UC2854B EP
SGLS318 - 2005年11月
先进的高功率因数
前置调节器
特点
D
控制基线
D
D
D
D
D
D
D
D
- 一个封装/测试网站，一个
网站制作
-55 ° C扩展级温度性能
至125℃
提高制造业递减
源（ DMS ）支持
增强型产品更改通知
资质谱系
控制PWM升压到接近单位功率
因素
限制线电流畸变< 3 ％
全球性的行动，如果没有开关
精确的功率限制
D
固定频率平均电流模式
D
D
D
D
D
D
D
控制
高带宽（ 5MHz的） ，低失调电流
扩音器
集成的电流及电压放大器
输出线夹
乘数改进：线性， 500毫伏
V
AC
偏移量（无需外部电阻器） ， 0 V
至5 V Multout共模范围
V
REF
比较好
更快，改进的精度ENABLE
比较
UVLO选项（ 16 V / 10 V或10.5 V / 10 V ）
300 μA入门电源电流
按照JEDEC标准和行业标准组件的资格，以确保可靠的操作在扩展级温度范围。
这包括，但不限于，高加速应力测试（ HAST ）或偏置85/85 ，温度循环，高压釜或无偏HAST ，
电，债券间的生活，和模塑料的生活。这样的资格测试不应该被看作是证明使用本
分量超出规定的性能和环境的限制。
描述
该UC2854B产品引脚兼容，提高了UC2854版本。像UC2854 ，这些产品
提供所有必要的有源功率因数校正预调节器的功能。该控制器实现了
近通过成形交流输入线电流波形，以对应于所述交流输入线电压的功率因数。
要做到这一点， UC2854B采用平均电流模式控制。平均电流模式控制保持稳定，
低失真的正弦线电流，而不需要斜率补偿，与峰值电流模式控制。
A 1 ％， 7.5 V基准电压，固定频率振荡器， PWM，电压放大器，具有软启动，输入电压前馈
(V
RMS
平方） ，输入电源电压钳位，以及过电流比较器进行全面的功能列表。
该UC2854B可在DW （ SOIC -宽）封装。
该UC2854A / B产品改善后的UC2854通过提供高带宽，低失调电流放大器，
更快的响应和更高的精度使比较器， VREF比较好， UVLO阈值
选项（ 16 V / 10 V的下线， 10.5 V / 10 V的启动从辅助12 V稳压器） ，较低的启动供应
电流，和一个增强型乘法/除法电路。新的特性，如放大器的输出钳位，改进
放大器灌电流能力，低失调VAC引脚减少外部元件数量，同时提高
性能。乘法器的输出/电流放大器提高输入共模输入范围允许
在选择用于电流检测的方法，设计者有更大的灵活性。不像它的前辈，R
SET
只有控制
振荡器的充电电流，并具有上夹持的最大乘法器的输出电流没有影响。该电流
现在钳位到最大2
×
I
AC
在任何时候都可以简化设计流程，并提供折返
在电源掉电和极低的线路条件限制。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
2005年，德州仪器
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框图
VAO
7
VCC
（ A） 16 V / 10 V
（ B） 10.5 V / 10 V
ENA 10
2.65 V / 2.15 V
3V
VSENSE 11
IAC 6
VRMS
8
X2
A
B
C
RUN
I
城市作战
+
A
B
C
OSC
20 V
1 GND
R
R
S Q
城市作战
5
曹PKLMT
3
2
REF
9
7.5 V REF
RUN
IC
动力
7.1 V
15 VCC
16 GTDRV
14
A
SS 13
4
ISENSE
14
CT
12
RSET
UDG03110
这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。
绝对最大额定值
在工作自由空气的温度范围内，除非另有说明（ 1 ）
UCX854A ， UCX854B
电源电压VCC
GTDRV目前， IGTDRV
GTDRV目前， IGTDRV
输入电压
输入电流
结温， TJ
存储温度， TSTG
连续
占空比为50％
VSENSE ， VRMS ， ISENSE城市作战
PKLMT
RSET ， IAC ， PKLMT ， ENA
22
0.5
1.5
11
5
10
-55到150
-65到150
°C
C
单位
V
A
A
V
V
mA
铅的温度， TSOL ， 1.6毫米（ 1/16英寸）的情况下，持续10秒
300
（ 1 ）强调超越“绝对最大额定值”，可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值只，
并且该设备在这些或超出“推荐工作条件”下标明的任何其他条件的功能操作
不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。所有的电压都是相对于
GND 。电流是成正和负出，指定的终端。 ENA输入被内部钳位到大约10 V.
