U6807B
六角驱动器,用于高温应用
描述
该hexdriver IC包括6个非反相电流
有限的输出级与集电极开路。
每个输出可吸收20 mA,且并行输出操作
可能。数字输入有施密特触发器功能
上拉电流源,以5 V.
特点
D
六个输入比较器,施密特触发器
特征
D
输出级:
- 短路保护用二极管
- 负载突降保护@ 1千
W
- 相邻通道串扰无
- 钳位电流@ - 2毫安
- 应急电源可能
D
输入钳位电流能力10 mA的
D
综合保护细胞(EMC , ESD , RF)
献给所有的输入级
& QUOT ;
D
低电压复位与迟滞
D
ESD保护人体模型:
& QUOT ;
2000 V( C = 100 pF的, R = 1.5
W
)
扩展型数
U6807B–FP
包
SO14
备注
框图
V
O1
1
V
O2
V
O3
2
3
V
O4
V
O5
5
6
V
O6
7
4
下
电压
发现
V
S
=5 V
14
V
I1
13
V
I2
12
V
I3
10
V
I4
9
V
I5
8
V
I6
13340
GND
V
S
11
V
S
图1 。
得力风根半导体
牧师A2 , 28 -APR- 97
1 (5)
U6807B
引脚说明
V
O1
1
V
O2
2
V
O3
3
GND 4
V
O4
5
V
O5
6
V
O6
7
13335
14 V
I1
13 V
I2
12 V
I3
11 V
S
10 V
I4
9
8
V
I5
V
I6
针
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
符号
V
O1
V
O2
V
O3
GND
V
O4
V
O5
V
O6
V
I6
V
I5
V
I4
V
S
V
I3
V
I2
V
I1
功能
输出1
输出2
输出3
地
输出4
输出5
输出6
输入6
输入5
输入4
电源电压5伏
输入3
输入2
输入1
图2.钢钉
基本CIRCUITRY
集成电路, U6805B ,需要一个稳定的支持
层电压(V
S
= 5 V 5 % ),以符合其电
的特点。的C外部缓冲电容为100 nF的
推荐值。集成14 -V稳压二极管
V之间
S
和地面保护电源引脚。
& QUOT ;
的电流限制
输出级
之间的温度相关电流限制
25毫安和100mA保护在很短的阶段。
适当的散热器组件,其中R
thJA
< 100 K / W
和/或进一步降低最大环境的
温度,建议以避免热
过分强调。取决于输出级的数字
这可能是在短路状态,这些最大
收视率(有R
thJA
< 120 K / W ) :
T
AMB最大
80℃ @ 2个通道同时短路
T
AMB最大
65℃ @ 3个通道同时短路
请参阅hexdriver U6805B如果热关机是
所需。
所有输入级提供有一个集成250
W
上拉电阻器,并且可以直接连接到一个微
控制器。
所有输出级是开放的每一个收藏家能够
沉20毫安。推荐外部元件:
上拉电阻,R = 1 K
W
电容到GND ,C = 470 pF的,见图3
x
x
功能说明
一般
接通状态:低电平在输入级激活
对应的输出级。
关闭状态:内部上拉电阻给高层
于输入比较器,并停用所述输出级。
7 V Z-二极管,每个输入引脚与GND之间的
能够为10mA电流钳位无串扰
在相邻的输入级。
瞬态和抛负载
集成28 -V稳压二极管保护每个输出级
对瞬态和负载突降(夏弗纳脉冲) 。
与外部1 - k的帮助
W
电阻器,输出
晶体管能够对应的电流经
在每个这些条件流动。除此之外,
输出短路和过载保护。
& QUOT ;
低电压检测
当电源电压被接通时,上电复位
脉冲由内部产生,它可禁止所有的输出
阶段,直到限定的电源电压电平为止。该
低电压检测设置有一个滞后
V
HYST
= 0.5 V典型。
30mA的总电流钳位应观察
相对于该功率耗散。
& QUOT ;
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得力风根半导体
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U6807B
绝对最大额定值
参数
电源电压
环境温度范围*
存储温度范围
最高结温
*
符号
V
S
T
AMB
T
英镑
T
j
价值
7.0
-40到+125
-50至+150
+150
单位
V
_
C
_
C
_
C
如果以2或3输出级sumultaneously短路减少(见第2页上的“备注” ) 。
热阻
参数
交界处的环境
符号
R
thJA
价值
120
单位
K / W
电气特性
V
S
= 5 V 5 % ,T
AMB
= 25
_
C,参考点销4 (GND) ,除非另有说明,参见图1和图3 。
参数
供应
电源电压
电源电流
低电压检测
门槛
低电压迟滞
输入
销8 ,9,10 ,12,13和14
V
I
I
I
R
I
关闭
ON
引脚1 ,2,3 ,5,6和7
V
O
I
泄漏
V
SAT
I
极限
t
d
25
5
26.5
5
2.5
0.7
V
pF
V
mA
V
I
V
I
V
HYST
170
250
3.3
1.8
1.5
6.7
输入OPEN
关闭输入到GND
ON
关闭
引脚11
V
S
I
S
I
S
V
TH (ON)的
V
TH (OFF)的
V
HYST
4.75
0.8
7
3.7
3.0
0.55
5.25
4.2
14.5
4.6
3.8
1.05
V
mA
mA
V
V
V
测试条件/销
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
& QUOT ;
Z-二极管保护电压
Z-二极管钳位电流
上拉电阻
开关阈值
迟滞
输出
集成电容器
漏电流
饱和电压(I = 20 mA)的
电流限制
传播延迟
( 470 pF的, 1千
W
, 20 V)
& QUOT ;
10
305
8.5
V
mA
k
W
V
V
V
Z-二极管保护电压
m
A
m
s
得力风根半导体
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U6807B
消耗臭氧层物质的政策声明
它的策略
TEMIC得力风根微电子有限公司
to
1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。
2.定期和不断改进我们的产品,工艺,销售和操作系统的性能
相对于它们对健康和员工的安全和公众的影响,以及其上的冲击
环境。
这是特别令人关注,以控制或消除这些物质释放到其已知作为气氛
消耗臭氧层物质(消耗臭氧层物质) 。
蒙特利尔议定书( 1987年)和其伦敦修正案( 1990)打算严格限制使用消耗臭氧层物质和
在未来十年内禁止其使用。不同的国家和国际行动正加紧进行早期禁令
于这些物质。
TEMIC得力风根微电子有限公司
半导体部门已经能够使用的政策
持续改进,以杜绝使用消耗臭氧层物质的下列文件中列出。
1.附件A, B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦分别修正列表
2 。 I类和II于1990年,由环境的清洁空气法案修正案消耗臭氧层物质
保护局(EPA)在美国
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A,B和C (过渡性物质) 。
TEMIC
可以证明,我们的半导体是不消耗臭氧层物质的生产,并且不包含
这类物质。
我们保留作出修改,以改善技术设计,并可以这样做,恕不另行通知的权利。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每一个客户进行验证
应用程序由客户。如买方使用TEMIC产品的任何意外或未经授权的
申请时,买方应赔偿TEMIC的所有索赔,费用,损失,费用,产生出来的,
直接或间接的个人损害,伤害或死亡索赔等意外或相关
未经授权的使用。
TEMIC得力风根微电子股份有限公司, P.O.B. 3535 , D- 74025德国Heilbronn
电话: 49 ( 0 ) 67 7131 2831 ,传真号码: 49 ( 0 ) 7131 67 2423
得力风根半导体
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