U832BS / U834BS
3 GHz的频率分频器
描述
U832BS和U834BS采用TEMIC先进的双极性
流程。 RF输入可驱动差分以及
单端的。超低消耗电流使该器件
适合移动应用。
D
U832BS除以2
D
U834BS除以4
D
极低的电流消耗（通常为12 mA）的
D
3 GHz的最高工作频率
D
电源电压，典型地5伏
D
ESD保护符合MIL -STD 。 883
方法3015级2
好处
D
延长工作时间，由于非常低的电流
消费
D
只有三个外部元件
D
低RF输入电平降低辐射问题
框图
V
S
8
2
RFI
3
6
2
4
GND
2
（仅U834BS ）
2.3 k
W
2.3 k
W
1,5
N.C
RFO
7
93 7783 e
图1.框图
订购信息
扩展型数
U832BS-FP
U834BS-FP
包
SO8
SO8
备注
得力风根半导体
牧师A2 ， 27 -JAN- 97
1 (6)
U832BS / U834BS
电气特性
V
S
= 4.5 5.5 V ，T
AMB
= 0至+ 70 ℃，称为测试电路中，除非另有规定。
参数
电源电流
测试条件/销
V
S
= 5 V
引脚8
U832BS （ 2 ）
U834BS （ 4 ）
销2
R
S
= 50
W
R
S
= 50
W
销2
管脚6和7
V
S
= 5 V ，R
6
, R
7
=
R
L
= 50
W,
R
6
, R
7
= 1 K
符号
I
S
民
典型值
12
13
RF
i
V
IRF
f
IMIN
f
IMAX
RF
O
V
RFO
80
3000
–8
–5
最大
16
17.5
300
300
单位
mA
mA
mV
兆赫
RF输入
输入灵敏度
1)
输入频率范围
RF输出
输出电平
直流输出电平
R
R
L
10 k
W
V
S
= 5 V
高
低
w
DBM
RF
大昌行
RF
DCL
3.6
3.1
V
V
1)
RMS的电压从所测量的可用功率来计算。
S
=系统电阻，R
L
=负载电阻
输出级
94 7882
输入灵敏度与频率
1000
R
s
= 50
W
, V
s
= 5 V
V
i
（MV
RMS
)
R7
7
产量
6
2.3 k
W
2.3 k
W
R6
保证工作范围
T
AMB
= 0至70℃
100
80
对于T典型值
AMB
= 25
°C
10
0 300
1000
2000
3000
4000
1,5
北卡罗来纳州
图2中。
94 7848
RF
i
（兆赫）
网络连接gure 3 。
得力风根半导体
牧师A2 ， 27 -JAN- 97
3 (6)
U832BS / U834BS
应用
主从D型触发器（ MS- D- FF的）可用于
频分通过反相输出反馈到
数据输入。典型的这种分隔是一种自由
运行第一阶段分的振荡。这里，所述
该电路的输入灵敏度是最小的（见数据表
第5页：输入灵敏度与频率的关系） 。振荡
的，例如，频率， 3.5GHz的（相关的输入）将
导致的输出的频率的部分数
3.5 GHz的： 4 = 875兆赫。为了说明这一点， TEMIC的自我
振荡频率分频器结尾的“S”
（ U834BS - AFP） 。这种振荡通常用于所述
芯片质量控制：频率越高越好
的性能。它仅发生的偏移电压
输入晶体管对低于一定限度。
另一方面，如果该振荡造成的问题，
例如，在频率计数器，外部偏移可以是
补充说。这可以简单地通过连接一个欧姆进行
从引脚3 （射频输入）电阻接地。使用的一个值
R
3
= 47 k
W
将停止自激振荡，而不会降低
输入灵敏度markly 。较小的值将减少
灵敏度特别是在较高的频率。
V
BATT
1 nF的
1
100 pF的
RF
输入
2
8
470 pF的
1
8
3
< 50千
R
3
4
U832BS
U834BS
7
470 pF的
6
2
3
U891BS
U893BSE
7
RF
产量
6
100 pF的
5
4
13291
5
图5中。
包装信息
SO8封装
尺寸（mm）
5.00
4.85
1.4
0.4
1.27
3.81
8
5
0.25
0.10
0.2
3.8
6.15
5.85
5.2
4.8
3.7
技术图纸
根据DIN
特定网络阳离子
13034
8
5
得力风根半导体
牧师A2 ， 27 -JAN- 97
5 (6)
QQ：2880707522 复制
