UCC27321 ， UCC27322
UCC37321 ， UCC37322
SLUS504D - 2002年9月 - 修订2007年9月
单9高速低侧MOSFET驱动器与启用
特点
D
业界标准引脚输出配加
D
D
D
D
D
D
D
D
D
启用Funtion
高峰值电流驱动能力
±9
在一
米勒高原地区使用TrueDrive
高效恒流采购使用
独特的双极& CMOS输出级
TTL / CMOS兼容输入独立
电源电压
20 - ns典型上升和下降时间与10 nF的
负载
25 ns典型传播延迟时间
随着输入的下降沿和35 ns的输入与
升起
4 V至15 V电源电压
采用耐热增强型MSOP
使用PowerPad
TM
包带4.7 ° C / W
θJC
额定工作在-40° C至105℃
无铅表面处理（镍钯金）的SOIC -8和
PDIP -8封装
应用
D
开关模式电源
D
DC / DC转换器
D
电机控制器
D
D类开关放大器器
D
线路驱动器
D
脉冲变压器驱动器
描述
该UCC37321 / 2系列的高速驱动器
提供峰值驱动电流为9 A的一个行业
标准引脚。这些驱动器可以驱动
最大的MOSFET的系统要求
极端米勒电流由于高dV / dt
转场。这消除了额外的外部
电路可替代多个组件以
减少空间，设计复杂性和装配
成本。两个标准逻辑选项提供，
反相
(UCC37321)
和
同相
(UCC37322).
VDD
1
反相
8
VDD
输入/输出表
ENBL
0
0
1
1
0
NON-
反相
UCC37322
0
1
1
IN
0
1
0
1
0
1
0
1
OUT
0
0
1
0
0
0
0
1
7
VDD
IN
2
NON-
反相
RENBL
100 k
6
OUT
反相
UCC37321
OUT
ENBL
AGND
3
4
5
保护地
UDG01112
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在德州仪器公司的关键应用程序使用
半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PowerPADt是德州仪器的商标。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
2004年，德州仪器
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1
UCC27321 ， UCC27322
UCC37321 ， UCC37322
SLUS504D - 2002年9月 - 修订2007年9月
描述（续）
使用设计，本质上减少直通电流，这些输出可以提供高栅极驱动
目前它的MOSFET开关转换过程中最需要的米勒高原地区。独特
混合输出级并联双极和MOSFET晶体管（ TrueDrive ）允许高效的电流交货
低的电源电压。有了这个驱动架构， UCC37321 / 2/3可在行业标准中使用6 -A ， 9 -A和
许多12 -A驱动器应用。闩锁和ESD保护电路系统也包括在内。最后，该
UCC37321 / 2提供了一个使能（ ENBL ）函数来更好地控制驾驶者的操作的
应用程序。 ENBL在引脚3这是以前闲置的工业标准引脚输出实现。
它在内部上拉至VDD，高电平有效逻辑和可打开的时间标准运作。
除了SOIC - 8 （ D）和PDIP - 8 （P ）封装的产品中， UCC37321 / 2还配备了热
但增强微型8引脚MSOP PowerPADt （ DGN ）封装。该PowerPADt封装大大降低了
耐热性，延长运行温度范围和改善的长期可靠性。
在工作自由空气的温度绝对最大额定值（除非另有说明）
}
UCCx732x
电源电压（VDD）
输出电流（输出）的直流， IOUT_DC
输入电压（IN） ，车辆
开启电压（ ENBL ）
在大功耗= 25°C
包
DGN包装
P包
结的工作温度，TJ
存储温度， TSTG
引线温度（焊接， 10秒）
650
3
350
-55到150
-65到150
300
mW
W
mW
°C
°C
°C
-0.3 16
0.6
-5 V至6 V或VDD + 0.3
（以较大者为准）
0.3 V至6 V或VDD + 0.3
（以较大者为准）
V
单位
V
A
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只，和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
所有的电压是相对于GND 。电流是积极进入，负出指定的终端。
订购信息
产量
CON组fi guration
