U635H256
不建议用于新设计
特点
高性能CMOS非
挥发性静态RAM 32768 ×8位
25 ns访问时间
10 ns输出使能访问
时间
I
CC
= 15毫安（典型值） 。在200 ns的周期
时间
自动STORE到EEPROM
使用系统关机的
电容
启动软件商店
自动定时商店
10
6
商店循环到EEPROM
百年中的数据保留
EEPROM
自动恢复开机时
软件启动召回
从无限RECALL周期
EEPROM
采用5 V单
±
10 ％操作
工作温度范围：
0到70
°C
-40到85°C
QS 9000质量标准
ESD保护> 2000伏
（ MIL STD 883C M3015.7 - HBM ）
符合RoHS标准，并有铅免费
包装： SOP28 （ 330万）
描述
该U635H256有两个独立的
的操作模式： SRAM的模式
和非易失性模式。在SRAM
模式下，存储器操作为
普通的静态RAM 。在非易失
操作中，数据在传送
从SRAM并行EEPROM或
从EEPROM来SRAM 。在这
模式SRAM功能disab-
LED 。
该U635H256是一个快速静态RAM
（ 25纳秒） ，具有非易失性electri-
美云可擦除PROM（ EEPROM）中
在每个静态元素结合
存储单元。该SRAM可
读取和写入无限num-
误码率的倍，而独立
非易失性
数据
所在
in
EEPROM 。从数据传输
SRAM到EEPROM （在
STORE操作）发生自动
matically后断电使用
电荷存储在电容系统
距离。
转帐
从
该
EEPROM来对SRAM （在
RECALL操作）发生
自动上电。该
U635H256结合了高性
性能和易用性快的
SRAM与非易失性数据英特
引脚说明
28
27
26
25
24
23
22
VCC
W
A13
A8
A9
A11
G
A10
E
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
PowerStore
32K ×8的nvSRAM
grity 。
商店周期也可以是倡
通过软在用户控制下特德
洁具序列。
一旦一条STORE周期开始，
进一步的输入或输出被禁用
直到周期结束。
因为地址序列
用于商店开始，它是
重要的是，没有任何其他读或
写访问干预
序列或该序列将是
中止。
RECALL周期也可能是倡
泰德通过软件序列。
在内部，召回是一个两步
过程。首先，该SRAM的数据是
清零;第二， nonvola-
瓦片的信息被转移到
SRAM单元。
在没有办法调用操作
改变的数据在EEPROM中
细胞。非易失性数据可以是
召回的数量不受限制
次。
该U635H256引脚兼容
与标准的SRAM 。
引脚配置
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
信号名称
A0 - A14
DQ0 - DQ7
E
G
W
VCC
VSS
信号说明
地址输入
IN / OUT数据
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
电源电压
地
SOP
21
20
19
18
17
16
15
顶视图
2006年8月15日
沙头角管制＃ ML0051
1
版本1.1
U635H256
框图
EEPROM阵列
512 x (64 x 8)
A5
A6
A7
A8
A9
A11
A12
A13
A14
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
E
W
输入缓冲器
商店
行解码器
SRAM
ARRAY
512排x
64× 8列
商店/
召回
控制
V
CC
V
SS
召回
动力
控制
V
CC
列I / O
列解码器
软件
检测
A0 - A13
A0 A1 A2 A3 A4 A10
G
真值表forSRAM操作
经营模式
待机/未选择
内部读
读
写
*
H或L
特征
所有电压都参考V
SS
= 0V （接地） 。
所有特征都在该电源电压范围内，并在规定的工作温度范围内有效。
动态测量是基于对一个上升和下降时间
≤
5纳秒，介于10％和90 ％的V测量
I
，以及
V的输入电平
IL
= 0 V和V
IH
= 3 V的所有输入和输出信号的定时基准电平为1.5伏，
除吨的
DIS
-times和T
en
-times ，在这种情况下，过渡测量
±
200毫伏的稳态电压。
E
H
L
L
L
W
*
G
*
DQ0 - DQ7
高-Z
高-Z
数据输出低Z
数据输入高阻
H
H
L
H
L
*
绝对最大额定值
a
电源电压
输入电压
输出电压
功耗
工作温度
储存温度
a:
符号
V
CC
V
I
V
O
P
D
分钟。
-0.5
-0.3
-0.3
马克斯。
7
V
CC
+0.5
V
CC
+0.5
1
