UCC27323 ， UCC27324 ， UCC27325

UCC37323 ， UCC37324 ， UCC37325

SLUS492B - 2001年6月 - 修订2002年9月

双4A峰值高速低侧功率MOSFET驱动器

特点

D

业界标准引脚输出

D

高电流驱动能力

±4

a。在

D

D

D

D

D

D

D

D

D

米勒高原地区

高效恒流采购使用

独特的双极& CMOS输出级

的TTL / CMOS兼容输入独立

电源电压

20 - ns典型上升和15 - ns典型秋季

与1.8 nF的加载时间

为25 ns典型传播延迟时间

输入下降到35 ns的输入与瑞星

4 V至15 V电源电压

0.3 mA电源电流

双输出可以并联以更高

驱动电流

采用耐热增强型MSOP

使用PowerPad

TM

包带4.7 ° C / W

θJC

额定工作在-40° C至85°C

应用

D

开关模式电源

D

DC / DC转换器

D

电机控制器

D

线路驱动器

描述

该UCC37323 / 4/5系列高速双MOSFET

驱动程序可以提供较大的峰值电流为电容

loads.Three标准逻辑选项提供 -

双反转，双同相和1相和

一个同相的驱动程序。热增强型8引脚

使用PowerPad

TM

MSOP封装（ DGN ）显着降低

的热阻，提高长期可靠性。

它也提供在标准的SOIC -8 （D）或PDIP- 8

（P）的包。

使用设计，本质上减少贯通

目前，这些驱动器提供的当前4 -A它在哪里

在最需要的米勒高原地区

MOSFET的开关转换。独特的双极和

并联混合动力MOSFET输出级还可以

有效的电流源和吸收在低电源

电压。

框图

反相

N / C 1

8 N / C

INA 2

GND 3

7 OUTA

非反相

反相

6 VDD

INB 4

5 OUTB

非反相

UDG–01063

PowerPADt是德州仪器的商标。

请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在德州仪器公司的关键应用程序使用

半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。

PRODUCTION数据信息为出版日期。

产品符合每德州仪器条款规范

标准保修。生产加工并不包括

所有测试参数。

版权

2002年，德州仪器

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订购信息

产量

CON组fi guration

温度范围

TA = TJ

-40 ° C至+ 85°C

双反相

双通道同相

人nonIn二厅

一个反相，

一个同相

0 ° C至+ 70°C

-40 ° C至+ 85°C

0 ° C至+ 70°C

-40 ° C至+ 85°C

0 ° C至+ 70°C

包装设备

SOIC-8 （D）的

UCC27323D

UCC37323D

UCC27324D

UCC37324D

UCC27325D

UCC37325D

MSOP - 8使用PowerPad

（ DGN ）

UCC27323DGN

UCC37323DGN

UCC27324DGN

UCC37324DGN

UCC27325DGN

UCC37325DGN

PDIP - 8 （ P）

UCC27323P

UCC37323P

UCC27324P

UCC37324P

UCC27325P

UCC37325P

D（ SOIC - 8）和DGN （使用PowerPad - MSOP ）封装都提供卷带封装。加上R后缀的设备类型（例如UCC27323DR ，

UCC27324DGNR ）订购的每卷2500设备为D或每卷1000设备的DGN包的数量。

在使用PowerPad

不是直接连接到封装的任何线索。然而，电和热连接到所述基板

是该装置的接地。

D， DGN或P包装

（ TOP VIEW ）

N / A 1

INA 2

GND 3

INB 4

8

7

6

5

不适用

OUTA

VDD

OUTB

D， DGN或P包装

（ TOP VIEW ）

N / A 1

INA 2

GND 3

INB 4

8

7

6

5

不适用

OUTA

VDD

OUTB

D， DGN或P包装

（ TOP VIEW ）

N / A 1

INA 2

GND 3

INB 4

8

7

6

5

不适用

OUTA

VDD

OUTB

（双反相）

（ DUAL同相）

（一个反相，

ONE同相）

功耗额定值表

包

SOIC-8

PDIP-8

MSOP PowerPAD的- 8

见注3

苏FFI X

D

P

DGN

θJC

（ ° C / W）

42

49

4.7

θJA

（ ° C / W）

84 – 160}

110

50 – 59}

额定功率（毫瓦）

TA = 70 ° C见注1

344-655见注2

500

1370

降额因子以上

70 ° C（毫瓦/ C ）看

注1

6.25 - 11.9见注2

9

17.1

注：1。 125 ° C的工作结温是用于额定功率计算

2.值的范围表示印刷电路板的影响。这些值是为了给系统设计者的一个指示

最好的和最坏的情况下。一般情况下，系统设计人员应该尝试尽可能的印制电路板用较大的痕迹

以传播的热量带走，更有效地形成该设备。有关PowerPADt包的信息，请参见技术

简单地说，

PowerPAD热增强型封装，

德州仪器文学第SLMA002和应用简介，

使用PowerPad制造

很简单，

德州仪器文献编号SLMA004 。

3.使用PowerPad

不是直接连接到封装的任何线索。然而，它是电和热连接到

基材，并且是该装置的接地。

表1.输入/输出表

输入（ VIN_L ， VIN_H ）

INA

L

L

H

H

INB

L

H

L

H

UCC37323

OUTA

H

H

L

L

OUTB

H

L

H

L

UCC37324

OUTA

L

L

H

H

OUTB

L

H

L

H

UCC37325

OUTA

H

H

L

L

OUTB

L

H

L

H

2

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在工作自由空气的温度绝对最大额定值（除非另有说明）

电源电压，V

DD

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V至16 V

输出电流（ OUTA ， OUTB ）直流，我

OUT_DC

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.3 A

脉冲， （ 0.5

s),

I

OUT_pulsed

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.5 A . . .

