U631H256
SoftStore
32K ×8的nvSRAM
特点
高性能CMOS非易失
挥发性静态RAM 32768 ×8位
25 ns的访问时间
10 ns输出使能访问
时
软件商店启动
自动定时商店
10
6
商店循环到EEPROM
百年中的数据保留
EEPROM
自动恢复开机时
软件启动召回
从无限RECALL周期
EEPROM
无限的读取和写入
SRAM
采用5 V单
±
10 ％操作
工作温度范围：
0到70
°C
-40到85
°C
QS 9000质量标准
ESD保护> 2000伏
（ MIL STD 883C M3015.7 - HBM ）
符合RoHS标准，并有铅免费
包装： SOP28 （ 330万）
描述
该U631H256有两个独立的
的操作模式： SRAM的模式
和非易失性模式。在SRAM
模式下，存储器操作为
普通的静态RAM 。在非易失
操作中，数据在传送
从SRAM并行EEPROM或
从EEPROM来SRAM 。在这
模式SRAM功能disab-
LED 。
该U631H256是一个快速静态RAM
（ 25纳秒） ，具有非易失性electri-
美云可擦除PROM（ EEPROM）中
在每个静态元素结合
存储单元。该SRAM可
读取和写入无限num-
误码率的倍，而独立
非易失性
数据
所在
in
EEPROM 。从数据传输
SRAM到EEPROM （在
STORE操作） ，或者从
EEPROM来对SRAM （在
RECALL操作）发起
通过软件序列。
该U631H256结合了高
性能和易用性的一个的
快速SRAM与非易失性数据
诚信。
一旦一条STORE周期开始，
进一步的输入或输出被禁用
直到周期结束。
因为地址序列
用于商店开始，它是
重要的是，没有任何其他读或
写访问干预
序列或该序列将是
中止。
在内部，召回是一个两步
过程。首先，该SRAM的数据是
清零;第二， nonvola-
瓦片的信息被转移到
SRAM单元。
在没有办法调用操作
改变的数据在EEPROM中
细胞。非易失性数据可以是
召回的数量不受限制
次。
该U631H256引脚兼容
与标准的SRAM 。
引脚配置
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
VCC
W
A13
A8
A9
A11
G
A10
E
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
引脚说明
信号名称
A0 - A14
DQ0 - DQ7
E
G
W
VCC
VSS
信号说明
地址输入
IN / OUT数据
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
电源电压
地
SOP
21
20
19
18
17
16
15
顶视图
2006年3月31日
沙头角管制＃ ML0043
1
1.0版
U631H256
框图
A5
A6
A7
A8
A9
A11
A12
A13
A14
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
E
W
输入缓冲器
EEPROM阵列
512 x (64 x 8)
商店
行解码器
SRAM
ARRAY
512排x
64× 8列
商店/
召回
控制
V
CC
V
SS
召回
V
CC
列I / O
列解码器
软件
检测
A0 - A13
A0 A1 A2 A3 A4 A10
G
真值表的SRAM操作
经营模式
待机/未选择
内部读
读
写
*
H或L
特征
所有电压都参考V
SS
= 0V （接地） 。
所有特征都在该电源电压范围内，并在规定的工作温度范围内有效。
动态测量是基于对一个上升和下降时间
≤
5纳秒，介于10％和90 ％的V测量
I
，以及
V的输入电平
IL
= 0 V和V
IH
= 3 V的所有输入和输出信号的定时基准电平为1.5伏，
除吨的
DIS
-times和T
en
-times ，在这种情况下，过渡测量
±
200毫伏的稳态电压。
E
H
L
L
L
W
*
G
*
DQ0 - DQ7
高-Z
高-Z
数据输出低Z
数据输入高阻
H
H
L
H
L
*
绝对最大额定值
a
电源电压
输入电压
输出电压
功耗
工作温度
储存温度
C型
K型
符号
V
CC
V
I
V
O
P
D
T
a
T
英镑
分钟。
-0.5
-0.3
-0.3
马克斯。
7
V
CC
+0.5
V
CC
+0.5
1
单位
V
V
V
W
°C
°C
