U634H256
PowerStore
32K ×8的nvSRAM
特点
!
高性能CMOS非易失
!
!
!
!
描述
该U634H256有两个独立的
的操作模式： SRAM的模式
和非易失性模式。在SRAM
模式下，存储器操作为
普通的静态RAM 。在非易失
操作中，数据在传送
从SRAM并行EEPROM或
从EEPROM来SRAM 。在这
模式SRAM功能disab-
LED 。
该U634H256是一个快速静态RAM
（25 ，35， 45纳秒） ，具有非易失性的
ELECTRICALLY
可擦写
舞会
（EEPROM）中的元素引入
在每个静态存储器单元。该
SRAM可以读取和写入的
无限次，而
独立的非易失性数据住宅建设
沙漠中的EEPROM 。数据传输
从SRAM到EEPROM
（实体店经营）发生
时自动断电
利用电荷存储在外部
100 μF的电容。
从EEPROM的转让
SRAM （调用操作）
上电自动发生
了。
该U634H256结合了高
性能和易用性的一个的
快速SRAM与非易失性数据
诚信。
引脚说明
32
31
30
29
28
27
VCCX
HSB
W
A13
A8
A9
A11
G
北卡罗来纳州
A10
E
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
!
!
!
!
!
!
!
!
!
!
!
!
挥发性静态RAM 32768 ×8位
25 ， 35和45 ns的访问时间
10，15和20 ns的输出使能
访问时间
I
CC
= 15毫安（典型值） 。在200 ns的周期
时间
自动STORE到EEPROM
在使用外部电源关闭
电容
硬件或软件启动
商店
（存储周期时间< 10毫秒）
自动定时商店
10
5
商店循环到EEPROM
10年的数据保留
EEPROM
自动恢复开机时
软件启动召回
（ RECALL周期时间< 20
s)
从无限RECALL周期
EEPROM
采用5 V单
±
10 ％操作
工作温度范围：
0到70
°C
-40到85
°C
-40 / -55 125°C （仅35纳秒）
QS 9000质量标准
ESD保护> 2000伏
（ MIL STD 883C M3015.7 - HBM ）
封装： SOP32 （ 300万） ，
PDIP32 （ 600万，只有C / K型）
商店周期也可以是倡
通过软在用户控制下特德
洁具序列或通过一个引脚
（ HSB ） 。
一旦一条STORE周期开始，
进一步的输入或输出被禁用
直到周期结束。
因为地址序列
用于商店开始，它是
重要的是，没有任何其他读或
写访问干预
序列或该序列将是
中止。
RECALL周期也可能是倡
泰德通过软件序列。
在内部，召回是一个两步
过程。首先，该SRAM的数据是
清零;第二， nonvola-
瓦片的信息被转移到
SRAM单元。
在没有办法调用操作
改变的数据在EEPROM中
细胞。非易失性数据可以是
召回的数量不受限制
次。
引脚配置
VCAP
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
北卡罗来纳州
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
顶视图
信号名称
A0 - A14
DQ0 - DQ7
E
G
W
VCCX
VSS
VCAP
HSB
信号说明
地址输入
IN / OUT数据
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
电源电压
地
电容
硬件控制存储/忙
PDIP
SOP
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
2004年4月21日
1
U634H256
框图
EEPROM阵列
512 x (64 x 8)
A5
A6
A7
A8
A9
A11
A12
A13
A14
DQ0
DQ1
输入缓冲器
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
E
W
商店
行解码器
SRAM
ARRAY
512排x
64× 8列
商店/
召回
控制
V
CCx中
V
SS
V
帽
动力
控制
召回
V
CCx中
V
帽
HSB
列I / O
列解码器
软件
检测
A0 - A13
A0 A1 A2 A3 A4 A10
G
真值表的SRAM操作
经营模式
待机/未选择
内部读
读
写
*
H或L
特征
所有电压都参考V
SS
= 0V （接地） 。
