UCC27210
UCC27211
www.ti.com
SLUSAT7B
–
2011年11月
–
修订后的2012年2月
120 -V启动， 4 - A峰值，高频高侧/低侧驱动器
检查样品：
UCC27210 ， UCC27211
1
特点
驱动两个N沟道MOSFET
高侧/低侧配置有
独立输入
最大启动电压120 V DC
4 ，水槽， 4 -A源输出电流
0.9 Ω上拉/下拉电阻
输入引脚可耐受-10 V至20 V ，并
独立的电源电压范围
TTL或伪CMOS兼容输入
版本
8 V至17 V的VDD工作电压范围（ 20 V ABS
MAX ）
7.2 - ns上升和5.5 ns下降时间为1000 pF的
负载
快速的传播延迟时间（ 18 ns典型）
2 ns的延迟匹配
对称的欠压锁定为
高侧和低侧驱动器
所有行业标准的软件包可用
（ SOIC - 8 ，使用PowerPad SOIC - 8 ， 4毫米x 4毫米
SON- 8和4毫米× 4毫米SON- 10）的
从-40到140指定
°C
应用
电源为电信，数据通信，和
商人
半桥和全桥转换器
推挽式转换器
高电压同步降压转换器
双开关正激转换器
有源钳位正激转换器
D类音频放大器
2
描述
该UCC27210和UCC27211驱动器是基于
流行的UCC27200与UCC27201 MOSFET
驱动程序，但提供了几个显著的性能
改进。峰值输出上拉和下拉
目前已增加到4 -A源/ 4 -A片，
和上拉/下拉电阻被减少
0.9
Ω,
从而使驱动功率大
与MOSFET的过程中尽量减少开关损耗
通过MOSFET的米勒高原过渡。该
输入结构现在可以直接处理-10
直流电压，这增加了鲁棒性，并且还允许
直接连接栅极驱动变压器无
用整流二极管。该输入也
与电源电压无关的，并有一个20 -V的
最大额定值。
1
2
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
使用PowerPad是德州仪器的商标。
版权
2011-2012年，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
UCC27210
UCC27211
SLUSAT7B
–
2011年11月
–
修订后的2012年2月
www.ti.com
这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。
说明（续）
该UCC27210 / 1的交换节点（ HS管脚）是否能够处理-18 V（最大值） ，它允许高侧信道
以免受固有的负电压引起的寄生电感和杂散电容。该
UCC27210 （伪CMOS输入）和UCC27211 （ TTL输入）增加滞后，允许接口
以模拟或数字PWM控制器具有增强抗噪声能力。
低边和高边栅极驱动器可以独立控制和匹配，以2纳秒之间轮流上
并关闭对方。
一个片120 -V额定自举二极管消除了外部分立二极管。欠压锁定为
同时提供了高侧和低侧驱动器提供对称的导通/关断的行为，并迫使
输出低电平，如果驱动电压低于指定的阈值。
这两款器件均采用8引脚SOIC （D ） ，使用PowerPad SOIC - 8 （ DDA ） ， 4毫米x 4毫米SON - 8 （ DRM）和
SON- 10 （ DPR）的软件包。
典型应用图
+12V
+100V
+12V
V
DD
HB
次
SIDE
电路
V
DD
HB
+100V
次
SIDE
电路
控制
PWM
调节器
LI
HS
PWM
调节器
LI
控制
HI
DRIVE
HI
HO
HI
DRIVE
HI
HO
HS
DRIVE
LO
UCC27210
LO
DRIVE
LO
UCC27211
VSS
LO
VSS
隔离
和
反馈
+12V
VDD
HB
+100V
HI
控制
DRIVE
HI
HO
HS
LI
DRIVE
LO
UCC27211
LO
订购信息
温度范围T
A
= T
J
输入
兼容性
伪CMOS
TTL
SOIC-8 （D）的
(2)
UCC27210D
UCC27211D
(1)
包装设备
(1)
PowerPAD
SOIC - 8 （ DDA ）
(2)
UCC27210DDA
UCC27211DDA
SON- 8 （DRM）的
(3)
UCC27210DRM
UCC27211DRM
