UCC27423-Q1
UCC27424-Q1
UCC27425-Q1
www.ti.com
SGLS274D
–
2008年9月
–
经修订的2011年8月
用启用双4 -A高速低侧MOSFET驱动器
检查样品:
UCC27423 -Q1 , UCC27424 -Q1 , UCC27425 -Q1
1
特点
通过汽车应用认证
工业标准引脚
启用功能为每个驱动程序
高电流驱动能力
±4
A
独特的双极型和CMOS真正的驱动输出
级提供大电流MOSFET在米勒
门槛
的TTL / CMOS兼容输入独立
电源电压
20 - ns典型上升和15 - ns典型秋季
与1.8 nF的加载时间
为25 ns典型传播延迟时间
输入下降到35 ns的输入与瑞星
4 V至15 V电源电压
双输出可以并联以更高
驱动电流
额定起
–40°C
至125℃
2
描述
该UCC2742x高速双MOSFET驱动器
可以提供较大的峰值电流为容性负载。
两个标准逻辑选项提供
–
双
反相和同相的双驱动。他们是
在标准的SOIC -8 (D)的封装。
使用设计,本质上减少
直通电流,这些驱动器提供4 -A
目前,其中最需要的,在米勒平台
地区, MOSFET开关转换期间。一
独特的双极和MOSFET混合输出级
同时还允许高效的电流源和
沉没在低电源电压。
该UCC2742x提供使能( ENBL )功能
更好地控制驾驶者的操作的
应用程序。 ENBA和ENBB实现上
管脚1和8所示,这在以前未使用的
工业标准引脚排列。他们在内部上拉
到V
DD
为高电平有效逻辑和可打开的时间
规范运作。
图1.框图
应用
开关模式电源
DC / DC转换器
电机控制器
线路驱动器
D类开关放大器
8
ENBA 1
反相
ENBB
7
INA 2
VDD
同相
反相
GND 3
5
INB 4
同相
6
OUTA
VDD
OUTB
1
2
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
使用PowerPad是德州仪器的商标。
版权
2008-2011年,德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
UCC27423-Q1
UCC27424-Q1
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SGLS274D
–
2008年9月
–
经修订的2011年8月
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订购信息
(1) (2)
T
A
CON组fi guration
双反相
双通道同相
–40°C
至125℃
双反相
双通道同相
一个反相,
一个同相
(1)
(2)
SOIC
–
D
2500卷
包
MSOP
–
DGN
2500卷
订购
产品型号
UCC27423QDGNRQ1
UCC27424QDGNRQ1
UCC27423QDRQ1
UCC27424QDRQ1
UCC27425QDRQ1
顶部端标记
EADQ
EPJQ
27423Q
27424Q
27425Q
对于最新的封装和订购信息,请参阅封装选项附录本文档的末尾,或见TI
网站:
www.ti.com 。
包装图纸,热数据和符号可在
www.ti.com/packaging 。
UCC27423
D组或DGN包装
( TOP VIEW )
UCC27424
D组或DGN包装
( TOP VIEW )
UCC27425
包
( TOP VIEW )
ENBA 1
INA 2
GND 3
INB 4
8 ENBB
7 OUTA
6 VDD
5 OUTB
ENBA 1
INA 2
GND 3
INB 4
8 ENBB
7 OUTA
6 VDD
5 OUTB
ENBA 1
INA 2
GND 3
INB 4
8 ENBB
7 OUTA
6 VDD
5 OUTB
(双反相)
(双非反相)
(一个反相,
一个非反相)
终端功能
终奌站
名字
ENBA
INA
GND
INB
OUTB
VDD
OUTA
ENBB
号
1
2
3
4
5
6
7
8
O
I
I
O
I / O
描述
使能输入驱动器A和逻辑兼容阈值和迟滞。驱动器的输出可以被使能
和禁用该引脚。它在内部上拉至V
DD
100 - kΩ电阻为高电平有效运作。该
当该装置处于关闭状态的输出状态为低,无论输入状态。
输入A.输入有逻辑兼容阈值和迟滞的驱动程序的信号。如果不使用时,该输入
应该连接到无论是V
DD
或GND 。它不应该被悬空。
共同点。这个理由应该很好地连接到功率MOSFET的源,
该驱动器被驱动。
它具有逻辑兼容阈值和迟滞的驱动程序的输入B.输入信号。如果不使用时,该输入
应该连接到无论是V
DD
或GND 。它不应该被悬空。
驱动器的输出B的输出级能够提供4-A中的驱动电流,功率MOSFET的栅极。
电源电压和该设备的电源输入连接。
驱动器输出A的输出级能够提供4-A中的驱动电流,功率MOSFET的栅极。
使能输入用于逻辑兼容阈值和迟滞的驱动程序B 。驱动器的输出可以被使能
和禁用该引脚。它在内部上拉至V
DD
100 - kΩ电阻为高电平有效运作。该
当该装置处于关闭状态的输出状态为低,无论输入状态。
I
I
2
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UCC27423-Q1
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输入/输出表