所有特征都在该电源电压范围内，并在规定的工作温度范围内有效。
动态测量是基于对一个上升和下降时间
≤
5纳秒，介于10％和90 ％的V测量
I
，以及
V的输入电平
IL
= 0 V和V
IH
= 3 V的所有输入和输出信号的定时基准电平为1.5伏，
除吨的
DIS
-times和T
en
-times ，在这种情况下，过渡测量
±
200毫伏的稳态电压。
E
H
L
L
L
HSB
H
H
H
H
W
*
G
*
DQ0 - DQ7
高-Z
高-Z
数据输出低Z
数据输入高阻
H
H
L
H
L
*
绝对最大额定值
a
电源电压
输入电压
输出电压
功耗
工作温度
C型
K型
A型
m型
符号
V
CC
V
I
V
O
P
D
T
a
分钟。
-0.5
-0.3
-0.3
马克斯。
7
V
CC
+0.5
V
CC
+0.5
1
单位
V
V
V
W
°C
°C
°C
°C
°C
0
-40
-40
-55
-65
70
85
125
125
150
储存温度
a:
T
英镑
应力大于“绝对最大额定值”，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力
只有等级，并在条件超过上述业务部门所标明的这个规范是设备的功能操作
不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响可靠性。
2
2004年4月21日
U634H256
推荐
工作条件
电源电压
b
输入低电压
输入高电压
符号
V
CC
V
IL
V
IH
-2 V的脉冲宽度
10纳秒许可
条件
分钟。
4.5
-0.3
2.2
马克斯。
5.5
0.8
V
CC
+0.3
单位
V
V
V
C型
DC特性
工作电源电流
c
符号
I
CC1
V
CC
V
IL
V
IH
t
c
t
c
t
c
期间平均电源电流
商店
c
I
CC2
V
CC
E
W
V
IL
V
IH
V
CC
V
IL
V
IH
V
CC
E
t
c
t
c
t
c
工作电源电流
在T
cR
= 200纳秒
c
（自行车CMOS输入电平）
待机电源电流
d
（稳定的CMOS输入电平）
I
CC3
V
CC
W
V
IL
V
IH
V
CC
E
V
IL
V
IH
条件
分钟。
= 5.5 V
= 0.8 V
= 2.2 V
= 25纳秒
= 35 ns的
- 45纳秒
= 5.5 V
≤
0.2 V
≥
V
CC
-0.2 V
≤
0.2 V
≥
V
CC
-0.2 V
= 4.5 V
= 0.2 V
≥
V
CC
-0.2 V
= 5.5 V
= V
IH
= 25纳秒
= 35 ns的
- 45纳秒
= 5.5 V
≥
V
CC
-0.2 V
≤
0.2 V
≥
V
CC
-0.2 V
= 5.5 V
≥
V
CC
-0.2 V
≤
0.2 V
≥
V
CC
-0.2 V
40
36
33
20
95
75
65
6
马克斯。
K型
分钟。
马克斯。
A / M型
单位
分钟。
马克斯。
100
80
70
7
-
80
-
7
mA
mA
mA
mA
期间平均电源电流
PowerStore
周期
待机电源电流
d
（自行车TTL电平输入）
I
CC4
4
4
4
mA
I
CC(SB)1
42
38
35
20
-
38
-
20
mA
mA
mA
mA
I
CC （SB）
3
3
4
mA
B： V
CC
参考水平在整个数据表是指V
CCx中
如果这就是由电源连接，或V
帽
如果V
CCx中
所配置
连接至接地。
C：我
CC1
我
CC3
被depedent输出负载和循环率。指定的值与空载输出获得。
目前我
CC1
测量的写/读 - 1/2的比例。
I
CC2
是存储所需的周期（ STORE周期时间）期间的平均电流。
D：瞻é
≥
V
IH
不会产生待机电流电平，直到任何非易失性周期中已超时。见模式选择能。
目前我
CC(SB)1
测量的写/读 - 1/2的比例。
2004年4月21日
3
U634H256
读周期1 ： AI控制的（在读周期： E = G = V
IL
，W = V
IH
)
f
t
cR
(1)
Ai
DQI
产量
以前的数据有效
t
V（A）
(9)
地址有效
t
a(A)
(2)
输出数据有效
读周期2 ： G-，电子控制（在读周期：W = V
IH
)
g
t
cR
(1)
Ai
E
G
DQI
产量
高阻抗
t
PU
(10)
活跃
待机
地址有效
t
a(A)
(2)
t
一（ E）
(3)
t
烯（ E）
(7)
t
一（ G）
