UCC27200A ， UCC27201A
www.ti.com
SLUSAF9A
–
2011年2月
–
经修订的2011年12月
120 -V启动， 3 - A峰值，高频率，高侧/低侧驱动器
检查样品：
UCC27200A ， UCC27201A
1
特点
从指定-40
°C
140
°C
驱动两个N沟道MOSFET
高侧/低侧配置
最大启动电压120 V
最高VDD电压20 V
片0.65 -V VF ， 0.6 Ω RD自举二极管
大于1 MHz的操作
20 ns的传播延迟时间
3 ，有水槽， 3 -A源输出电流
8 ns上升/ 7 - ns下降时间与1000 pF负载
1 ns的延迟匹配
欠压锁定为高边和
低侧驱动器
采用8引脚SOIC （D ） ，使用PowerPad SOIC- 8
（ DDA ） ， SON - 8 （ DRM ） ， SON- 9 （ DRC ）和SON - 10
（ DPR ）的软件包
2
目录
设备额定值
电气特性
设备信息
应用信息
其他参考
2
4
11
14
22
描述
高频率的UCC27200A / 1A系列
N沟道MOSFET驱动器包括一个120 -V
自举二极管和高侧/低侧驱动器
独立的输入，最大程度的控制灵活性。
这使得N沟道MOSFET控制在
半桥，全桥，双开关正激和活性
钳位正向转换器。低侧和
高侧栅极驱动器可以独立控制
和相匹配的导通和关断之间的1纳秒
的对方。该UCC27200A / 1A是根据
流行的UCC27200 / 1驱动程序，但提供了一些
增强功能。为了提高性能
嘈杂的电源环境下的UCC27200A / 1A
具有增强的ESD输入结构，并且还具有
就其HS承受最大的-18 V的能力
引脚。
应用
电源为电信，数据通信，和
商家市场
半桥应用和全桥
转换器
隔离式总线架构
双开关正激转换器
有源钳位正激转换器
高电压同步降压转换器
D类音频放大器
简化应用图
+12V
+100V
V
DD
HB
次
SIDE
电路
HI
PWM
调节器
LI
控制
DRIVE
HI
HO
HS
DRIVE
LO
UCC27200A/1A
V
SS
LO
隔离
和
反馈
1
2
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
使用PowerPad是德州仪器的商标。
版权
2011年，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
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经修订的2011年12月
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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。
说明（续）
一个片上自举二极管，消除了外部分立二极管。欠压锁定功能提供了两个
高侧和低侧驱动器迫使输出低电平，如果驱动电压低于指定的阈值。
两个版本的UCC27200A的提供。该UCC27200A具有高噪声免疫CMOS输入阈值
而UCC27201A具有TTL兼容阈值。
这两款器件均采用8引脚SOIC （D ） ，使用PowerPad SOIC - 8 （ DDA ） ， SON - 8 （ DRM ）方案，一个9针
SON- 9 （ DRC ）封装和10引脚SON - 10 （ DPR ）封装。
订购信息
包装设备
(1)
温度
范围T
A
= T
J
-40 ° C至+ 140℃
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
输入
兼容性
CMOS
TTL
SOIC-8 （D）的
(2)
UCC27200AD
UCC27201AD
PowerPAD
SOIC - 8 （ DDA ）
(2)
UCC27200ADDA
UCC27201ADDA
SON- 8 （DRM）的
(3)
UCC27200ADRM
UCC27201ADRM
SON- 9 （ DRC ）
(4)
UCC27200ADRC
UCC27201ADRC
SON- 10 （ DPR）
不适用
UCC27201ADPR
(5)
这些产品包装的铅（ Pb）并PdNiAu绿色铅涂层是与MSL 1级兼容于255-260 ℃，
峰值回流焊温度与任何无铅或锡/铅焊接操作。
D（ SOIC - 8）和DDA （电源垫 SOIC - 8 ）封装都提供卷带封装。加上R后缀的设备类型（例如，
UCC27200ADR ）订购的每卷2,500台设备的数量。
DRM （ SON - 8 ）封装来无论是在一个小卷的250件零件号UCC27200ADRMT ，或更大的3000件卷轴为
产品编号UCC27200A DRMR 。
刚果民主共和国（ SON- 9 ）软件包中也无论是在一个小卷的250件零件号UCC27200ADRCT ，或大卷片的一部分
数UCC27200ADRCR 。
DPR （ SON - 10 ）封装来无论是在一个小卷的250件零件号UCC27201ADPRT ，或大卷片的一部分
数UCC27201ADPRR 。
2