°C
0
-40
-65
70
85
150
答：强调大于“绝对最大额定值”，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力
只有等级，并在条件超过上述业务部门所标明的这个规范是设备的功能操作
不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响可靠性。
沙头角管制＃ ML0043
2
1.0版
2006年3月31日
U631H256
推荐
工作条件
电源电压
输入低电压
输入高电压
符号
V
CC
V
IL
V
IH
-2 V的脉冲宽度
10纳秒许可
条件
分钟。
4.5
-0.3
2.2
马克斯。
5.5
0.8
V
CC
+0.3
单位
V
V
V
C型
DC特性
工作电源电流
b
符号
I
CC1
V
CC
V
IL
V
IH
t
c
条件
分钟。
= 5.5 V
= 0.8 V
= 2.2 V
= 25纳秒
95
马克斯。
K型
单位
分钟。
马克斯。
100
mA
期间平均电源电流
商店
c
I
CC2
V
CC
E
W
V
IL
V
IH
V
CC
W
V
IL
V
IH
V
CC
E
t
c
= 5.5 V
≥
V
CC
-0.2 V
≥
V
CC
-0.2 V
≤
0.2 V
≥
V
CC
-0.2 V
= 5.5 V
≥
V
CC
-0.2 V
≤
0.2 V
≥
V
CC
-0.2 V
= 5.5 V
≥
V
IH
= 25纳秒
6
7
mA
平均电源电流
在T
cR
= 200纳秒
b
（自行车CMOS输入电平）
待机电源电流
d
（自行车TTL电平输入）
I
CC3
20
20
mA
I
CC(SB)1
40
42
mA
待机电源电流
d
（稳定的CMOS输入电平）
I
CC （SB）
V
CC
E
V
IL
V
IH
= 5.5 V
≥
V
CC
-0.2 V
≤
0.2 V
≥
V
CC
-0.2 V
1
2
mA
B：我
CC1
我
CC3
依赖于输出负载和循环率。指定的值与输出空载获得
目前我
CC1
测量的写/读 - 1/2的比例。
C：我
CC2
需要对STORE周期的持续时间（吨的平均电流
商店
).
D：瞻é
≥
V
IH
不会产生待机电流电平，直到任何非易失性周期中已超时。
目前我
CC(SB)1
测量的写/读 - 1/2的比例。
2006年3月31日
沙头角管制＃ ML0043
3
1.0版
U631H256
读周期1 ： AI控制的（在读周期： E = G = V
IL
，W = V
IH
)
f
t
cR
(1)
Ai
以前的数据有效
t
V（A）
(9)
地址有效
t
a(A)
(2)
输出数据有效
DQI
产量
读周期2 ： G-，电子控制（在读周期：W = V
IH
)
g
t
cR
(1)
Ai
E
G
DQI
产量
高阻抗
地址有效
t
a(A)
t
一（ E）
(2)
(3)
t
烯（ E）
(7)
t
一（ G）
t
EN（ G）
(8)
t
PU
(10)
活跃
待机
(4)
t
DIS （ E）
(5)
t
PD
(11)
t
DIS （ G）
(6)
输出数据有效
I
CC
号开关特性
写周期
12写周期时间
13把脉冲宽度
14把脉冲宽度建立时间
15地址建立时间
16地址有效到写结束
17芯片使能建立时间
18芯片使能到结束写入的
19数据建立时间来结束写的
20数据保持时间结束后，
写
写入结束后21地址保持
22瓦低到输出的高阻
H，I
23瓦高到输出中低Z
符号
单位
Alt键。 ＃ 1
Alt键。 ＃ 2
IEC
分钟。
马克斯。
t
AVAV
t
WLWH
t
AVAV
t
cW
t
w(W)
25
20
20
0
20
20
20
10
0
0
10
5
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
WLEH
t
AVWL
t
AVWH
t
ELWH
t
ELEH
t
DVWH
t
WHDX
t
WHAX
t
WLQZ
t
WHQX
t
DVEH
t
EHDX
t
EHAX
t
AVEL
t
AVEH
t
SU（ W）
t
SU（ A）
t
SU（ A- WH ）
t
SU（ E）
t
W（ E）
t
SU（ D）
t
H（ D）
t
H（ A）
t
DIS （ W）
t
EN（ W）
2006年3月31日
沙头角管制＃ ML0043
5
1.0版
U631H256
不建议用于新设计
SoftStore
32K ×8的nvSRAM