温度
范围TA = TJ
-40 ° C至+ 105°C
反相
同相
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 105°C
0 ° C至+ 70°C
包装设备
SOIC-8 （D）的
UCC27321D
UCC37321D
UCC27322D
UCC37322D
MSOP - 8使用PowerPad
（ DGN ）
UCC27321DGN
UCC37321DGN
UCC27322DGN
UCC37322DGN
PDIP - 8 （ P）
UCC27321P
UCC37321P
UCC27322P
UCC37322P
D（ SOIC - 8）和DGN （使用PowerPad - MSOP ）封装都提供卷带封装。加上R后缀的设备类型（例如，
UCC37321DR ， UCC37322DGNR ）订购的每卷2,500台设备的数量。
2
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UCC27321 ， UCC27322
UCC37321 ， UCC37322
SLUS504D - 2002年9月 - 修订2007年9月
电气特性，V
DD
= 4.5 V至15 V ，T
A
= -40 ° C至105℃ UCC2732x ，T
A
= 0℃至70 ℃的
对于UCC3732x ，T
A
= T
J
（除非另有说明）
输入（ IN）的
参数
V
IN_H
，逻辑1输入阈值
V
IN_L
，逻辑0输入阈值
输入电流
0 V
≤
V
IN
≤
V
DD
10
0
测试条件
民
2
1
10
典型值
最大
单位
V
V
A
输出（OUT）
参数
峰值输出电流（1）（ 2）
V
OH
，输出高电平
V
OL
，输出高电平
输出电阻高（ 3 ）
输出电阻低（ 3 ）
闩锁保护（ 1 ）
测试条件
VDD = 14 V ，
V
OH
= V
DD
– V
OUT
, I
OUT
= -10毫安
I
OUT
= 10毫安
I
OUT
= -10毫安，
I
OUT
= 10毫安，
V
DD
= 14 V
V
DD
= 14 V
500
民
典型值
9
150
11
15
1.1
300
25
25
2.5
最大
单位
A
mV
mV
mA
整体
参数
IN = LO ， EN = LO ，
UCC37321
UCC27321
国际直拨电话，静态工作电流
UCC37322
UCC27322
IN = HI ，
IN = HI ，
IN = HI ，
IN = HI ，
EN = LO ，
EN = HI ，
EN = LO ，
EN = HI ，
IN = LO ， EN = HI ，
IN = LO ， EN = LO ，
IN = LO ， EN = HI ，
测试条件
VDD = 15 V
VDD = 15 V
VDD = 15 V
VDD = 15 V
VDD = 15 V
VDD = 15 V
VDD = 15 V
VDD = 15 V
民
典型值
150
440
370
370
150
450
75
675
最大
225
650
550
550
225
650
125
1000
A
A
单位
启用（ ENBL ）
参数
VIN_H ，高电平输入电压
VIN_L ，低电平输入电压
迟滞
RENBL ，使阻抗
TD3 ，传播延迟时间（5）
TD4 ，传播延迟时间（5）
VDD = 14 V ，
C
负载
- 10 nF的
C
负载
- 10 nF的
ENBL = GND
低到高的转变
HI到LO转型
测试条件
民
1.7
1.1
0.25
75
典型值
2.2
1.6
0.55
100
60
60
最大
2.7
2.0
0.90
135
90
90
ns
V
k
单位
V
注： 1，通过设计保证。在生产中测试。
2.驱动器的上拉/下拉电路是并联双极型和MOSFET晶体管。峰值输出电流额定值为
合并从双极和MOSFET晶体管的电流。
3.驱动器的上拉/下拉电路是并联双极型和MOSFET晶体管。输出电阻为R
DS （ ON）
of
在MOSFET晶体管，当在驱动器输出端的电压小于所述双极晶体管的饱和电压。
5.请参阅图2 。
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3
UCC27321 ， UCC27322
UCC37321 ， UCC37322
SLUS504D - 2002年9月 - 修订2007年9月
电气特性，V
DD
= 4.5 V至15 V ，T
A
= -40 ° C至105℃ UCC2732x ，T
A
= 0℃至70 ℃的
