ
JA
θ
JCtop
θ
JB
ψ
JT
ψ
JB
θ
JCbot
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
(7)
结至环境热阻
结至电路板的热阻
(4)
(2)
UCC27512
(1)
SOT- 23 （ DBV ）
6针
217.8
97.6
72.2
8.6
71.6
不适用
(7)
WSON
85.6
单位
6针
100.1
58.6
7.5
58.7
23.7
° C / W
结至外壳（顶部）热阻
(3)
结至顶部的特征参数
(5)
结至电路板的特征参数
(6)
结至外壳（底部）热阻
有关传统和新的热度量的更多信息，请参阅
IC封装热度量
申请报告，
SPRA953.
在自然对流的结点至环境热阻是在一个JEDEC标准，高K板上的模拟获得，如
在JESD51-7指定，在JESD51-2a描述的环境。
通过模拟在封装顶部冷板试验获得的结到壳体（顶部）的热阻。没有具体JEDEC-
标准测试存在，但密切描述可以在ANSI SEMI标准G30-88被发现。
通过模拟的环境中具有环冷板夹具来控制印刷电路板得到的结到电路板的热阻
温度，如在JESD51-8说明。
结至顶部的特征参数，
ψ
JT
估计装置的结温在实际的系统中，并且被提取
从仿真数据用于获得
θ
JA
使用在JESD51-2a描述的方法（第6和7）。
结至电路板的特征参数，
ψ
JB
估计装置的结温在实际的系统中，并且被提取
从仿真数据用于获得
θ
JA
使用在JESD51-2a描述的方法（第6和7）。
通过在暴露的（功率）垫模拟冷板试验获得的结到壳体（底部）的热阻。没有具体
JEDEC标准测试存在，但密切描述可以在ANSI SEMI标准G30-88被发现。
记
在相同的功耗条件下， DRS的包将允许保持
下模温度比DBV 。
θ
JA
度量应该用于功率的比较
不同的套餐之间的散热能力（参考应用程序
信息部分） 。
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UCC27511 UCC27512
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单通道高速低侧栅极驱动器
（与4 -A峰值源和8 -A峰汇）
检查样品：
UCC27511 ， UCC27512
1
特点
低成本栅极驱动器设备提供卓越
更换NPN和PNP离散
解决方案
4 -A峰值源和8 - A峰值水槽
非对称的驱动器
强灌电流提供了增强
免疫力米勒Turnon
分割输出配置（可以轻松和
turnon和倒胃口的独立调节
速度） ，在UCC27511
快速的传输延迟（ 13 ns典型）
快速的上升和下降时间（ 9 - NS和7 -NS
典型）
4.5至18 V单电源电压范围
输出保持低电平，在VDD欠压锁定（确保可靠
在上电和断电无故障运行
下）
TTL和CMOS兼容输入逻辑
阈值（电源电压无关）
对于高噪声迟滞，逻辑阈值
免疫
双输入设计（选用反相的（ IN-
针）或同相（IN +引脚）驱动程序
配置）
- 未使用的输入引脚，可用于启用
或禁用功能
输出保持低电平时，输入引脚浮
输入端子绝对最大电压电平
不局限于由VDD引脚偏置电源
电压
-40 ° C工作温度范围
+140°C
6引脚DBV （ SOT- 23）和6引脚DRS （3毫米× 3
毫米WSON与裸露热焊盘）
封装选项
应用
开关模式电源
的DC- DC转换器
同伴栅极驱动器设备的数字
电源控制器
太阳能，电机控制， UPS
栅极驱动器为新兴宽禁带
功率器件（如GaN ）
描述
该UCC27511和UCC27512单通道高
高速低侧栅极驱动器能够
有效地推动MOSFET和IGBT功率
开关。使用设计，本质上减少
直通电流， UCC27511和UCC27512
能够送出和吸收高峰值电流
脉冲转换成容性负载提供轨到轨驱动器
能力和极小的传输延迟
通常13纳秒。
该UCC27511与UCC27512提供了4 -A源，
8 -A片（非对称的驱动器）的峰值驱动电流
能力。在非对称的驱动强大的吸收能力
增强免疫能力，抵抗寄生虫，米勒turnon效果。
该UCC27511器件还采用了独特的分体式
输出结构，其中所述栅极驱动电流是
通过OUTH销货源，并通过OUTL沉没
引脚。这种独特的管脚排列，用户可以
应用独立turnon和关断电阻的
OUTH和OUTL引脚分别与轻松控制
开关转换速率。
UCC27511和UCC27512被设计成操作