SON- 10 （ DPR）
(4)
UCC27210DPR
UCC27211DPR
-40 ℃140 ℃的
(1)
(2)
(3)
(4)
这些产品包装的铅（ Pb）并PdNiAu绿色铅涂层是与MSL 1级兼容在255 ° C到
260℃峰值回流焊温度与任何无铅或锡/铅焊接操作。
D（ SOIC - 8）和DDA （电源垫 SOIC - 8 ）封装都提供卷带封装。加上R后缀的设备类型（例如，
UCC27210ADR / UCC27211ADR ）订购的每卷2,500台设备的数量。
DRM （ SON - 8 ）封装来无论是在一个小卷的250件零件号UCC27210ADRMT / UCC27211ADRMT ，或更大的卷轴
3000件零件号UCC27210ADRMR / UCC27211ADRMR 。
DPR （ SON - 10 ）封装来无论是在一个小卷的250件零件号UCC27210ADPRT / UCC27211ADPRT ，或大卷
3000件零件号UCC27210ADPRR / UCC27211ADPRR 。
2
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UCC27210
UCC27211
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–
2011年11月
–
修订后的2012年2月
绝对最大额定值
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
民
电源电压范围，V
DD
(1)
最大
-0.3
-10
20
20
V
DD
+ 0.3
V
DD
+ 0.3
V
HB
+ 0.3
V
HB
+ 0.3
115
115
120
2
1
-40
-65
150
150
300
单位
, V
HB
- V
HS
DC
重复脉冲
<100
ns
DC
重复脉冲
<100
ns
DC
重复脉冲
<100
ns
(2)
人体模型（ HBM ）
(2)
(2)
在李和HI ， V输入电压
LI
, V
HI
在LO ，V输出电压
LO
上议员， V输出电压
HO
在HS ，V电压
HS
在HB ，V电压
HB
ESD
场感应带电器件模型
（ FICDM ）
-0.3
-2
V
HS
–
0.3
V
HS
- 2
-1
-18
-0.3
V
kV
工作结温范围，T
J
贮藏温度，T
英镑
引线温度（焊接， 10秒）
(1)
(2)
°C
所有的电压都是相对于VSS ，除非另有说明。电流是积极进入，负出指定的终端。
在验证的平台特性。
推荐工作条件
所有的电压是相对于V
SS
;电流是成正和负出指定的终端。
-40°C <
T
J
= T
A
＆ LT ;
140 ℃（除非另有说明）
参数
电源电压范围，V
DD
, V
HB
-V
HS
在HS ，V电压
HS
在HS ，V电压
HS
（重复脉冲
<100
NS ）
在HB ，V电压
HB
在HS电压摆率
工作结温范围
-40
民
8
-1
-15
V
HS
+8,
V
DD
–1
典型值
12
最大
17
105
110
V
HS
+17,
115
50
140
V / ns的
°C
V
单位
版权
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–
2011年11月
–
修订后的2012年2月
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热信息
UCC27210/11
(1)
热公制
θ
JA
θ
JCtop
θ
JB
ψ
JT
ψ
JB
θ
JCbot
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
(7)
结至环境热阻
(2)
结至外壳（顶部）热阻
结至电路板的热阻
(4)
结至顶部的特征参数
(5)
(3)
D
8引脚
111.8
56.9
53.0
7.8
52.3
不适用
(7)
DDA
8引脚
37.7
47.2
9.6
2.8
9.4
3.6
单位
° C / W
结至电路板的特征参数
(6)
结至外壳（底部）热阻
有关传统和新的热度量的更多信息，请参阅
IC封装热度量
申请报告，
SPRA953.