单位
V
V
V
W
°C
°C
°C
C型
K型
T
a
T
英镑
0
-40
-65
70
85
150
应力大于“绝对最大额定值”，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力
只有等级，并在条件超过上述业务部门所标明的这个规范是设备的功能操作
不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响可靠性。
沙头角管制＃ ML0051
2
版本1.1
2006年8月15日
U635H256
推荐
工作条件
电源电压
输入低电压
输入高电压
符号
V
CC
V
IL
V
IH
-2 V的脉冲宽度
10纳秒许可
条件
分钟。
4.5
-0.3
2.2
马克斯。
5.5
0.8
V
CC
+0.3
单位
V
V
V
C型
DC特性
工作电源电流
b
符号
I
CC1
V
CC
V
IL
V
IH
t
c
条件
分钟。
= 5.5 V
= 0.8 V
= 2.2 V
= 25纳秒
95
马克斯。
K型
单位
分钟。
马克斯。
100
mA
期间平均电源电流
c
商店
I
CC2
V
CC
E
W
V
IL
V
IH
V
CC
W
V
IL
V
IH
V
CC
V
IL
V
IH
V
CC
E
t
c
= 5.5 V
≤
0.2 V
≥
V
CC
-0.2 V
≤
0.2 V
≥
V
CC
-0.2 V
= 5.5 V
≥
V
CC
-0.2 V
≤
0.2 V
≥
V
CC
-0.2 V
= 4.5 V
= 0.2 V
≥
V
CC
-0.2 V
= 5.5 V
= V
IH
= 25纳秒
6
7
mA
工作电源电流
b
在T
cR
= 200纳秒
（自行车CMOS输入电平）
期间平均电源电流
c
PowerStore
周期
待机电源电流
d
（自行车TTL电平输入）
I
CC3
20
20
mA
I
CC4
4
4
mA
I
CC(SB)1
40
42
mA
待机电源电流
d
（稳定的CMOS输入电平）
I
CC （SB）
V
CC
E
V
IL
V
IH
= 5.5 V
≥
V
CC
-0.2 V
≤
0.2 V
≥
V
CC
-0.2 V
3
3
mA
B：我
CC1
我
CC3
被depedent输出负载和循环率。指定的值与空载输出获得。
目前我
CC1
测量的写/读 - 1/2的比例。
C：我
CC2
我
CC4
是需要对相应STORE周期的持续时间的平均电流。
D：瞻é
≥
V
IH
不会产生待机电流电平，直到任何非易失性周期中已超时。见模式选择
表。目前我
CC(SB)1
测量的写/读 - 1/2的比例。
2006年8月15日
沙头角管制＃ ML0051
3
版本1.1
U635H256
读周期1 ： AI控制的（在读周期： E = G = V
IL
，W = V
IH
)
f
t
cR
(1)
Ai
DQI
产量
以前的数据有效
t
V（A）
(9)
地址有效
t
a(A)
(2)
输出数据有效
读周期2 ： G-，电子控制（在读周期：W = V
IH
)
g
t
cR
(1)
Ai
E
G
DQI
产量
高阻抗
地址有效
t
a(A)
(2)
t
一（ E）
(3)
t
烯（ E）
(7)
t
一（ G）
(4)
t
EN（ G）
(8)
t
PU
(10)
活跃
待机
t
DIS （ E）
(5)
t
PD
(11)
t
DIS （ G）
(6)
输出数据有效
I
CC
开关特性
号
写周期
12写周期时间
13把脉冲宽度
14把脉冲宽度建立时间
15地址建立时间
16地址有效到写结束
17芯片使能建立时间
18芯片使能到结束写入的
19数据建立时间来结束写的
20数据保持时间写结束后，
写入结束后21地址保持
22瓦低到输出的高阻
H，I
23瓦高到输出中低Z
符号
单位
Alt键。 ＃ 1
t
AVAV
t
WLWH
t
WLEH
t
AVWL
t
AVWH
t
ELWH
t
ELEH
t
DVWH
t
WHDX
t
WHAX
t
WLQZ
t
WHQX
t
DVEH
t
EHDX
t
EHAX
t
AVEL
t
AVEH
Alt键。 ＃ 2
t
AVAV
IEC
t
cW
t
w(W)
t
SU（ W）
t
SU（ A）
t
SU（ A- WH ）
t
SU（ E）
t
W（ E）
t
SU（ D）
t
H（ D）
t
H（ A）
t
DIS （ W）
t
EN（ W）
5
分钟。马克斯。
25
20
20
0
20
20
20
10
0
0
10
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
2006年8月15日
沙头角管制＃ ML0051
5
版本1.1
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