在T功耗

A

= 25 ° C（ DGN包） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3 W

（D包） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 650毫瓦

（P封装） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 350毫瓦

结的工作温度，T

J

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55 ° C至150℃

贮藏温度，T

英镑

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的

引线温度（焊接， 10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300℃

超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只，和

该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不

暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。

所有的电压是相对于GND 。电流是积极进入，负出指定的终端。

电气特性，V

DD

= 4.5 V至15 V ，T

A

= T

J

（除非另有说明）

输入（ INA ， INB ）

参数

V

IN_H

，逻辑1输入阈值

V

IN_L

，逻辑0输入阈值

输入电流

0 V < = V

IN

< = V

DD

–10

0

测试条件

民

2

1

10

典型值

最大

单位

V

V

A

输出（ OUTA ， OUTB ）

参数

输出电流

VOH ，高层次的输出电压

VOL ，低电平输出电平

输出电阻高

测试条件

VDD = 14 V ，

见注1 ，

V

OH

= V

DD

– V

OUT

,

I

OUT

= 10毫安

TA = 25℃ ，

见注3

TA =全系列，

见注3

输出电阻低

TA = 25℃ ，

见注3

TA =全系列

见注3

闭锁保护

见注1

I

OUT

= -10毫安，

I

OUT

= -10毫安，

I

OUT

= 10毫安，

I

OUT

= 10毫安，

V

DD

= 14 V,

V

DD

= 14 V,

V

DD

= 14 V,

V

DD

= 14 V,

25

18

1.9

1.2

500

2.2

见注2

I

OUT

= -10毫安

民

典型值

4

300

22

30

450

40

35

42

2.5

4.0

最大

单位

A

mV

mV

mA

注： 1，通过设计保证。在生产中测试。

2.驱动器的上拉/下拉电路是并联双极型和MOSFET晶体管。脉冲输出电流额定值为

合并从双极和MOSFET晶体管的电流。

3.驱动器的上拉/下拉电路是并联双极型和MOSFET晶体管。输出电阻为R

DS （ ON）

of

在MOSFET晶体管，当在驱动器输出端的电压小于所述双极晶体管的饱和电压。

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电气特性，V

DD

= 4.5 V至15 V ，T

A

= T

J

（除非另有说明）

开关时间

参数

t

R

，上升时间（ OUTA ， OUTB ）

t

F

，下降时间（ OUTA ， OUTB ）

t

D1

，延迟时间，上升（IN与OUT ）

t

D2

，延迟，在属于（IN与OUT ）

测试条件

C

负载

= 1.8 nF的，

C

负载

= 1.8 nF的，

C

负载

= 1.8 nF的，

C

负载

= 1.8 nF的，

见图1

见图1

见图1

见图1

民

典型值

20

15

25

35

最大