对于UCC3732x ，T
A
= T
J
（除非另有说明） （续）
开关时间
(4)
参数
t
R
，上升时间（ OUT ）
t
F
，下降时间（ OUT ）
t
D1
，传播延迟，在上升（IN与OUT ）
t
D2
，传播延迟，在属于（IN与OUT ）
C
负载
- 10 nF的
C
负载
- 10 nF的
C
负载
- 10 nF的
C
负载
- 10 nF的
测试条件
民
典型值
20
20
25
35
最大
70
30
70
70
ns
单位
注： 4参见图1的开关波形。
(a)
5V
IN
0V
VTH
tD1
tF
80%
OUT
20%
0V
80%
tR
OUT
80%
VTH
tD2
IN
(b)
VTH
tD1
VTH
tD2
VDD
80%
tR
20%
tF
图1.开关波形为（A ）反相输入（B ）输出时间
(6)
5V
ENBL
0V
tD3
VDD
80%
OUT
tR
20%
0V
80%
tF
tD4
VIN_H
VIN_L
图2.开关波形为使能到输出
(6)
注意： 6. 20 ％和80％的阈值描绘了支配穿过功率MOSFET过渡双极性输出设备的动态
操作的米勒区域。
4
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UCC27321 ， UCC27322
UCC37321 ， UCC37322
SLUS504D - 2002年9月 - 修订2007年9月
销刀豆网络gurations
PDIP （ P）封装
（ TOP VIEW ）
SOIC （ D）或MSOP （ DGN ）包装
（ TOP VIEW ）
VDD
IN
ENBL
AGND
1
2
3
4
8
7
6
5
VDD
OUT
OUT
保护地
VDD
IN
ENBL
AGND
1
2
3
4
8
7
6
5
VDD
OUT
OUT
保护地
功耗额定值表
包
SOIC-8
PDIP-8
MSOP PowerPAD的- 8
苏FFI X
D
P
DGN
θJC
(5C/W)
42
49
4.7
θJA
(5C/W)
84 – 160
}
110
5059
额定功率
（ mW）的
TA = 705C
344655
}
500
1370
降额因子
以上
705C （毫瓦/ 5C ）
6.25 11.9
}
9
17.1
125 ° C的工作结温是用于额定功率计算
值的范围表明了印制电路板的影响。这些值是为了给系统设计人员的指示
最好的和最坏的情况。一般情况下，系统设计人员应该尝试在印制电路板用较大的痕迹
在可能的情况中，以分散的热量带走，更有效地形成该设备。有关设备的其他信息
温度管理，请参考包装的信息部分
电源控制产品数据
书，
德州仪器（TI文献编号SLUD003 ） 。
终端功能
终奌站
号
4
名字
AGND
I / O
功能
对于输入级共同点。这个理由应该很好地连接到
源功率MOSFET使驾驶员驾驶。理由是分开的，以微型
迈兹振铃影响，由于输出开关的di / dt ，可以影响输入阈值。
使能输入用于逻辑兼容阈值和迟滞的驱动程序。驱动器输出
可以启用和禁用该引脚。据内部上拉至VDD与100 kΩ的
电阻的高有效运作。当该装置处于关闭状态将是低的输出状态
无论输入状态。
具有逻辑兼容阈值和滞后驾驶员的输入信号。
驱动器输出必须在外部连接在一起。输出级能够
提供9 -A的峰值驱动电流的功率MOSFET的栅极。
对输出级的共同点。这个理由应该很好地连接到
源功率MOSFET使驾驶员驾驶。理由是分开的，以微型
迈兹振铃影响，由于输出开关的di / dt ，可以影响输入阈值。
电源电压和该设备的电源输入连接。三个引脚必须CON组
一起连接的外部。
3
ENBL
I
2
6, 7
IN
OUT
I
O
5
保护地
1, 8
VDD
I
www.ti.com
5
UCC27321 ， UCC27322
UCC37321 ， UCC37322
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SLUS504G - 2002年9月 - 修订2013年5月
单9 ，高速低侧MOSFET驱动器与启用
检查样品：
UCC27321
,
UCC27322 ， UCC37321 ， UCC37322
1
特点
业界标准引脚输出配加
启用Funtion
在± 9高峰值电流驱动能力，在
米勒高原地区使用TrueDrive
高效恒流采购使用
独特的双极& CMOS输出级
TTL / CMOS兼容输入独立
电源电压
20 - ns典型上升和下降时间与10 nF的
负载
25 ns典型传播延迟时间
随着输入的下降沿和35 ns的输入与
升起
4 V至15 V电源电压