(4)
t
EN（ G）
(8)
输出数据有效
t
DIS （ G）
(6)
t
PD
(11)
t
DIS （ E）
(5)
I
CC
开关特性
号
写周期
12写周期时间
13把脉冲宽度
14把脉冲宽度建立时间
15地址建立时间
16地址有效到写结束
17芯片使能建立时间
18芯片使能到结束写入的
19数据建立时间来结束写的
20数据保持时间写结束后，
写入结束后21地址保持
22瓦低到输出的高阻
H，I
23瓦高到输出中低Z
符号
Alt键。 ＃ 1
t
AVAV
t
WLWH
t
WLEH
t
AVWL
t
AVWH
t
ELWH
t
ELEH
t
DVWH
t
WHDX
t
WHAX
t
WLQZ
t
WHQX
t
DVEH
t
EHDX
t
EHAX
t
AVEL
t
AVEH
Alt键。 ＃ 2
t
AVAV
IEC
t
cW
t
w(W)
t
SU（ W）
t
SU（ A）
t
SU（ A- WH ）
t
SU（ E）
t
W（ E）
t
SU（ D）
t
H（ D）
t
H（ A）
t
DIS （ W）
t
EN（ W）
5
25
35
45
单位
分钟。马克斯。分钟。马克斯。分钟。马克斯。
25
20
20
0
20
20
20
10
0
0
10
5
35
25
25
0
25
25
25
12
0
0
13
5
45
30
30
0
30
30
30
15
0
0
15
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
2004年4月21日
5
U634H256
PowerStore
32K ×8的nvSRAM
特点
!
高性能CMOS非易失
!
!
!
!
描述
该U634H256有两个独立的
的操作模式： SRAM的模式
和非易失性模式。在SRAM
模式下，存储器操作为
普通的静态RAM 。在非易失
操作中，数据在传送
从SRAM并行EEPROM或
从EEPROM来SRAM 。在这
模式SRAM功能disab-
LED 。
该U634H256是一个快速静态RAM
（25 ，35， 45纳秒） ，具有非易失性的
ELECTRICALLY
可擦写
舞会
（EEPROM）中的元素引入
在每个静态存储器单元。该
SRAM可以读取和写入的
无限次，而
独立的非易失性数据住宅建设
沙漠中的EEPROM 。数据传输
从SRAM到EEPROM
（实体店经营）发生
时自动断电
利用电荷存储在外部
100 μF的电容。
从EEPROM的转让
SRAM （调用操作）
上电自动发生
了。
该U634H256结合了高
性能和易用性的一个的
快速SRAM与非易失性数据
诚信。
引脚说明
32
31
30
29
28
27
VCCX
HSB
W
A13
A8
A9
A11
G
北卡罗来纳州
A10
E
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
!
!
!
!
!
!
!
!
!
!
!
!
挥发性静态RAM 32768 ×8位
25 ， 35和45 ns的访问时间
10，15和20 ns的输出使能
访问时间
I
CC
= 15毫安（典型值） 。在200 ns的周期
时间
自动STORE到EEPROM
在使用外部电源关闭
电容
硬件或软件启动
商店
（存储周期时间< 10毫秒）
自动定时商店
10
5
商店循环到EEPROM
10年的数据保留
EEPROM
自动恢复开机时
软件启动召回
（ RECALL周期时间< 20
s)
从无限RECALL周期
EEPROM
采用5 V单
±
10 ％操作
工作温度范围：
0到70
°C
-40到85
°C
-40 / -55 125°C （仅35纳秒）
QS 9000质量标准
ESD保护> 2000伏
（ MIL STD 883C M3015.7 - HBM ）
封装： SOP32 （ 300万） ，
PDIP32 （ 600万，只有C / K型）
商店周期也可以是倡
通过软在用户控制下特德
洁具序列或通过一个引脚
（ HSB ） 。
一旦一条STORE周期开始，
进一步的输入或输出被禁用
直到周期结束。
因为地址序列
用于商店开始，它是
重要的是，没有任何其他读或
写访问干预
序列或该序列将是
中止。
RECALL周期也可能是倡
泰德通过软件序列。
在内部，召回是一个两步
过程。首先，该SRAM的数据是
清零;第二， nonvola-
瓦片的信息被转移到
SRAM单元。
在没有办法调用操作
改变的数据在EEPROM中
细胞。非易失性数据可以是
召回的数量不受限制
次。
