过时的 - 不推荐用于新设计
U630H16
HardStore
2K ×8的nvSRAM
特点
描述
该U630H16有两个独立的
的操作模式： SRAM的模式
和非易失性模式，确定
由NE引脚的状态。
在SRAM中的模式中，存储器ope-
利率作为一个普通的静态RAM 。在
非易失性操作中，数据是反式
ferred并行从SRAM到
EEPROM或从EEPROM中
SRAM 。在这种模式下的SRAM
功能被禁止。
该U630H16是一个快速静态RAM
（25 ，35， 45纳秒） ，具有非易失性的
ELECTRICALLY
可擦写
舞会
（EEPROM）中的元素引入
在每个静态存储器单元。该
SRAM可以读取和写入的
无限次，而
独立的非易失性数据住宅建设
沙漠中的EEPROM 。数据传输
从SRAM到EEPROM
（对STORE操作） ，或者从
EEPROM来对SRAM （在
RECALL操作）发起
通过NE引脚的状态。
该U630H16结合了高
性能和易用性的一个的
快速SRAM与非易失性数据
诚信。
一旦一条STORE周期开始，
进一步的输入或输出被禁用
直到周期结束。
在内部，召回是一个两步
过程。首先，该SRAM的数据是
清零;第二， nonvola-
瓦片的信息被转移到
SRAM单元。
在没有办法调用操作
改变的数据在EEPROM中
细胞。非易失性数据可以是
召回的数量不受限制
次。
高性能CMOS nonvo-
latile静态RAM 2048 ×8位
25 ， 35和45 ns的访问时间
12 ， 20和25 ns输出使能
访问时间
五金店启动
（存储周期时间< 10毫秒）
自动定时商店
10
6
商店循环到EEPROM
百年中的数据保留
EEPROM
自动恢复开机时
硬件启动召回
（ RECALL周期时间< 20毫秒）
从无限RECALL周期
EEPROM
无限的读取和写入
SRAM
采用5 V ± 10 ％工作
工作温度范围：
0to70 ×C
-40to85 ×C
-40to125 ° C（仅35纳秒）
QS 9000质量标准
ESD保护> 2000伏
（ MIL STD 883C M3015.7 - HBM ）
符合RoHS标准，并有铅免费
封装： SOP28 （ 300万） ，
PDIP28 （ 300/600密耳）
引脚配置
NE
北卡罗来纳州
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
VCC
W
北卡罗来纳州
A8
A9
北卡罗来纳州
G
A10
E
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
引脚说明
信号名称
A0 - A10
DQ0 - DQ7
E
G
W
NE
VCC
VSS
信号说明
地址输入
IN / OUT数据
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
非易失启用
电源电压
地
PDIP
22
SOP
21
20
19
18
17
16
15
顶视图
2006年3月31日
沙头角管制＃ ML0036
1
1.0版
U630H16
框图
EEPROM阵列
32 x (64 x 8)
商店
行解码器
A5
A6
A7
A8
A9
SRAM
ARRAY
32排x
64× 8列
召回
V
CC
V
SS
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
输入缓冲器
列I / O
列解码器
商店/
召回
控制
V
CC
A0 A1 A2 A3 A4 A10
G
NE
E
W
真值表的SRAM操作
经营模式
待机/未选择
内部读
读
写
*
H或L
特征
所有电压都参考V
SS
= 0V （接地） 。
所有特征都在该电源电压范围内，并在规定的工作温度范围内有效。
动态测量是基于对一个上升和下降时间
≤
5纳秒，介于10％和90 ％的V测量
I
，以及
V的输入电平
IL
= 0 V和V
IH
= 3 V的所有输入和输出信号的定时基准电平为1.5伏，
除吨的
DIS
