UCC2540
SLUS539A - 2004年6月 - 修订2004年8月
高效次级侧
同步降压PWM控制器
特点
D
片预测门Drivet的
D
D
D
D
D
D
D
D
D
D
高效率同步降压
手术
双
±3-A
TrueDrivet输出
1 MHz的高频率工作70纳秒
延迟从SYNCIN到G1输出
前沿调制
过流保护采用并行
平均电流模式控制环路
3种模式，以支持2.7 V至35 V BIAS
手术
反向电流保护输出级
用户可编程的关断
±1.0%
最初的公差带隙基准
高带宽误差放大器
耐热增强型HTSSOP 20引脚
PowerPADt套餐
应用
D
二次侧的邮政条例（ SSPR ）的
D
D
多路输出电源
级联降压转换器
后处理转换为公交车
转换器和DC变压器架构
描述
该UCC2540是二次侧同步
降压PWM控制器，用于高电流和低
输出电压的应用。它可以被用于
作为当地次级端控制器，用于隔离
使用两阶段式DC- DC转换器，级联
拓扑结构或者作为二次侧交的调节器
（ SSPR ）的多路输出电源。
该UCC2540运行与同步
从主侧或高占空比信号
总线转换器或DC的周期准直流输出
变压器。对于更高的效率，还
采用了预测门Drivet
技术几乎消除了体二极管
传导损耗在同步整流器。
主
产量
简化应用图
输入
C1
UCC25701
FB
OUT
QP
V FB
UCC2540
VEA- 7
13 VDRV
14 G2
12 G2S
16 VDD
19 BST
18 G1
20申万
17 SW
15 PGND
CEA- 8
RSET 1
COMP 9
G2C 3
REF 2
TR 10
主
产量
RSNS
AUX
产量
R1
R2
11 SS SYNCIN RAMP 5
4
UDG04057
预测门Drive ， TrueDrive和PowerPAD ，是德州仪器的商标。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
2004年，德州仪器
www.ti.com
1
UCC2540
SLUS539A - 2004年6月 - 修订2004年8月
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
说明（续）
该UCC2540是在-40 ° C至105 ° C的扩展温度范围内使用，并提供中热
增强PowerPADt 20引脚HTSSOP （PWP ）封装。这个空间节省包装用标准的20针
TSSOP足迹为1.4 ° C / W急剧降低热阻
θ
JC
以容纳双
大电流驱动器在船上。
绝对最大额定值
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
(1)(2)
UCC2540
电源电压范围， VDD
电源电流， IVDD
VDD
CEA- ， COMP ， G2C ， RAMP ， SS ， TR ， VEA-
VDRV
G1 ， BST
模拟输入电压
申银万国，申万
G2 ， G2S
SYNCIN
灌电流（峰值） ， IOUT_SINK
源电流（峰值） ， IOUT_SOURCE
工作结温范围， TJ
存储温度， TSTG
G1, G2
G1, G2
36
50
-0.3 3.6
-0.3 9
SW- 0.3 SW + 9
-1到36
-1到9
-0.3 8.0
3.5
3.5
-55到150
-65到150
°C
C
A
V
单位
V
mA
焊接温度1.6毫米（ 1/16英寸）的情况下，持续10秒
300
（ 1 ）强调超越“绝对最大额定值”，可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值只，
并且该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”
是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
（ 2 ）所有的电压都是相对于GND 。电流是积极进入，而负出指定的终端。
推荐工作条件
民
电源电压（VDD）
电源电压， VDRV
电源电压（REF）
电源电压旁路， CVDD
基准旁路电容CREF
VDRV旁路电容器， CVDRV
BST -SW旁路电容， CBST -SW
定时器电流的电阻范围，资源记录集
PWM斜坡电容范围， CRAMP
关断电容范围， CG2C
COMP引脚的负载范围内， RLOAD
结的工作温度，TJ
