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U62H256S
汽车高速32K ×8 SRAM
特点
描述
该U62H256S是一个静态RAM
使用CMOS亲制
塞斯技术具有以下
操作模式:
- 阅读
- 待机
- 写
- 数据保留
存储器阵列的基础上的
MIXMOS细胞。
该电路是由fal-激活
E.凌缘的地址和
控制输入同时打开。
根据W的信息
和G时,数据输入,或输出
是活动的。在激活状态期间
E = L各自地址变更线索
到一个新的读或写周期。在一个
读周期,数据输出
由G的下降沿激活,
之后的数据字将是
可在输出端DQ0 - DQ7的。
地址变更后,该数据
输出变成高阻态,直到新
信息是可用的。数据
输出不首选国家。如果
内存是由CMOS驱动
水平在活动状态,并且如果
有该地址的任何变化,
数据输入和控制信号W或
G中,操作电流(I
O
= 0 mA时)
下降到操作的值
当前,在待机模式。该
读周期由落下完
刃的W,或者由的上升沿
E,分别。
数据保存期限保证下
2五,除E号,所有
输入包括NOR门,所以
没有上拉/下拉电阻
是必需的。
F
32768 ×8位CMOS静态RAM
F
35和55 ns访问时间
F
常见的数据输入和
数据输出
F
三态输出
F
典型值。工作电源电流
F
F
F
F
F
F
F
F
F
35纳秒: 45毫安
55纳秒: 30毫安
待机电流< 2毫安
TTL / CMOS兼容
自动降低功率
耗散在漫长读取或写入
周期
电源电压为5 V
工作温度范围
-40
°C
85
°C
-40
°C
到125
°C
CECC 90000质量标准
ESD保护> 2000伏
( MIL STD 883C M3015.7 )
闭锁抗扰度>100毫安
包装:
SOP28 ( 300万)
引脚配置
引脚说明
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
VCC
W
A13
A8
A9
A11
G
A10
E
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
信号名称
A0 - A14
DQ0 - DQ7
E
G
W
VCC
VSS
信号说明
地址输入
IN / OUT数据
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
电源电压
SOP
21
20
19
18
17
16
15
顶视图
1999年3月8日
1
U62H256S
框图
A7
A8
A9
A4
A11
A12
A13
A14
行地址
输入
行解码器
记忆细胞
ARRAY
256排x
128× 8列
通用数据的I / O
A0
A1
A2
A3
A10
A5
A6
列解码器
列地址
输入
DQ0
检测放大器/
写控制逻辑
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
地址
变化
探测器
时钟
发电机
真值表
经营模式
待机/未选择
内部读
* H或L
V
CC
V
SS
E
W
G
E
H
L
L
L
W
*
H
H
L
G
*
H
L
*
DQ0 - DQ7
高-Z
高-Z
数据输出低Z
数据输入高阻
特征
所有电压都参考V
SS
= 0V (接地) 。
所有特征都在该电源电压范围内,并在规定的工作温度范围内有效。
动态测量是基于对一个上升和下降时间
5纳秒,介于10%和90 %的V测量
I
,以及
V的输入电平
IL
= 0 V和V
IH
= 3 V的所有输入和输出信号的定时基准电平为1.5伏,
除吨的
DIS
-times和T
en
-times ,在这种情况下,过渡测量
±
200毫伏的稳态电压。
最大额定值
电源电压
输入电压
输出电压
功耗
工作温度
储存温度
输出短路电流
在V
CC
= 5 V和V
O
= 0 V
**
K型
A型
符号
V
CC
V
I
V
O
P
D
T
a
T
英镑
| I
OS
|
分钟。
-0.5
-0.5
-0.5
-
-40
-40
-65
马克斯。
7
V
CC
+ 0.5
V
CC
+ 0.5
1
85
125
150
200
单位
V
V
V
W
°C
°C
mA
**
不超过1输出应在同一时间被短路。短路的持续时间不应该超过30秒。
2
1999年3月8日
U62H256S
推荐
工作条件
电源电压
输入低电压
*
输入高电压
* -2 V的脉冲宽度为10 ns
符号
V
CC
V
IL
V
IH
条件
分钟。
4.5
-0.3
2.2
马克斯。
5.5
0.8
V
CC
+ 0.3
单位
V
V
V
电气特性
电源电流 - 运行模式
符号
I
CC ( OP )
V
CC
V
IL
V
IH
t
cW
t
cW
条件
=
=
=
=
=
5.5 V
0.8 V
2.2 V
35纳秒
55纳秒
分钟。
马克斯。
单位
90
70
mA
mA
电源电流 - 待机模式
( CMOS电平)
I
CC (SB)
V
CC
V
E
K型
A型
V
CC
V
E
K型
A型
V
CC
I
OH
V
CC
I
OL
V
CC
V
IH
V
CC