-times和T
en
-times ，在这种情况下，过渡测量
±
200毫伏的稳态电压。
E
H
L
L
L
NE
*
W
*
G
*
DQ0 - DQ7
高-Z
高-Z
数据输出低Z
数据输入高阻
H
H
H
H
H
L
H
L
*
绝对最大额定值
a
电源电压
输入电压
输出电压
功耗
工作温度
C型
K型
A型
符号
V
CC
V
I
V
O
P
D
T
a
T
英镑
分钟。
-0.5
-0.3
-0.3
马克斯。
7
V
CC
+0.5
V
CC
+0.5
1
单位
V
V
V
W
°C
°C
°C
°C
0
-40
-40
-65
70
85
85
150
储存温度
答：强调大于“绝对最大额定值”，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力
只有等级，并在条件超过上述业务部门所标明的这个规范是设备的功能操作
不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响可靠性。
沙头角管制＃ ML0036
2
1.0版
2006年3月31日
U630H16
推荐
工作条件
电源电压
输入低电压
输入高电压
符号
V
CC
V
IL
V
IH
条件
分钟。
4.5
马克斯。
5.5
0.8
V
CC
+0.3
单位
V
V
V
-2 V的脉冲宽度
10纳秒许可
-0.3
2.2
C型
DC特性
工作电源电流
b
符号
I
CC1
V
CC
V
IL
V
IH
t
c
t
c
t
c
期间平均电源电流
商店
c
I
CC2
V
CC
E
W
V
IL
V
IH
V
CC
E
t
c
t
c
t
c
平均电源电流
在T
cR
= 200纳秒
b
（自行车CMOS输入电平）
待机电源电流
d
（稳定的CMOS输入电平）
I
CC3
V
C
C
W
V
IL
V
IH
V
CC
E
V
IL
V
IH
条件
分钟。
= 5.5 V
= 0.8 V
= 2.2 V
= 25纳秒
= 35 ns的
- 45纳秒
= 5.5 V
≥
V
CC
-0.2 V
≥
V
CC
-0.2 V
≤
0.2 V
≥
V
CC
-0.2 V
= 5.5 V
≥
V
IH
= 25纳秒
= 35 ns的
- 45纳秒
= 5.5 V
≥
V
CC
-0.2 V
≤
0.2 V
≥
V
CC
-0.2 V
= 5.5 V
≥
V
CC
-0.2 V
≤
0.2 V
≥
V
CC
-0.2 V
30
23
20
15
90
80
75
6
马克斯。
K型
分钟。
马克斯。
A型
单位
分钟。
马克斯。
95
85
80
7
-
85
-
7
mA
mA
mA
mA
待机电源电流
d
（自行车TTL电平输入）
I
CC(SB)1
34
27
23
15
-
27
-
15
mA
mA
mA
mA
I
CC （SB）
1
1
2
mA
B：我
CC1
我
CC3
依赖于输出负载和循环率。在特定网络版值与空载输出获得。
目前我
CC1
测量的写/读 - 1/2的比例。
C：我
CC2
是存储所需的周期（ STORE周期时间）期间的平均电流。
D：瞻é
≥
V
IH
不会产生待机电流电平，直到任何非易失性周期中已超时。见模式选择
表。目前我
CC(SB)1
测量的写/读 - 1/2的比例。
2006年3月31日
沙头角管制＃ ML0036
3
1.0版
U630H16
读周期1 ： AI控制的（在读周期： E = G = V
IL
， W = NE = V
IH
)
f
t
cR
(1)
Ai
DQI
产量
以前的数据有效
t
V（A）
(9)
地址有效
t
a(A)
(2)
输出数据有效
读周期2 ： G-，电子控制（在读周期： W = NE = V
IH
)
g
t
cR
(1)
Ai
E
G
DQI
产量
地址有效
t
a(A)
(2)
t
一（ E）
(3)
t
烯（ E）
(7)
t
一（ G）
(4)
t
EN（ G）
(8)
高阻抗
t
PU
(10)
活跃
待机
输出数据有效
t
PD
(11)
t
DIS （ E）
(5)
t
DIS （ G）
(6)