模式1
模式2
模式3
8.5
4.75
3.0
1.0
0.1
0.2
0.1
10
100
120
6.5
40
105
50
680
1000
pF
k
°C
k
3.3
2.2
1.0
2.2
F
F
典型值
最大
35
8.00
3.6
V
单位
2
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UCC2540
SLUS539A - 2004年6月 - 修订2004年8月
订购信息
TA = TJ
-40 ° C至+ 105°C
HTSSOP - 20 （ PWP ）
(1)
体积
UCC2540PWP
（ 1 ） PWP封装也可在每管70的设备和录音和缠绕在
每卷2000设备。添加的R后缀的设备类型（即UCC2540PWPR ） 。看
该数据表使用PowerPad图纸和布局信息的应用程序部分。
接线图
PWP封装
（ TOP VIEW ）
RSET
REF
G2C
SYNCIN
坡道
GND
VEA-
CEA-
COMP
TR
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
SWS
BST
G1
SW
VDD
保护地
G2
VDRV
G2S
SS
注： PowerPADt不直接连接到封装的任何铅。它是电和热连接的衬底
装置，其作为地面，并应连接到PGND PCB上。暴露的尺寸为1.3毫米× 1.7毫米。然而，该
公差可1.05毫米/ -0.05毫米（ 41密耳/ -2密耳） ，由于位置和模内流动性的变化。
热信息
包
家庭
PowerPAD
HTSSOP20
包
代号
PWP
θ
JA （ ° C / W）
（与使用PowerPad ）
22.3至32.6
（ 500 0 LFM）的
θ
JC （ ° C / W）
（不使用PowerPad ）
19.9
θ
JC （ ° C / W）
（与使用PowerPad ）
1.4
最高芯片
温度
125°C
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3
UCC2540
SLUS539A - 2004年6月 - 修订2004年8月
电气特性
VDD = 12 V ， 1 μF电容从VDD到GND ， 1 μF电容从BST到SW ， 1μF电容， REF和GND ， 0.1 μF和2.2 μF电容
从VDRV到PGND ， fSYNCIN = 200 kHz时， TA = TJ = -40 ° C至105 ° C， （除非另有说明） 。
参数
整体
DC
IVDD
工作电流
FS = 200千赫，
模式1
模式1
模式1
模式2 ，
模式2
模式2
模式3
模式3
模式3
TA = 25°C
全变差
VREF = 0 V ，
TA = 25°C
5.25 V
≤
VREF
≤
7.2 V
0毫安
≤
IREF
≤
5毫安
VVDD = VVDRV = 2.7 V
VVDD = 4 V
CLOAD = 2.2 nF的
欠压锁定
VVDD
VVDD
VVDD
VVDRV
VVDRV
VVDRV
VREF
VREF
启动阈值电压
停止阈值电压
迟滞
启动阈值电压
停止阈值电压
迟滞
启动阈值电压
停止阈值电压
8.0
7.5
0.3
4.30
4.0
0.15
2.75
2.25
0.3
3.28
3.2
10
0
0
8.5
8.0
0.5
4.65
4.3
0.35
3.00
2.50
0.5
3.30
3.3
13
1.5
30
9.0
8.5
0.8
4.85
4.6
0.55
3.20
2.70
0.8
3.32
3.4
20
15
70
0%
0.10
2.3
FSYNC = 200千赫
资源记录集= 10 kΩ的
全变差
ICOMP = 0 ，
VVEA- = 2.0 V
ICOMP = 200
A,
VVEA- = 1 V
ICOMP = 0 ，
VVEA- = 1 V
VCEA- = 3.3 V ，
VCEA- = 1.5 V
VCEA- = 0 V ，
0
2.2
60
200
VCOMP = 1.0 V，
VVEA- = 0 V
VCEA- = 1.5 V，
0.35
0
0.60
2.5
100
80
0.80
150
325
45
3
0.25
2.5
175
300
50
4
0.1
V
0.83
3.0
140
10
1.70
2
V
dB
nA
mA
V
0.45
2.8
200
275
55
V
ns
A
mV
兆赫
