UCC27423 ， UCC27424 ， UCC27425
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SLUS545D - 2002年11月 - 修订2013年5月
双4 -A高速低侧MOSFET驱动器与启用
检查样品：
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1
特点
业界标准引脚输出
启用功能为每个驱动程序
± 4A的高电流驱动能力
独特的双极型和CMOS真正的驱动输出
级提供大电流MOSFET在米勒
门槛
的TTL / CMOS兼容输入独立
电源电压
20ns的典型上升和15ns的典型下降时间
与1.8nF负载
同为25ns的典型传播延迟时间
输入的下降沿并为35ns与输入上升
4V至15V电源电压
双输出可以并联以更高
驱动电流
采用耐热增强型MSOP
4.7 ° C / W使用PowerPad 封装
θ
JC
额定工作在-40° C至125°C
描述
该UCC27423 / 4/5系列的高速双
MOSFET驱动器能够提供大的峰值电流为
的容性负载。三个标准逻辑选项
提供 - 双反相，双同相和单
反相和一个非反相驱动器。热
增强型8引脚使用PowerPad MSOP封装（ DGN ）
大大降低了热阻，提高
长期可靠性。它也提供了在标准中
SOIC-8 （D）或PDIP- 8 （P）的包。
使用设计，本质上减少了拍摄开启
通过电流，这些驱动器提供电流4A
它是在米勒高原地区最需要的
在MOSFET的开关转换。独特
平行双极和MOSFET混合输出级
还可以有效的电流源，并在下沉
低的电源电压。
该UCC27423 / 4/ 5提供使能（ ENBL ）功能
以更好地控制该驱动器的动作的
应用程序。 ENBA和ENBB实现上
管脚1和8，其先前未被使用的
工业标准引脚输出。他们在内部上拉
至VDD，高电平有效逻辑都可以打开
为规范运作。
框图
2
应用
开关模式电源
DC / DC转换器
电机控制器
线路驱动器
D类开关放大器
8
ENBA 1
反相
ENBB
7
INA 2
VDD
非反相
反相
GND 3
5
INB 4
非反相
6
OUTA
VDD
OUTB
UDG-01063
1
2
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
使用PowerPad是德州仪器的商标。
版权所有 2002至13年，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
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订购信息
产量
CON组fi guration
双反相
双通道同相
一个反相， 1
同相
(1)
(2)
温度范围
T
A
= T
J
-40_C到125_C
-40_C到125_C
-40_C到125_C
包装设备
SOIC-8
(D)
(1)
UCC27423D
UCC27424D
UCC27425D
MSOP - 8使用PowerPad
（ DGN ）
(2)
UCC27423DGN
UCC27424DGN
UCC27425DGN
PDIP-8
(P)
UCC27423P
UCC27424P
UCC27425P
D（ SOIC - 8）和DGN （使用PowerPad - MSOP ）封装都提供卷带封装。加上R后缀的设备类型（例如UCC27423DR ，
UCC27424DGNR ）订购的每卷2500设备为D或每卷1000设备的DGN包的数量。
在使用PowerPad 没有直接连接到封装的任何线索。然而，它是电和热连接到
基材，并且是该装置的接地。
D， DGN或P包装
（ TOP VIEW ）
UCC27423
ENBA 1
INA 2
GND 3
INB 4
8 ENBB
7 OUTA
6 VDD
5 OUTB
ENBA 1
INA 2
GND 3
INB 4
D， DGN或P包装
（ TOP VIEW ）
UCC27424
8 ENBB
7 OUTA
6 VDD
5 OUTB
ENBA 1
INA 2
GND 3
INB 4
D， DGN或P包装
（ TOP VIEW ）
UCC27425
8 ENBB
7 OUTA
6 VDD
5 OUTB
（双反相）
（双非反相）
（一相和
一个非反相）
功耗额定值表
包
SOIC-8
PDIP-8
MSOP PowerPAD的- 8
(1)
(2)
(3)
苏FFI X
D
P
DGN
θ
JC
（ ° C / W）
42
49
4.7
θ
JA
（ ° C / W）
84 - 160