在4.5 18 V宽很宽VDD范围
温度范围为-40 ° C至+ 140 ℃。国内
VDD引脚上的欠压锁定（ UVLO ）电路
保持输出低电平之外VDD工作范围。该
能力，在低电压电平，例如操作
低于5伏，连同最佳的级交换
特性，特别适用于驱动
新兴宽带隙功率开关器件
诸如GaN功率半导体器件。
1
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
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典型应用图
非反相输入端
V+
4.5 V至18 V
C2
VSOURCE
非反相输入端
VSOURCE
L1
UCC27511
D1
IN +
6
IN +
VDD
1
Q1
R1
5
IN-
OUTH
2
+
R2
4
GND
OUTL
3
C1
V+
C2
3
VDD
OUT
4
4.5 V至18 V
R3
2
GND
GND
5
VOUT
IN +
1
IN +
IN-
6
UCC27512
L1
D1
VOUT
Q1
+
C1
反相输入
V+
VSOURCE
C2
4.5 V至18 V
反相输入
VSOURCE
L1
L1
UCC27511
D1
6
IN +
VDD
1
Q1
R1
IN-
5
IN-
OUTH
2
+
R2
4
GND
OUTL
3
C2
C1
V+
3
VDD
OUT
4
4.5 V至18 V
R3
C1
2
GND
GND
5
VOUT
Q1
+
1
IN +
IN-
6
IN-
UCC27512
D1
描述（续）
UCC27511采用了双输入设计，它提供了实现这两个反相（ IN-引脚）的灵活性和非
反相（IN +引脚），具有相同的设备配置。无论是在+或IN-引脚可被用来控制状态
驱动器输出。未使用的输入引脚，可用于启用和禁用功能。为了安全起见，内部
上拉和下拉电阻的输入引脚确保输出保持低电平时，输入引脚处于浮
条件。因此，未使用的输入引脚不悬空，必须正确偏置，以确保驱动器输出
是启用正常运行。
该UCC27511器件的输入引脚的阈值是基于TTL和CMOS兼容低电压逻辑，
是固定的，独立的VDD电源电压。高，低阈值之间的报价宽滞回
卓越的抗干扰能力。
2
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这个集成电路可以被ESD损坏。德州仪器建议所有集成电路与处理
适当的预防措施。如果不遵守正确的操作和安装程序，可以造成损坏。
ESD损害的范围可以从细微的性能下降，完成设备故障。精密集成电路可能会更
容易受到伤害，因为很小的参数变化可能导致设备不能满足其公布的规格。
表1.订购信息
(1) (2)
产品型号
包
峰值电流
（源/汇）
4-A/8-A
（非对称驱动器）
4-A/8-A
（非对称驱动器）
输入阈值
逻辑
CMOS / TTL兼容
（低电压，独立
VDD的偏置电压）
CMOS / TTL兼容
（低电压，独立
VDD的偏置电压）
操作
温度范围
T
A
UCC27511DBV
SOT - 23 6针
3毫米×3mm的WSON ， 6
针
-40 ℃140 ℃的
UCC27512DRS
(1)
(2)
对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾。
所有封装使用无铅钯镍金铅完成这与MSL等级1兼容，在255 ° C到260°C峰值回流焊温度为
有两种无铅或锡/铅焊接操作。 DRS封装，额定MSL 2级。
表2. UCC2751x产品系列概述
产品型号
UCC27511DBV
UCC27512DRS
UCC27516DRS
UCC27517DBV
UCC27518DBV
UCC27519DBV
(1)
(1)
(1)
(1)
(1)
包
SOT - 23 ， 6针
3毫米x 3毫米WSON ， 6针
3毫米x 3毫米WSON ， 6针
SOT - 23 ， 5针
SOT - 23 ， 5针
SOT - 23 ， 5针
峰值电流
（源/汇）
4-A/8-A
（非对称驱动器）
4-A/4-A
（对称的驱动）
输入阈值逻辑
CMOS / TTL兼容
（低电压，独立于VDD
偏置电压）
CMOS
（如下VDD偏压）
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最新的产品数据表。
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绝对最大额定值