mV
V
mA
V
8
9
11
12
13
30
mA
测试条件
民
典型值
最大
单位
VREF
迟滞
基准电压（ REF ）
VREF
ISC
参考输出电压
短路电流
线路调整
负载调整率
PWM （斜坡）
DMIN
VRAMP
tdead后
IRAMP
VCEA +
GBW
最小占空比
失调电压
超时阈值电压
G1的死区时间在最大占空比
RAMP充电电流
失调电压
增益带宽（3）
电流误差放大器
VOL
低电平输出电压
VOH
AVOL
IBIAS
ISINK
CMR
高电平输出电压
开环
偏置电流
灌电流
共模输入范围（3）
（ 3 ）由设计保证。未经生产测试。
4
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UCC2540
SLUS539A - 2004年6月 - 修订2004年8月
电气特性
VDD = 12 V ， 1 μF电容从VDD到GND ， 1 μF电容从BST到SW ， 1μF电容， REF和GND ， 0.1 μF和2.2 μF电容
从VDRV到PGND ， fSYNCIN = 200 kHz时， TA = TJ = -40 ° C至105 ° C， （除非另有说明）
参数
电压误差放大器
VSS_OFF
VTR_OFF
VVEA +
GBW
从软启动输入失调电压
从跟踪的输入失调电压
阈值电压（从VEA-至COMP ）
增益带宽（3）
ICOMP = 0 ，
VVEA- = 2.0 V，
ICOMP = 200
A,
VVEA- = 1 V ，
ICOMP = 0 ，
VVEA- = 1 V
VCEA- = 1.75 V ，
VCEA- = 0 V ，
VTR = 0 V
VCEA- = 0 V
0
2.2
60
300
VCOMP = 1.0 V，
VVEA- = 1.5 V
资源记录集= 10 kΩ的
资源记录集= 10 kΩ的
VCEA- = 0 V ，
0.35
0.60
2.5
100
150
0.80
ICOMP = VVEA- ，
VTR = 1.0 V，
0°C
≤
TA
≤
105°C
全变差
VSS- = 1.5 V
VCOMP = VVEA-
0.40
25
1.485
1.47
3
0.75
48
1.500
1.50
4
0.1
0.83
3.0
140
50
1.70
dB
A
mA
V
1.00
70
1.515
1.53
V
兆赫
V
mV
测试条件
民
典型值
最大
单位
VOL
低电平输出电压
VOH
AVOL
IBIAS
ISINK
高电平输出电压
开环
偏置电流
灌电流（ 4 ）
当前设置
IOUT
Vrset
输出电流
RSET电压
定时器阈值
SYNCIN门槛
ICHG （ G2C ），定时关机充电电流
软启动（ SS ）
ICH （ SS ）
IDSCH （ SS ）
充电电流
放电电流
放电/关断阈值
DRIVE调节器（ VDRV ）
VVDRV
输出电压
线路调整
负载调整率
ISC
短路电流
G2S栅极驱动SENSE
G2S上升阈值电压
G2S下降阈值电压
IG2S
当前
SWS栅极驱动SENSE
申万上升阈值电压
申万下降阈值电压
ISWS
当前
负阈值电压
（ 3 ）由设计保证。未经生产测试。
VSWS = 0 V
VSWS = 0 V
VG2S = 0 V
VG2S = 0 V
VG2S = 0 V
VSWS = 0 V
VVDD = 8.5 V
9 V
≤
VVDD
≤
35 V
± 5毫安
≤
IVDRV
≤
0毫安
6.87
0
0
15
1.90
1.00
0.70
1.90
1.0
1.8
0.5
7.20
50
50
30
2.25
1.25
0.50
2.25
1.2
1.3
0.3
7.53
100
100
50
3.10
1.03
0.37
2.90
1.3
0.9
0.1
V
mA
V
V
mA
mV
mA
V
资源记录集= 10 kΩ的
资源记录集= 10 kΩ的
资源记录集= 10 kΩ的
158
1.42
2.3
1.50
325
230
50
0.35
150
1.50
2.5
1.65
300
200
70
0.45
142
1.58
2.7
1.80
275
170
100
0.55
V
A
A
V
同步和定时关机（ SYNCIN ， G2C ）
A
A
V
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UCC2540