在自然对流的结点至环境热阻是在一个JEDEC标准，高K板上的模拟获得，如
在JESD51-7指定，在JESD51-2a描述的环境。
通过模拟在封装顶部冷板试验获得的结到壳体（顶部）的热阻。没有具体
JEDEC标准测试存在，但密切描述可以在ANSI SEMI标准G30-88被发现。
通过模拟的环境中具有环冷板夹具来控制印刷电路板得到的结到电路板的热阻
温度，如在JESD51-8说明。
结至顶部的特征参数，
ψ
JT
估计装置的结温在实际的系统中，并且被提取
从仿真数据用于获得
θ
JA
使用在JESD51-2a描述的方法（第6和7）。
结至电路板的特征参数，
ψ
JB
估计装置的结温在实际的系统中，并且被提取
从仿真数据用于获得
θ
JA
使用在JESD51-2a描述的方法（第6和7）。
通过在暴露的（功率）垫模拟冷板试验获得的结到壳体（底部）的热阻。没有具体
JEDEC标准测试存在，但密切描述可以在ANSI SEMI标准G30-88被发现。
热信息
UCC27210/11
(1)
热公制
θ
JA
θ
JCtop
θ
JB
ψ
JT
ψ
JB
θ
JCbot
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
(7)
结至环境热阻
结至电路板的热阻
(4)
(2)
DRM
8引脚
33.9
33.2
11.4
0.4
11.7
2.3
DPR
10脚
36.8
36.0
14.0
0.3
14.2
3.4
单位
结至外壳（顶部）热阻
(3)
结至顶部的特征参数
(5)
结至电路板的特征参数
(6)
结至外壳（底部）热阻
(7)
° C / W
有关传统和新的热度量的更多信息，请参阅
IC封装热度量
申请报告，
SPRA953.
在自然对流的结点至环境热阻是在一个JEDEC标准，高K板上的模拟获得，如
在JESD51-7指定，在JESD51-2a描述的环境。
通过模拟在封装顶部冷板试验获得的结到壳体（顶部）的热阻。没有具体
JEDEC标准测试存在，但密切描述可以在ANSI SEMI标准G30-88被发现。
通过模拟的环境中具有环冷板夹具来控制印刷电路板得到的结到电路板的热阻
温度，如在JESD51-8说明。
结至顶部的特征参数，
ψ
JT
估计装置的结温在实际的系统中，并且被提取
从仿真数据用于获得
θ
JA
使用在JESD51-2a描述的方法（第6和7）。
结至电路板的特征参数，
ψ
JB
估计装置的结温在实际的系统中，并且被提取
从仿真数据用于获得
θ
JA
使用在JESD51-2a描述的方法（第6和7）。
通过在暴露的（功率）垫模拟冷板试验获得的结到壳体（底部）的热阻。没有具体
JEDEC标准测试存在，但密切描述可以在ANSI SEMI标准G30-88被发现。
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UCC27210
UCC27211
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–
2011年11月
–
修订后的2012年2月
电气特性
V
DD
= V
HB
= 12 V, V
HS
= V
SS
= 0 V ，在LO和HO ，T空载
A
= T
J
= -40 ℃至140 ℃， （除非另有说明）
参数
电源电流
I
DD
I
DDO
I
HB
I
HBO
I
HBS
I
HBSO
输入
V
撞
V
点亮
V
IHYS
R
IN
V
撞
V
点亮
V
IHYS
R
IN
V
DDR
V
DDHYS
V
HBR
V
HBHYS
V
F
V
FI
R
D
V
大声笑
V
陆
输入电压阈值
输入电压阈值
输入电压滞后
输入下拉电阻
输入电压阈值
输入电压阈值
输入电压滞后
输入下拉电阻
V
DD
导通阈值
迟滞
V
HB
导通阈值
迟滞
低电流正向电压
大电流正向电压
动态阻力
ΔVF / ΔI
低电平输出电压
高电平输出电压
山顶上拉电流
(1)
峰值下拉电流
(1)
何栅极驱动器
V
HOL
V
HOH
低电平输出电压
高电平输出电压
山顶上拉电流
(1)
峰值下拉电流
(1)
(1)
由设计保证。
I
HO
= 100毫安
I
HO
= -100毫安，V
HOH
= V