(1) (2) (3)
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
民
电源电压范围
OUTH的电压， （ UCC27511 ）
OUTL的电压， （ UCC27511 ）
输出电压（ UCC27512 ）
连续输出电流
（ OUTH源电流和OUTL灌电流）
输出脉冲电流（ 0.5微秒）
（ OUTH源电流和OUTL灌电流）
IN + ， IN-
(5)
ESD
工作结温范围，T
J
存储温度范围，T
英镑
焊接温度
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
焊接， 10秒。
回流
人体模型HBM
带电器件模型， CDM
-40
-65
DC
重复脉冲小于200纳秒
(4)
I
OUT_DC
（来源）
I
OUT_DC
（汇）
I
OUT_pulsed
（来源）
I
OUT_pulsed
（汇）
-0.3
VDD
-0.3
-0.3
最大
20
20
V
单位
-0.3 VDD + 0.3
-0.3 VDD + 0.3
-2 VDD + 0.3
0.3
0.6
4
8
20
4000
1000
150
150
300
260
°C
V
A
强调超越那些在列
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件，仅及功能操作
推荐工作
条件
是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
所有的电压是相对于GND ，除非另有说明。电流是成正和负出指定的终端。看
该数据表的热限制和包装的考虑，包装部。
这些器件对静电放电敏感;遵循正确的设备处理程序。
值由替补席上特性验证。
在输入引脚的最大电压不受VDD引脚上的电压限制。
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推荐工作条件
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
民
电源电压范围， VDD
工作结温范围
输入电压，IN +和IN
4.5
-40
0
典型值
12
最大
18
140
18
单位
V
°C
V
热信息
UCC27511
热公制
θ
JA
θ
JCtop
θ
JB
ψ
JT
ψ
JB
θ
JCbot
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
(7)
结至环境热阻
结至电路板的热阻
(4)
(2)
UCC27512
(1)
SOT- 23 （ DBV ）
6针
217.8
97.6
72.2
8.6
71.6
不适用
(7)
WSON
85.6
单位
6针
100.1
58.6
7.5
58.7
23.7
° C / W
结至外壳（顶部）热阻
(3)
结至顶部的特征参数
(5)
结至电路板的特征参数
(6)
结至外壳（底部）热阻
有关传统和新的热度量的更多信息，请参阅
IC封装热度量
申请报告，
SPRA953.
在自然对流的结点至环境热阻是在一个JEDEC标准，高K板上的模拟获得，如
在JESD51-7指定，在JESD51-2a描述的环境。
通过模拟在封装顶部冷板试验获得的结到壳体（顶部）的热阻。没有具体JEDEC-
标准测试存在，但密切描述可以在ANSI SEMI标准G30-88被发现。
通过模拟的环境中具有环冷板夹具来控制印刷电路板得到的结到电路板的热阻
温度，如在JESD51-8说明。
结至顶部的特征参数，
ψ
JT
估计装置的结温在实际的系统中，并且被提取
从仿真数据用于获得
θ
JA
使用在JESD51-2a描述的方法（第6和7）。
结至电路板的特征参数，
ψ
JB
估计装置的结温在实际的系统中，并且被提取
从仿真数据用于获得
θ
JA
使用在JESD51-2a描述的方法（第6和7）。
通过在暴露的（功率）垫模拟冷板试验获得的结到壳体（底部）的热阻。没有具体
JEDEC标准测试存在，但密切描述可以在ANSI SEMI标准G30-88被发现。
间隔
记
在相同的功耗条件下， DRS的包将允许保持
下模温度比DBV 。
θ
JA
度量应该用于功率的比较
不同的套餐之间的散热能力（参见
应用
信息
部分） 。
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