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UB6006
N-CH 60V的快速开关MOSFET
概述
该UB6006是最高性能的沟
N沟道MOSFET的极端高密度,
它提供了出色的导通电阻和栅极电荷
对于大多数的同步降压转换器的
应用程序。
该UB6006符合RoHS和绿色产品
要求, 100 %保证EAS全
功能可靠性批准。
特点
先进的高密度Trench技术
超低栅极电荷
优秀与Cdv / dt的影响下降
100 %保证EAS
绿色设备可用
产品综述
BV
DSS
60V
应用
R
DS ( ON)
18m
ID
45A
高周波同步负载点的
降压转换器为MB / NB / UMPC / VGA
网络式DC -DC电源系统
LCD / LED背光
TO263引脚配置
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
C
=25℃
I
D
@T
C
=100℃
I
D
@T
A
=25℃
I
D
@T
A
=70℃
I
DM
EAS
I
AS
P
D
@T
C
=25℃
P
D
@T
A
=25℃
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流, V
GS
@ 10V
1
连续漏电流, V
GS
@ 10V
连续漏电流, V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
2
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
总功耗
4
总功耗
4
3
1
1
等级
60
±20
45
28
7.4
6
100
67
28
74
2
-55到150
-55到150
单位
V
V
A
A
A
A
A
mJ
A
W
W
连续漏电流, V
GS
@ 10V
1
存储温度范围
工作结温范围
热数据
符号
R
θJA
R
θJC
参数
热阻结到环境
热阻结案件
1
1
典型值。
---
---
马克斯。
62
1.68
单位
℃/W
℃/W
1
UB6006
N-CH 60V的快速开关MOSFET
电气特性(T
J
=25
℃,
除非另有说明)
符号
BV
DSS
参数
漏源击穿电压
条件
V
GS
= 0V时,我
D
=250uA
参考25 ℃ ,我
D
=1mA
V
GS
= 10V ,我
D
=30A
V
GS
= 4.5V ,我
D
=15A
V
GS
=V
DS
, I
D
=250uA
V
DS
=48V , V
GS
= 0V ,T
J
=25℃
V
DS
=48V , V
GS
= 0V ,T
J
=55℃
V
GS
=±20V
, V
DS
=0V
V
DS
= 5V ,我
D
=30A
V
DS
=0V , V
GS
= 0V , F = 1MHz的
V
DS
=48V , V
GS
= 4.5V ,我
D
=15A
分钟。
60
---
---
---
1.2
---
---
---
---
---
---
---
---
---
---
V
DD
=30V , V
GS
= 10V ,R
G
=3.3Ω,
I
D
=15A
---
---
---
---
V
DS
=15V , V
GS
= 0V , F = 1MHz的
---
---
典型值。
---
0.057
14
16
---
-5.68
---
---
---
35.2
1.7
19.3
7.1
7.6
7.2
50
36.4
7.6
2423
145
97
马克斯。
---
---
18
20
2.5
---
1
5
±100
---
3.4
27
10
10.6
14.4
90
73
15.2
3392
203
136
pF
ns
nC
单位
V
V/℃
V
毫伏/ ℃
uA
nA
S
Ω
ΔBV
DSS
/△T
J
BV
DSS
温度COEF网络cient
R
DS ( ON)
V
GS ( TH)
△V
GS ( TH)
I
DSS
I
GSS
政府飞行服务队
R
g
Q
g
Q
gs
Q
gd
T
D(上)
T
r
T
D(关闭)
T
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
静态漏源导通电阻
2
栅极阈值电压
V
GS ( TH)
温度COEF网络cient
漏极 - 源极漏电流
栅极 - 源极漏电流
正向跨导
栅极电阻
总栅极电荷( 4.5V )
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
保证雪崩特性
符号
EAS
参数
单脉冲雪崩能量
5
条件
V
DD
= 25V ,L = 0.1mH ,我
AS
=15A
分钟。
19
典型值。
---
马克斯。
---
单位
mJ
二极管的特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
参数
连续源电流
脉冲源电流
2,6
2
1,6
条件
V
G
=V
D
= 0V ,强制电流
V
GS
= 0V时,我
S
= A,T
J
=25℃
I
F
= 15A ,的di / dt = 100A / μs的,T
J
=25℃
分钟。
---
---
---
---
---
典型值。
---
---
---
16.3
11
马克斯。
45
100
1
---
---
单位
A
A
V
nS
nC
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
注意:
2
安装在一个1英寸FR-4板与2OZ铜表面进行测试1.数据。
脉冲,脉冲宽度2.测试数据
300US ,占空比
2%
3, EAS的数据显示最大。投资评级。测试条件为V
DD
=25V,V
GS
=10V,L=0.1mH,I
AS
=28A
4,功耗为150 ℃的结温限制
5.最小。值为100%的EAS检测保证。
6,数据在理论上是相同的,因为我
D
DM
在实际应用中,应该由总功耗的限制。
2
UB6006
N-CH 60V的快速开关MOSFET
典型特征
100
90
80
20
I
D
=12A
V
GS
=10V
V
GS
=7V
V
GS
=5V
V
GS
=4.5V
19
I
D
漏电流( A)
70
60
50
40
30
20
10
0
0
V
GS
=3V
16
V
DS
,漏极至源极电压( V)
1
2
3
4
5
6
R
DSON
(m)
18
17
15
4
6
V
GS
(V)
8
10
图1典型的输出特性
12
图2导通电阻v.s栅源
10
I
S
源电流( A)
8
6
T
J
=150℃
4
2
0
0.2
0.4
0.6
T
J
=25℃
0.8
1
V
SD
,源极到漏极电压(V )
反向图3正向特性
1.5
2.0
图4栅极电荷特性
1
0.5
0
-50
归一化导通电阻
归V
GS ( TH)
1.5
1.0
0.5
T
J
,结温(
℃)
0
50
100
150
-50
0
50
100
150
T
J
,结温( ℃ )
图5归V
GS ( TH)
v.s牛逼
J
图6归
DSON
v.s牛逼
J
3
UB6006
N-CH 60V的快速开关MOSFET
10000
F=1.0MHz
电容(pF)
西塞
1000
科斯
100
CRSS
10
1
5
V
DS
漏极至源极电压( V)
9
13
17
21
25
图7电容
1
图8安全工作区
归热响应(R
θJC
)
DUTY=0.5
0.3
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
0.0001
0.001
0.01
0.1
P
DM
T
ON
T
D =吨
ON
/T
T
J
峰值= T
C
+ P
DM
个R
θJC
1
10
0.01
0.00001
T,脉冲宽度(S )
图9归最大瞬态热阻抗
图10开关时间波形
图11非钳位感应开关波形
4
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