飞利浦半导体
产品speci fi cation
高频全桥驱动器IC
特点
全桥驱动电路
集成的自举二极管
集成的高电压电平转换功能
高电压输入的内部电源电压
550 V最大电压
大桥禁止功能
输入启动延时
可调振荡器频率
在启动过程中的预定义桥的位置。
应用
该UBA2033可驱动（通过MOSFET的）任何形式的
负载在一个全桥结构
该电路被特别设计成一个换向器
高强度放电（ HID ）灯。
订购信息
TYPE
数
UBA2033TS
包
名字
SSOP28
描述
塑料小外形封装; 28线索;体宽5.3毫米
概述
UBA2033
该UBA2033是一种高电压单片集成
电路中的EZ -HV SOI工艺制成。该电路是
设计用于驱动所述的MOSFET的全桥
配置。此外，它的特点是禁用功能，
内部可调振荡器和一个外部驱动功能
与低电压电平转换器，用于驱动桥。
为了保证一个精确的50％占空因数，该振荡器
信号可以通过一个除法器被馈送到前通过
输出驱动器。
VERSION
SOT341-1
2002年10月8日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
高频全桥驱动器IC
功能说明
电源电压
该UBA2033由施加到电源电压供电
销高压，全桥的例如电源电压。
该集成电路生成其自身的低电源电压的
内部电路。因此，一个额外的低电压
供应不是必需的。一种电容器具有连接到
引脚V
DD
以得到无波动的内部电源电压。
该电路也可以由一个低电压电源供电的
直接施加到管脚V
DD
。在这种情况下，销高压应
连接到引脚V
DD
或SGND 。
启动
具有增加的电源电压在IC进入
启动状态;较高功率晶体管保持截止和
较低功率晶体管被接通。在
开机状态下，自举电容充电，
桥的输出电流为零。在启动状态的定义
直到V
DD
= V
DD （ UVLO ）
其中UVLO代表在
欠压锁定。在输出过程中的状态
启动阶段是由桥禁用功能否决。
动力驱动的释放
目前引脚V电源电压
DD
或HV
超过了释放功率驱动的电平，输出
电桥的电压取决于所述控制信号
销EXTDR （见表1） 。后桥位置
启动，禁用或延迟启动（通过引脚SU ）取决于
上的销DD和EXTDR的状态。如果引脚DD = LOW
（分频器使能）的桥梁将在预定义的开始
位置： GLR引脚与引脚GHL = HIGH和引脚与GLL
脚GHR =低。如果引脚DD = HIGH （分关闭的），
桥的位置将取决于引脚EXTDR的状态。
如果引脚V电源电压
DD
或高压降低，
下降到低于电源驱动器的复位电平在IC进入
重新启动状态。
振荡
在点上的引脚HV十字架电源电压
释放电源驱动的电平，该电桥开始
下面定义的两种状态之间的换向：
更高的左边和右下的MOSFET ，
高右低左MOSFET的关
较高的左和右下的MOSFET关，
高权和左下角的MOSFET 。
振荡可以发生在三种不同的模式：
内部振荡器模式。
UBA2033
在这种模式下，桥整流频率是
通过外部电阻器的值确定的（R
OSC
)
和电容（C
OSC
） 。在这种模式下销EXTDR必须
连接到引脚
+ LVS 。
为了实现精确的50％占空比
因子，内部分隔应使用。内部
分频器由连接销DD到SGND启用。应有
到分隔网桥频率的存在
是一半的振荡器频率。的换向
桥将在所述信号上的下降沿
RC引脚。以最小化电流消耗
引脚
+ LVS ， -LVS
和EXTDR可以连接
在一起，无论是脚SGND或V
DD
。在这样的
电流源中的逻辑电压供给电路被关
关。
外部振荡器模式没有内部分频器。
在外部振荡器模式下，外部源
连接到引脚EXTDR和销的RC被短路到
引脚SGND禁止内部振荡器。如果内部
分频器被禁止（引脚DD = V
DD
）的占空比
电桥输出信号是由外部确定
振荡器信号和桥频率等于
外部振荡器的频率。
外部振荡器模式与内部分频器。
外部振荡模式也可以与所使用的
内部分频器功能启用（ RC引脚和
引脚DD = SGND ） 。由于该分频器的存在
桥频率一半的外部振荡器
频率。大桥的换向被触发
由EXTDR信号相对于下降沿
V
-LVS
.
