UCC2585
UCC3585
初步
低电压同步降压控制器
特点
电阻可编程1.25V至4.5V
V
OUT
2.5V至6V输入电压范围
1 ％的直流精度
高效率同步
开关
驱动P沟道（高端）和
N沟道（低端） MOSFET的
无损可编程电流限制
逻辑兼容关机
可编程频率
启动电压跟踪保护
双滑轨微处理器
描述
该UCC2585 / UCC3585同步降压控制器提供了灵活
输出电压可低至1.25V的高效率电源转换
保证± 1 ％的直流精度。输出电流仅受
选择的外部逻辑电平MOSFET 。同的输入电压范围
2.5V至6.0V它仅适用于3.3V ，电池输入，或其他低的理想选择
电压系统。应用范围包括本地微处理器核心电压
电源为台式机和笔记本电脑，以及高速GTL
总线调节。其固定频率振荡器能够提供实用的
PWM操作至700kHz 。
而其低电压能力和固有的“永远在线”的操作，则
UCC2585 / UCC3585使VOUT跟踪VIN一旦VIN超过
外部P沟道MOSFET的阈值电压。跟踪可以是
专为使用单个电阻器的任何应用程序或连接被禁用
轨道VIN 。对于双电源轨微处理器此功能否定
需要外部二极管，以保证之间的供应电压跟踪
+ 3.3V和低电压微处理器内核供电。
（续）
典型应用图
VIN
C8
0.47F
R1
10k
+
C1
150F
+
C2
150F
C7
147pF
1
R2
549k
2
COMP
ISENSE 11
R6
3
4
VFB
NDRV
14
Q2
IRF7401
+
C9
220F
C4
3.2N
C5
0.22F
C6
470pF
16
CT
PWRGND 13
10
SD
轨道
6
R12
32k
R10
36k
+
C10
220F
+
C11
220F
ENB
PDRV
12
15
VIN
CLSET
8
R5
3
Q1
IRF7404
L1 4.7μF
VOUT
R3
27.4k
3
SS
N / C
9
7
R4
100k
RTN
ISET
GND
5
R11
82k
RTN
UDG-98024
07/99
UCC2585
UCC3585
绝对最大额定值
模拟引脚
最小和最大电压强制
（参考GND） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V至+ 6.3V
数字引脚
最小和最大电压强制
（参考GND） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 0.3V至6.3V
功率驱动器输出引脚
最大强制电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±1.0A
工作结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55 ° C至+ 125°C
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ° C至+ 150°C
连接图
DIL - 16 ， SOIC -16和SSOP - 16 （ TOP VIEW ）
J，N ，D和M封装
ENB
COMP
SS
VFB
GND
轨道
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
CT
VIN
NDRV
PWRGND
PDRV
ISENSE
SD
N / C
注意：
除非另有说明，电压参考
地面和电流是正进，负出的，在规
后指定终端。脉冲被定义为小于10 ％的占空比
用时间为500ns的最大持续时间。
应用
低电压的微处理器电源等的PowerPC
603和604
高功率5V或3.3V至1.25V - 4.5V稳压器
GTL总线终端
ISET
CLSET
说明（续）
该UCC2585 / UCC3585驱动互补对
功率MOSFET晶体管，偏高P沟道，
而在低边N沟道下台输入
电压高达90 ％的效率。
可编程的双级限流功能是亲
通过检测高侧P的电压降vided
沟道MOSFET。该电路可以被配置为亲
韦迪脉冲逐脉冲限流，经过7 CON-定时关机
secutive故障或锁死的故障检测后，使
最大的应用灵活性。电流限制门限
旧的编程用单个电阻选择
赛制MOSFET的特性。
该UCC2585 / UCC3585还包括欠压
锁定，控制逻辑使能和软启动功能。
该UCC2585 / UCC3585提供的16引脚表面
贴装和通孔封装。
2
UCC2585
UCC3585
电气特性：
除非另有说明，这些规范保持对于T
A