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设备额定值
绝对最大额定值
在工作自由空气的温度，除非另有说明，所有的电压是相对于V
SS
参数
电源电压范围，
(2)
(1)
价值
-0.3 20
-0.3 20
单位
V
DD
DC
重复脉冲
<100
ns
DC
重复脉冲
<100
ns
DC
重复脉冲
<100
ns
(3)
(3)
(3)
在李和HI ， V输入电压
LI
, V
HI
在LO ，V输出电压
LO
上议员， V输出电压
HO
在HS ，V电压
HS
在HB ，V电压
HB
电压在HB- HS
工作结温范围，T
J
贮藏温度，T
英镑
引线温度（焊接， 10秒）
在T功耗
A
= 25°C （D包）
(4)
(4)
(4)
(4)
-0.3到V
DD
+ 0.3,
-2到V
DD
+ 0.3
V
HS
–
0.3 V
HB
+ 0.3
V
HS
- 2至V
HB
+ 0.3, (V
HB
- V
HS
<20)
-1 120
-18至120
-0.3 120
-0.3 20
-40到+150
-65到+150
+300
1.3
2.7
3.3
2.86
2000
1000
V
W
°C
V
在T功耗
A
= 25 ° C（ DDA包）
在T功耗
A
= 25 ° C（ DRM包）
在T功耗
A
= 25 ° C（ DRC包）
人体模型
清洁发展机制
(1)
(2)
(3)
(4)
强调超越那些在列
“绝对
最大额定值“，可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值
只和功能在这些或任何其他条件超出下所指示的设备的操作
“推荐
操作
条件“是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
所有的电压是相对于V
ss
。电流是积极进入，负出指定的终端。
值由特性验证，不生产测试。
采用JEDEC提出的高K测试PCB该数据取自。详细信息请参见热特性部分。
推荐工作条件
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
参数
V
DD
V
HS
V
HB
电源电压范围
在HS电压
电压HS ， （重复脉冲
<100
NS ）
对HB电压
在HS电压摆率
T
J
工作结温范围
-40
民
8
-1
-15
V
HS
+ 8,
V
DD
–1
喃
12
最大
17
105
110
V
HS
+ 17,
115
50
+140
V / ns的
°C
V
单位
版权
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检查样品：
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1
特点
从指定-40
°C
140
°C
驱动两个N沟道MOSFET
高侧/低侧配置
最大启动电压120 V
最高VDD电压20 V
片0.65 -V VF ， 0.6 Ω RD自举二极管
大于1 MHz的操作
20 ns的传播延迟时间
3 ，有水槽， 3 -A源输出电流
8 ns上升/ 7 - ns下降时间与1000 pF负载
1 ns的延迟匹配
欠压锁定为高边和
低侧驱动器
采用8引脚SOIC （D ） ，使用PowerPad SOIC- 8
（ DDA ） ， SON - 8 （ DRM ） ， SON- 9 （ DRC ）和SON - 10
（ DPR ）的软件包
2
目录
设备额定值
电气特性
设备信息
应用信息
其他参考
2
4
11
14
22
描述
高频率的UCC27200A / 1A系列
N沟道MOSFET驱动器包括一个120 -V
自举二极管和高侧/低侧驱动器
独立的输入，最大程度的控制灵活性。
这使得N沟道MOSFET控制在
半桥，全桥，双开关正激和活性
钳位正向转换器。低侧和
高侧栅极驱动器可以独立控制
和相匹配的导通和关断之间的1纳秒
的对方。该UCC27200A / 1A是根据
流行的UCC27200 / 1驱动程序，但提供了一些
增强功能。为了提高性能
嘈杂的电源环境下的UCC27200A / 1A
具有增强的ESD输入结构，并且还具有
就其HS承受最大的-18 V的能力
引脚。
应用
电源为电信，数据通信，和
商家市场
半桥应用和全桥
转换器
隔离式总线架构
双开关正激转换器
有源钳位正激转换器
高电压同步降压转换器
D类音频放大器
简化应用图
+12V
+100V
V
DD
HB
次
SIDE
电路
HI
PWM
调节器
LI
控制
DRIVE
HI
HO
HS
DRIVE
LO
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V
SS
LO
隔离
和
反馈
1
2
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
使用PowerPad是德州仪器的商标。
版权
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产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。