采用耐热增强型MSOP
4.7 ° C / W使用PowerPad 封装
θJC
额定工作在-40° C至105℃
无铅表面处理（镍钯金）的SOIC -8和
PDIP -8封装
VDD
1
反相
应用
开关模式电源
DC / DC转换器
电机控制器
D类开关放大器器
线路驱动器
脉冲变压器驱动器
2
描述
该UCC37321 / 2系列的高速驱动器提供
峰值驱动电流在一个行业标准9的
引脚排列。这些驱动器可驱动最大的
的MOSFET适用于需要极端米勒系统
当前，由于高的dV / dt的过渡。这消除
额外的外部电路，可替代多个
部件，以减少空间，设计复杂性和
装配成本。两个标准逻辑选项
提供，反相（ UCC37321 ）和同相
(UCC37322).
输入/输出表
8
VDD
ENBL
0
0
1
1
6
OU
T
0
R
ENBL
100 k
不
-
反相
UCC37322
5
保护地
0
1
1
AGND
4
0
1
0
1
0
0
0
1
IN
0
1
0
1
OUT
0
0
1
0
7
VDD
IN
2
不
-
反相
OUT
反相
UCC37321
ENBL
3
UDG- 01112
-
1
2
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
使用PowerPad是德州仪器公司的注册商标。
版权所有 2002至13年，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
UCC27321 ， UCC27322
UCC37321 ， UCC37322
SLUS504G - 2002年9月 - 修订2013年5月
www.ti.com
描述（续）
使用设计，本质上减少直通电流，这些输出可以提供高栅极驱动
目前它的MOSFET开关转换过程中最需要的米勒高原地区。独特
混合输出级并联双极和MOSFET晶体管（ TrueDrive ）允许高效的电流输送低
供应voltages.With此驱动器架构， UCC37321 / 2/3可在行业标准6 -A ， 9 -A和许多使用
12 -A驱动器应用。闩锁和ESD保护电路系统也包括在内。最后， UCC37321 / 2
提供了一种使能（ ENBL ）函数来更好地控制驱动器的应用程序的操作的。 ENBL是
引脚3这是以前闲置的工业标准引脚输出实现。它在内部上拉
至VDD高电平有效逻辑和可打开的时间标准运作。
除了SOIC - 8 （ D）和PDIP - 8 （P ）封装的产品中， UCC37321 / 2还配备了热
但增强微型8引脚MSOP使用PowerPad （ DGN ）封装。在使用PowerPad 封装大大降低了
耐热性，延长运行温度范围和改善的长期可靠性。
绝对最大额定值
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
电源电压，V
DD
输出电流（输出）的DC ，我
OUT_DC
输入电压（IN） ，V
IN
开启电压（ ENBL ）
包
在T功耗
A
= 25°C
结的工作温度，T
J
贮藏温度，T
英镑
引线温度（焊接， 10秒）
(1)
(2)
DGN包装
P包
(1) (2)
UCCx732x
--0.3 16
0.6
0.3 V至6 V或V
DD
+0.3
（以较大者为准）
0.3 V至6 V或V
DD
+0.3
（以较大者为准）
650
3
350
-55到150
-65到150
300
单位
V
A
V
mW
W
mW
°C
°C
°C
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值
只是，设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作
条件“是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
所有的电压都是相对于GND 。电流是积极进入，负出指定的终端。
订购信息
产量
CON组fi guration
反相
同相
(1)
温度
范围T
A
= T
J
-40 ° C至+ 105°C
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 105°C
0 ° C至+ 70°C
包装设备
SOIC-8 （D）的
(1)
UCC27321D
UCC37321D
UCC27322D
UCC37322D
MSOP - 8使用PowerPad
（ DGN ）
(1)
UCC27321DGN
UCC37321DGN
UCC27322DGN
UCC37322DGN