引脚配置
VCAP
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
北卡罗来纳州
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
顶视图
信号名称
A0 - A14
DQ0 - DQ7
E
G
W
VCCX
VSS
VCAP
HSB
信号说明
地址输入
IN / OUT数据
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
电源电压
地
电容
硬件控制存储/忙
PDIP
SOP
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
2004年4月21日
1
U634H256
框图
EEPROM阵列
512 x (64 x 8)
A5
A6
A7
A8
A9
A11
A12
A13
A14
DQ0
DQ1
输入缓冲器
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
E
W
商店
行解码器
SRAM
ARRAY
512排x
64× 8列
商店/
召回
控制
V
CCx中
V
SS
V
帽
动力
控制
召回
V
CCx中
V
帽
HSB
列I / O
列解码器
软件
检测
A0 - A13
A0 A1 A2 A3 A4 A10
G
真值表的SRAM操作
经营模式
待机/未选择
内部读
读
写
*
H或L
特征
所有电压都参考V
SS
= 0V （接地） 。
所有特征都在该电源电压范围内，并在规定的工作温度范围内有效。
动态测量是基于对一个上升和下降时间
≤
5纳秒，介于10％和90 ％的V测量
I
，以及
V的输入电平
IL
= 0 V和V
IH
= 3 V的所有输入和输出信号的定时基准电平为1.5伏，
除吨的
DIS
-times和T
en
-times ，在这种情况下，过渡测量
±
200毫伏的稳态电压。
E
H
L
L
L
HSB
H
H
H
H
W
*
G
*
DQ0 - DQ7
高-Z
高-Z
数据输出低Z
数据输入高阻
H
H
L
H
L
*
绝对最大额定值
a
电源电压
输入电压
输出电压
功耗
工作温度
C型
K型
A型
m型
符号
V
CC
V
I
V
O
P
D
T
a
分钟。
-0.5
-0.3
-0.3
马克斯。
7
V
CC
+0.5
V
CC
+0.5
1
单位
V
V
V
W
°C
°C
°C
°C
°C
0
-40
-40
-55
-65
70
85
125
125
150
储存温度
a:
T
英镑
应力大于“绝对最大额定值”，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力
只有等级，并在条件超过上述业务部门所标明的这个规范是设备的功能操作
不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响可靠性。
2
2004年4月21日
U634H256
推荐
工作条件
电源电压
b
输入低电压
输入高电压
符号
V
CC
V
IL
V
IH
-2 V的脉冲宽度
10纳秒许可
条件
分钟。
4.5
-0.3
2.2
马克斯。
5.5
0.8
V
CC
+0.3
单位
V
V
V
C型
DC特性
工作电源电流
c
符号
I
CC1
V
CC
V
IL
V
IH
t
c
t
c
t
c
期间平均电源电流
商店
c
I
CC2
V
CC
E
W
V
IL
V
IH
V
CC
V
IL
V
IH
V
CC
E
t
c
t
c
t
c
工作电源电流
在T
cR
= 200纳秒
c
（自行车CMOS输入电平）
待机电源电流
d
（稳定的CMOS输入电平）
I
CC3
V
CC
W
V
IL
V
IH
V
CC
E
V
IL
V
IH
条件
分钟。
= 5.5 V
= 0.8 V
= 2.2 V
= 25纳秒
= 35 ns的
- 45纳秒
= 5.5 V
≤
0.2 V
≥
V
CC
-0.2 V
≤
0.2 V
≥
V
CC
-0.2 V
= 4.5 V
= 0.2 V
≥
V
CC
-0.2 V
= 5.5 V
= V
IH
= 25纳秒
= 35 ns的
- 45纳秒
= 5.5 V
≥
V
CC
-0.2 V
≤
0.2 V
≥
V
CC
-0.2 V
= 5.5 V
≥
V
CC
-0.2 V
≤
0.2 V
≥
V
CC
-0.2 V
40
36
33
20
95
75
65
6
马克斯。
K型
分钟。
马克斯。