特点
高性能CMOS非易失
挥发性静态RAM 32768 ×8位
25 ns的访问时间
10 ns输出使能访问
时
软件商店启动
自动定时商店
10
6
商店循环到EEPROM
百年中的数据保留
EEPROM
自动恢复开机时
软件启动召回
从无限RECALL周期
EEPROM
无限的读取和写入
SRAM
采用5 V单
±
10 ％操作
工作温度范围：
0到70
°C
-40到85
°C
QS 9000质量标准
ESD保护> 2000伏
（ MIL STD 883C M3015.7 - HBM ）
符合RoHS标准，并有铅免费
包装： SOP28 （ 330万）
描述
该U631H256有两个独立的
的操作模式： SRAM的模式
和非易失性模式。在SRAM
模式下，存储器操作为
普通的静态RAM 。在非易失
操作中，数据在传送
从SRAM并行EEPROM或
从EEPROM来SRAM 。在这
模式SRAM功能disab-
LED 。
该U631H256是一个快速静态RAM
（ 25纳秒） ，具有非易失性electri-
美云可擦除PROM（ EEPROM）中
在每个静态元素结合
存储单元。该SRAM可
读取和写入无限num-
误码率的倍，而独立
非易失性
数据
所在
in
EEPROM 。从数据传输
SRAM到EEPROM （在
STORE操作） ，或者从
EEPROM来对SRAM （在
RECALL操作）发起
通过软件序列。
该U631H256结合了高
性能和易用性的一个的
快速SRAM与非易失性数据
诚信。
一旦一条STORE周期开始，
进一步的输入或输出被禁用
直到周期结束。
因为地址序列
用于商店开始，它是
重要的是，没有任何其他读或
写访问干预
序列或该序列将是
中止。
在内部，召回是一个两步
过程。首先，该SRAM的数据是
清零;第二， nonvola-
瓦片的信息被转移到
SRAM单元。
在没有办法调用操作
改变的数据在EEPROM中
细胞。非易失性数据可以是
召回的数量不受限制
次。
该U631H256引脚兼容
与标准的SRAM 。
引脚配置
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
VCC
W
A13
A8
A9
A11
G
A10
E
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
引脚说明
信号名称
A0 - A14
DQ0 - DQ7
E
G
W
VCC
VSS
信号说明
地址输入
IN / OUT数据
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
电源电压
地
SOP
21
20
19
18
17
16
15
顶视图
2006年8月15日
沙头角管制＃ ML0043
1
版本1.1
U631H256
框图
A5
A6
A7
A8
A9
A11
A12
A13
A14
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
E
W
输入缓冲器
EEPROM阵列
512 x (64 x 8)
商店
行解码器
SRAM
ARRAY
512排x
64× 8列
商店/
召回
控制
V
CC
V
SS
召回
V
CC
列I / O
列解码器
软件
检测
A0 - A13
A0 A1 A2 A3 A4 A10
G
真值表的SRAM操作
经营模式
待机/未选择
内部读
读
写
*
H或L
特征
所有电压都参考V
SS
= 0V （接地） 。
所有特征都在该电源电压范围内，并在规定的工作温度范围内有效。
动态测量是基于对一个上升和下降时间
≤
5纳秒，介于10％和90 ％的V测量
I
，以及
V的输入电平
IL
= 0 V和V
IH
= 3 V的所有输入和输出信号的定时基准电平为1.5伏，
除吨的
DIS
-times和T
en
-times ，在这种情况下，过渡测量
±
200毫伏的稳态电压。
E
H
L
L
L
W
*
G
*
DQ0 - DQ7
高-Z
高-Z
数据输出低Z
数据输入高阻
H
H
L
H
L
*
绝对最大额定值
a
电源电压
输入电压
输出电压
功耗
工作温度
储存温度
C型
K型
符号
V
CC
V
I
V
O
P
D
T
a
T
英镑
分钟。
-0.5
-0.3
-0.3
马克斯。
7
V
CC
+0.5
V
CC
+0.5
1
单位
V
V
V
W
°C
°C
°C
0
-40
-65
70
85
150