PDIP - 8 （ P）
UCC27321P
UCC37321P
UCC27322P
UCC37322P
D（ SOIC - 8）和DGN （使用PowerPad - MSOP ）封装都提供卷带封装。加上R后缀的设备类型（例如UCC37321DR ，
UCC37322DGNR ）订购的每卷2,500台设备的数量。
2
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UCC27321 UCC27322 UCC37321 UCC37322
UCC27321 ， UCC27322
UCC37321 ， UCC37322
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SLUS504G - 2002年9月 - 修订2013年5月
电气特性
V
DD
= 4.5 V至15 V ，T
A
= -40 ° C至105℃ UCC2732x ，T
A
= 0℃至70℃ UCC3732x ，T
A
= T
J
（除非另有说明）
参数
输入（ IN）的
V
IN_H
，逻辑1输入阈值
V
IN_H
，逻辑1输入阈值
输入电流
输出（OUT）
峰值输出电流
(1) (2)
V
OH
，输出高电平
V
OL
，输出高电平
输出电阻高
锁定 - 保护起来
整体
IN = LO ， EN = LO ，
UCC37321
UCC27321
I
DD
，静态工作电流
UCC37322
UCC27322
IN = HI ， EN = LO ，
IN = LO ， EN = HI ，
IN = HI ， EN = HI ，
IN = LO ， EN = LO ，
IN = HI ， EN = LO ，
IN = LO ， EN = HI ，
IN = HI ， EN = HI ，
启用（ ENBL ）
V
IN_H
，高电平输入电压
V
IN_L
，低电平输入电压
迟滞
R
ENBL
，使阻抗
t
D3
，传播延迟时间
开关时间
(5)
t
R
，上升时间（ OUT ）
t
F
，下降时间（ OUT ）
t
D1
，传播延迟，在上升（IN与OUT ）
t
D2
，传播延迟，在属于（IN与OUT ）
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
C
负载
- 10 nF的
C
负载
- 10 nF的
C
负载
- 10 nF的
C
负载
- 10 nF的
20
20
25
35
70
30
70
70
ns
(4)
(1)
(3)
测试条件
民
2
典型值
最大
单位
V
1
0 V
≤
V
IN
≤
V
DD
V
DD
= 14 V,
V
OH
= V
DD
– V
OUT
,
I
OUT
= 10毫安
I
OUT
= ?? 10毫安，
I
OUT
= 10 mA时， V
V
DD
= 14 V
V
DD
= 14
500
V
DD
= 15 V
V
DD
= 15 V
V
DD
= 15 V
V
DD
= 15 V
V
DD
= 15 V
V
DD
= 15 V
V
DD
= 15 V
V
DD
= 15 V
1.7
1.1
0.25
V
DD
= 14 V,
C
负载
- 10 nF的
C
负载
- 10 nF的
ENBL = GND
75
150
440
370
370
150
450
75
675
2.2
1.6
0.55
100
60
60
225
650
550
550
225
650
125
1000
2.7
2.0
0.90
135
90
90
I
OUT
= -10mA
–10
0
9
150
11
15
1.1
300
25
25
2.2
10
V
A
A
mV
mV
Ω
Ω
mA
输出电阻低
(3)
A
低到高的转变
HI到LO转型
V
V
kΩ
ns
t
D4
，传播延迟时间
(4)
由设计保证。在生产中测试。
驱动器的上拉/下拉电路是并联双极型和MOSFET晶体管。峰值输出电流额定值为
合并从双极和MOSFET晶体管的电流。
驱动器的上拉/下拉电路是并联双极型和MOSFET晶体管。输出电阻为R
DS （ ON）
的
的MOSFET晶体管，当在驱动器输出端的电压小于所述双极晶体管的饱和电压。
SEE
图2中。
SEE
图1
切换波形。
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(a)
5V
IN
0V
V
TH
t
D1
t
F
80%
OUT
20%
0V
80%
t
R
OUT
80%
V
TH
t
D2
IN
( b)
V
TH
t
D1
V
TH
t
D2
V
DD
80%
t
R
20%
t
F
A.
