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U632H64
不建议用于新设计
特点
高性能CMOS非易失
挥发性静态RAM 8192 ×8位
25 ns访问时间
12 ns输出使能访问
时间
I
CC
= 15 mA的200 ns的周期
时间
自动STORE到EEPROM
在使用外部电源关闭
电容
硬件或软件启动
商店
(存储周期时间< 10毫秒)
自动定时商店
10
5
商店循环到EEPROM
10年的数据保留
EEPROM
自动恢复开机时
软件启动召回
( RECALL周期时间< 20
μs)
从无限RECALL周期
EEPROM
采用5 V单
±
10 %操作
工作温度范围:
0到70
°C
-40到85
°C
QS 9000质量标准
根据ESD特性
MIL STD 883C M3015.7 -HB
(分类见IC代码
号)
符合RoHS标准,并有铅免费
包装: SOP28 ( 330万)
引脚配置
VCAP
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
VCCX
W
HSB
A8
A9
A11
G
A10
E
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
PowerStore
8K ×8的nvSRAM
描述
该U632H64有两个独立的
的操作模式: SRAM的模式
和非易失性模式。在SRAM
模式下,存储器操作为
普通的静态RAM 。在非易失
操作中,数据在传送
从SRAM并行EEPROM或
从EEPROM来SRAM 。在这
模式SRAM功能disab-
LED 。
该U632H64是一个快速静态RAM
( 25纳秒) ,具有非易失性electri-
美云可擦除PROM( EEPROM)中
在每个静态元素结合
存储单元。该SRAM可
读取和写入无限num-
误码率的倍,而独立
非易失性
数据
所在
in
EEPROM 。从数据传输
SRAM到EEPROM (在
STORE操作)发生自动
matically后断电使用
电荷存储在外部100
μF
电容。从转移
EEPROM来对SRAM (在
RECALL操作)发生
自动上电。该
U632H64结合了高性
性能和易用性快的
SRAM与非易失性数据英特
grity 。
商店周期也可以是倡
通过软在用户控制下特德
引脚说明
洁具序列或通过一个引脚
( HSB ) 。
一旦一条STORE周期开始,
进一步的输入或输出被禁用
直到周期结束。
因为地址序列
用于商店开始,它是
重要的是,没有任何其他读或
写访问干预
序列或该序列将是
中止。
RECALL周期也可能是倡
泰德通过软件序列。
在内部,召回是一个两步
过程。首先,该SRAM的数据是
清零;第二, nonvola-
瓦片的信息被转移到
SRAM单元。
在没有办法调用操作
改变的数据在EEPROM中
细胞。非易失性数据可以是
召回的数量不受限制
次。
信号名称
A0 - A12
DQ0 - DQ7
E
G
W
VCCX
VSS
VCAP
HSB
信号说明
地址输入
IN / OUT数据
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
电源电压
电容
硬件控制存储/忙
SOP
21
20
19
18
17
16
15
顶视图
2006年8月15日
沙头角管制# ML0047
1
版本1.1
U632H64
框图
A5
行解码器
A6
A7
A8
A9
A11
A12
DQ0
DQ1
输入缓冲器
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
SRAM
ARRAY
128排x
64× 8列
商店/
召回
控制
EEPROM阵列
128 x (64 x 8)
商店
召回
动力
控制
V
CCx中
V
SS
V
V
CCx中
V
HSB
列I / O
列解码器
软件
检测
A0 - A12
A0 A1 A2 A3 A4 A10
G
E
W
真值表的SRAM操作
经营模式
待机/未选择
内部读
*
H或L
特征
所有电压都参考V
SS
= 0V (接地) 。
所有特征都在该电源电压范围内,并在规定的工作温度范围内有效。
动态测量是基于对一个上升和下降时间
5纳秒,介于10%和90 %的V测量
I
以及输入V的水平
IL
= 0 V
和V
IH
= 3 V的所有输入和输出信号的定时基准电平为1.5伏,
除吨的
DIS
-times和T
en
-times ,在这种情况下,过渡测量
±
200毫伏的稳态电压。
E
H
L
L
L
HSB
H
H
H
H
W
*
G
*
DQ0 - DQ7
高-Z
高-Z
数据输出低Z
数据输入高阻
H
H
L
H
L
*
绝对最大额定值
a
电源电压
输入电压
输出电压
功耗
工作温度
储存温度
a:
符号
V
CC
V
I
V
O
P
D
分钟。
-0.5
-0.3
-0.3
马克斯。
7
V
CC
+0.5
V
CC
+0.5
1
单位
V
V
V
W
°C
°C
°C
C型
K型
T
a
T
英镑
0
-40
-65
70
85
150
应力大于“绝对最大额定值”,可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力
只有等级,并在条件超过上述业务部门所标明的这个规范是设备的功能操作
不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响其可靠性
沙头角管制# ML0047
2
版本1.1
2006年8月15日
U632H64
推荐
工作条件
电源电压
b
输入低电压
输入高电压
符号
V
CC
V
IL
V
IH
-2 V的脉冲宽度
10纳秒许可
条件
分钟。
4.5
-0.3
2.2
马克斯。
5.5
0.8
V
CC
+0.3
单位
V
V
V
C型
DC特性
工作电源电流
c
符号
I
CC1
V
CC
V
IL
V
IH
t
c
条件
分钟。
= 5.5 V
= 0.8 V
= 2.2 V
= 25纳秒
90
马克斯。
K型
单位
分钟。
马克斯。
95
mA
期间平均电源电流
商店
c
I
CC2
