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UCC27321 -Q1 ， UCC27322 -Q1

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SLUSA13C - 2010年2月 - 修订2012年3月

单9A高速低侧MOSFET驱动器与启用

检查样品：

UCC27321 -Q1 ， UCC27322 -Q1

特点

通过汽车应用认证

业界标准引脚配加

使能功能

高的峰值电流为± 9 a。在驱动能力

米勒高原地区使用TrueDrive

技术

高效恒流采购使用

独特的双极型和CMOS输出级

的TTL / CMOS兼容输入独立

电源电压

20 - ns典型上升和15 - ns典型秋季

次， 10 nF的负载

为25 ns典型传播延迟时间

输入下降到35 ns的输入与瑞星

4 V至15 V电源电压

包

（ TOP VIEW ）

采用耐热增强型MSOP

4.7 ° C / W使用PowerPad 封装

额定工作在-40° C至125°C

TrueDrive输出架构采用双极

和CMOS晶体管并联

应用

开关模式电源

DC / DC转换器

电机控制器

线路驱动器

D类开关放大器器

脉冲变压器驱动器

DGN包装

（ TOP VIEW ）

VDD

ENBL

AGND

VDD

OUT

保护地

VDD

ENBL

AGND

VDD

OUT

保护地

描述

该UCC37321 / 2系列的高速驱动器可提供峰值驱动电流为9 A的一个工业标准引脚排列。

这些驱动器可驱动的最大的MOSFET需要极端米勒电流由于高dV / dt的系统

转场。这消除了额外的外部电路，可替代多个组件，以减少空间，

设计的复杂性和装配成本。两个标准逻辑选项提供，反相（ UCC37321 ）和

同相（ UCC37322 ）。

请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用

德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。

TrueDrive ，使用PowerPad是德州仪器的商标。

PRODUCTION数据信息为出版日期。

产品符合占德州条款规范

仪器标准保修。生产加工过程中不

不一定包括所有参数进行测试。

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VDD

反相

VDD

输入/输出表

ENBL

OUT

VDD

不

反相

RENBL

100 k

OUT

反相

UCC37321

OUT

不

反相

UCC37322

ENBL

AGND

保护地

使用设计，本质上减少直通电流，这些器件的输出可以提供高

栅极驱动电流在那里的MOSFET开关转换过程中最需要的米勒高原地区。一

独特的混合输出级并联双极和MOSFET晶体管（ TrueDrive ）允许电流效率

输送在低电源电压。有了这个驱动架构， UCC37321 / 2可以在行业标准6 -A一起使用，

9 -A和许多12 -A驱动器应用。闩锁和ESD保护电路也包括在内。最后，该

UCC37321 / 2提供了一个使能（ ENBL ）函数来更好地控制驾驶者的操作的

应用程序。 ENBL是3针，这是以前闲置的工业标准引脚来实现。它

在内部上拉至VDD为高电平有效逻辑和可打开的时间标准运作。

除了SOIC - 8 （D ）封装的产品中， UCC37321 / 2还配备了增强散热，但微小的8

引脚MSOP将PowerPAD （ DGN ）封装。 PowerPAD封装的急剧降低到热阻

延伸温度操作范围，提高了长期可靠性。

订购信息

(1)

= T

产量

CON组fi guration

反相

-40_C到125_C

同相

SOIC - D

使用PowerPad - DGN

包

(2)

2500卷

订购

产品型号

UCC27321QDRQ1

UCC27322QDRQ1

UCC27322QDGNRQ1

TOP- SIDE

记号

27321Q

27322Q

EACQ

(1)

(2)

对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或见TI

网站：

www.ti.com 。

包装图纸，热数据和符号可在

www.ti.com/packaging 。

表1.端子功能

终奌站

名字

AGND

号

I / O

描述

对于输入级共同点。这个理由应该是非常紧密相连的动力之源

MOSFET的所述驱动器被驱动。理由是分开的，以尽量减少振铃影响，由于输出

开关的di / dt ，升其可以影响输入阈值。

使能输入用于逻辑兼容阈值和迟滞的驱动程序。驱动器的输出可以被使能

和禁用该引脚。据内部上拉至VDD与100 kΩ电阻为高电平有效运行。

当该装置处于关闭状态的输出状态为低，无论输入状态。

的驱动程序，它具有逻辑兼容阈值和滞后的输入信号。

驱动器输出必须在外部连接在一起。输出级是能够提供9 -A峰值

驱动电流到的功率MOSFET的栅极。

对输出级的共同点。这个理由应该是非常紧密相连的动力之源

MOSFET的所述驱动器被驱动。理由是分开的，以尽量减少振铃影响，由于输出

开关的di / dt ，这可以影响输入阈值。

电源电压和该设备的电源输入连接。这些引脚必须连接在一起

外部。

—

ENBL

OUT

保护地

VDD

6, 7

1, 8

—

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(2)

绝对最大额定值

(1)

电源电压

输出电流，输出

在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）

0.3 V至16 V

0.6 A

输入电压

ENBL

英镑

(1)

(2)