答：强调大于“绝对最大额定值”，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力
只有等级，并在条件超过上述业务部门所标明的这个规范是设备的功能操作
不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响可靠性。
沙头角管制＃ ML0043
2
版本1.1
2006年8月15日
U631H256
推荐
工作条件
电源电压
输入低电压
输入高电压
符号
V
CC
V
IL
V
IH
-2 V的脉冲宽度
10纳秒许可
条件
分钟。
4.5
-0.3
2.2
马克斯。
5.5
0.8
V
CC
+0.3
单位
V
V
V
C型
DC特性
工作电源电流
b
符号
I
CC1
V
CC
V
IL
V
IH
t
c
条件
分钟。
= 5.5 V
= 0.8 V
= 2.2 V
= 25纳秒
95
马克斯。
K型
单位
分钟。
马克斯。
100
mA
期间平均电源电流
商店
c
I
CC2
V
CC
E
W
V
IL
V
IH
V
CC
W
V
IL
V
IH
V
CC
E
t
c
= 5.5 V
≥
V
CC
-0.2 V
≥
V
CC
-0.2 V
≤
0.2 V
≥
V
CC
-0.2 V
= 5.5 V
≥
V
CC
-0.2 V
≤
0.2 V
≥
V
CC
-0.2 V
= 5.5 V
≥
V
IH
= 25纳秒
6
7
mA
平均电源电流
在T
cR
= 200纳秒
b
（自行车CMOS输入电平）
待机电源电流
d
（自行车TTL电平输入）
I
CC3
20
20
mA
I
CC(SB)1
40
42
mA
待机电源电流
d
（稳定的CMOS输入电平）
I
CC （SB）
V
CC
E
V
IL
V
IH
= 5.5 V
≥
V
CC
-0.2 V
≤
0.2 V
≥
V
CC
-0.2 V
1
2
mA
B：我
CC1
我
CC3
依赖于输出负载和循环率。指定的值与输出空载获得
目前我
CC1
测量的写/读 - 1/2的比例。
C：我
CC2
需要对STORE周期的持续时间（吨的平均电流
商店
).
D：瞻é
≥
V
IH
不会产生待机电流电平，直到任何非易失性周期中已超时。
目前我
CC(SB)1
测量的写/读 - 1/2的比例。
2006年8月15日
沙头角管制＃ ML0043
3
版本1.1
U631H256
读周期1 ： AI控制的（在读周期： E = G = V
IL
，W = V
IH
)
f
t
cR
(1)
Ai
以前的数据有效
t
V（A）
(9)
地址有效
t
a(A)
(2)
输出数据有效
DQI
产量
读周期2 ： G-，电子控制（在读周期：W = V
IH
)
g
t
cR
(1)
Ai
E
G
DQI
产量
高阻抗
地址有效
t
a(A)
t
一（ E）
(2)
(3)
t
烯（ E）
(7)
t
一（ G）
t
EN（ G）
(8)
t
PU
(10)
活跃
待机
(4)
t
DIS （ E）
(5)
t
PD
(11)
t
DIS （ G）
(6)
输出数据有效
I
CC
号开关特性
写周期
12写周期时间
13把脉冲宽度
14把脉冲宽度建立时间
15地址建立时间
16地址有效到写结束
17芯片使能建立时间
18芯片使能到结束写入的
19数据建立时间来结束写的
20数据保持时间结束后，
写
写入结束后21地址保持
22瓦低到输出的高阻
H，I
23瓦高到输出中低Z
符号
单位
Alt键。 ＃ 1
Alt键。 ＃ 2
IEC
分钟。
马克斯。
t
AVAV
t
WLWH
t
AVAV
t
cW
t
w(W)
25
20
20
0
20
20
20
10
0
0
10
5
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
WLEH
t
AVWL
t
AVWH
t
ELWH
t
ELEH
t
DVWH
t
WHDX
t
WHAX
t
WLQZ
t
WHQX
t
DVEH
t
EHDX
t
EHAX
t
AVEL
t
AVEH
t
SU（ W）
t
SU（ A）
t
SU（ A- WH ）
t
SU（ E）
t
W（ E）
t
SU（ D）
t
H（ D）
t
H（ A）
t
DIS （ W）
t
EN（ W）
2006年8月15日
沙头角管制＃ ML0043
5
版本1.1
U631H256
SoftStore
32K ×8的nvSRAM
特点
高性能CMOS非易失
挥发性静态RAM 32768 ×8位