ENBA
H
H
H
H
L
ENBB
H
H
H
H
L
输入(V
IN_L
, V
IN_H
)
INA
L
L
H
H
X
INB
L
H
L
H
X
H
H
L
L
L
UCC27423
OUTA
OUTB
H
L
H
L
L
L
L
H
H
L
UCC27424
OUTA
OUTB
L
H
L
H
L
H
H
L
L
L
UCC27425
OUTA
OUTB
L
H
L
H
L
绝对最大额定值
(1)
V
DD
I
OUT
V
IN
V
EN
P
D
T
J
T
英镑
(1)
(2)
电源电压
输出电流
输入电压
开启电压
功耗
结工作温度范围
存储温度范围
(2)
在工作自由空气的温度范围内(除非另有说明)
–0.3
V到16V的
DC
脉冲, 0.5
μs
INA , INB
ENBA , ENBB
T
A
= 25°C
0.3 A
4.5 A
–5
V至6 V或(V
DD
+ 0.3)
(以较大者为准)
–0.3
V至6 V或(V
DD
+ 0.3)
(以较大者为准)
650毫瓦
–55°C
至150℃
–65°C
至150℃
强调超越那些在列
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值
只和功能在这些或任何其他条件超出下所指示的设备的操作
推荐工作
条件
是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
所有的电压都是相对于GND 。电流是积极进入,负出,指定的终端。
耗散额定值
包
D( SOIC - 8 )
DGN ( MSOP
使用PowerPad )
(3)
(1)
(2)
(3)
θ
JC
( ° C / W)
42
4.7
θ
JA
( ° C / W)
84 160
(2)
50 59
额定功率
T
A
= 70℃( mW)的
(1)
344到655
(2)
1370
降额因子
上述牛逼
A
= 70°C
(毫瓦/ ° C)
(1)
6.25至11.9
(2)
17.1
125 ° C的工作结温是用于额定功率计算。
值的范围表示在PCB的效果。这些值是为了给系统设计者最有名的指示
和最坏情况的条件。在一般情况下,系统设计者应尝试PCB上使用较大的痕迹,在可能情况下进行传播
带走热量更有效地形成该设备。
在使用PowerPad 没有直接连接到封装的任何线索。然而,它是通过电子和热连接到
基材,并且是该装置的接地。
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电气特性
V
DD
= 4.5 V至15 V ,T
A
=
–40°C
至125℃ ,T
A
= T
J
(除非另有说明)
参数
输入( INA , INB )
V
IH
V
IL
I
IN
I
OUT
V
OH
V
OL
R
OH
R
OL
逻辑1输入阈值
逻辑0输入阈值
输入电流
输出电流
高电平输出电压
低电平输出电压
输出电阻高
输出电阻低
闭锁保护
(1)
开关时间
t
r
t
f
t
D1
t
D2
上升时间( OUTA , OUTB )
下降时间( OUTA , OUTB )
延迟时间,以上升(IN与OUT )
延迟时间,以落(IN与OUT )
C
负载
= 1.8 nF的
(1)
C
负载
= 1.8 nF的
(1)
测试条件
民
2
典型值
最大
单位
V
1
V
IN
= 0 V到V
DD
V
DD
= 14 V
(1)
(2)
V
μA
A
–10
0
4
330
22
10
输出( OUTA , OUTB )
V
OH
= V
DD
–
V
OUT
, I
OUT
=
–10
毫安,V
DD
= 14 V
I
OUT
= 10 mA时, V
DD
= 14 V
T
A
= 25 ° C,I
OUT
=
–10
毫安,V
DD
= 14 V
(3)
450
40
35
45
2.5
4
mV
mV
mA
25
18
1.9
1.2
500
30
2.2
T
A
=齐全,我
OUT
=
–10
毫安,V
DD
= 14 V
(3)
T
A
= 25 ° C,I
OUT
= 10 mA时, V
DD
= 14 V
(3)
T
A
=齐全,我
OUT
= 10 mA时, V
DD
= 14 V
(3)
20
15
25
UCC27423,
UCC27424
UCC27425
35
35
1.7
1.1
0.15
75
2.4
1.8
0.55
100
30
100
40
40
50
60
70
2.9
2.2
0.90
145
60
150
ns
ns
ns
ns
C
负载
= 1.8 nF的
(1)
C
负载
= 1.8 nF的
(1)
启用( ENBA , ENBB )
V
IN_H
V
IN_L
R
ENBL
t
D3
t
D4
(1)
(2)
(3)
(4)
高电平输入电压
低电平输入电压
迟滞
使阻抗
传播延迟时间(见
图3)
传播延迟时间(见
图3)
V
DD
= 14 V , ENBL = GND
C
负载
= 1.8 nF的
(1) (4)
C
负载
= 1.8 nF的
(1) (4)
从低到高的转变
高向低过渡
V
V
V
k
ns
ns
按设计规定
驱动器的上拉/下拉电路是并联双极型和MOSFET晶体管。脉冲输出电流额定值为
合并从双极和MOSFET晶体管的电流。
驱动器的上拉/下拉电路是并联双极型和MOSFET晶体管。输出电阻的的RDS(ON)
的MOSFET晶体管,当在驱动器输出端的电压小于所述双极晶体管的饱和电压。
未经生产测试
4
版权
2008-2011年,德州仪器