SLUS539A - 2004年6月 - 修订2004年8月
高效次级侧
同步降压PWM控制器
特点
D
片预测门Drivet的
D
D
D
D
D
D
D
D
D
D
高效率同步降压
手术
双
±3-A
TrueDrivet输出
1 MHz的高频率工作70纳秒
延迟从SYNCIN到G1输出
前沿调制
过流保护采用并行
平均电流模式控制环路
3种模式，以支持2.7 V至35 V BIAS
手术
反向电流保护输出级
用户可编程的关断
±1.0%
最初的公差带隙基准
高带宽误差放大器
耐热增强型HTSSOP 20引脚
PowerPADt套餐
应用
D
二次侧的邮政条例（ SSPR ）的
D
D
多路输出电源
级联降压转换器
后处理转换为公交车
转换器和DC变压器架构
描述
该UCC2540是二次侧同步
降压PWM控制器，用于高电流和低
输出电压的应用。它可以被用于
作为当地次级端控制器，用于隔离
使用两阶段式DC- DC转换器，级联
拓扑结构或者作为二次侧交的调节器
（ SSPR ）的多路输出电源。
该UCC2540运行与同步
从主侧或高占空比信号
总线转换器或DC的周期准直流输出
变压器。对于更高的效率，还
采用了预测门Drivet
技术几乎消除了体二极管
传导损耗在同步整流器。
主
产量
简化应用图
输入
C1
UCC25701
FB
OUT
QP
V FB
UCC2540
VEA- 7
13 VDRV
14 G2
12 G2S
16 VDD
19 BST
18 G1
20申万
17 SW
15 PGND
CEA- 8
RSET 1
COMP 9
G2C 3
REF 2
TR 10
主
产量
RSNS
AUX
产量
R1
R2
11 SS SYNCIN RAMP 5
4
UDG04057
预测门Drive ， TrueDrive和PowerPAD ，是德州仪器的商标。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
2004年，德州仪器
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1
UCC2540
SLUS539A - 2004年6月 - 修订2004年8月
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
说明（续）
该UCC2540是在-40 ° C至105 ° C的扩展温度范围内使用，并提供中热
增强PowerPADt 20引脚HTSSOP （PWP ）封装。这个空间节省包装用标准的20针
TSSOP足迹为1.4 ° C / W急剧降低热阻
θ
JC
以容纳双
大电流驱动器在船上。
绝对最大额定值
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
(1)(2)
UCC2540
电源电压范围， VDD
电源电流， IVDD
VDD
CEA- ， COMP ， G2C ， RAMP ， SS ， TR ， VEA-
VDRV
G1 ， BST
模拟输入电压
申银万国，申万
G2 ， G2S
SYNCIN
灌电流（峰值） ， IOUT_SINK
源电流（峰值） ， IOUT_SOURCE
工作结温范围， TJ
存储温度， TSTG
G1, G2
G1, G2
36
50
-0.3 3.6
-0.3 9
SW- 0.3 SW + 9
-1到36
-1到9
-0.3 8.0
3.5
3.5
-55到150
-65到150
°C
C
A
V
单位
V
mA
焊接温度1.6毫米（ 1/16英寸）的情况下，持续10秒
300
（ 1 ）强调超越“绝对最大额定值”，可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值只，
并且该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”
是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
（ 2 ）所有的电压都是相对于GND 。电流是积极进入，而负出指定的终端。
推荐工作条件
民
电源电压（VDD）
电源电压， VDRV
电源电压（REF）
电源电压旁路， CVDD
基准旁路电容CREF
VDRV旁路电容器， CVDRV
BST -SW旁路电容， CBST -SW
定时器电流的电阻范围，资源记录集
PWM斜坡电容范围， CRAMP
关断电容范围， CG2C