说明（续）
一个片上自举二极管，消除了外部分立二极管。欠压锁定功能提供了两个
高侧和低侧驱动器迫使输出低电平，如果驱动电压低于指定的阈值。
两个版本的UCC27200A的提供。该UCC27200A具有高噪声免疫CMOS输入阈值
而UCC27201A具有TTL兼容阈值。
这两款器件均采用8引脚SOIC （D ） ，使用PowerPad SOIC - 8 （ DDA ） ， SON - 8 （ DRM ）方案，一个9针
SON- 9 （ DRC ）封装和10引脚SON - 10 （ DPR ）封装。
订购信息
包装设备
(1)
温度
范围T
A
= T
J
-40 ° C至+ 140℃
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
输入
兼容性
CMOS
TTL
SOIC-8 （D）的
(2)
UCC27200AD
UCC27201AD
PowerPAD
SOIC - 8 （ DDA ）
(2)
UCC27200ADDA
UCC27201ADDA
SON- 8 （DRM）的
(3)
UCC27200ADRM
UCC27201ADRM
SON- 9 （ DRC ）
(4)
UCC27200ADRC
UCC27201ADRC
SON- 10 （ DPR）
不适用
UCC27201ADPR
(5)
这些产品包装的铅（ Pb）并PdNiAu绿色铅涂层是与MSL 1级兼容于255-260 ℃，
峰值回流焊温度与任何无铅或锡/铅焊接操作。
D（ SOIC - 8）和DDA （电源垫 SOIC - 8 ）封装都提供卷带封装。加上R后缀的设备类型（例如，
UCC27200ADR ）订购的每卷2,500台设备的数量。
DRM （ SON - 8 ）封装来无论是在一个小卷的250件零件号UCC27200ADRMT ，或更大的3000件卷轴为
产品编号UCC27200A DRMR 。
刚果民主共和国（ SON- 9 ）软件包中也无论是在一个小卷的250件零件号UCC27200ADRCT ，或大卷片的一部分
数UCC27200ADRCR 。
DPR （ SON - 10 ）封装来无论是在一个小卷的250件零件号UCC27201ADPRT ，或大卷片的一部分
数UCC27201ADPRR 。
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设备额定值
绝对最大额定值
在工作自由空气的温度，除非另有说明，所有的电压是相对于V
SS
参数
电源电压范围，
(2)
(1)
价值
-0.3 20
-0.3 20
单位
V
DD
DC
重复脉冲
<100
ns
DC
重复脉冲
<100
ns
DC
重复脉冲
<100
ns
(3)
(3)
(3)
在李和HI ， V输入电压
LI
, V
HI
在LO ，V输出电压
LO
上议员， V输出电压
HO
在HS ，V电压
HS
在HB ，V电压
HB
电压在HB- HS
工作结温范围，T
J
贮藏温度，T
英镑
引线温度（焊接， 10秒）
在T功耗
A
= 25°C （D包）
(4)
(4)
(4)
(4)
-0.3到V
DD
+ 0.3,
-2到V
DD
+ 0.3
V
HS
–
0.3 V
HB
+ 0.3
V
HS
- 2至V
HB
+ 0.3, (V
HB
- V
HS
<20)
-1 120
-18至120
-0.3 120
-0.3 20
-40到+150
-65到+150
+300
1.3
2.7
3.3
2.86
2000
1000
V
W
°C
V
在T功耗
A
= 25 ° C（ DDA包）
在T功耗
A
= 25 ° C（ DRM包）
在T功耗
A
= 25 ° C（ DRC包）
人体模型
清洁发展机制
(1)
(2)
(3)
(4)
强调超越那些在列
“绝对
最大额定值“，可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值
只和功能在这些或任何其他条件超出下所指示的设备的操作
“推荐
操作
条件“是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
所有的电压是相对于V
ss
。电流是积极进入，负出指定的终端。
值由特性验证，不生产测试。
采用JEDEC提出的高K测试PCB该数据取自。详细信息请参见热特性部分。
推荐工作条件
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
参数
V
DD
V
HS
V
HB
电源电压范围
在HS电压
电压HS ， （重复脉冲
<100
NS ）
对HB电压
在HS电压摆率
T
J
工作结温范围
-40
民
8
-1
-15
V
HS
+ 8,
V
DD
–1
喃
12
最大
17
105
110
V
HS
+ 17,
115
50
+140
V / ns的
°C
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单位
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