HB
- V
HO
V
HO
= 0 V
V
HO
= 12 V
0.05
0.1
0.09
0.16
3.7
4.5
0.15
0.27
V
A
I
VDD -HB
= 100
A
I
VDD -HB
= 100毫安
I
VDD -HB
= 100 mA和80毫安
I
LO
= 100毫安
I
LO
= -100毫安，V
陆
= V
DD
- V
LO
V
LO
= 0 V
V
LO
= 12 V
0.3
0.05
0.1
5.6
6.2
UCC27211
1.9
1.3
UCC27210
4.2
2.4
5.0
3.2
1.8
102
2.3
1.6
700
68
7.0
0.5
6.7
1.1
0.65
0.85
0.5
0.09
0.16
3.7
4.5
0.8
0.95
0.85
0.15
0.27
7.9
7.8
V
2.7
1.9
kΩ
V
mV
kΩ
5.8
4.0
V
V
DD
静态电流
V
DD
工作电流
UCC27210
UCC27211
V（ LI ）= V（ HI ） = 0 V
F = 500千赫，C
负载
= 0
V（ LI ）= V（ HI ） = 0 V
F = 500千赫，C
负载
= 0
V（ HS ） = V （ HB ） = 115 V
F = 500千赫，C
负载
= 0
0.05
2.4
2.4
0.015
1.5
0.085
2.6
2.5
0.065
2.5
0.0005
0.07
0.17
4.3
4.3
0.1
4
0.13
0.9
A
mA
mA
测试条件
民
典型值
最大
单位
启动电压静态电流
BOOT电压工作电流
HB到V
SS
静态电流
HB到V
SS
工作电流
欠压锁定（UVLO ）
自举二极管
V
Ω
LO栅极驱动器
V
A
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UCC27210 UCC27211
UCC27210
UCC27211
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SLUSAT7C - 2011年11月 - 修订2012年3月
120 -V启动， 4 - A峰值，高频高侧和低侧驱动器
检查样品：
UCC27210 ， UCC27211
1
特点
驱动两个N沟道MOSFET的高边
和低端配置，带有独立
输入
最大启动电压120 V DC
4 ，水槽， 4 -A源输出电流
0.9 Ω的上拉和下拉电阻
输入引脚可耐受-10 V至20 V ，并
独立的电源电压范围
TTL或伪CMOS兼容输入
版本
8 V至17 V的VDD工作电压范围， （ 20 -V ABS
MAX ）
7.2 - ns上升和5.5 ns下降时间为1000 pF的
负载
快速的传播延迟时间（ 18 ns典型）
2 ns的延迟匹配
对称的欠压锁定为高
侧和低侧驱动器
所有行业标准的软件包可用
（ SOIC - 8 ，使用PowerPad SOIC - 8 ， 4毫米x 4毫米
SON- 8和4毫米× 4毫米SON- 10）的
指定温度范围为-40 ℃140℃
应用
电源为电信，数据通信，和
商人
半桥和全桥转换器
推挽式转换器
高电压同步降压转换器
双开关正激转换器
有源钳位正激转换器
D类音频放大器
2
描述
该UCC27210和UCC27211驱动器是基于
流行的UCC27200与UCC27201 MOSFET
驱动程序，但提供了几个显著的性能
改进。峰值输出上拉和下拉
目前已增加到4 -A源和4 -A
水槽，和上拉和下拉电阻已
降低到0.9
Ω,
由此允许用于驱动大
功率MOSFET最小化开关损耗
通过MOSFET的米勒在过渡期间
高原。输入结构现在能够直接
处理-10伏直流，这增加了鲁棒性和
还可以直接连接到栅极驱动变压器
不使用整流二极管。该输入也
与电源电压无关的，并有一个20 -V的
最大额定值。
1
2
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
使用PowerPad是德州仪器的商标。
版权所有2011-2012 ，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