25 ns的访问时间
10 ns输出使能访问
时
软件商店启动
自动定时商店
10
6
商店循环到EEPROM
百年中的数据保留
EEPROM
自动恢复开机时
软件启动召回
从无限RECALL周期
EEPROM
无限的读取和写入
SRAM
采用5 V单
±
10 ％操作
工作温度范围：
0到70
°C
-40到85
°C
QS 9000质量标准
ESD保护> 2000伏
（ MIL STD 883C M3015.7 - HBM ）
符合RoHS标准，并有铅免费
包装： SOP28 （ 330万）
描述
该U631H256有两个独立的
的操作模式： SRAM的模式
和非易失性模式。在SRAM
模式下，存储器操作为
普通的静态RAM 。在非易失
操作中，数据在传送
从SRAM并行EEPROM或
从EEPROM来SRAM 。在这
模式SRAM功能disab-
LED 。
该U631H256是一个快速静态RAM
（ 25纳秒） ，具有非易失性electri-
美云可擦除PROM（ EEPROM）中
在每个静态元素结合
存储单元。该SRAM可
读取和写入无限num-
误码率的倍，而独立
非易失性
数据
所在
in
EEPROM 。从数据传输
SRAM到EEPROM （在
STORE操作） ，或者从
EEPROM来对SRAM （在
RECALL操作）发起
通过软件序列。
该U631H256结合了高
性能和易用性的一个的
快速SRAM与非易失性数据
诚信。
一旦一条STORE周期开始，
进一步的输入或输出被禁用
直到周期结束。
因为地址序列
用于商店开始，它是
重要的是，没有任何其他读或
写访问干预
序列或该序列将是
中止。
在内部，召回是一个两步
过程。首先，该SRAM的数据是
清零;第二， nonvola-
瓦片的信息被转移到
SRAM单元。
在没有办法调用操作
改变的数据在EEPROM中
细胞。非易失性数据可以是
召回的数量不受限制
次。
该U631H256引脚兼容
与标准的SRAM 。
引脚配置
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
VCC
W
A13
A8
A9
A11
G
A10
E
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
引脚说明
信号名称
A0 - A14
DQ0 - DQ7
E
G
W
VCC
VSS
信号说明
地址输入
IN / OUT数据
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
电源电压
地
SOP
21
20
19
18
17
16
15
顶视图
2006年3月31日
沙头角管制＃ ML0043
1
1.0版
U631H256
框图
A5
A6
A7
A8
A9
A11
A12
A13
A14
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
E
W
输入缓冲器
EEPROM阵列
512 x (64 x 8)
商店
行解码器
SRAM
ARRAY
512排x
64× 8列
商店/
召回
控制
V
CC
V
SS
召回
V
CC
列I / O
列解码器
软件
检测
A0 - A13
A0 A1 A2 A3 A4 A10
G
真值表的SRAM操作
经营模式
待机/未选择
内部读
读
写
*
H或L
特征
所有电压都参考V
SS
= 0V （接地） 。
所有特征都在该电源电压范围内，并在规定的工作温度范围内有效。
动态测量是基于对一个上升和下降时间
≤
5纳秒，介于10％和90 ％的V测量
I
，以及
V的输入电平
IL
= 0 V和V
IH
= 3 V的所有输入和输出信号的定时基准电平为1.5伏，
除吨的
DIS
-times和T
en
-times ，在这种情况下，过渡测量
±
200毫伏的稳态电压。
E
H
L
L
L
W
*
G
*
DQ0 - DQ7
高-Z
高-Z
数据输出低Z
数据输入高阻
H
H
L
H
L
*
绝对最大额定值
a
电源电压
输入电压
输出电压
功耗
工作温度
储存温度
C型
K型
符号
V
CC
V
I
V
O
P
D
T
a
T
英镑
分钟。
-0.5
-0.3
-0.3
马克斯。
7
V
CC
+0.5
V
CC
+0.5
1
单位
V
V
V
W
°C
°C
°C
0
-40
-65
70
85
150
答：强调大于“绝对最大额定值”，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力
