U631H16
SoftStore
2K ×8的nvSRAM
特点
F
包：
F
高性能CMOS非易失
挥发性静态RAM 2048 ×8位
F
25 ， 35和45 ns的访问时间
F
12 ， 20和25 ns输出使能
访问时间
F
软件商店启动
（存储周期时间< 10毫秒）
F
自动定时商店
F
10 STORE周期来EEPROM
F
10年的数据保留
EEPROM
F
自动恢复开机时
F
软件启动召回
（ RECALL周期时间< 20
s)
F
从无限RECALL周期
EEPROM
F
无限的读取和写入
SRAM
F
采用5 V单
±
10 ％操作
F
工作温度范围：
5
PDIP28 （ 300万）
PDIP28 （ 600万）
SOP28 （ 300万）
SOP24 （ 300万）
描述
该U631H16有两个独立的
的操作模式： SRAM的模式
和非易失性模式。在SRAM
模式下，存储器操作为
普通的静态RAM 。在非易失
操作中，数据在传送
从SRAM并行EEPROM或
从EEPROM来SRAM 。在这
模式SRAM功能disab-
LED 。
该U631H16是一个快速静态RAM
（25 ，35， 45纳秒） ，具有非易失性的
ELECTRICALLY
可擦写
舞会
（EEPROM）中的元素引入
在每个静态存储器单元。该
SRAM可以读取和写入的
无限次，而
独立的非易失性数据住宅建设
沙漠中的EEPROM 。
F
F
F
0至70℃
-40到85°C
CECC 90000质量标准
根据ESD特性
MIL STD 883C M3015.7 ， HBM
（分类见IC代码
号）
从SRAM数据传输
在EEPROM （存储操作
化） ，或从EEPROM的
SRAM （ RECALL的）操作）
通过软件被启动
序列。
该U631H16结合了高
性能和易用性的一个的
快速SRAM与非易失性数据
诚信。
一旦一条STORE周期开始，
进一步的输入或输出被禁用
直到周期结束。
因为地址序列
用于商店开始，它是
重要的是，没有其他的读或写
存取介入的序列中
或序列将被中止。
在内部，召回是一个两步
过程。首先，该SRAM的数据是
清零，第二，非易失性
信息被传输至电
SRAM单元。
在没有办法调用操作
改变的数据在EEPROM中
细胞。非易失性数据可以是
召回的数量不受限制
次。
引脚配置
引脚说明
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
VSS
1
2
3
28
27
26
VCC
W
北卡罗来纳州
A8
A9
北卡罗来纳州
G
A10
E
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
25
4
24
5
23
6
PDIP
22
7
SOP
21
8
28
9
20
10
19
11
18
12
17
13
16
14
15
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
24
23
22
21
20
SOP
19
24
18
17
16
15
14
13
VCC
A8
A9
W
G
A10
E
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
信号名称
A0 - A10
DQ0 - DQ7
E
G
W
VCC
VSS
信号说明
地址输入
IN / OUT数据
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
电源电压
地
顶视图
顶视图
1
1997年12月12日
U631H16
框图
EEPROM阵列
32 x (64 x 8)
商店
行解码器
A5
A6
A7
A8
A9
SRAM
ARRAY
32排x
64× 8列
商店/
召回
控制
V
CC
V
SS
召回
V
CC
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
输入缓冲器
列I / O
列解码器
软件
检测
A0 - A10
A0 A1 A2 A3 A4 A10
G
E
W
真值表的SRAM操作
经营模式
待机/未选择
内部读
读
写
*
H
和L
E
H
L
L
L
W
*
H
H
L
G
*
H
L
*
DQ0 - DQ7
高-Z
高-Z
数据输出低Z
数据输入高阻
特征
所有电压都参考V
SS
= 0V （接地） 。
所有特征都在该电源电压范围内，并在规定的工作温度范围内有效。
动态测量是基于对一个上升和下降时间
≤
5纳秒，介于10％和90 ％的V测量
I
，以及
V的输入电平
IL
= 0 V和V
IH
= 3 V的所有输入和输出信号的定时基准电平为1.5伏，
除吨的
DIS
-times和T
en
-times ，在这种情况下，过渡测量
±
200毫伏的稳态电压。
绝对最大额定值
a
电源电压
输入电压
输出电压
功耗
工作温度
储存温度
C型
K型
符号
V
CC
V
I
V