A / M型
单位
分钟。
马克斯。
100
80
70
7
-
80
-
7
mA
mA
mA
mA
期间平均电源电流
PowerStore
周期
待机电源电流
d
（自行车TTL电平输入）
I
CC4
4
4
4
mA
I
CC(SB)1
42
38
35
20
-
38
-
20
mA
mA
mA
mA
I
CC （SB）
3
3
4
mA
B： V
CC
参考水平在整个数据表是指V
CCx中
如果这就是由电源连接，或V
帽
如果V
CCx中
所配置
连接至接地。
C：我
CC1
我
CC3
被depedent输出负载和循环率。指定的值与空载输出获得。
目前我
CC1
测量的写/读 - 1/2的比例。
I
CC2
是存储所需的周期（ STORE周期时间）期间的平均电流。
D：瞻é
≥
V
IH
不会产生待机电流电平，直到任何非易失性周期中已超时。见模式选择能。
目前我
CC(SB)1
测量的写/读 - 1/2的比例。
2004年4月21日
3
U634H256
读周期1 ： AI控制的（在读周期： E = G = V
IL
，W = V
IH
)
f
t
cR
(1)
Ai
DQI
产量
以前的数据有效
t
V（A）
(9)
地址有效
t
a(A)
(2)
输出数据有效
读周期2 ： G-，电子控制（在读周期：W = V
IH
)
g
t
cR
(1)
Ai
E
G
DQI
产量
高阻抗
t
PU
(10)
活跃
待机
地址有效
t
a(A)
(2)
t
一（ E）
(3)
t
烯（ E）
(7)
t
一（ G）
(4)
t
EN（ G）
(8)
输出数据有效
t
DIS （ G）
(6)
t
PD
(11)
t
DIS （ E）
(5)
I
CC
开关特性
号
写周期
12写周期时间
13把脉冲宽度
14把脉冲宽度建立时间
15地址建立时间
16地址有效到写结束
17芯片使能建立时间
18芯片使能到结束写入的
19数据建立时间来结束写的
20数据保持时间写结束后，
写入结束后21地址保持
22瓦低到输出的高阻
H，I
23瓦高到输出中低Z
符号
Alt键。 ＃ 1
t
AVAV
t
WLWH
t
WLEH
t
AVWL
t
AVWH
t
ELWH
t
ELEH
t
DVWH
t
WHDX
t
WHAX
t
WLQZ
t
WHQX
t
DVEH
t
EHDX
t
EHAX
t
AVEL
t
AVEH
Alt键。 ＃ 2
t
AVAV
IEC
t
cW
t
w(W)
t
SU（ W）
t
SU（ A）
t
SU（ A- WH ）
t
SU（ E）
t
W（ E）
t
SU（ D）
t
H（ D）
t
H（ A）
t
DIS （ W）
t
EN（ W）
5
25
35
45
单位
分钟。马克斯。分钟。马克斯。分钟。马克斯。
25
20
20
0
20
20
20
10
0
0
10
5
35
25
25
0
25
25
25
12
0
0
13
5
45
30
30
0
30
30
30
15
0
0
15
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
2004年4月21日
5
U634H256
PowerStore
32K ×8的nvSRAM
特点
!
高性能CMOS非易失
!
!
!
!
描述
该U634H256有两个独立的
的操作模式： SRAM的模式
和非易失性模式。在SRAM
模式下，存储器操作为
普通的静态RAM 。在非易失
操作中，数据在传送
从SRAM并行EEPROM或
从EEPROM来SRAM 。在这
模式SRAM功能disab-
LED 。
该U634H256是一个快速静态RAM
（25 ，35， 45纳秒） ，具有非易失性的
ELECTRICALLY
可擦写
舞会
（EEPROM）中的元素引入
在每个静态存储器单元。该
SRAM可以读取和写入的
无限次，而
独立的非易失性数据住宅建设
沙漠中的EEPROM 。数据传输
从SRAM到EEPROM
（实体店经营）发生
时自动断电
利用电荷存储在外部
100 μF的电容。
从EEPROM的转让
SRAM （调用操作）
上电自动发生
了。
该U634H256结合了高
性能和易用性的一个的
快速SRAM与非易失性数据
诚信。
引脚说明
32
31
30
29
28
27
VCCX
HSB
W
A13
A8
A9
A11
G
北卡罗来纳州
A10
E
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
!
!
!
!
!
!
!
!
!
!
!
!