= 0℃至70℃的
UCC3585和T
A
= -40 ° C至85°C的UCC2585 。牛逼
A
= T
J
。 VIN = 3.3V ， ENB ，我
SENSE
= V
IN
, V
FB
= 1.25V ， COMP = 1.5V ，
C
T
= 330pF的，R
ISET
= 10万， RTRACK = 10K ， RCLSET = 10K 。
参数
输入供应科
电源电流 - 总（有效）
电源电流 - 关闭
VIN开启阈值（ UVLO ）
VIN开启迟滞
电压放大器部分
输入电压（内部基准电压）
输入电压（内部基准电压）
开环增益
输出电压高
输出电压低
输出源电流
输出灌电流
振荡器/ PWM节
初始精度
初始精度
CT斜坡峰谷
CT斜坡谷值电压
PWM最大占空比
PWM最小占空比
PWM延迟输出
跟踪电流
ENABLE高门槛
实现低阈值
软启动充电电流
电流限制部分
脉冲到脉冲阈值
CLSET电流
SD灌电流
SD源电流
重新启动阈值
输出驱动器部分（ PDRV ， NDRV ）
上拉电阻
下拉电阻
死区时间延迟
-100mA （来源）T
A
= 25° C
百毫安（水槽）T
A
= 25° C
注2
150
6
4
200
250
ns
SD = 2V
SD = 2V
测量SDOWN
0.40
V之间测量
IN
我
SENSE
100
11
8
125
14
13
–100
0.55
150
16
18
–140
0.90
mV
A
A
A
V
COMP = 3V ，测得的PDRV
COMP = 0.2V ，测得的PDRV
COMP = 2.5V
测得的轨道上，V
轨道
= 1.6V
测量ENABLE （注3 ）
测量上启用
SS = 0V
–10
10
45
12
2.8
0.5
–14
–18
15
T
J
= 25°C
过温
405
390
1.8
0.3
100
0
450
450
2.1
0.4
495
510
2.4
千赫
千赫
V
V
%
%
ns
A
V
V
A
T
A
= 0 ° C至70 ° C， VIN = 3.0V至3.6V ，注1
VIN = 3.0V至3.6V ， IND / MIL温度，注1
COMP = 0.5至2.5V
我（COMP） = -50μA
我（ COMP ） = 50μA
–100
0.4
1.238
1.228
65
3.00
1.250
1.250
80
3.25
0.10
–175
1.0
0.25
1.262
1.273
V
V
dB
V
V
A
mA
启用= 0V
2.3
10
2.35
450
3.5
25
2.60
550
mA
A
V
mV
测试条件
民
典型值
最大单位
注1.标准的COMP在单位增益（电压跟随器）配置的误差放大器。
注意PDRV 2. 50％点上升至NDRV崛起与NDRV的50％点下降到PDRV下降。
注3.启用高阈值= V
IN
–0.5.
3
UCC2585
UCC3585
框图
轨道
6
UVLO
精确
偏置设置
轨道
1.25V
UVLO
1.25V
REF
ENB
1
启用
轨道
VIN
–0.8V
COMP
2
10A
1.25V
SS
3
精确
BIAS
NC
9
软启动完成
反向
当前
逻辑
振荡器
反向
10A
禁用驱动程序
CLK
PWM
R
D
Q
PWM
LATCH
S
Q
UVLO
ANTI
SHOOT THRU
当前
极限
司机
12 PDRV
11 ISENSE
CURENT
LIMIT ADJ
ISET
7
CLSET
8
2V
10A
VIN 15
VFB
4
司机
14 NDRV
反向
软启动完成
13 PWRGND
OVER当前计数器
定时关机
H = NO过流
16
CT
5
GND
10
SD
L = NO SHUTDOWN
H =锁存关断
CAP =定时关机
UDG-98008
引脚说明
CLSET ：
CLSET用于编程的逐脉冲
和过流关断层面的UCC1585 。一个重
体管连接CLSET和VIN之间设置
阈值。阈值遵循以下关系
船舶：
1. 25
R
CLSET
R
ISET
LCL
=
RDS
(
on
)
COMP ：
输出电压型误差放大器。环
补偿元件连接之间
COMP和VFB 。
CT ：
高品质陶瓷电容之间的连接
该引脚与地设置PWM振荡器频率的
下列关系式：
利用电容100pF电容比数值越大，以迷你
程度降低杂散电容的影响。该振荡器是钙
pable的超过1MHz的可靠运行。
ENB ：
一个LOGIC1 （V
IN
-0.5V ）在此输入将激活
输出驱动器。逻辑0 （ 0.5V ），可以防止开关