O
P
D
T
a
T
英镑
分钟。
-0.5
-0.3
-0.3
马克斯。
7
V
CC
+0.5
V
CC
+0.5
1
单位
V
V
V
W
°C
°C
°C
0
-40
-65
70
85
150
答：强调大于“绝对最大额定值”，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力
只有等级，并在条件超过上述业务部门所标明的这个规范是设备的功能操作
不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响可靠性。
2
1997年12月12日
U631H16
推荐工作
条件
电源电压
输入低电压
输入高电压
符号
V
CC
V
IL
V
IH
-2 V的脉冲宽度
10纳秒许可
条件
分钟。
4.5
-0.3
2.2
马克斯。
5.5
0.8
V
CC
+0.3
单位
V
V
V
C型
DC特性
工作电源电流
b
符号
I
CC1
V
CC
V
IL
V
IH
t
c
t
c
t
c
期间平均电源电流
商店
c
I
CC2
V
CC
E
W
V
IL
V
IH
V
CC
E
t
c
t
c
t
c
平均电源电流
在T
cR
= 200纳秒
b
（自行车CMOS输入电平）
待机电源电流
d
（稳定的CMOS输入电平）
I
CC3
V
CC
W
V
IL
V
IH
V
CC
E
V
IL
V
IH
条件
分钟。
= 5.5 V
= 0.8 V
= 2.2 V
= 25纳秒
= 35 ns的
- 45纳秒
= 5.5 V
≥
V
CC
-0.2 V
≥
V
CC
-0.2 V
≤
0.2 V
≥
V
CC
-0.2 V
= 5.5 V
≥
V
IH
= 25纳秒
= 35 ns的
- 45纳秒
= 5.5 V
≥
V
CC
-0.2 V
≤
0.2 V
≥
V
CC
-0.2 V
= 5.5 V
≥
V
CC
-0.2 V
≤
0.2 V
≥
V
CC
-0.2 V
30
23
20
15
90
80
75
6
马克斯。
K型
单位
分钟。
马克斯。
95
85
80
7
mA
mA
mA
mA
待机电源电流
d
（自行车TTL电平输入）
I
CC(SB)1
34
27
23
15
mA
mA
mA
mA
I
CC （SB）
1
1
mA
B：我
CC1
我
CC3
依赖于输出负载和循环率。在特定网络版值与空载输出获得。
目前我
CC1
测量的写/读 - 1/2的比例。
C：我
CC2
是存储所需的周期（ STORE周期时间）期间的平均电流。
D：瞻é
≥
V
IH
不会产生待机电流电平，直到任何非易失性周期中已超时。见模式选择
表。目前我
CC(SB)1
测量的写/读 - 1/2的比例。
1997年12月12日
3
U631H16
读周期1 ： AI控制的（在读周期： E = G = V
IL
，W = V
IH
)
f
1
t
cR
Ai
地址有效
2
t
a(A )
DQI
产量
前
数据有效
9
t
V（A）
AAAAAAAAAAA
AAAAAAAAAAA
AAAAAAAAAAA
AAAAAAAAAAA
输出数据
有效
读周期2 ： G-，电子控制（在读周期：W = V
IH
)
g
1
t
cR
Ai
地址有效
2
t
a(A )
11
t
PD
5
t
DIS （ E）
E
G
DQI
产量
高阻抗
10
t
PU
7
t
烯（ E）
3
t
一（ E）
4
t
一（ G）
8
t
EN（ G）
6
t
DIS （ G）
AAAAAAAAAAA
输出数据
AAAAAAAAAAA
AAAAAAAAAAA
有效
AAAAAAAAAAA
I
CC
活跃
待机
号开关特性
写周期
12写周期时间
13把脉冲宽度
14把脉冲宽度建立时间
15地址建立时间
16地址有效到写结束
17芯片使能建立时间
18芯片使能到结束写入的
19数据建立时间来结束写的
20数据保持时间写结束后，
写入结束后21地址保持
22瓦低到输出的高阻
H，I
23瓦高到输出中低Z
符号
Alt键。 ＃ 1 Alt键。 ＃ 2
IEC
25
分钟。
马克斯。
35
分钟。
马克斯。
45
单位
分钟。
马克斯。
t
AVAV
t
WLWH
t
AVAV
t
cW
t
w(W)
25
20
20
0
20
20
20
12
0
0
10
5
35
30
30
0
30
30
30
18
0
0
13
5
45
35
35
0
35
35
35
20
0
0
15
5
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
WLEH
t
AVWL
t
AVWH
t
ELWH
t
ELEH
t
DVWH
t
WHDX
t
WHAX
t
WLQZ
t
WHQX
t
DVEH
t
EHDX
t
EHAX
t
AVEL
t
AVEH
t
SU（ W）
t
SU（ A）
t
SU（ A- WH ）
t
SU（ E）
t
W（ E）
t
SU（ D）
t
H（ D）
t
H（ A）
t
DIS （ W）