推荐工作条件
民
电源电压VCC
工作结温， TJ
10
55
最大
20
125
单位
V
°C
2
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包装说明
DW包装
（ TOP VIEW ）
GND
PKLMT
曹
ISENSE
城市作战
IAC
VAO
VRMS
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
GTDRV
VCC
CT
SS
RSET
VSENSE
ENA
VREF
订购信息
TA
-55 ° C至125°C
UVLO
开启
(V)
10.5
UVLO
TURN -OFF （ V）
10
产品编号
SOIC -16 （ DW ）
UC2854BMDWREP
（ 1） DW软件包可以录音和缠绕。加入TR后缀设备类型订购每卷数量2000设备的DW
封装。
热阻
SOIC （ DW ）
抗性
θ
JC （ ° C / W）
θ
JA （ ° C / W） （ 3 ）
(3)
θ
JA值是基于零的气流。
高
36.9
73.1
低
38.4
111.6
1G
100M
80 ° C， 74M小时
90 ° C， 19M小时
时间到失败 - 小时
10M
100 ° C， 5.3M小时
110 ° C， 160万小时
1M
120 ° C， 490K小时
130 ° C， 160K小时
100k
140 ° C， 58K小时
10k
80
90
100
110
120
130
140
150
TJ - 结温 -
°C
图1.引线键合工作寿命减额图
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电气特性
VCC = 18 V ， RT = 8.2千欧， CT = 1.5 nF的， VPKLMT = 1 V ， VVRMS = 1.5 V，资讯基建咨询委员会= 100
A,
IISENSE = 0 V ， VCAO = 3.5 V ， VVAO = 5 V ， VVSENSE = 3 V
参数
整体
电源电流，关
电源电流，对
VCC开启阈值电压
VCC关断阈值电压
VCC钳位
电压放大器
输入电压
VSENSE偏置电流
开环增益
VOH
VOL
ISC
高电平输出电压
低电平输出电压
输出短路电流
增益带宽积（ 1 ）
2 V
≤
VOUT
≤
5 V
ILOAD = -500
A
ILOAD = 500
A
VOUT = 0 V
在fIN = 100千赫，10个MVP -P
VCM = 0 V ， TA = 25℃
VCM = 0 V ，温度过高
VCM = 0 V
2 V
≤
VOUT
≤
6 V
ILOAD = -500
A
ILOAD = 500
A
VOUT = 0 V
0.3
在fIN = 100千赫，10个MVP -P
IREF = 0 mA时， TA = 25°C
IREF = 0毫安
1毫安
≤
IREF
≤
10毫安
12 V
≤
VCC
≤
18 V
VREF = 0 V
3
7.4
7.35
0
0
25
5
7.5
7.5
8
14
35
7.6
7.65
20
25
60
mV
mA
V
4
5.5
500
80
110
8
0.3
1.5
0.5
3.5
5
V
mA
V
兆赫
IVCC = IVCC （上） + 5毫安
8
9
18
2.9
500
70
曹= 0 V ，
VAO = 0 V ，
VCC = VUVLO - 0.3 V
250
12
10.5
10
20
3
25
100
6
0.3
1.5
1
0
0
500
mV
nA
dB
0.5
3.5
400
18
11.2
12
22
3.1
500
V
nA
dB
V
V
mA
兆赫
V
A
mA
测试条件
民
典型值
最大
单位
电流放大器
输入失调电压
输入偏置电流， ISENSE
开环增益
VOH
VOL
ISC
CMRR
高电平输出电压
低电平输出电压
输出短路电流
共模抑制范围
增益带宽积（ 1 ）
参考
输出电压
负载调整率
线路调整
ISC
短路电流
（ 1 ）通过设计保证。未经生产测试。
（2 ）增益常数。 （ K）
+
I
IAC
V
VAO
2
*
1.5 V
I
城市作战
V
VRMS
4
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电气特性
VCC = 18 V ， RT = 8.2千欧， CT = 1.5 nF的， VPKLMT = 1 V ， VVRMS = 1.5 V，资讯基建咨询委员会= 100
A,
IISENSE = 0 V ， VCAO = 3.5 V ， VVAO = 5 V ， VVSENSE = 3 V
参数
振荡器
初始精度
电压稳定
全变差
斜坡幅度（峰 - 峰值）
斜坡谷值电压
ENABLE /软启动/电流限制
启用阈值电压
启用滞后
使能输入偏置电流
传播延迟关闭时间（ 1 ）
软启动充电电流
峰值限制偏移电压
峰值限制输入电流
峰值限制的传播延迟时间（1）
倍增器
输出电流， IAC有限公司
输出电流，零
输出电流，电源有限公司
IAC = 100
A,
VRMS = 1 V ，
RSET = 10 kΩ的
IAC = 0
A,
RSET = 10 kΩ的
VRMS = 1.5 V， VA = 6 V
VRMS = 1.5 V， VA = 2 V
VRMS = 1.5 V， VA = 5 V
VRMS = 5 V ， VA = 2 V
VRMS = 5 V ， VA = 5 V
VRMS = 1.5 V， VA = 6V ， TA = 25℃
IOUT = -200毫安， VCC = 15 V
IOUT = 200毫安
IOUT = 10毫安
IOUT = 50 mA时， VCC = 0 V
CLOAD = 1 nF的
CLOAD = 1 nF的
CLOAD = 10 nF的
1.1
12
220
2
230
200
0.2
200
22
156
2
14
1
12.8
1
300
0.9
35
35
1.0
ns
A
2.2
500
1.5
V
mV
V
0.9
A/A
A
170
2
170
A
A
A
VPKLMT = -0.1 V
VFAULT = 2.5 V
VENA = 0 V
启用超速= 100 mV的
VSS = 2.5 V
10
15
200
100
150
2.35
2.55
500
2
300
14
24
15
2.80
600
5
V
mV
A
ns
A
mV
A
ns
TA = 25°C
12 V
≤
VCC
≤
18 V
行，温度
85
80
4.9
0.8
100
1%
120
5.9
1.3
V
千赫
115
千赫
测试条件
民
典型值
最大
单位
输出电流
增益常数（2）
栅极驱动器
VOH
VOL
高电平输出电压
低电平输出电压
低级别的UVLO电压
输出上升时间（ 1 ）
输出下降时间（ 1 ）
输出的峰值电流（1）
（ 1 ）通过设计保证。未经生产测试。
（2 ）增益常数。 （ K）
+
I
IAC
V
VAO
2
*
1.5 V
I
城市作战
V
VRMS
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