I
CC
号开关特性
写周期
12写周期时间
13把脉冲宽度
14把脉冲宽度建立时间
15地址建立时间
16地址有效到写结束
17芯片使能建立时间
18芯片使能到结束写入的
19数据建立时间来结束写的
20数据保持时间写结束后，
写入结束后21地址保持
22瓦低到输出的高阻
H，I
23瓦高到输出中低Z
符号
Alt键。 ＃ 1 Alt键。 ＃ 2
t
AVAV
t
WLWH
t
WLEH
t
AVWL
t
AVWH
t
ELWH
t
ELE
H
t
DVWH
t
WHDX
t
WHAX
t
WLQZ
t
WHQX
t
DVEH
t
EHDX
t
EHAX
t
AVEL
t
AVAV
IEC
t
cW
t
w(W)
t
SU（ W）
t
SU（ A）
25
35
45
单位
分钟。马克斯。分钟。马克斯。分钟。马克斯。
25
20
20
0
20
20
20
12
0
0
10
5
5
35
30
30
0
30
30
30
18
0
0
13
5
45
35
35
0
35
35
35
20
0
0
15
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
AVEH
t
SU（ A- WH ）
t
SU（ E）
t
W（ E）
t
SU（ D）
t
H（ D）
t
H（ A）
t
DIS （ W）
t
EN（ W）
2006年3月31日
沙头角管制＃ ML0036
5
1.0版
U630H16
HardStore
2K ×8的nvSRAM
特点
高性能CMOS nonvo-
latile静态RAM 2048 ×8位
25 ， 35和45 ns的访问时间
12 ， 20和25 ns输出使能
访问时间
五金店启动
（存储周期时间< 10毫秒）
自动定时商店
10
6
商店循环到EEPROM
百年中的数据保留
EEPROM
自动恢复开机时
硬件启动召回
（ RECALL周期时间< 20
s)
从无限RECALL周期
EEPROM
无限的读取和写入
SRAM
采用5 V单
±
10 ％操作
工作温度范围：
0到70
°C
-40到85
°C
-40到125°C （仅35纳秒）
QS 9000质量标准
ESD保护> 2000伏
（ MIL STD 883C M3015.7 - HBM ）
符合RoHS标准，并有铅免费
封装： SOP28 （ 300万） ，
PDIP28 （ 300/600密耳）
描述
该U630H16有两个独立的
的操作模式： SRAM的模式
和非易失性模式，确定
由NE引脚的状态。
在SRAM中的模式中，存储器ope-
利率作为一个普通的静态RAM 。在
非易失性操作中，数据是反式
ferred并行从SRAM到
EEPROM或从EEPROM中
SRAM 。在这种模式下的SRAM
功能被禁止。
该U630H16是一个快速静态RAM
（25 ，35， 45纳秒） ，具有非易失性的
ELECTRICALLY
可擦写
舞会
（EEPROM）中的元素引入
在每个静态存储器单元。该
SRAM可以读取和写入的
无限次，而
独立的非易失性数据住宅建设
沙漠中的EEPROM 。数据传输
从SRAM到EEPROM
（对STORE操作） ，或者从
EEPROM来对SRAM （在
RECALL操作）发起
通过NE引脚的状态。
该U630H16结合了高
性能和易用性的一个的
快速SRAM与非易失性数据
诚信。
一旦一条STORE周期开始，
进一步的输入或输出被禁用
直到周期结束。
在内部，召回是一个两步
过程。首先，该SRAM的数据是
清零;第二， nonvola-
瓦片的信息被转移到
SRAM单元。
在没有办法调用操作
改变的数据在EEPROM中
细胞。非易失性数据可以是
召回的数量不受限制
次。
引脚配置
NE
北卡罗来纳州
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
VCC
W
北卡罗来纳州
A8
A9
北卡罗来纳州
G
A10
E
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