110
50 - 59
额定功率（毫瓦）
T
A
= 70°C
(1)
344–655
(2)
500
1370
降额因子
以上
70 ° C（毫瓦/ ° C）
(1)
6.25–11.9
(2)
9
17.1
(3)
125 ° C的工作结温是用于额定功率计算
值的范围表示印刷电路板的影响。这些值是为了给系统设计者的最佳指示
而最坏的情况下。在一般情况下，系统设计人员应该尝试，以便在印刷电路板，其中可能使用更大的痕迹
传播的热量带走更有效地形成该设备。有关使用PowerPad 封装的信息，请参阅技术简介，
PowerPAD热增强型封装，
德州仪器（ SLMA002 ）和应用简介，
使用PowerPad一点通，
得克萨斯州
仪器（ SLMA004 ） 。
在使用PowerPad 没有直接连接到封装的任何线索。然而，它是电和热连接到
基材，并且是该装置的接地。
表1.输入/输出表
输入（ VIN_L ， VIN_H ）
ENBA
H
H
H
H
L
ENBB
H
H
H
H
L
INA
L
L
H
H
X
INB
L
H
L
H
X
UCC27423
OUTA
H
H
L
L
L
OUTB
H
L
H
L
L
UCC27424
OUTA
L
L
H
H
L
OUTB
L
H
L
H
L
UCC27425
OUTA
H
H
L
L
L
OUTB
L
H
L
H
L
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绝对最大额定值
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
V
DD
I
OUT_DC
I
OUT_pulsed
V
IN
电源电压
输出电流（ OUTA ， OUTB ） DC
脉冲（ 0.5μs的）
输入电压（ INA ， INB ）
开启电压（ ENBA ， ENBB ）
DGN包装
在T功耗
A
= 25°C
T
J
T
英镑
结工作温度
储存温度
焊接温度（焊接， 10秒）
(1)
包
P包
(1)
价值
-0.3 16
0.2
4.5
-5至6或V
DD
+0.3 （以较大者为准）
0.3 V至6 V或V
DD
+0.3 （以较大者为准）
3
650
350
-55到150
-65到150
300
单位
V
A
A
V
W
mW
°C
当VDD
≤
6 V ， EN等级最大值为6 V ;当VDD > 6 V ， EN等级最大值为VDD + 0.3 V.
电气特性
V
DD
= 4.5V至15V ，T
A
= -40 ° C至125 ° C，T
A
= T
J
（除非另有说明）
参数
输入（ INA ， INB ）
V
IN_H
V
IN_L
逻辑1输入阈值
逻辑0输入阈值
输入电流
输出（ OUTA ， OUTB ）
输出电流
V
OH
V
OL
高电平输出电压
低级别的输出电平
输出电阻高
输出电阻低
闭锁保护
开关时间
t
r
t
f
t
d1
t
d2
(1)
(2)
上升时间（ OUTA ， OUTB ）
下降时间（ OUTA ， OUTB ）
延迟时间，上升（IN与OUT ）
延迟时间，下降（IN与OUT ）
C
负载
= 1.8 nF的
C
负载
= 1.8 nF的
C
负载
= 1.8 nF的
C
负载
= 1.8 nF的
20
15
25
35
40
40
40
50
ns
V
DD
= 14 V
(1)
测试条件
民
2
典型值
最大
单位
1
0 V
≤
V
IN
≤
V
DD
–10
0
4
330
22
25
18
1.9
1.2
500
2.2
30
450
45
35
45
2.5
4.0
10
V
μA
A
mV
V
OH
= V
DD
– V
OUT
, I
OUT
= -10毫安
I
OUT
= 10毫安
T
A
= 25 ° C，I
OUT
= -10毫安，V
DD
= 14 V
(2)
T
A
=齐全，我
OUT
= -10毫安，V
DD
= 14 V
(2)
T
A
= 25 ° C，I
OUT
= 10 mA时， V
DD
= 14 V
(2)
T
A
=全系列我
OUT
= 10 mA时， V
DD
= 14 V
(2)
mA
驱动器的上拉/下拉电路是并联双极型和MOSFET晶体管。脉冲输出电流额定值为
合并从双极和MOSFET晶体管的电流。
驱动器的上拉/下拉电路是并联双极型和MOSFET晶体管。输出电阻的的RDS（ON）
的MOSFET晶体管，当在驱动器输出端的电压小于所述双极晶体管的饱和电压。
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电气特性（续）
V
DD
= 4.5V至15 V ，T
A