V
CC
E
W
V
IL
V
IH
V
CC
V
IL
V
IH
V
CC
E
t
c
= 5.5 V
0.2 V
V
CC
-0.2 V
0.2 V
V
CC
-0.2 V
= 4.5 V
= 0.2 V
V
CC
-0.2 V
= 5.5 V
= V
IH
= 25纳秒
6
7
mA
期间平均电源电流
PowerStore
周期
待机电源电流
d
(自行车TTL电平输入)
I
CC4
4
4
mA
I
CC(SB)1
30
34
mA
工作电源电流
在T
cR
= 200纳秒
c
(自行车CMOS输入电平)
待机电源电流
d
(稳定的CMOS输入电平)
I
CC3
V
CC
W
V
IL
V
IH
V
CC
E
V
IL
V
IH
= 5.5 V
V
CC
-0.2 V
0.2 V
V
CC
-0.2 V
= 5.5 V
V
CC
-0.2 V
0.2 V
V
CC
-0.2 V
15
15
mA
I
CC (SB)
3
3
mA
B: V
CC
参考水平在整个数据表是指V
CCx中
如果这就是由电源连接,或V
如果V
CCx中
所配置
连接至接地。
C:我
CC1
CC3
被depedent输出负载和循环率。指定的值与空载输出获得。
目前我
CC1
测量的写/读 - 1/2的比例。
I
CC2
是存储所需的周期( STORE周期时间)期间的平均电流。
D:瞻é
V
IH
不会产生待机电流电平,直到任何非易失性周期中已超时。见模式选择
表。目前我
CC(SB)1
测量的写/读 - 1/2的比例。
2006年8月15日
沙头角管制# ML0047
3
版本1.1
U632H64
C型
DC特性
符号
V
CC
I
OH
I
OL
V
CC
V
OH
V
OL
V
CC
输出漏电流
高在三语句输出
在低三语句输出
I
OHZ
I
OLZ
I
IH
I
IL
V
IH
V
IL
V
CC
V
OH
V
OL
条件
分钟。
输出高电压
输出低电压
输出高电流
输出低电流
输入漏电流
V
OH
V
OL
I
OH
I
OL
= 4.5 V
= -4毫安
= 8毫安
= 4.5 V
= 2.4 V
= 0.4 V
= 5.5 V
= 5.5 V
= 0V
= 5.5 V
= 5.5 V
= 0V
1
-1
-1
1
μA
μA
1
-1
-1
1
μA
μA
2.4
0.4
-4
8
8
马克斯。
分钟。
2.4
0.4
-4
马克斯。
V
V
mA
mA
K型
单位
SRAM存储器操作
符号
单位
Alt键。
t
AVAV
t
AVQV
t
ELQV
t
GLQV
t
EHQZ
t
GHQZ
t
ELQX
t
GLQX
t
AXQX
t
ELICCH
t
EHICCL
IEC
t
cR
t
a(A)
t
一( E)
t
一( G)
t
DIS ( E)
t
DIS ( G)
t
烯( E)
t
EN( G)
t
V(A)
t
PU
t
PD
5
0
3
0
25
分钟。马克斯。
25
25
25
12
13
13
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
开关特性
读周期
1
2
3
4
5
6
7
8
9
读周期时间
f
地址访问时间到数据有效
g
芯片使能存取时间到数据有效
输出启用访问时间到数据有效
高到输出的高阻
h
摹高到输出的高阻
h
低辐射LOW到输出中低Z
G低到输出低-Z
地址变更后的输出保持时间
10芯片使能为功耗工作
e
11片禁用于电源待机
D,E
e:
f:
g:
h:
参数的保证,但未经测试。
设备不断选择与E和G两个低。
地址有效之前或有E过渡LOW一致。
±
200毫伏的稳态输出电压。
沙头角管制# ML0047
4
版本1.1
2006年8月15日
U632H64
读周期1 : AI控制的(在读周期: E = G = V
IL
,W = V
IH
)
f
t
cR
(1)
Ai
DQI
产量
以前的数据有效
t
V(A)
(9)
地址有效
t
a(A)
(2)
输出数据有效
读周期2 : G-,电子控制(在读周期:W = V
IH
)
g
t
cR
(1)
Ai
E
G
DQI
产量
高阻抗
活跃
待机
地址有效
t
a(A)
(2)
t
一( E)
(3)
t
烯( E)
(7)
t
一( G)
(4)
t
EN( G)
(8)
t
DIS ( G)
(6)
t
PD
(11)
t
DIS ( E)
(5)
t
PU
(10)
输出数据有效
I
CC
开关特性
写周期
12写周期时间
13把脉冲宽度
14把脉冲宽度建立时间
15地址建立时间
16地址有效到写结束
17芯片使能建立时间
18芯片使能到结束写入的
19数据建立时间来结束写的
20数据保持时间写结束后,
写入结束后21地址保持
22瓦低到输出的高阻
H,I
23瓦高到输出中低Z
符号
单位
Alt键。 # 1 Alt键。 # 2
t
AVAV
t
WLWH
t
WLEH
t
AVWL
t
AVWH
t
ELWH
t
ELEH
t
DVWH
t
WHDX
t
WHAX
t
WLQZ
t
WHQX
t
DVEH
t
EHDX
t
EHAX
t
AVEL
t
AVEH
t
AVAV
IEC
t
cW
t
w(W)
t
SU( W)
t
SU( A)
t
SU( A- WH )
t
SU( E)
t
W( E)
t
SU( D)
t
H( D)
t
H( A)
t
DIS ( W)
t
EN( W)
5
分钟。马克斯。
25
20
20
0
20
20
20
12
0
0
10
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
2006年8月15日
沙头角管制# ML0047
5
版本1.1
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    -
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联系人:刘经理
地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
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