挥发性静态RAM 32768 ×8位
25 ， 35和45 ns的访问时间
10，15和20 ns的输出使能
访问时间
I
CC
= 15毫安（典型值） 。在200 ns的周期
时间
自动STORE到EEPROM
在使用外部电源关闭
电容
硬件或软件启动
商店
（存储周期时间< 10毫秒）
自动定时商店
10
5
商店循环到EEPROM
10年的数据保留
EEPROM
自动恢复开机时
软件启动召回
（ RECALL周期时间< 20
s)
从无限RECALL周期
EEPROM
采用5 V单
±
10 ％操作
工作温度范围：
0到70
°C
-40到85
°C
-40 / -55 125°C （仅35纳秒）
QS 9000质量标准
ESD保护> 2000伏
（ MIL STD 883C M3015.7 - HBM ）
封装： SOP32 （ 300万） ，
PDIP32 （ 600万，只有C / K型）
商店周期也可以是倡
通过软在用户控制下特德
洁具序列或通过一个引脚
（ HSB ） 。
一旦一条STORE周期开始，
进一步的输入或输出被禁用
直到周期结束。
因为地址序列
用于商店开始，它是
重要的是，没有任何其他读或
写访问干预
序列或该序列将是
中止。
RECALL周期也可能是倡
泰德通过软件序列。
在内部，召回是一个两步
过程。首先，该SRAM的数据是
清零;第二， nonvola-
瓦片的信息被转移到
SRAM单元。
在没有办法调用操作
改变的数据在EEPROM中
细胞。非易失性数据可以是
召回的数量不受限制
次。
引脚配置
VCAP
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
北卡罗来纳州
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
顶视图
信号名称
A0 - A14
DQ0 - DQ7
E
G
W
VCCX
VSS
VCAP
HSB
信号说明
地址输入
IN / OUT数据
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
电源电压
地
电容
硬件控制存储/忙
PDIP
SOP
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
2004年4月21日
1
U634H256
框图
EEPROM阵列
512 x (64 x 8)
A5
A6
A7
A8
A9
A11
A12
A13
A14
DQ0
DQ1
输入缓冲器
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
E
W
商店
行解码器
SRAM
ARRAY
512排x
64× 8列
商店/
召回
控制
V
CCx中
V
SS
V
帽
动力
控制
召回
V
CCx中
V
帽
HSB
列I / O
列解码器
软件
检测
A0 - A13
A0 A1 A2 A3 A4 A10
G
真值表的SRAM操作
经营模式
待机/未选择
内部读
读
写
*
H或L
特征
所有电压都参考V
SS
= 0V （接地） 。
所有特征都在该电源电压范围内，并在规定的工作温度范围内有效。
动态测量是基于对一个上升和下降时间
≤
5纳秒，介于10％和90 ％的V测量
I
，以及
V的输入电平
IL
= 0 V和V
IH
= 3 V的所有输入和输出信号的定时基准电平为1.5伏，
除吨的
DIS
-times和T
en
-times ，在这种情况下，过渡测量
±
200毫伏的稳态电压。
E
H
L
L
L
HSB
H
H
H
H
W
*
G
*
DQ0 - DQ7
高-Z
高-Z
数据输出低Z
数据输入高阻
H
H
L
H
L
*
绝对最大额定值
a
电源电压
输入电压
输出电压
功耗
工作温度
C型
K型
A型
m型
符号
V
CC
V
I
V
O
P
D
T
a
分钟。
-0.5
-0.3
-0.3
马克斯。
7
V
CC
+0.5
V
CC
+0.5
1
单位
V
V
V
W
°C
°C
°C
°C
°C
0
-40
-40
-55
-65
70
85
125
125
150
储存温度
a:
T
英镑
应力大于“绝对最大额定值”，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力
只有等级，并在条件超过上述业务部门所标明的这个规范是设备的功能操作
不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响可靠性。
2
2004年4月21日
U634H256
推荐
工作条件