引脚说明
信号名称
A0 - A10
DQ0 - DQ7
E
G
W
NE
VCC
VSS
信号说明
地址输入
IN / OUT数据
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
非易失启用
电源电压
地
PDIP
22
SOP
21
20
19
18
17
16
15
顶视图
2005年4月7日
1
U630H16
框图
EEPROM阵列
32 x (64 x 8)
商店
行解码器
A5
A6
A7
A8
A9
SRAM
ARRAY
32排x
64× 8列
召回
V
CC
V
SS
DQ0
DQ1
输入缓冲器
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
列I / O
列解码器
商店/
召回
控制
V
CC
A0 A1 A2 A3 A4 A10
G
NE
E
W
真值表的SRAM操作
经营模式
待机/未选择
内部读
读
写
*
H或L
特征
所有电压都参考V
SS
= 0V （接地） 。
所有特征都在该电源电压范围内，并在规定的工作温度范围内有效。
动态测量是基于对一个上升和下降时间
≤
5纳秒，介于10％和90 ％的V测量
I
，以及
V的输入电平
IL
= 0 V和V
IH
= 3 V的所有输入和输出信号的定时基准电平为1.5伏，
除吨的
DIS
-times和T
en
-times ，在这种情况下，过渡测量
±
200毫伏的稳态电压。
E
H
L
L
L
NE
*
W
*
G
*
DQ0 - DQ7
高-Z
高-Z
数据输出低Z
数据输入高阻
H
H
H
H
H
L
H
L
*
绝对最大额定值
a
电源电压
输入电压
输出电压
功耗
工作温度
C型
K型
A型
符号
V
CC
V
I
V
O
P
D
T
a
T
英镑
分钟。
-0.5
-0.3
-0.3
马克斯。
7
V
CC
+0.5
V
CC
+0.5
1
单位
V
V
V
W
°C
°C
°C
°C
0
-40
-40
-65
70
85
85
150
储存温度
答：强调大于“绝对最大额定值”，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力
只有等级，并在条件超过上述业务部门所标明的这个规范是设备的功能操作
不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响可靠性。
2
2005年4月7日
U630H16
推荐
工作条件
电源电压
输入低电压
输入高电压
符号
V
CC
V
IL
V
IH
-2 V的脉冲宽度
10纳秒许可
条件
分钟。
4.5
-0.3
2.2
马克斯。
5.5
0.8
V
CC
+0.3
单位
V
V
V
C型
DC特性
工作电源电流
b
符号
I
CC1
V
CC
V
IL
V
IH
t
c
t
c
t
c
期间平均电源电流
商店
c
I
CC2
V
CC
E
W
V
IL
V
IH
V
CC
E
t
c
t
c
t
c
平均电源电流
在T
cR
= 200纳秒
b
（自行车CMOS输入电平）
待机电源电流
d
（稳定的CMOS输入电平）
I
CC3
V
C
C
W
V
IL
V
IH
V
CC
E
V
IL
V
IH
条件
= 5.5 V
= 0.8 V
= 2.2 V
= 25纳秒
= 35 ns的
- 45纳秒
= 5.5 V
≥
V
CC
-0.2 V
≥
V
CC
-0.2 V
≤
0.2 V
≥
V
CC
-0.2 V
= 5.5 V
≥
V
IH
= 25纳秒
= 35 ns的
- 45纳秒
= 5.5 V
≥
V
CC
-0.2 V
≤
0.2 V
≥
V
CC
-0.2 V
= 5.5 V
≥
V
CC
-0.2 V
≤
0.2 V
≥
V
CC
-0.2 V
30
23
20
15
90
80
75
6
分钟。
马克斯。
K型
分钟。
马克斯。
A型
分钟。
马克斯。
单位
95
85
80
7
-
85
-
7
mA
mA
mA
mA
待机电源电流
d
（自行车TTL电平输入）
I
CC(SB)1