V
IL
V
CC
V
OH
V
CC
V
OL
V
CC
V
OH
V
CC
V
OL
= 5.5 V
= V
CC
- 0.2 V
0.5
2
= 5.5 V
= 2.2 V
10
20
= 4.5 V
= -4.0毫安
= 4.5 V
= 8.0毫安
= 5.5 V
= 5.5 V
= 5.5 V
= 0V
=
=
=
=
4.5
2.4
4.5
0.4
V
V
V
V
2.4
0.4
2
-2
-4
8
mA
mA
V
V
A
A
mA
mA
mA
mA
电源电流 - 待机模式
( TTL电平)
I
CC(SB)1
输出高电压
输出低电压
输入高漏电流
输入低漏电流
输出高电流
输出低电流
输出漏电流
高在三态输出
在低三态输出
V
OH
V
OL
I
IH
I
IL
I
OH
I
OL
I
OHZ
I
OLZ
= 5.5 V
= 5.5 V
= 5.5 V
= 0V
2
-2
A
A
1999年3月8日
3
U62H256S
开关特性
读周期
读周期时间
地址访问时间到数据有效
芯片使能存取时间到数据有效
G低到数据有效
高到输出的高阻
摹高到输出的高阻
低辐射LOW到输出中低Z
G低到输出低-Z
从地址变更输出保持时间
低到电时间
高到掉电时间
符号
Alt键。
t
RC
t
AA
t
ACE
t
OE
t
HZCE
t
HZOE
t
LZCE
t
LZOE
t
OH
t
PU
t
PD
IEC
t
cR
t
a(A)
t
一( E)
t
一( G)
t
DIS ( E)
t
DIS ( G)
t
烯( E)
t
EN( G)
t
V(A)
3
0
3
0
35
分钟。
35
马克斯。
分钟。
55
单位
马克斯。
35
35
35
15
12
12
55
55
55
25
15
15
3
0
3
0
55
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
开关特性
写周期
写周期时间
把脉冲宽度
写建立时间
地址建立时间
地址有效到写结束
芯片使能建立时间
脉冲宽度芯片使能到结束写入的
数据建立时间
数据保持时间
从写结束地址保持
W低到输出的高阻
摹高到输出的高阻
W高到输出中低Z
G低到输出低-Z
符号
Alt键。
t
WC
t
WP
t
WP
t
AS
t
AW
t
CW
t
CW
t
DS
t
DH
t
AH
t
HZWE
t
HZOE
t
LZWE
t
LZOE
IEC
t
cW
t
w(W)
t
SU( W)
t
SU( A)
吨SU( A- WH )
35
分钟。
马克斯。
分钟。
55
单位
马克斯。
35
20
20
0
20
25
25
15
0
0
15
12
0
0
55
35
35
0
40
40
40
25
0
0
20
15
0
0
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
SU( E)
t
W( E)
t
SU( D)
t
H( D)
t
H( A)
t
DIS ( W)
t
DIS ( G)
t
EN( W)
t
EN( G)
4
1999年3月8日
U62H256S
数据保持方式
ê - 控制
AA AAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAA
4.5 V
AAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAA
AA
AAAA
V
CC ( DR )
2 V
2.2 V
t
SU( DR )
0V
数据保留
t
REC
V
CC
2.2 V
E
V
CC ( DR )
- 0.2 V
V
E( DR )
V
CC ( DR )
+ 0.3 V
数据保留
特征
数据保持电源电压
数据保持电源电流
符号
条件
Alt键。
IEC
V
CC ( DR )
I
CC ( DR )
V
CC ( DR )
= 3 V
V
E
= V
CC ( DR )
- 0.2 V
K型
A型
看到数据保留
波形(上图)
0
t
cR
2
5.5
V
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
0.09
1
mA
mA
ns
ns
数据保存时间设置
营业恢复时间
t
CDR
t
R
t
SU( DR )
t
REC
测试配置的功能检查
5V
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
A10
A11
A12
A13
A14
V
CC
V
IH
V
IL
根据输入电平
相关的测试测量
同时测量
所有8个输出引脚换货
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
481
V
O
30 pF的
1)
E
W
G
255
V
SS
1)
在t测量
DIS ( E)
,t
DIS ( W)
, t
烯( E)
, t
EN( W)
, t
EN( G)
电容5 pF的。
1999年3月8日
5
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