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集成电路
数据表
UBA2032
全桥驱动器IC
初步speci fi cation
2002年10月7日
飞利浦半导体
初步speci fi cation
全桥驱动器IC
特点
全桥驱动电路
集成的自举二极管
集成的高电压电平转换功能
高电压输入的内部电源电压
550 V最大电桥电压
大桥disa'ble功能
输入启动延时
可调振荡器频率
在启动过程中的预定义桥位置
自适应非重叠。
应用
该UBA2032可驱动(通过MOSFET的)任何形式的
负载在一个全桥结构
该电路被特别设计成一个换向器
高强度放电( HID )灯。
订购信息
TYPE
UBA2032T
UBA2032TS
名字
SO24
SSOP28
描述
塑料小外形封装; 24线索;体宽7.5毫米
塑料小外形封装; 28线索;体宽5.3毫米
概述
UBA2032
该UBA2032是一种高电压单片集成
电路中的EZ -HV SOI工艺制成。该电路是
设计用于驱动所述的MOSFET的全桥
配置。此外,它的特点是禁用功能,
内部可调振荡器和一个外部驱动功能
具有高电压电平转换器,用于驱动桥。
为了保证一个精确的50%占空因数,该振荡器
信号可以通过一个除法器被馈送到前通过
输出驱动器。
VERSION
SOT137-1
SOT341-1
2002年10月7日
2
飞利浦半导体
初步speci fi cation
全桥驱动器IC
框图
UBA2032
手册,全页宽
-LVS
1 (1)
EXTDR
2 (2)
LVS +
3 (3)
14 (16)
FSL
GHL
SHL
FSR
逻辑信号
发电机
高压
电平转换器
高等RIGHT
司机
24 (28)
22 (26)
右下
司机
20 (23)
18 (21)
生长激素受体
SHR
GLR
保护地
5 (6)
HV
高等LEFT
司机
13 (15)
15 (17)
SGND
12 (14)
稳定剂
UVLO
23 (27)
7 (9)
VDD
11 (13)
RC
振荡器
2
8 (10)
UBA2032T
UBA2032TS
SU
10 (12)
BD
1.29 V
桥禁止
9 (11)
DD
逻辑
低电压
电平转换器
左下
司机
17 (20)
GLL
4, 6, 16, 19, 21
(4, 5, 7, 8, 18, 19, 22, 24, 25)
北卡罗来纳州
MGU542
销数字指的是UBA2032T 。
在括号销数字指的是UBA2032TS 。
图1框图。
2002年10月7日
3
飞利浦半导体
初步speci fi cation
全桥驱动器IC
钉扎
符号
UBA2032T
-LVS
EXTDR
LVS +
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
HV
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
V
DD
SU
DD
BD
RC
SGND
GHL
FSL
SHL
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
GLL
保护地
北卡罗来纳州
GLR
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
SHR
FSR
生长激素受体
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
UBA2032TS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
负电源电压(逻辑输入)
振荡器信号输入
正电源电压(逻辑输入)
没有连接
没有连接
高电压电源输入
没有连接
没有连接
内部低电压电源
输入信号为启动延迟
分频器禁止输入
桥禁用控制输入
RC输入,内部振荡器
信号地
高左MOSFET栅极
浮动电源电压离开
高左MOSFET的源极
没有连接
没有连接
左下MOSFET栅极
电源地
没有连接
右下MOSFET栅极
没有连接
没有连接
高权MOSFET的源极
浮动电源电压的权利
高权MOSFET栅极
描述
UBA2032
2002年10月7日
4
飞利浦半导体
初步speci fi cation
全桥驱动器IC
UBA2032
手册, halfpage
-LVS
1
EXTDR
LVS +
北卡罗来纳州
HV
北卡罗来纳州
VDD
SU
DD
2
3
4
5
6
手册, halfpage
24 GHR
23 FSR
22 SHR
21北卡罗来纳州
20 GLR
19北卡罗来纳州
-LVS
1
EXTDR 2
LVS +
3
28 GHR
27 FSR
26 SHR
25北卡罗来纳州
24北卡罗来纳州
23 GLR
22北卡罗来纳州
北卡罗来纳州4
北卡罗来纳州5
HV 6
北卡罗来纳州7
UBA2032T
7
8
9
18 PGND
17 GLL
16北卡罗来纳州
15 SHL
14 FSL
13 GHL
MGU543
UBA2032TS
北卡罗来纳州8