34
27
23
15
-
27
-
15
mA
mA
mA
mA
I
CC （SB）
1
1
2
mA
B：我
CC1
我
CC3
依赖于输出负载和循环率。在特定网络版值与空载输出获得。
目前我
CC1
测量的写/读 - 1/2的比例。
C：我
CC2
是存储所需的周期（ STORE周期时间）期间的平均电流。
D：瞻é
≥
V
IH
不会产生待机电流电平，直到任何非易失性周期中已超时。见模式选择
表。目前我
CC(SB)1
测量的写/读 - 1/2的比例。
2005年4月7日
3
U630H16
读周期1 ： AI控制的（在读周期： E = G = V
IL
， W = NE = V
IH
)
f
t
cR
(1)
Ai
DQI
产量
以前的数据有效
t
V（A）
(9)
地址有效
t
a(A)
(2)
输出数据有效
读周期2 ： G-，电子控制（在读周期： W = NE = V
IH
)
g
t
cR
(1)
Ai
E
G
DQI
产量
地址有效
t
a(A)
(2)
t
一（ E）
(3)
t
烯（ E）
(7)
t
一（ G）
(4)
t
EN（ G）
(8)
高阻抗
t
PU
(10)
活跃
待机
输出数据有效
t
PD
(11)
t
DIS （ E）
(5)
t
DIS （ G）
(6)
I
CC
开关特性
号
写周期
12写周期时间
13把脉冲宽度
14把脉冲宽度建立时间
15地址建立时间
16地址有效到写结束
17芯片使能建立时间
18芯片使能到结束写入的
19数据建立时间来结束写的
20数据保持时间写结束后，
写入结束后21地址保持
22瓦低到输出的高阻
H，I
23瓦高到输出中低Z
符号
Alt键。 ＃ 1 Alt键。 ＃ 2
t
AVAV
t
WLWH
t
WLEH
t
AVWL
t
AVWH
t
ELWH
t
ELE
H
t
DVWH
t
WHDX
t
WHAX
t
WLQZ
t
WHQX
t
DVEH
t
EHDX
t
EHAX
t
AVEL
t
AVAV
IEC
t
cW
t
w(W)
t
SU（ W）
t
SU（ A）
25
35
45
单位
分钟。马克斯。分钟。马克斯。分钟。马克斯。
25
20
20
0
20
20
20
12
0
0
10
5
5
35
30
30
0
30
30
30
18
0
0
13
5
45
35
35
0
35
35
35
20
0
0
15
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
AVEH
t
SU（ A- WH ）
t
SU（ E）
t
W（ E）
t
SU（ D）
t
H（ D）
t
H（ A）
t
DIS （ W）
t
EN（ W）
2005年4月7日
5
U630H16
HardStore
2K ×8的nvSRAM
特点
高性能CMOS nonvo-
latile静态RAM 2048 ×8位
25 ， 35和45 ns的访问时间
12 ， 20和25 ns输出使能
访问时间
五金店启动
（存储周期时间< 10毫秒）
自动定时商店
10
6
商店循环到EEPROM
百年中的数据保留
EEPROM
自动恢复开机时
硬件启动召回
（ RECALL周期时间< 20
s)
从无限RECALL周期
EEPROM
无限的读取和写入
SRAM
采用5 V单
±
10 ％操作
工作温度范围：
0到70
°C
-40到85
°C
-40到125°C （仅35纳秒）
QS 9000质量标准
ESD保护> 2000伏
（ MIL STD 883C M3015.7 - HBM ）
符合RoHS标准，并有铅免费
封装： SOP28 （ 300万） ，
PDIP28 （ 300/600密耳）
描述
该U630H16有两个独立的
的操作模式： SRAM的模式
和非易失性模式，确定
由NE引脚的状态。
在SRAM中的模式中，存储器ope-
利率作为一个普通的静态RAM 。在
非易失性操作中，数据是反式
ferred并行从SRAM到
EEPROM或从EEPROM中
SRAM 。在这种模式下的SRAM
功能被禁止。
该U630H16是一个快速静态RAM