40

40

40

50

单位

ns

ns

ns

ns

整体

参数

INA = 0 V ，

INA = 0 V ，

UCCx7323

INA = HIGH ，

INA = HIGH ，

INA = 0 V ，

INA = 0 V ，

国际直拨电话，静态工作电流

rrent

UCCx7324

UCC 7324

INA = HIGH ，

INA = HIGH ，

INA = 0 V ，

INA = 0 V ，

UCCx7325

UCC 7325

INA = HIGH ，

INA = HIGH ，

测试条件

INB = 0 V

INB =高

INB = 0 V

INB =高

INB = 0 V

INB =高

INB = 0 V

INB =高

INB = 0 V

INB =高

INB = 0 V

INB =高

民

典型值

300

300

300

300

2

300

300

600

150

450

150

450

最大

450

450

450

450

50

450

450

750

300

600

300

600

A

A

单位

注： 1，通过设计保证。不生产。

2.驱动器的上拉/下拉电路是并联双极型和MOSFET晶体管。峰值输出电流额定值为

合并从双极和MOSFET晶体管的电流。

3.驱动器的上拉/下拉电路是并联双极型和MOSFET晶体管。输出电阻为R

DS （ ON）

of

在MOSFET晶体管，当在驱动器输出端的电压小于所述双极晶体管的饱和电压。

(a)

+5V

90%

90%

(b)

输入

输入

10%

0V

tD1

16V

90%

产量

90%

tF

tD2

tf

10%

tF

tD1

产量

90%

tD2

tF

10%

0V

10%

图1.开关波形为（ A）反相驱动器和（b ）同相驱动器

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终端功能

终奌站

号

1

2

3

4

5

6

7

8

名字

N / C

INA

GND

INB

OUTB

VDD

OUTA

N / C

I / O

–

I

–

I

O

I

O

–

无连接。应接地。

输入A.输入有逻辑兼容阈值和迟滞的驱动程序的信号。

如果不使用，该输入应连接到VDD或GND 。它不应该被悬空。

共同点。这个理由应该是很密切相连的源

功率MOSFET ，驾驶员正在驱动。

它具有逻辑兼容阈值和迟滞的驱动程序的输入B.输入信号。

如果不使用，该输入应连接到VDD或GND 。它不应该被悬空。

驱动器的输出B的输出级能够提供4-A中的驱动电流来的栅极

功率MOSFET 。

供应。电源电压和该设备的电源输入连接。

驱动器输出A的输出级能够提供4-A中的驱动电流来的栅极

功率MOSFET 。

无连接。应接地。

功能

应用信息

一般信息

高频电源往往需要高速，大电流驱动器，如UCC37323 / 4/5系列。

领先的应用是需要提供控制的PWM输出之间的高功率缓冲级

集成电路和主功率MOSFET的栅极或IGBT的开关装置。在其他情况下，该驱动器IC是

利用通过一个驱动变压器来驱动功率器件栅极。同步整流电源也

有必要同时驱动可呈现非常大的载荷来控制多个设备

电路。

驱动器IC使用时，它是不具有主PWM调节器集成电路直接驱动开关可行

装置为一个或多个原因。在PWM IC可能没有所需的意图强力驱动能力

开关MOSFET ，限制在应用程序中的切换性能。在其他情况下，可能有希望

通过将高电流驱动器物理上接近，以减少高频开关噪声的影响

的负载。此外，新的芯片针对的最高工作频率不得将内置栅极驱动器

在所有。其PWM输出仅用于驱动高阻抗输入到驱动器，如

UCC37323 / 4/5 。最后，该控制IC可以是在热应力下，由于功率消耗和一个外部

驾驶员可以通过移动来自控制器的热量向外部包帮助。

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