VDD 9
苏10
DD 11
BD 12
RC 13
SGND 14
MGU544
21 PGND
20 GLL
19北卡罗来纳州
18北卡罗来纳州
17 SHL
16 FSL
15 GHL
BD 10
RC 11
SGND 12
图2引脚配置( SO24 ) 。
图3引脚配置( SSOP28 ) 。
功能说明
电源电压
该UBA2032由施加到电源电压供电
销高压,全桥的例如电源电压。
该集成电路生成其自身的低电源电压的
内部电路。因此,一个额外的低电压
供应不是必需的。一种电容器具有连接到
引脚V
DD
以得到无波动的内部电源电压。该
电路也可以由一个低电压电源供电的直
适用于针V
DD
。在这种情况下,销高压应
连接到引脚V
DD
或SGND 。
启动
具有增加的电源电压在IC进入
启动状态;较高功率晶体管保持截止和
较低功率晶体管被接通。在
开机状态下,自举电容充电,
桥的输出电流为零。在启动状态的定义
直到V
DD
= V
DD ( UVLO )
其中UVLO代表在
欠压锁定。在输出过程中的状态
启动阶段是由桥禁用功能否决。
动力驱动的释放
目前引脚V电源电压
DD
或HV
超出释放功率的电平驱动该输出电压
桥取决于控制信号引脚EXTDR
见表1。启动后桥位置,禁用或
延迟启动(通过引脚SU)取决于状态
引脚DD和EXTDR 。如果(启用分)引脚DD = LOW
所述桥将在所述预定义的位置针GLR开始
和引脚GHL = HIGH和GLL引脚与引脚GHR =低。
如果引脚DD = HIGH (分频器禁用)桥位置将
靠脚EXTDR的状态。
如果引脚V电源电压
DD
或高压降低,
下降到低于电源驱动器的复位电平在IC进入
重新启动状态。
振荡
在点上的引脚HV十字架电源电压
释放电源驱动的电平,该电桥开始
下面定义的两种状态之间的换向:
更高的左边和右下的MOSFET ,
高右低左MOSFET的关
较高的左和右下的MOSFET关,
高权和左下角的MOSFET 。
2002年10月7日
5
集成电路
数据表
UBA2032
全桥驱动器IC
初步speci fi cation
2002年10月7日
飞利浦半导体
初步speci fi cation
全桥驱动器IC
特点
全桥驱动电路
集成的自举二极管
集成的高电压电平转换功能
高电压输入的内部电源电压
550 V最大电桥电压
大桥disa'ble功能
输入启动延时
可调振荡器频率
在启动过程中的预定义桥位置
自适应非重叠。
应用
该UBA2032可驱动(通过MOSFET的)任何形式的
负载在一个全桥结构
该电路被特别设计成一个换向器
高强度放电( HID )灯。
订购信息
TYPE
UBA2032T
UBA2032TS
名字
SO24
SSOP28
描述
塑料小外形封装; 24线索;体宽7.5毫米
塑料小外形封装; 28线索;体宽5.3毫米
概述
UBA2032
该UBA2032是一种高电压单片集成
电路中的EZ -HV SOI工艺制成。该电路是
设计用于驱动所述的MOSFET的全桥
配置。此外,它的特点是禁用功能,
内部可调振荡器和一个外部驱动功能
具有高电压电平转换器,用于驱动桥。
为了保证一个精确的50%占空因数,该振荡器
信号可以通过一个除法器被馈送到前通过
输出驱动器。
VERSION
SOT137-1
SOT341-1
2002年10月7日
2
飞利浦半导体
初步speci fi cation
全桥驱动器IC
框图
UBA2032
手册,全页宽
-LVS
1 (1)
EXTDR
2 (2)
LVS +
3 (3)
14 (16)
FSL
GHL
SHL
FSR
逻辑信号
发电机
高压
电平转换器
高等RIGHT
司机
24 (28)
22 (26)
右下
司机
20 (23)
18 (21)
生长激素受体
SHR
GLR
保护地
5 (6)
HV
高等LEFT
司机
13 (15)
15 (17)
SGND
12 (14)
稳定剂
UVLO
23 (27)
7 (9)
VDD
11 (13)
RC
振荡器
2
8 (10)
UBA2032T
UBA2032TS
SU
10 (12)
BD
1.29 V
桥禁止
9 (11)
DD
逻辑
低电压
电平转换器
左下
司机
17 (20)
GLL
4, 6, 16, 19, 21
(4, 5, 7, 8, 18, 19, 22, 24, 25)
北卡罗来纳州
MGU542
销数字指的是UBA2032T 。
在括号销数字指的是UBA2032TS 。
图1框图。
2002年10月7日
3
飞利浦半导体
初步speci fi cation
全桥驱动器IC
钉扎
符号
UBA2032T
-LVS
EXTDR
LVS +
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
HV
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
V
DD
SU
DD
BD
RC
SGND
GHL
FSL
SHL
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
