过时的 - 不推荐用于新设计
U631H16
SimtekSoftStore
2K ×8的nvSRAM
特点
描述
该U631H16有两个独立的
的操作模式： SRAM的模式
和非易失性模式。在SRAM
模式下，存储器操作为
普通的静态RAM 。在非易失
操作中，数据在传送
从SRAM并行EEPROM或
从EEPROM来SRAM 。在这
模式SRAM功能disab-
LED 。
该U631H16是一个快速静态RAM
（25 ，35， 45纳秒） ，具有非易失性的
ELECTRICALLY
可擦写
舞会
（EEPROM）中的元素引入
在每个静态存储器单元。该
SRAM可以读取和写入的
无限次，而
独立的非易失性数据住宅建设
沙漠中的EEPROM 。
从SRAM数据传输
在EEPROM （存储操作
化） ，或从EEPROM的
SRAM （ RECALL的）操作）
通过软件被启动
序列。
该U631H16结合了高
性能和易用性的一个的
快速SRAM与非易失性数据
诚信。
一旦一条STORE周期开始，
进一步的输入或输出被禁用
直到周期结束。
因为地址序列
用于商店开始，它是
重要的是，没有任何其他读或
写访问干预
序列或该序列将是
中止。
在内部，召回是一个两步
过程。首先，该SRAM的数据是
清零;第二， nonvola-
瓦片的信息被转移到
SRAM单元。
在没有办法调用操作
改变的数据在EEPROM中
细胞。非易失性数据可以是
召回的数量不受限制
次。
高性能CMOS nonvola-
瓦静态RAM 2048 ×8位
25 ， 35和45 ns的访问时间
12 ， 20和25 ns输出使能
访问时间
软件商店启动
（存储周期时间< 10毫秒）
自动定时商店
10
6
商店循环到EEPROM
百年中的数据保留
EEPROM
自动恢复开机时
软件启动召回
（ RECALL周期时间< 20
μs)
从无限RECALL周期
EEPROM
无限的读取和写入
SRAM
采用5 V单
±
10 ％操作
工作温度范围：
0至70℃
-40到85°C
QS 9000质量标准
ESD保护> 2000伏
（ MIL STD 883C M3015.7 - HBM ）
符合RoHS标准，并有铅免费
封装： PDIP28 （ 600万）
SOP24 （ 300万）
引脚配置
引脚说明
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
21
20
19
18
17
16
15
VCC
W
北卡罗来纳州
A8
A9
北卡罗来纳州
G
A10
E
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
24
23
22
21
20
VCC
A8
A9
W
G
A10
E
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
信号名称
A0 - A10
DQ0 - DQ7
E
G
W
VCC
VSS
信号说明
地址输入
IN / OUT数据
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
电源电压
地
PDIP
22
28
SOP
19
24
18
17
16
15
14
13
顶视图
顶视图
2006年3月31日
沙头角管制＃ ML0042
1
1.0版
U631H16
框图
EEPROM阵列
32 x (64 x 8)
商店
行解码器
A5
A6
A7
A8
A9
SRAM
ARRAY
32排x
64× 8列
商店/
召回
控制
V
CC
V
SS
召回
V
CC
DQ0
DQ1
输入缓冲器
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
列I / O
列解码器
软件
检测
A0 - A10
A0 A1 A2 A3 A4 A10
G
E
W
真值表的SRAM操作
经营模式
待机/未选择
内部读
读
写
*
H或L
特征
所有电压都参考V
SS
= 0V （接地） 。
所有特征都在该电源电压范围内，并在规定的工作温度范围内有效。
动态测量是基于对一个上升和下降时间
≤
5纳秒，介于10％和90 ％的V测量
I
，以及
V的输入电平
IL
= 0 V和V
IH
= 3 V的所有输入和输出信号的定时基准电平为1.5伏，
除吨的
DIS
-times和T
en
-times ，在这种情况下，过渡测量
±
200毫伏的稳态电压。
E
H
L
L
L
W
*
G
*
DQ0 - DQ7
高-Z
高-Z
数据输出低Z
数据输入高阻
H
H
L
H
L
*
绝对最大额定值
a
电源电压
输入电压
输出电压
功耗
工作温度
储存温度
C型
K型
符号
V
CC
V
I
V
O
P
D
T
a
T
英镑
分钟。
-0.5
-0.3
-0.3
马克斯。
7
V
CC
+0.5
V