只有等级，并在条件超过上述业务部门所标明的这个规范是设备的功能操作
不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响可靠性。
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2
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U631H256
推荐
工作条件
电源电压
输入低电压
输入高电压
符号
V
CC
V
IL
V
IH
-2 V的脉冲宽度
10纳秒许可
条件
分钟。
4.5
-0.3
2.2
马克斯。
5.5
0.8
V
CC
+0.3
单位
V
V
V
C型
DC特性
工作电源电流
b
符号
I
CC1
V
CC
V
IL
V
IH
t
c
条件
分钟。
= 5.5 V
= 0.8 V
= 2.2 V
= 25纳秒
95
马克斯。
K型
单位
分钟。
马克斯。
100
mA
期间平均电源电流
商店
c
I
CC2
V
CC
E
W
V
IL
V
IH
V
CC
W
V
IL
V
IH
V
CC
E
t
c
= 5.5 V
≥
V
CC
-0.2 V
≥
V
CC
-0.2 V
≤
0.2 V
≥
V
CC
-0.2 V
= 5.5 V
≥
V
CC
-0.2 V
≤
0.2 V
≥
V
CC
-0.2 V
= 5.5 V
≥
V
IH
= 25纳秒
6
7
mA
平均电源电流
在T
cR
= 200纳秒
b
（自行车CMOS输入电平）
待机电源电流
d
（自行车TTL电平输入）
I
CC3
20
20
mA
I
CC(SB)1
40
42
mA
待机电源电流
d
（稳定的CMOS输入电平）
I
CC （SB）
V
CC
E
V
IL
V
IH
= 5.5 V
≥
V
CC
-0.2 V
≤
0.2 V
≥
V
CC
-0.2 V
1
2
mA
B：我
CC1
我
CC3
依赖于输出负载和循环率。指定的值与输出空载获得
目前我
CC1
测量的写/读 - 1/2的比例。
C：我
CC2
需要对STORE周期的持续时间（吨的平均电流
商店
).
D：瞻é
≥
V
IH
不会产生待机电流电平，直到任何非易失性周期中已超时。
目前我
CC(SB)1
测量的写/读 - 1/2的比例。
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读周期1 ： AI控制的（在读周期： E = G = V
IL
，W = V
IH
)
f
t
cR
(1)
Ai
以前的数据有效
t
V（A）
(9)
地址有效
t
a(A)
(2)
输出数据有效
DQI
产量
读周期2 ： G-，电子控制（在读周期：W = V
IH
)
g
t
cR
(1)
Ai
E
G
DQI
产量
高阻抗
地址有效
t
a(A)
t
一（ E）
(2)
(3)
t
烯（ E）
(7)
t
一（ G）
t
EN（ G）
(8)
t
PU
(10)
活跃
待机
(4)
t
DIS （ E）
(5)
t
PD
(11)
t
DIS （ G）
(6)
输出数据有效
I
CC
号开关特性
写周期
12写周期时间
13把脉冲宽度
14把脉冲宽度建立时间
15地址建立时间
16地址有效到写结束
17芯片使能建立时间
18芯片使能到结束写入的
19数据建立时间来结束写的
20数据保持时间结束后，
写
写入结束后21地址保持
22瓦低到输出的高阻
H，I
23瓦高到输出中低Z
符号
单位
Alt键。 ＃ 1
Alt键。 ＃ 2
IEC
分钟。
马克斯。
t
AVAV
t
WLWH
t
AVAV
t
cW
t
w(W)
25
20
20
0
20
20
20
10
0
0
10
5
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
WLEH
t
AVWL
t
AVWH
t
ELWH
t
ELEH
t
DVWH
t
WHDX
t
WHAX
t
WLQZ
t
WHQX
t
DVEH
t
EHDX
t
EHAX
t
AVEL
t
AVEH
t
SU（ W）
t
SU（ A）
t
SU（ A- WH ）
t
SU（ E）
t
W（ E）
t
SU（ D）
t
H（ D）
t
H（ A）
t
DIS （ W）
t
EN（ W）
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