GLL
保护地
北卡罗来纳州
GLR
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
SHR
FSR
生长激素受体
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
UBA2032TS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
负电源电压(逻辑输入)
振荡器信号输入
正电源电压(逻辑输入)
没有连接
没有连接
高电压电源输入
没有连接
没有连接
内部低电压电源
输入信号为启动延迟
分频器禁止输入
桥禁用控制输入
RC输入,内部振荡器
信号地
高左MOSFET栅极
浮动电源电压离开
高左MOSFET的源极
没有连接
没有连接
左下MOSFET栅极
电源地
没有连接
右下MOSFET栅极
没有连接
没有连接
高权MOSFET的源极
浮动电源电压的权利
高权MOSFET栅极
描述
UBA2032
2002年10月7日
4
飞利浦半导体
初步speci fi cation
全桥驱动器IC
UBA2032
手册, halfpage
-LVS
1
EXTDR
LVS +
北卡罗来纳州
HV
北卡罗来纳州
VDD
SU
DD
2
3
4
5
6
手册, halfpage
24 GHR
23 FSR
22 SHR
21北卡罗来纳州
20 GLR
19北卡罗来纳州
-LVS
1
EXTDR 2
LVS +
3
28 GHR
27 FSR
26 SHR
25北卡罗来纳州
24北卡罗来纳州
23 GLR
22北卡罗来纳州
北卡罗来纳州4
北卡罗来纳州5
HV 6
北卡罗来纳州7
UBA2032T
7
8
9
18 PGND
17 GLL
16北卡罗来纳州
15 SHL
14 FSL
13 GHL
MGU543
UBA2032TS
北卡罗来纳州8
VDD 9
苏10
DD 11
BD 12
RC 13
SGND 14
MGU544
21 PGND
20 GLL
19北卡罗来纳州
18北卡罗来纳州
17 SHL
16 FSL
15 GHL
BD 10
RC 11
SGND 12
图2引脚配置( SO24 ) 。
图3引脚配置( SSOP28 ) 。
功能说明
电源电压
该UBA2032由施加到电源电压供电
销高压,全桥的例如电源电压。
该集成电路生成其自身的低电源电压的
内部电路。因此,一个额外的低电压
供应不是必需的。一种电容器具有连接到
引脚V
DD
以得到无波动的内部电源电压。该
电路也可以由一个低电压电源供电的直
适用于针V
DD
。在这种情况下,销高压应
连接到引脚V
DD
或SGND 。
启动
具有增加的电源电压在IC进入
启动状态;较高功率晶体管保持截止和
较低功率晶体管被接通。在
开机状态下,自举电容充电,
桥的输出电流为零。在启动状态的定义
直到V
DD
= V
DD ( UVLO )
其中UVLO代表在
欠压锁定。在输出过程中的状态
启动阶段是由桥禁用功能否决。
动力驱动的释放
目前引脚V电源电压
DD
或HV
超出释放功率的电平驱动该输出电压
桥取决于控制信号引脚EXTDR
见表1。启动后桥位置,禁用或
延迟启动(通过引脚SU)取决于状态
引脚DD和EXTDR 。如果(启用分)引脚DD = LOW
所述桥将在所述预定义的位置针GLR开始
和引脚GHL = HIGH和GLL引脚与引脚GHR =低。
如果引脚DD = HIGH (分频器禁用)桥位置将
靠脚EXTDR的状态。
如果引脚V电源电压
DD
或高压降低,
下降到低于电源驱动器的复位电平在IC进入
重新启动状态。
振荡
在点上的引脚HV十字架电源电压
释放电源驱动的电平,该电桥开始
下面定义的两种状态之间的换向:
更高的左边和右下的MOSFET ,
高右低左MOSFET的关
较高的左和右下的MOSFET关,
高权和左下角的MOSFET 。
2002年10月7日
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    UBA2032
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    -
    -
    -
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联系人:刘经理
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UBA2032
PHI
14+
5600
SOP24
全新原装正品/质量有保证
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电话:0755-82563615/82563213
联系人:朱先生/王小姐
地址:深圳华强北上步204栋520室
UBA2032
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联系人:王小姐
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