为电桥振荡器频率设计方程为：
1
f
桥
=
--------------------------------------------------
(
k
OSC
×
R
OSC
×
C
OSC
)
非重叠时间
非重叠的时间是关闭之间的时间
在进行对MOSFET和开启下一对。
非重叠时间在内部固定到一个非常小的
值，其允许HID系统具有非常操作
负载电流和全之间小的相位差
电桥电压（引脚SHL和SHR ） 。特别是当
通过LC共振电路点火HID灯，一个小
“死区时间”是必不可少的。高的最大工作
频率，以及一个小的“死区时间” ，也给出了
机会，以点燃该气体放电灯处的三次谐波
全桥电压，从而减少了成本
磁动力组件。
2002年10月8日
5
飞利浦半导体
产品speci fi cation
高频全桥驱动器IC
特点
全桥驱动电路
集成的自举二极管
集成的高电压电平转换功能
高电压输入的内部电源电压
550 V最大电压
大桥禁止功能
输入启动延时
可调振荡器频率
在启动过程中的预定义桥的位置。
应用
该UBA2033可驱动（通过MOSFET的）任何形式的
负载在一个全桥结构
该电路被特别设计成一个换向器
高强度放电（ HID ）灯。
订购信息
TYPE
数
UBA2033TS
包
名字
SSOP28
描述
塑料小外形封装; 28线索;体宽5.3毫米
概述
UBA2033
该UBA2033是一种高电压单片集成
电路中的EZ -HV SOI工艺制成。该电路是
设计用于驱动所述的MOSFET的全桥
配置。此外，它的特点是禁用功能，
内部可调振荡器和一个外部驱动功能
与低电压电平转换器，用于驱动桥。
为了保证一个精确的50％占空因数，该振荡器
信号可以通过一个除法器被馈送到前通过
输出驱动器。
VERSION
SOT341-1
2002年10月8日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
高频全桥驱动器IC
功能说明
电源电压
该UBA2033由施加到电源电压供电
销高压，全桥的例如电源电压。
该集成电路生成其自身的低电源电压的
内部电路。因此，一个额外的低电压
供应不是必需的。一种电容器具有连接到
引脚V
DD
以得到无波动的内部电源电压。
该电路也可以由一个低电压电源供电的
直接施加到管脚V
DD
。在这种情况下，销高压应
连接到引脚V
DD
或SGND 。
启动
具有增加的电源电压在IC进入
启动状态;较高功率晶体管保持截止和
较低功率晶体管被接通。在
开机状态下，自举电容充电，
桥的输出电流为零。在启动状态的定义
直到V
DD
= V
DD （ UVLO ）
其中UVLO代表在
欠压锁定。在输出过程中的状态
启动阶段是由桥禁用功能否决。
动力驱动的释放
目前引脚V电源电压
DD
或HV
超过了释放功率驱动的电平，输出
电桥的电压取决于所述控制信号
销EXTDR （见表1） 。后桥位置
启动，禁用或延迟启动（通过引脚SU ）取决于
上的销DD和EXTDR的状态。如果引脚DD = LOW
（分频器使能）的桥梁将在预定义的开始
位置： GLR引脚与引脚GHL = HIGH和引脚与GLL
脚GHR =低。如果引脚DD = HIGH （分关闭的），
桥的位置将取决于引脚EXTDR的状态。
如果引脚V电源电压
DD
或高压降低，
下降到低于电源驱动器的复位电平在IC进入
重新启动状态。
振荡
在点上的引脚HV十字架电源电压
释放电源驱动的电平，该电桥开始
下面定义的两种状态之间的换向：
更高的左边和右下的MOSFET ，
高右低左MOSFET的关
较高的左和右下的MOSFET关，
高权和左下角的MOSFET 。
振荡可以发生在三种不同的模式：
内部振荡器模式。
UBA2033
在这种模式下，桥整流频率是
通过外部电阻器的值确定的（R
OSC
)
和电容（C
OSC
） 。在这种模式下销EXTDR必须
连接到引脚
+ LVS 。
为了实现精确的50％占空比
因子，内部分隔应使用。内部
分频器由连接销DD到SGND启用。应有
到分隔网桥频率的存在
是一半的振荡器频率。的换向
桥将在所述信号上的下降沿
RC引脚。以最小化电流消耗
引脚
+ LVS ， -LVS
和EXTDR可以连接
在一起，无论是脚SGND或V
DD
。在这样的
电流源中的逻辑电压供给电路被关
关。
外部振荡器模式没有内部分频器。
在外部振荡器模式下，外部源
连接到引脚EXTDR和销的RC被短路到
引脚SGND禁止内部振荡器。如果内部
分频器被禁止（引脚DD = V
DD
）的占空比
电桥输出信号是由外部确定
振荡器信号和桥频率等于
外部振荡器的频率。
外部振荡器模式与内部分频器。
外部振荡模式也可以与所使用的
内部分频器功能启用（ RC引脚和
引脚DD = SGND ） 。由于该分频器的存在
桥频率一半的外部振荡器
频率。大桥的换向被触发
由EXTDR信号相对于下降沿
V
-LVS
.
为电桥振荡器频率设计方程为：
1
f
桥
=
--------------------------------------------------
(
k
OSC
×
R
OSC
×
C
OSC
)
非重叠时间
非重叠的时间是关闭之间的时间
在进行对MOSFET和开启下一对。
非重叠时间在内部固定到一个非常小的
值，其允许HID系统具有非常操作
负载电流和全之间小的相位差
电桥电压（引脚SHL和SHR ） 。特别是当
通过LC共振电路点火HID灯，一个小
“死区时间”是必不可少的。高的最大工作
频率，以及一个小的“死区时间” ，也给出了
机会，以点燃该气体放电灯处的三次谐波
全桥电压，从而减少了成本
磁动力组件。
2002年10月8日
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