在T功耗

= 25°C

结工作温度

储存温度

包

DGN包装

-5 V至6 V或V

+ 0.3 V

（以较大者为准）

-5 V至6 V或V

+ 0.3 V

（以较大者为准）

650毫瓦

-55_C到150_C

-65_C到150_C

强调超越那些在列

绝对最大额定值

可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值

只和功能在这些或任何其他条件超出下所指示的设备的操作

推荐工作

条件

是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。

所有的电压都是相对于GND 。电流是成正和负出指定的终端。

功率耗散额定值

包

D（ SOIC - 8 ）

DGN （ MSOP - 8

使用PowerPad ）

(3)

(1)

(2)

（ ° C / W）

4.7

（ ° C / W）

84 160

(2)

50 59

(2)

额定功率

(1)

= 70°C

（ mW）的

344到655

(2)

1370

降额因子

(1)

> 70℃

（毫瓦/ ° C）

6.25至11.9

(2)

17.1

(3)

125 ° C的工作结温是用于额定功率计算。

值的范围表示在PCB的效果。这些值是为了给系统设计者最有名的指示

和最坏情况的条件。在一般情况下，系统设计者应该试图在可能时在PC板上使用更大的痕迹

传播的热量带走更有效地形成器件。有关PowerPAD封装的信息，请参见技术简介，

PowerPAD

热增强型封装，

德州仪器文学数

SLMA002

和应用简介，

使用PowerPad 一点通，

得克萨斯州

仪器文献编号

SLMA004.

在使用PowerPad散热垫不直接连接到封装的任何线索。然而，它是电和热连接到

衬底，这是该装置的接地。

整体电气特性

= 4.5 V至15 V ，T

= T

= -40 ℃至125 ℃（除非另有说明）

参数

测试条件

IN =低， ENBL =低，V

= 15 V

UCC27321

IN =高， ENBL =低，V

= 15 V

静态工作电流

IN =低， ENBL =高，V

= 15 V

UCC27322

IN =高， ENBL =高，V

= 15 V

民

典型值

150

440

370

150

450

675

最大

225

650

550

225

650

125

1000

单位

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输入端（IN ）电气特性

= 4.5 V至15 V ，T

= T

= -40 ℃至125 ℃（除非另有说明）

参数

逻辑1输入阈值

逻辑0输入阈值

输入电流

闭锁保护

(1)

按设计规定

(1)

测试条件

民

典型值

最大

单位

0 V

≤

–10

500

输出（OUT ）电气特性

= 4.5 V至15 V ，T

= T

= -40 ℃至125 ℃（除非另有说明）

参数

峰值输出电流

(1) (2)

测试条件

= 14 V

= V

– V

OUT ，

OUT

= -10毫安

OUT

= 10毫安

OUT

= -10毫安，V

= 14 V

OUT

= 10 mA时， V

= 14 V

民

典型值

150

1.1

最大

300

2.5

单位

高电平输出电压

低电平输出电压

输出电阻高

(3)

输出电阻低

(3)

闭锁保护

(1)

500

(1)

(2)

(3)

按设计规定

驱动器的上拉/下拉电路是并联双极型和MOSFET晶体管。脉冲输出电流额定值为

合并从双极和MOSFET晶体管的电流。

驱动器的上拉/下拉电路是并联双极型和MOSFET晶体管。输出电阻为R

DS （ ON）

的

的MOSFET晶体管，当在驱动器输出端的电压小于所述双极晶体管的饱和电压。

ENABLE （ ENBL ）电气特性

= 4.5 V至15 V ，T

= T

= -40 ℃至125 ℃（除非另有说明）

参数

EN_H

EN_L

（ ENBL ）

启用阈值电压上升

ENABLE下降阈值电压

迟滞

使阻抗

传播延迟时间

= 14 V ， ENBL =低

负载

= 10nF的（参见图2）

负载

= 10nF的（参见图2）

测试条件

低到高的转变

高向低转换

民

1.5

1.1

0.18

典型值

2.2

1.65

0.55

100

最大

2.7

0.9

145

单位

kΩ

开关特性

= 4.5 V至15 V ，T

= T

= -40 ℃至125 ℃（除非另有说明）（见

图1）

参数

上升时间（OUT）

下降时间（ OUT ）

延迟时间，以上升（IN与OUT ）

延迟时间，以落（IN与OUT ）

测试条件

负载

- 10 nF的

负载

- 10 nF的

负载

- 10 nF的

负载

- 10 nF的

民

典型值

最大

单位

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(a)

VTH

tD1

80%

OUT

20%

80%

OUT

80%

VTH

tD2

(b)

VTH

tD2

tD1

VDD

80%

20%

的20 ％和80％的阈值描绘了支配功率MOSFET的双极性输出设备的动态

通过操作米勒区过渡。

图1.开关波形为（ A）反相驱动器和（b ）同相驱动器

ENBL

tD3

VDD

80%

OUT

20%

80%

tD4

VIN_H

VIN_L

的20 ％和80％的阈值描绘了支配功率MOSFET的双极性输出设备的动态

通过操作米勒区过渡。

图2.开关波形为使能到输出

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