UCC27210
UCC27211
SLUSAT7C - 2011年11月 - 修订2012年3月
www.ti.com
这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。
说明（续）
该UCC27210 / 1的交换节点（ HS管脚）是否能够处理-18 V（最大值） ，它允许高侧信道
以免受固有的负电压引起的寄生电感和杂散电容。该
UCC27210 （伪CMOS输入）和UCC27211 （ TTL输入）增加滞后，允许接口
以模拟或数字PWM控制器具有增强抗噪声能力。
低边和高边栅极驱动器可以独立控制和匹配，以2纳秒之间轮流上
并关闭对方。
一个片120 -V额定自举二极管消除了外部分立二极管。欠压锁定为
同时提供了高侧和低侧驱动器提供对称的导通/关断的行为，并迫使
输出低电平，如果驱动电压低于指定的阈值。
这两款器件均采用8引脚SOIC （D ） ，使用PowerPad SOIC - 8 （ DDA ） ， 4毫米x 4毫米SON - 8 （ DRM ）和SON-
图10（ DPR）的软件包。
典型应用图
+12V
+100V
+12V
V
DD
HB
次
SIDE
电路
V
DD
HB
+100V
次
SIDE
电路
控制
PWM
调节器
LI
HS
PWM
调节器
LI
控制
HI
DRIVE
HI
HO
HI
DRIVE
HI
HO
HS
DRIVE
LO
UCC27210
LO
DRIVE
LO
UCC27211
VSS
LO
VSS
隔离
和
反馈
+12V
VDD
HB
+100V
HI
控制
DRIVE
HI
HO
HS
LI
DRIVE
LO
UCC27211
LO
订购信息
温度范围T
A
= T
J
输入
兼容性
伪CMOS
TTL
SOIC-8 （D）的
(2)
UCC27210D
UCC27211D
(1)
包装设备
(1)
PowerPAD
SOIC - 8 （ DDA ）
(2)
UCC27210DDA
UCC27211DDA
SON- 8 （DRM）的
(3)
UCC27210DRM
UCC27211DRM
SON- 10 （ DPR）
(4)
UCC27210DPR
UCC27211DPR
-40 ℃140 ℃的
(1)
(2)
(3)
(4)
这些产品包装的铅（ Pb）并PdNiAu绿色铅涂层是与MSL 1级兼容在255 ° C到
260℃峰值回流焊温度与任何无铅或锡/铅焊接操作。
D（ SOIC - 8）和DDA （电源垫 SOIC - 8 ）封装都提供卷带封装。加上R后缀的设备类型（例如，
UCC27210ADR / UCC27211ADR ）订购的每卷2,500台设备的数量。
DRM （ SON - 8 ）封装来无论是在一个小卷的250件零件号UCC27210ADRMT / UCC27211ADRMT ，或更大的卷轴
3000件零件号UCC27210ADRMR / UCC27211ADRMR 。
DPR （ SON - 10 ）封装来无论是在一个小卷的250件零件号UCC27210ADPRT / UCC27211ADPRT ，或大卷
3000件零件号UCC27210ADPRR / UCC27211ADPRR 。
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版权所有2011-2012 ，德州仪器
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UCC27210 UCC27211
UCC27210
UCC27211
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SLUSAT7C - 2011年11月 - 修订2012年3月
绝对最大额定值
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
民
电源电压范围，V
DD
(1)
最大
-0.3
-10
20
20
V
DD
+ 0.3
V
DD
+ 0.3
V
HB
+ 0.3
V
HB
+ 0.3
115
115
120
2
1
-40
-65
150
150