电源电压
b
输入低电压
输入高电压
符号
V
CC
V
IL
V
IH
-2 V的脉冲宽度
10纳秒许可
条件
分钟。
4.5
-0.3
2.2
马克斯。
5.5
0.8
V
CC
+0.3
单位
V
V
V
C型
DC特性
工作电源电流
c
符号
I
CC1
V
CC
V
IL
V
IH
t
c
t
c
t
c
期间平均电源电流
商店
c
I
CC2
V
CC
E
W
V
IL
V
IH
V
CC
V
IL
V
IH
V
CC
E
t
c
t
c
t
c
工作电源电流
在T
cR
= 200纳秒
c
（自行车CMOS输入电平）
待机电源电流
d
（稳定的CMOS输入电平）
I
CC3
V
CC
W
V
IL
V
IH
V
CC
E
V
IL
V
IH
条件
分钟。
= 5.5 V
= 0.8 V
= 2.2 V
= 25纳秒
= 35 ns的
- 45纳秒
= 5.5 V
≤
0.2 V
≥
V
CC
-0.2 V
≤
0.2 V
≥
V
CC
-0.2 V
= 4.5 V
= 0.2 V
≥
V
CC
-0.2 V
= 5.5 V
= V
IH
= 25纳秒
= 35 ns的
- 45纳秒
= 5.5 V
≥
V
CC
-0.2 V
≤
0.2 V
≥
V
CC
-0.2 V
= 5.5 V
≥
V
CC
-0.2 V
≤
0.2 V
≥
V
CC
-0.2 V
40
36
33
20
95
75
65
6
马克斯。
K型
分钟。
马克斯。
A / M型
单位
分钟。
马克斯。
100
80
70
7
-
80
-
7
mA
mA
mA
mA
期间平均电源电流
PowerStore
周期
待机电源电流
d
（自行车TTL电平输入）
I
CC4
4
4
4
mA
I
CC(SB)1
42
38
35
20
-
38
-
20
mA
mA
mA
mA
I
CC （SB）
3
3
4
mA
B： V
CC
参考水平在整个数据表是指V
CCx中
如果这就是由电源连接，或V
帽
如果V
CCx中
所配置
连接至接地。
C：我
CC1
我
CC3
被depedent输出负载和循环率。指定的值与空载输出获得。
目前我
CC1
测量的写/读 - 1/2的比例。
I
CC2
是存储所需的周期（ STORE周期时间）期间的平均电流。
D：瞻é
≥
V
IH
不会产生待机电流电平，直到任何非易失性周期中已超时。见模式选择能。
目前我
CC(SB)1
测量的写/读 - 1/2的比例。
2004年4月21日
3
U634H256
读周期1 ： AI控制的（在读周期： E = G = V
IL
，W = V
IH
)
f
t
cR
(1)
Ai
DQI
产量
以前的数据有效
t
V（A）
(9)
地址有效
t
a(A)
(2)
输出数据有效
读周期2 ： G-，电子控制（在读周期：W = V
IH
)
g
t
cR
(1)
Ai
E
G
DQI
产量
高阻抗
t
PU
(10)
活跃
待机
地址有效
t
a(A)
(2)
t
一（ E）
(3)
t
烯（ E）
(7)
t
一（ G）
(4)
t
EN（ G）
(8)
输出数据有效
t
DIS （ G）
(6)
t
PD
(11)
t
DIS （ E）
(5)
I
CC
开关特性
号
写周期
12写周期时间
13把脉冲宽度
14把脉冲宽度建立时间
15地址建立时间
16地址有效到写结束
17芯片使能建立时间
18芯片使能到结束写入的
19数据建立时间来结束写的
20数据保持时间写结束后，
写入结束后21地址保持
22瓦低到输出的高阻
H，I
23瓦高到输出中低Z
符号
Alt键。 ＃ 1
t
AVAV
t
WLWH
t
WLEH
t
AVWL
t
AVWH
t
ELWH
t
ELEH
t
DVWH
t
WHDX
t
WHAX
t
WLQZ
t
WHQX
t
DVEH
t
EHDX
t
EHAX
t
AVEL
t
AVEH
Alt键。 ＃ 2
t
AVAV
IEC
t
cW
t
w(W)
t
SU（ W）
t
SU（ A）
t
SU（ A- WH ）
t
SU（ E）
t
W（ E）
t
SU（ D）
t
H（ D）
t
H（ A）
t
DIS （ W）
t
EN（ W）
5
25
35
45
单位
分钟。马克斯。分钟。马克斯。分钟。马克斯。
25
20
20
0
20
20
20
10
0
0
10
5
35
25
25
0
25
25
25
12
0
0
13
5
45
30
30
0
30
30
30
15
0
0
15
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
2004年4月21日
5
QQ：2880707522 复制