（25 ，35， 45纳秒） ，具有非易失性的
ELECTRICALLY
可擦写
舞会
（EEPROM）中的元素引入
在每个静态存储器单元。该
SRAM可以读取和写入的
无限次，而
独立的非易失性数据住宅建设
沙漠中的EEPROM 。数据传输
从SRAM到EEPROM
（对STORE操作） ，或者从
EEPROM来对SRAM （在
RECALL操作）发起
通过NE引脚的状态。
该U630H16结合了高
性能和易用性的一个的
快速SRAM与非易失性数据
诚信。
一旦一条STORE周期开始，
进一步的输入或输出被禁用
直到周期结束。
在内部，召回是一个两步
过程。首先，该SRAM的数据是
清零;第二， nonvola-
瓦片的信息被转移到
SRAM单元。
在没有办法调用操作
改变的数据在EEPROM中
细胞。非易失性数据可以是
召回的数量不受限制
次。
引脚配置
NE
北卡罗来纳州
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
VCC
W
北卡罗来纳州
A8
A9
北卡罗来纳州
G
A10
E
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
引脚说明
信号名称
A0 - A10
DQ0 - DQ7
E
G
W
NE
VCC
VSS
信号说明
地址输入
IN / OUT数据
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
非易失启用
电源电压
地
PDIP
22
SOP
21
20
19
18
17
16
15
顶视图
2005年4月7日
1
U630H16
框图
EEPROM阵列
32 x (64 x 8)
商店
行解码器
A5
A6
A7
A8
A9
SRAM
ARRAY
32排x
64× 8列
召回
V
CC
V
SS
DQ0
DQ1
输入缓冲器
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
列I / O
列解码器
商店/
召回
控制
V
CC
A0 A1 A2 A3 A4 A10
G
NE
E
W
真值表的SRAM操作
经营模式
待机/未选择
内部读
读
写
*
H或L
特征
所有电压都参考V
SS
= 0V （接地） 。
所有特征都在该电源电压范围内，并在规定的工作温度范围内有效。
动态测量是基于对一个上升和下降时间
≤
5纳秒，介于10％和90 ％的V测量
I
，以及
V的输入电平
IL
= 0 V和V
IH
= 3 V的所有输入和输出信号的定时基准电平为1.5伏，
除吨的
DIS
-times和T
en
-times ，在这种情况下，过渡测量
±
200毫伏的稳态电压。
E
H
L
L
L
NE
*
W
*
G
*
DQ0 - DQ7
高-Z
高-Z
数据输出低Z
数据输入高阻
H
H
H
H
H
L
H
L
*
绝对最大额定值
a
电源电压
输入电压
输出电压
功耗
工作温度
C型
K型
A型
符号
V
CC
V
I
V
O
P
D
T
a
T
英镑
分钟。
-0.5
-0.3
-0.3
马克斯。
7
V
CC
+0.5
V
CC
+0.5
1
单位
V
V
V
W
°C
°C
°C
°C
0
-40
-40
-65
70
85
85
150
储存温度
答：强调大于“绝对最大额定值”，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力
只有等级，并在条件超过上述业务部门所标明的这个规范是设备的功能操作
不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响可靠性。
2
2005年4月7日
U630H16
推荐
工作条件
电源电压
输入低电压
输入高电压
符号
V
CC
V
IL
V
IH
-2 V的脉冲宽度
10纳秒许可
条件
分钟。
4.5
-0.3
2.2
马克斯。
5.5
0.8
V
CC
+0.3
单位
V
V
V
C型
DC特性
工作电源电流
b
符号
I
CC1
V
CC
V