= -40 ° C至125 ° C，T
A
= T
J
（除非另有说明）
参数
启用（ ENBA ， ENBB ）
V
IN_H
V
IN_L
R
ENBL
t
D3
t
D4
高电平输入电压
低电平输入电压
迟滞
使阻抗
传播延迟时间（见
图2）
传播延迟时间（见
图2）
V
DD
= 14 V ， ENBL = GND
C
负载
= 1.8 nF的
C
负载
= 1.8 nF的
INA = 0 V ， INB = 0 V
UCC27423
INA = 0 V ， INB = HIGH
INA = HIGH ， INB = 0 V
INA = HIGH ， INB = HIGH
INA = 0 V ， INB = 0 V
I
DD
静态工作电流，
V
DD
= 15 V,
ENBA = ENBB = 15 V
UCC27424
INA = 0 V ， INB = HIGH
INA = HIGH ， INB = 0 V
INA = HIGH ， INB = HIGH
INA = 0 V ， INB = 0 V
UCC27425
INA = 0 V ， INB = HIGH
INA = HIGH ， INB = 0 V
INA = HIGH ， INB = HIGH
INA = 0 V ， INB = 0 V
I
DD
残疾人，V
DD
= 15 V,
ENBA = ENBB = 0 V
所有
INA = 0 V ， INB = HIGH
INA = HIGH ， INB = 0 V
INA = HIGH ， INB = HIGH
(1)
(2)
低到高的转变
HI到LO转型
1.7
1.1
0.15
75
2.4
1.8
0.55
100
30
100
900
750
750
600
300
750
750
1200
600
1050
450
900
300
450
450
600
2.9
2.2
0.90
140
60
150
1350
1100
1100
900
450
1100
1100
1800
900
1600
700
1350
450
700
700
900
μA
μA
μA
μA
k
ns
V
(1) (2)
测试条件
民
典型值
最大
单位
整体
驱动器的上拉/下拉电路是并联双极型和MOSFET晶体管。峰值输出电流额定值为
合并从双极和MOSFET晶体管的电流。
驱动器的上拉/下拉电路是并联双极型和MOSFET晶体管。输出电阻的的RDS（ON）
的MOSFET晶体管，当在驱动器输出端的电压小于所述双极晶体管的饱和电压。
(a)
+5V
90%
90%
(b)
输入
输入
10%
0V
t
D1
16V
90%
产量
90%
t
F
t
D2
t
f
10%
t
F
t
D1
产量
90%
t
D2
t
F
10%
0V
10%
图1.开关波形为（ A）反相驱动器和（b ）同相驱动器
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5V
ENBx
0V
t
D3
V
DD
90%
的OUTx
t
R
10%
0V
注： 10 ％和90％的阈值描绘了支配功率MOSFET的双极性输出设备的动态
通过操作米勒区过渡。
90%
t
F
t
D4
V
IN_H
V
IN_L
图2.开关波形为使能到输出
终端功能
终奌站
号
1
名字
ENBA
I / O
I
功能
使能输入驱动器A和逻辑兼容阈值和迟滞。驱动器输出可以启用和禁用
该引脚。它在内部上拉至V
DD
用100kΩ的电阻为高电平有效运作。当装置的输出状态
残疾人将是低，不管输入状态。
输入A.输入有逻辑兼容阈值和迟滞的驱动程序的信号。如果不使用，该输入应连接到
VDD或GND 。它不应该被悬空。
(1)
共同点。这个理由应该很好地连接到功率MOSFET使驾驶员驾驶的来源。
I
O
I
O
I
它具有逻辑兼容阈值和迟滞的驱动程序的输入B.输入信号。如果不使用，该输入应连接到
VDD或GND 。它不应该被悬空。
驱动器的输出B的输出级能够提供图4A的驱动电流，功率MOSFET的栅极。
供应。电源电压和该设备的电源输入连接。
驱动器输出A的输出级能够提供图4A的驱动电流，功率MOSFET的栅极。
使能输入用于逻辑兼容阈值和迟滞的驱动程序B 。驱动器输出可以启用和禁用
该引脚。它在内部上拉至V
DD
用100kΩ的电阻为高电平有效运作。当装置的输出状态
残疾人将是低，不管输入状态。
(1)
2
3
4
5
6
7
8
INA
GND
INB
OUTB
VDD
OUTA
ENBB
I
(1)
请参阅
应用信息
更多的细节部分。
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