CC
+0.5
1
单位
V
V
V
W
°C
°C
°C
0
-40
-65
70
85
150
答：强调大于“绝对最大额定值”，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力
只有等级，并在条件超过上述业务部门所标明的这个规范是设备的功能操作
不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响可靠性。
沙头角管制＃ ML0042
2
1.0版
2006年3月31日
U631H16
推荐工作
条件
电源电压
输入低电压
输入高电压
符号
V
CC
V
IL
V
IH
-2 V的脉冲宽度
10纳秒许可
条件
分钟。
4.5
-0.3
2.2
马克斯。
5.5
0.8
V
CC
+0.3
单位
V
V
V
C型
DC特性
工作电源电流
b
符号
I
CC1
V
CC
V
IL
V
IH
t
c
t
c
t
c
期间平均电源电流
商店
c
I
CC2
V
CC
E
W
V
IL
V
IH
V
CC
E
t
c
t
c
t
c
平均电源电流
在T
cR
= 200纳秒
b
（自行车CMOS输入电平）
待机电源电流
d
（稳定的CMOS输入电平）
I
CC3
V
CC
W
V
IL
V
IH
V
CC
E
V
IL
V
IH
条件
分钟。
= 5.5 V
= 0.8 V
= 2.2 V
= 25纳秒
= 35 ns的
- 45纳秒
= 5.5 V
≥
V
CC
-0.2 V
≥
V
CC
-0.2 V
≤
0.2 V
≥
V
CC
-0.2 V
= 5.5 V
≥
V
IH
= 25纳秒
= 35 ns的
- 45纳秒
= 5.5 V
≥
V
CC
-0.2 V
≤
0.2 V
≥
V
CC
-0.2 V
= 5.5 V
≥
V
CC
-0.2 V
≤
0.2 V
≥
V
CC
-0.2 V
30
23
20
15
90
80
75
6
马克斯。
K型
单位
分钟。
马克斯。
95
85
80
7
mA
mA
mA
mA
待机电源电流
d
（自行车TTL电平输入）
I
CC(SB)1
34
27
23
15
mA
mA
mA
mA
I
CC （SB）
1
1
mA
B：我
CC1
我
CC3
依赖于输出负载和循环率。在特定网络版值与空载输出获得。
目前我
CC1
测量的写/读 - 1/2的比例。
C：我
CC2
是存储所需的周期（ STORE周期时间）期间的平均电流。
D：瞻é
≥
V
IH
不会产生待机电流电平，直到任何非易失性周期中已超时。见模式选择
表。目前我
CC(SB)1
测量的写/读 - 1/2的比例。
2006年3月31日
沙头角管制＃ ML0042
3
1.0版
U631H16
读周期1 ： AI控制的（在读周期： E = G = V
IL
，W = V
IH
)
f
t
cR
(1)
Ai
DQI
产量
以前的数据有效
t
V（A）
(9)
地址有效
t
a(A)
(2)
输出数据有效
读周期2 ： G-，电子控制（在读周期：W = V
IH
)
g
t
cR
(1)
Ai
E
G
DQI
产量
高阻抗
地址有效
t
a(A)
(2)
t
一（ E）
(3)
t
烯（ E）
(7)
t
一（ G）
(4)
t
EN（ G）
(8)
t
PU
(10)
活跃
待机
t
PD
(11)
t
DIS （ E）
(5)
t
DIS （ G）
(6)
输出数据有效
I
CC
号开关特性
写周期
12写周期时间
13把脉冲宽度
14把脉冲宽度建立时间
15地址建立时间
16地址有效到写结束
17芯片使能建立时间
18芯片使能到结束写入的
19数据建立时间来结束写的
20数据保持时间写结束后，
写入结束后21地址保持
22瓦低到输出的高阻
H，I
23瓦高到输出中低Z
符号
Alt键。 ＃ 1
Alt键。 ＃ 2
IEC
25
35
45
单位
分钟。马克斯。分钟。马克斯。分钟。马克斯。
t
AVAV
t
WLWH
t
AVAV
t
cW
t
w(W)
25
20
20
0
20
20
20
12
0
0
10
5
35
30
30
0
30
30
30
18
0
0
13
5
45
35
35
0
35
35
35
20
0
0
15
5
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
WLEH
t
AVWL
t
AVWH
t
ELWH
t
ELEH
t
DVWH
t
WHDX
t
WHAX
t
WLQZ
t
WHQX
t
DVEH
t
EHDX
t
EHAX
t
AVEL
t
AVEH
t
SU（ W）
t
SU（ A）
t
SU（ A- WH ）
t
SU（ E）
t
W（ E）
t
SU（ D）
t
H（ D）
t
H（ A）
t
DIS （ W）
t
EN（ W）
2006年3月31日
沙头角管制＃ ML0042
5
1.0版