的输出驱动器。不要让ENB留BE-
补间这些水平的稳定状态。
GND ：
参考电平为IC 。所有的电压和电流
租金相对于GND 。
ISENSE ：
ISENSE执行两种功能。第一种方法是
监控整个高端P信下降的电压
NEL MOSFET开关同时导通。此信息
灰是用来检测过电流条件下由
电流限制电路。 ISENSE的第二功能是
测量电流通过低边N沟道
MOSFET。当电流流过这个MOSFET是
漏源极（即反转） ，这种FET关断的
在切换周期的剩余部分。
4
F
=
1
(6700
CT
)
UCC2585
UCC3585
引脚说明（续）
ISET ：
电阻连接在ISET和地之间
编程精度偏差为许多
UCC2585 / UCC3585的电路模块。允许电阻val-
UE被90KΩ至110kΩ 。 1.25V经由提供给ISET
缓存版本的内部带隙基准电压源。
得到的电流为1.25V / R
ISET 。
该电流是mir-
rored直接转移到CLSET编程的过电流
阈值。第二个使用此电流设置的基础
对于振荡器的充电电流。
PDRV ：
高电流驱动器输出的高边P
沟道MOSFET开关。一个3Ω到10Ω串联电阻BE-
吐温PDRV和MOSFET的栅极可以被插入到
减少振铃该引脚上。在某些情况下，布局，一
低V
F
二极管可能需要从这个引脚到地
使引脚上的振铃超过地面以下0.5V 。
PWRGND ：
对于MOSFET的高电流返回路径
驱动程序。 PWRGND和GND应终止用于─
GETHER尽可能靠近IC封装成为可能。
SD ：
该引脚可配置电流限制在任何操作
1的三种不同方法。
1 ）少对SD强行电压低于250mV的抑制
关断功能使逐脉冲限流。
2 ）电容器从SD到GND提供了控制 -
LER转换器关机超时后连续7
由电流限制税务局局长收到过流信号
cuitry 。间隔10μA （典型值）电流源放电
在SD电容到0.5V （典型值）启动阈值。该
停机时间由下式给出：
SS:
低漏电电容连接SS之间
接地将提供软启动功能，用于该转换器。
有关此电容器上的电压将在起动缓慢充电
向上通过一个内部电流源。的电压的输出
年龄误差放大器（ COMP），跟踪该电压，从而
限制控制器的占空比。
NDRV ：
高电流驱动器输出用于低侧
MOSFET开关。一个3Ω到10Ω之间的串联电阻
NDRV和MOSFET的栅极可以被插入，以减少
振铃该引脚上。在某些情况下，布局，低V
F
二
欧帝可能需要从这个引脚到地保持
引脚振铃超过地面以下0.5V 。
追踪：
电阻连接轨道之间
该转换器的输出电压设定的启动信息
的功率转换器。某些双电源轨微处理器的
处理机要求的最大电压差BE-
补间的电源电压不超过。如果不这样做
结果在大电流在通过微处理器
的ESD （静电放电）保护器件。这
可导致芯片故障。该UCC2585 / UCC3585是DE-
V之前签署这样的，这是“正常的”
IN
到达
在2.0V （标称值） UVLO阈值。也就是说，高边P
沟道MOSFET开关驱动器输出被主动拉低
使MOSFET的导通电流，以作为输出
一旦V
IN
高到足以超过该门打开
门槛。该电阻器从轨道V
OUT
设置
VOUT上的电压电平在所述P沟道MOSFET的
是关闭的。跟踪截止电压跟随跟着
降脂的关系：
T
关闭
=
[
C
SD
(
V
IN
0 .5
)
]
10
A
V
OUT
（最大）
=
1. 25
V
+
12
A
(
R
轨道
)
这是必要的非常低的输出电压的应用
（ < 2.0V ） ，其中，过压，如果可能的P沟道发生
MOSFET未禁用UVLO阈值是前
抵达。对于V应用
OUT
大于2.0V ，
TRACK可以通过把轨道V被禁用
IN
.
VFB ：
反相输入端的电压型误差放大器。
共模输入范围从VFB延伸
GND到1.5V 。
VIN ：
电源电压UCC2585 / UCC3585.Bypass
用一个0.1μF的陶瓷电容（最小值）供应
开关由外部所需的瞬时电流
MOSFET开关。
,
其中C
SD
是电容器的从SD到GND的值，
VIN是芯片电源电压（引脚15 ） 。在这
点，软启动周期开始和100μA电流
（典型值）快速充电SD到VIN 。在软启动，脉冲
通过脉冲限流启用，而7周期数是DE-
奠定直到软启动完成后（即记入内约
三方共同VIN伏） 。
3 ）大于1V的SD强行电压将引起
该UCC2585 / UCC3585后7过电流闭锁
信号被接收。之后，控制器被锁断，SD
必须低于250mV的重新启动控制器。
5
QQ：2881677436 复制