IL
V
IH
t
c
t
c
t
c
期间平均电源电流
商店
c
I
CC2
V
CC
E
W
V
IL
V
IH
V
CC
E
t
c
t
c
t
c
平均电源电流
在T
cR
= 200纳秒
b
（自行车CMOS输入电平）
待机电源电流
d
（稳定的CMOS输入电平）
I
CC3
V
C
C
W
V
IL
V
IH
V
CC
E
V
IL
V
IH
条件
= 5.5 V
= 0.8 V
= 2.2 V
= 25纳秒
= 35 ns的
- 45纳秒
= 5.5 V
≥
V
CC
-0.2 V
≥
V
CC
-0.2 V
≤
0.2 V
≥
V
CC
-0.2 V
= 5.5 V
≥
V
IH
= 25纳秒
= 35 ns的
- 45纳秒
= 5.5 V
≥
V
CC
-0.2 V
≤
0.2 V
≥
V
CC
-0.2 V
= 5.5 V
≥
V
CC
-0.2 V
≤
0.2 V
≥
V
CC
-0.2 V
30
23
20
15
90
80
75
6
分钟。
马克斯。
K型
分钟。
马克斯。
A型
分钟。
马克斯。
单位
95
85
80
7
-
85
-
7
mA
mA
mA
mA
待机电源电流
d
（自行车TTL电平输入）
I
CC(SB)1
34
27
23
15
-
27
-
15
mA
mA
mA
mA
I
CC （SB）
1
1
2
mA
B：我
CC1
我
CC3
依赖于输出负载和循环率。在特定网络版值与空载输出获得。
目前我
CC1
测量的写/读 - 1/2的比例。
C：我
CC2
是存储所需的周期（ STORE周期时间）期间的平均电流。
D：瞻é
≥
V
IH
不会产生待机电流电平，直到任何非易失性周期中已超时。见模式选择
表。目前我
CC(SB)1
测量的写/读 - 1/2的比例。
2005年4月7日
3
U630H16
读周期1 ： AI控制的（在读周期： E = G = V
IL
， W = NE = V
IH
)
f
t
cR
(1)
Ai
DQI
产量
以前的数据有效
t
V（A）
(9)
地址有效
t
a(A)
(2)
输出数据有效
读周期2 ： G-，电子控制（在读周期： W = NE = V
IH
)
g
t
cR
(1)
Ai
E
G
DQI
产量
地址有效
t
a(A)
(2)
t
一（ E）
(3)
t
烯（ E）
(7)
t
一（ G）
(4)
t
EN（ G）
(8)
高阻抗
t
PU
(10)
活跃
待机
输出数据有效
t
PD
(11)
t
DIS （ E）
(5)
t
DIS （ G）
(6)
I
CC
开关特性
号
写周期
12写周期时间
13把脉冲宽度
14把脉冲宽度建立时间
15地址建立时间
16地址有效到写结束
17芯片使能建立时间
18芯片使能到结束写入的
19数据建立时间来结束写的
20数据保持时间写结束后，
写入结束后21地址保持
22瓦低到输出的高阻
H，I
23瓦高到输出中低Z
符号
Alt键。 ＃ 1 Alt键。 ＃ 2
t
AVAV
t
WLWH
t
WLEH
t
AVWL
t
AVWH
t
ELWH
t
ELE
H
t
DVWH
t
WHDX
t
WHAX
t
WLQZ
t
WHQX
t
DVEH
t
EHDX
t
EHAX
t
AVEL
t
AVAV
IEC
t
cW
t
w(W)
t
SU（ W）
t
SU（ A）
25
35
45
单位
分钟。马克斯。分钟。马克斯。分钟。马克斯。
25
20
20
0
20
20
20
12
0
0
10
5
5
35
30
30
0
30
30
30
18
0
0
13
5
45
35
35
0
35
35
35
20
0
0
15
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
AVEH
t
SU（ A- WH ）
t
SU（ E）
t
W（ E）
t
SU（ D）
t
H（ D）
t
H（ A）
t
DIS （ W）
t
EN（ W）
2005年4月7日
5
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