COMP引脚的负载范围内， RLOAD
结的工作温度，TJ
模式1
模式2
模式3
8.5
4.75
3.0
1.0
0.1
0.2
0.1
10
100
120
6.5
40
105
50
680
1000
pF
k
°C
k
3.3
2.2
1.0
2.2
F
F
典型值
最大
35
8.00
3.6
V
单位
2
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UCC2540
SLUS539A - 2004年6月 - 修订2004年8月
订购信息
TA = TJ
-40 ° C至+ 105°C
HTSSOP - 20 （ PWP ）
(1)
体积
UCC2540PWP
（ 1 ） PWP封装也可在每管70的设备和录音和缠绕在
每卷2000设备。添加的R后缀的设备类型（即UCC2540PWPR ） 。看
该数据表使用PowerPad图纸和布局信息的应用程序部分。
接线图
PWP封装
（ TOP VIEW ）
RSET
REF
G2C
SYNCIN
坡道
GND
VEA-
CEA-
COMP
TR
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
SWS
BST
G1
SW
VDD
保护地
G2
VDRV
G2S
SS
注： PowerPADt不直接连接到封装的任何铅。它是电和热连接的衬底
装置，其作为地面，并应连接到PGND PCB上。暴露的尺寸为1.3毫米× 1.7毫米。然而，该
公差可1.05毫米/ -0.05毫米（ 41密耳/ -2密耳） ，由于位置和模内流动性的变化。
热信息
包
家庭
PowerPAD
HTSSOP20
包
代号
PWP
θ
JA （ ° C / W）
（与使用PowerPad ）
22.3至32.6
（ 500 0 LFM）的
θ
JC （ ° C / W）
（不使用PowerPad ）
19.9
θ
JC （ ° C / W）
（与使用PowerPad ）
1.4
最高芯片
温度
125°C
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UCC2540
SLUS539A - 2004年6月 - 修订2004年8月
电气特性
VDD = 12 V ， 1 μF电容从VDD到GND ， 1 μF电容从BST到SW ， 1μF电容， REF和GND ， 0.1 μF和2.2 μF电容
从VDRV到PGND ， fSYNCIN = 200 kHz时， TA = TJ = -40 ° C至105 ° C， （除非另有说明） 。
参数
整体
DC
IVDD
工作电流
FS = 200千赫，
模式1
模式1
模式1
模式2 ，
模式2
模式2
模式3
模式3
模式3
TA = 25°C
全变差
VREF = 0 V ，
TA = 25°C
5.25 V
≤
VREF
≤
7.2 V
0毫安
≤
IREF
≤
5毫安
VVDD = VVDRV = 2.7 V
VVDD = 4 V
CLOAD = 2.2 nF的
欠压锁定
VVDD
VVDD
VVDD
VVDRV
VVDRV
VVDRV
VREF
VREF
启动阈值电压
停止阈值电压
迟滞
启动阈值电压
停止阈值电压
迟滞
启动阈值电压
停止阈值电压
8.0
7.5
0.3
4.30
4.0
0.15
2.75
2.25
0.3
3.28
3.2
10
0
0
8.5
8.0
0.5
4.65
4.3
0.35
3.00
2.50
0.5
3.30
3.3
13
1.5
30
9.0
8.5
0.8
4.85
4.6
0.55
3.20
2.70
0.8
3.32
3.4
20
15
70
0%
0.10
2.3
FSYNC = 200千赫
资源记录集= 10 kΩ的
全变差
ICOMP = 0 ，
VVEA- = 2.0 V
ICOMP = 200
A,
VVEA- = 1 V
ICOMP = 0 ，
VVEA- = 1 V
VCEA- = 3.3 V ，
VCEA- = 1.5 V
VCEA- = 0 V ，
0
2.2
60
200
VCOMP = 1.0 V，
VVEA- = 0 V
VCEA- = 1.5 V，
0.35
0
0.60
2.5
100
80
0.80
150
325
45
3
0.25
2.5
175
300
50
4
0.1
V
0.83
3.0
140
10
1.70
2
V
dB
nA
mA
V
0.45
2.8
200