的20 ％和80％的阈值描绘了支配功率MOSFET的双极性输出设备的动态
通过操作米勒区过渡。
图1.开关波形为（A ）反相输入（B ）输出时间
5V
ENBL
0V
t
D3
V
DD
80%
OUT
t
R
20%
0V
80%
t
F
t
D4
V
IN_H
V
IN_L
A.
的20 ％和80％的阈值描绘了支配功率MOSFET的双极性输出设备的动态
通过操作米勒区过渡。
图2.开关波形为使能到输出
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销刀豆网络gurations
PDIP （ P）封装
（ TOP VIEW ）
SOIC （ D）或MSOP （ DGN ）包装
（ TOP VIEW ）
VDD
IN
ENBL
AGND
1
2
3
4
8
7
6
5
VDD
OUT
OUT
保护地
VDD
IN
ENBL
AGND
1
2
3
4
8
7
6
5
VDD
OUT
OUT
保护地
功耗额定值表
包
SOIC-8
PDIP-8
MSOP PowerPAD的- 8
(1)
(2)
苏FFI X
D
P
DGN
θJC
（ ° C / W）
42
49
4.7
θJA
（ ° C / W）
84 – 160
(2)
110
50 – 59
额定功率
（ mW）的
T
A
= 70°C
(1)
344 – 655
(2)
500
1370
降额因子
以上
70 ° C（毫瓦/ ° C）
(1)
6.25 – 11.9
(2)
9
17.1
125 ° C的工作结温是用于额定功率计算
值的范围表示印刷电路板的影响。这些值是为了给系统设计者的最佳指示
而最坏的情况下。在一般情况下，系统设计人员应该尝试，以便在印刷电路板，其中可能使用更大的痕迹
传播的热量带走更有效地形成该设备。对元件温度的管理附加信息，请参阅
包装信息部分
电源控制产品数据手册，
德州仪器（TI文献编号SLUD003 ） 。
终端功能
终奌站
名字
号
I / O
描述
AGND和保护地线应通过一个单一的粗导线直属设备连接。
应该有一个低ESR ， 0.1 μF VDD （引脚8）和PGND和之间的低ESL电容
VDD （引脚1）和AGND之间单独的0.1 μF电容。功率MOSFET应设
关于该装置的地线侧，而控制电路应该在器件的AGND一侧。
该控制电路接地应共同与AGND ，而保护地应该是共同的
与功率FET的源极。
使能输入用于逻辑兼容阈值和迟滞的驱动程序。驱动器的输出可以是
启用和禁用此引脚。它在内部上拉至V
DD
100 - kΩ电阻为高电平有效
操作。当该装置处于关闭状态的输出状态将是低的，而与输入的状态。
具有逻辑兼容阈值和滞后驾驶员的输入信号。
驱动器输出必须在外部连接在一起。输出级能够提供的
9 -A的峰值驱动到功率MOSFET的栅极电流。
对输出级的共同点。这个理由应该是很密切相连的源
功率MOSFET ，驾驶员正在驱动。理由是分开的，以尽量减少振铃影响因
输出开关的di / dt ，可以影响输入阈值。
电源电压和该设备的电源输入连接。三个引脚必须连接
同时在外部。
AGND
4
–
ENBL
IN
OUT
保护地
VDD
3
2
6, 7
5
1, 8
I
I
O
–
I
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