t
EN（ W）
1997年12月12日
5
U631H16
SoftStore
2K ×8的nvSRAM
特点
F
包：
F
高性能CMOS非易失
挥发性静态RAM 2048 ×8位
F
25 ， 35和45 ns的访问时间
F
12 ， 20和25 ns输出使能
访问时间
F
软件商店启动
（存储周期时间< 10毫秒）
F
自动定时商店
F
10 STORE周期来EEPROM
F
10年的数据保留
EEPROM
F
自动恢复开机时
F
软件启动召回
（ RECALL周期时间< 20
s)
F
从无限RECALL周期
EEPROM
F
无限的读取和写入
SRAM
F
采用5 V单
±
10 ％操作
F
工作温度范围：
5
PDIP28 （ 300万）
PDIP28 （ 600万）
SOP28 （ 300万）
SOP24 （ 300万）
描述
该U631H16有两个独立的
的操作模式： SRAM的模式
和非易失性模式。在SRAM
模式下，存储器操作为
普通的静态RAM 。在非易失
操作中，数据在传送
从SRAM并行EEPROM或
从EEPROM来SRAM 。在这
模式SRAM功能disab-
LED 。
该U631H16是一个快速静态RAM
（25 ，35， 45纳秒） ，具有非易失性的
ELECTRICALLY
可擦写
舞会
（EEPROM）中的元素引入
在每个静态存储器单元。该
SRAM可以读取和写入的
无限次，而
独立的非易失性数据住宅建设
沙漠中的EEPROM 。
F
F
F
0至70℃
-40到85°C
CECC 90000质量标准
根据ESD特性
MIL STD 883C M3015.7 ， HBM
（分类见IC代码
号）
从SRAM数据传输
在EEPROM （存储操作
化） ，或从EEPROM的
SRAM （ RECALL的）操作）
通过软件被启动
序列。
该U631H16结合了高
性能和易用性的一个的
快速SRAM与非易失性数据
诚信。
一旦一条STORE周期开始，
进一步的输入或输出被禁用
直到周期结束。
因为地址序列
用于商店开始，它是
重要的是，没有其他的读或写
存取介入的序列中
或序列将被中止。
在内部，召回是一个两步
过程。首先，该SRAM的数据是
清零，第二，非易失性
信息被传输至电
SRAM单元。
在没有办法调用操作
改变的数据在EEPROM中
细胞。非易失性数据可以是
召回的数量不受限制
次。
引脚配置
引脚说明
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
VSS
1
2
3
28
27
26
VCC
W
北卡罗来纳州
A8
A9
北卡罗来纳州
G
A10
E
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
25
4
24
5
23
6
PDIP
22
7
SOP
21
8
28
9
20
10
19
11
18
12
17
13
16
14
15
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
24
23
22
21
20
SOP
19
24
18
17
16
15
14
13
VCC
A8
A9
W
G
A10
E
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
信号名称
A0 - A10
DQ0 - DQ7
E
G
W
VCC
VSS
信号说明
地址输入
IN / OUT数据
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
电源电压
地
顶视图
顶视图
1
1997年12月12日
U631H16
框图
EEPROM阵列
32 x (64 x 8)
商店
行解码器
A5
A6
A7
A8
A9
SRAM
ARRAY
32排x
64× 8列
商店/
召回
控制
V
CC
V
SS
召回
V
CC
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
输入缓冲器
列I / O
列解码器
软件
检测
A0 - A10
A0 A1 A2 A3 A4 A10
G
E
W
真值表的SRAM操作
经营模式
待机/未选择
内部读
读
写
*
H
和L
E
H
L
L
L
W
*
H
H
L
G
*
H
L
*
DQ0 - DQ7
高-Z
高-Z
数据输出低Z
数据输入高阻
特征
所有电压都参考V
SS
= 0V （接地） 。
所有特征都在该电源电压范围内，并在规定的工作温度范围内有效。
动态测量是基于对一个上升和下降时间
≤
5纳秒，介于10％和90 ％的V测量
I
，以及
V的输入电平
IL
= 0 V和V
IH
= 3 V的所有输入和输出信号的定时基准电平为1.5伏，
除吨的
DIS
-times和T
en
-times ，在这种情况下，过渡测量
±
200毫伏的稳态电压。
绝对最大额定值
a
电源电压
输入电压
输出电压
功耗
工作温度