300
单位
, V
HB
- V
HS
DC
重复脉冲<100 NS
DC
重复脉冲<100 NS
DC
重复脉冲<100 NS
(2)
人体模型（ HBM ）
(2)
(2)
在李和HI ， V输入电压
LI
, V
HI
在LO ，V输出电压
LO
上议员， V输出电压
HO
在HS ，V电压
HS
在HB ，V电压
HB
ESD
场感应带电器件模型
（ FICDM ）
-0.3
-2
V
HS
– 0.3
V
HS
- 2
-1
-18
-0.3
V
kV
工作结温范围，T
J
贮藏温度，T
英镑
引线温度（焊接， 10秒）
(1)
(2)
°C
所有的电压都是相对于VSS ，除非另有说明。电流是积极进入，负出指定的终端。
在验证的平台特性。
推荐工作条件
所有的电压是相对于V
SS
;电流是成正和负出指定的终端。 -40°C <牛逼
J
= T
A
＆ LT ;
140 ℃（除非另有说明）
参数
电源电压范围，V
DD
, V
HB
-V
HS
在HS ，V电压
HS
在HS ，V电压
HS
（重复脉冲<100 NS ）
在HB ，V电压
HB
在HS电压摆率
工作结温范围
-40
民
8
-1
-15
V
HS
+8,
V
DD
–1
典型值
12
最大
17
105
110
V
HS
+17,
115
50
140
V / ns的
°C
V
单位
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UCC27210 UCC27211
UCC27210
UCC27211
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热信息
UCC27210/11
(1)
热公制
θ
JA
θ
JCtop
θ
JB
ψ
JT
ψ
JB
θ
JCbot
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
(7)
结至环境热阻
(2)
结至外壳（顶部）热阻
结至电路板的热阻
(4)
结至顶部的特征参数
(5)
(3)
D
8引脚
111.8
56.9
53.0
7.8
52.3
不适用
(7)
DDA
8引脚
37.7
47.2
9.6
2.8
9.4
3.6
单位
° C / W
结至电路板的特征参数
(6)
结至外壳（底部）热阻
有关传统和新的热度量的更多信息，请参阅
IC封装热度量
申请报告，
SPRA953.
在自然对流的结点至环境热阻是在一个JEDEC标准，高K板上的模拟获得，如
在JESD51-7指定，在JESD51-2a描述的环境。
通过模拟在封装顶部冷板试验获得的结到壳体（顶部）的热阻。没有具体JEDEC-
标准测试存在，但密切描述可以在ANSI SEMI标准G30-88被发现。
通过模拟的环境中具有环冷板夹具来控制印刷电路板得到的结到电路板的热阻
温度，如在JESD51-8说明。
结至顶部的特征参数，
ψ
JT
估计装置的结温在实际的系统中，并且被提取
从仿真数据用于获得
θ
JA
使用在JESD51-2a描述的方法（第6和7）。
结至电路板的特征参数，
ψ
JB
估计装置的结温在实际的系统中，并且被提取
从仿真数据用于获得
θ
JA
使用在JESD51-2a描述的方法（第6和7）。
通过在暴露的（功率）垫模拟冷板试验获得的结到壳体（底部）的热阻。没有具体
JEDEC标准测试存在，但密切描述可以在ANSI SEMI标准G30-88被发现。
热信息
UCC27210/11
(1)
热公制
θ
JA
θ
JCtop
θ
JB
ψ
JT
ψ
JB
θ
JCbot
结至环境热阻
结至电路板的热阻
(4)
(2)
DRM
8引脚
33.9
33.2
11.4
0.4
11.7
2.3
DPR
10脚
36.8
36.0
14.0
0.3
14.2
3.4
单位
结至外壳（顶部）热阻
(3)
结至顶部的特征参数
(5)
结至电路板的特征参数
(6)
结至外壳（底部）热阻
(7)
° C / W
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
(7)
有关传统和新的热度量的更多信息，请参阅
IC封装热度量
申请报告，
SPRA953.