275
55
V
ns
A
mV
兆赫
mV
V
mA
V
8
9
11
12
13
30
mA
测试条件
民
典型值
最大
单位
VREF
迟滞
基准电压（ REF ）
VREF
ISC
参考输出电压
短路电流
线路调整
负载调整率
PWM （斜坡）
DMIN
VRAMP
tdead后
IRAMP
VCEA +
GBW
最小占空比
失调电压
超时阈值电压
G1的死区时间在最大占空比
RAMP充电电流
失调电压
增益带宽（3）
电流误差放大器
VOL
低电平输出电压
VOH
AVOL
IBIAS
ISINK
CMR
高电平输出电压
开环
偏置电流
灌电流
共模输入范围（3）
（ 3 ）由设计保证。未经生产测试。
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UCC2540
SLUS539A - 2004年6月 - 修订2004年8月
电气特性
VDD = 12 V ， 1 μF电容从VDD到GND ， 1 μF电容从BST到SW ， 1μF电容， REF和GND ， 0.1 μF和2.2 μF电容
从VDRV到PGND ， fSYNCIN = 200 kHz时， TA = TJ = -40 ° C至105 ° C， （除非另有说明）
参数
电压误差放大器
VSS_OFF
VTR_OFF
VVEA +
GBW
从软启动输入失调电压
从跟踪的输入失调电压
阈值电压（从VEA-至COMP ）
增益带宽（3）
ICOMP = 0 ，
VVEA- = 2.0 V，
ICOMP = 200
A,
VVEA- = 1 V ，
ICOMP = 0 ，
VVEA- = 1 V
VCEA- = 1.75 V ，
VCEA- = 0 V ，
VTR = 0 V
VCEA- = 0 V
0
2.2
60
300
VCOMP = 1.0 V，
VVEA- = 1.5 V
资源记录集= 10 kΩ的
资源记录集= 10 kΩ的
VCEA- = 0 V ，
0.35
0.60
2.5
100
150
0.80
ICOMP = VVEA- ，
VTR = 1.0 V，
0°C
≤
TA
≤
105°C
全变差
VSS- = 1.5 V
VCOMP = VVEA-
0.40
25
1.485
1.47
3
0.75
48
1.500
1.50
4
0.1
0.83
3.0
140
50
1.70
dB
A
mA
V
1.00
70
1.515
1.53
V
兆赫
V
mV
测试条件
民
典型值
最大
单位
VOL
低电平输出电压
VOH
AVOL
IBIAS
ISINK
高电平输出电压
开环
偏置电流
灌电流（ 4 ）
当前设置
IOUT
Vrset
输出电流
RSET电压
定时器阈值
SYNCIN门槛
ICHG （ G2C ），定时关机充电电流
软启动（ SS ）
ICH （ SS ）
IDSCH （ SS ）
充电电流
放电电流
放电/关断阈值
DRIVE调节器（ VDRV ）
VVDRV
输出电压
线路调整
负载调整率
ISC
短路电流
G2S栅极驱动SENSE
G2S上升阈值电压
G2S下降阈值电压
IG2S
当前
SWS栅极驱动SENSE
申万上升阈值电压
申万下降阈值电压
ISWS
当前
负阈值电压
（ 3 ）由设计保证。未经生产测试。
VSWS = 0 V
VSWS = 0 V
VG2S = 0 V
VG2S = 0 V
VG2S = 0 V
VSWS = 0 V
VVDD = 8.5 V
9 V
≤
VVDD
≤
35 V
± 5毫安
≤
IVDRV
≤
0毫安
6.87
0
0
15
1.90
1.00
0.70
1.90
1.0
1.8
0.5
7.20
50
50
30
2.25
1.25
0.50
2.25
1.2
1.3
0.3
7.53
100
100
50
3.10
1.03
0.37
2.90
1.3
0.9
0.1
V
mA
V
V
mA
mV
mA
V
资源记录集= 10 kΩ的
资源记录集= 10 kΩ的
资源记录集= 10 kΩ的
158
1.42
2.3
1.50
325
230
50
0.35
150
1.50
2.5
1.65
300
200
70
0.45
142
1.58
2.7
1.80
275
170
100
0.55
V
A
A
V
同步和定时关机（ SYNCIN ， G2C ）
A
A
V
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