储存温度
C型
K型
符号
V
CC
V
I
V
O
P
D
T
a
T
英镑
分钟。
-0.5
-0.3
-0.3
马克斯。
7
V
CC
+0.5
V
CC
+0.5
1
单位
V
V
V
W
°C
°C
°C
0
-40
-65
70
85
150
答：强调大于“绝对最大额定值”，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力
只有等级，并在条件超过上述业务部门所标明的这个规范是设备的功能操作
不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响可靠性。
2
1997年12月12日
U631H16
推荐工作
条件
电源电压
输入低电压
输入高电压
符号
V
CC
V
IL
V
IH
-2 V的脉冲宽度
10纳秒许可
条件
分钟。
4.5
-0.3
2.2
马克斯。
5.5
0.8
V
CC
+0.3
单位
V
V
V
C型
DC特性
工作电源电流
b
符号
I
CC1
V
CC
V
IL
V
IH
t
c
t
c
t
c
期间平均电源电流
商店
c
I
CC2
V
CC
E
W
V
IL
V
IH
V
CC
E
t
c
t
c
t
c
平均电源电流
在T
cR
= 200纳秒
b
（自行车CMOS输入电平）
待机电源电流
d
（稳定的CMOS输入电平）
I
CC3
V
CC
W
V
IL
V
IH
V
CC
E
V
IL
V
IH
条件
分钟。
= 5.5 V
= 0.8 V
= 2.2 V
= 25纳秒
= 35 ns的
- 45纳秒
= 5.5 V
≥
V
CC
-0.2 V
≥
V
CC
-0.2 V
≤
0.2 V
≥
V
CC
-0.2 V
= 5.5 V
≥
V
IH
= 25纳秒
= 35 ns的
- 45纳秒
= 5.5 V
≥
V
CC
-0.2 V
≤
0.2 V
≥
V
CC
-0.2 V
= 5.5 V
≥
V
CC
-0.2 V
≤
0.2 V
≥
V
CC
-0.2 V
30
23
20
15
90
80
75
6
马克斯。
K型
单位
分钟。
马克斯。
95
85
80
7
mA
mA
mA
mA
待机电源电流
d
（自行车TTL电平输入）
I
CC(SB)1
34
27
23
15
mA
mA
mA
mA
I
CC （SB）
1
1
mA
B：我
CC1
我
CC3
依赖于输出负载和循环率。在特定网络版值与空载输出获得。
目前我
CC1
测量的写/读 - 1/2的比例。
C：我
CC2
是存储所需的周期（ STORE周期时间）期间的平均电流。
D：瞻é
≥
V
IH
不会产生待机电流电平，直到任何非易失性周期中已超时。见模式选择
表。目前我
CC(SB)1
测量的写/读 - 1/2的比例。
1997年12月12日
3
U631H16
读周期1 ： AI控制的（在读周期： E = G = V
IL
，W = V
IH
)
f
1
t
cR
Ai
地址有效
2
t
a(A )
DQI
产量
前
数据有效
9
t
V（A）
AAAAAAAAAAA
AAAAAAAAAAA
AAAAAAAAAAA
AAAAAAAAAAA
输出数据
有效
读周期2 ： G-，电子控制（在读周期：W = V
IH
)
g
1
t
cR
Ai
地址有效
2
t
a(A )
11
t
PD
5
t
DIS （ E）
E
G
DQI
产量
高阻抗
10
t
PU
7
t
烯（ E）
3
t
一（ E）
4
t
一（ G）
8
t
EN（ G）
6
t
DIS （ G）
AAAAAAAAAAA
输出数据
AAAAAAAAAAA
AAAAAAAAAAA
有效
AAAAAAAAAAA
I
CC
活跃
待机
号开关特性
写周期
12写周期时间
13把脉冲宽度
14把脉冲宽度建立时间
15地址建立时间
16地址有效到写结束
17芯片使能建立时间
18芯片使能到结束写入的
19数据建立时间来结束写的
20数据保持时间写结束后，
写入结束后21地址保持
22瓦低到输出的高阻
H，I
23瓦高到输出中低Z
符号
Alt键。 ＃ 1 Alt键。 ＃ 2
IEC
25
分钟。
马克斯。
35
分钟。
马克斯。
45
单位
分钟。
马克斯。
t
AVAV
t
WLWH
t
AVAV
t
cW
t
w(W)
25
20
20
0
20
20
20
12
0
0
10
5
35
30
30
0
30
30
30
18
0
0
13
5
45
35
35
0
35
35
35
20
0
0
15
5
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
WLEH
t
AVWL
t
AVWH
t
ELWH
t
ELEH
t
DVWH
t
WHDX
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1997年12月12日
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