在自然对流的结点至环境热阻是在一个JEDEC标准，高K板上的模拟获得，如
在JESD51-7指定，在JESD51-2a描述的环境。
通过模拟在封装顶部冷板试验获得的结到壳体（顶部）的热阻。没有具体JEDEC-
标准测试存在，但密切描述可以在ANSI SEMI标准G30-88被发现。
通过模拟的环境中具有环冷板夹具来控制印刷电路板得到的结到电路板的热阻
温度，如在JESD51-8说明。
结至顶部的特征参数，
ψ
JT
估计装置的结温在实际的系统中，并且被提取
从仿真数据用于获得
θ
JA
使用在JESD51-2a描述的方法（第6和7）。
结至电路板的特征参数，
ψ
JB
估计装置的结温在实际的系统中，并且被提取
从仿真数据用于获得
θ
JA
使用在JESD51-2a描述的方法（第6和7）。
通过在暴露的（功率）垫模拟冷板试验获得的结到壳体（底部）的热阻。没有具体
JEDEC标准测试存在，但密切描述可以在ANSI SEMI标准G30-88被发现。
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UCC27210
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电气特性
V
DD
= V
HB
= 12 V, V
HS
= V
SS
= 0 V ，在LO和HO ，T空载
A
= T
J
= -40 ℃至140 ℃， （除非另有说明）
参数
电源电流
I
DD
I
DDO
I
HB
I
HBO
I
HBS
I
HBSO
输入
V
撞
V
点亮
V
IHYS
R
IN
V
撞
V
点亮
V
IHYS
R
IN
V
DDR
V
DDHYS
V
HBR
V
HBHYS
V
F
V
FI
R
D
V
大声笑
V
陆
输入电压阈值
输入电压阈值
输入电压滞后
输入下拉电阻
输入电压阈值
输入电压阈值
输入电压滞后
输入下拉电阻
V
DD
导通阈值
只有DDA
迟滞
V
HB
导通阈值
只有DDA
迟滞
低电流正向电压
大电流正向电压
动态阻力
ΔVF / ΔI
低电平输出电压
高电平输出电压
山顶上拉电流
(1)
峰值下拉电流
何栅极驱动器
V
HOL
V
HOH
低电平输出电压
高电平输出电压
山顶上拉电流
(1)
峰值下拉电流
(1)
由设计保证。
(1)
(1)
测试条件
V（ LI ）= V（ HI ） = 0 V
UCC27210
UCC27211
F = 500千赫，C
负载
= 0
V（ LI ）= V（ HI ） = 0 V
F = 500千赫，C
负载
= 0
V（ HS ） = V （ HB ） = 115 V
F = 500千赫，C
负载
= 0
UCC27210
UCC27210 （ DDA只）
UCC27210
UCC27210 （ DDA只）
UCC27210
UCC27211
UCC27211 （ DDA只）
UCC27211
UCC27211 （ DDA只）
UCC27211
民
0.05
2.4
2.4
0.015
1.5
典型值
0.085
2.6
2.5
0.065
2.5
0.0005
0.07
最大
0.17
4.4
4.4
0.1
4.2
1.0
1.1
5.8
5.9
4.0
4.0
单位
V
DD
静态电流
V
DD
工作电流
mA
启动电压静态电流
BOOT电压工作电流
HB到V
SS
静态电流
HB到V
SS
工作电流
A
mA
4.2
4.2
2.4
2.4
5.0
5.0
3.2
3.2
1.8
102
V
kΩ
2.7
2.8
1.9
2.1
mV
kΩ
7.8
8.1
7.9
8.0
V
V
1.9
1.9
1.3
1.3
2.3
2.3
1.6
1.6
700
68
欠压锁定（UVLO ）
6.2
5.8
5.6
5.3
7.0
7.0
0.5
6.7
6.7
1.1
I
VDD -HB
= 100 A
I
VDD -HB
= 100毫安
I
VDD -HB
= 100 mA和80毫安
I
LO
= 100毫安
I
LO
= -100毫安，V
陆
= V
DD
- V
LO
V
LO
= 0 V
V
LO
= 12 V
I
HO
= 100毫安
I
HO
= -100毫安，V
HOH
= V
HB
- V
HO
V
HO
= 0 V
V
HO
= 12 V
0.05
0.1
0.3
0.05
0.1
0.65
0.85
0.5
0.09
0.16
3.7
4.5
0.09
0.16
3.7
4.5
0.17
0.29
0.8
0.95
0.85
0.17
0.29
自举二极管
V
Ω
LO栅极驱动器
V
A
V
A
版权所有2011-2012 ，德州仪器
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