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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符U型号页 > 首字符U的型号第39页 > U6264BSA07LL
U6264B
标准的8K ×8 SRAM
特点
!
8192 ×8位CMOS静态RAM
!
70 ns的访问时间
!
常见的数据输入和
!
!
!
!
!
!
描述
的U6264B是一个静态RAM的制造
采用CMOS工艺factured
技术具有以下ope-
评价方式：
- 阅读
- 待机
- 写
- 数据保留
存储器阵列的基础上的
6晶体管单元。
该电路是由活化的崛起
素E2（ E1处= L）或下降沿的边沿
E1的边缘（在E 2 = H）。该
地址和控制输入端开路
同时。根据本
W和G中，数据的信息
输入或输出，是活动的。在一个
读周期，数据输出
由G的下降沿激活，
事后的数据字读会
可在输出DQ0 -
DQ7 。地址变更后，
数据输出变成高阻态，直到
新读出的信息是可用的。
数据输出没有首选
状态。如果存储器是由驱动
CMOS电平的有效状态，
并且如果存在的没有变化
地址，数据输入和控制
信号W或G ，操作电流
租金（在我
O
= 0 mA）的下降到
在工作电流的值
待机模式。 Read周期
由E2或下降沿完成
W或通过E1的上升沿
分别。
数据保存期限保证下
2五除E2的，所有
输入包括NOR门，所以
没有上拉/下拉电阻
是必需的。这门电路
可以实现低功耗
通过激活待机要求
与TTL电平也。
如果电路是由灭活
E2 = L时，待机电流（ TTL）的
下降到150
A
典型值。
!
!
!
!
!
!
输出
三态输出
典型值。工作电源电流
70纳秒： 10毫安
＆ LT ; 2
A
在T
a
≤
70 °C
数据保持电流为2 V ：
＆ LT ; 1
A
在T
a
≤
70 °C
TTL / CMOS兼容
自动降低功率
耗散在漫长读取或写入
周期
电源电压为5 V
工作温度范围：
0到70
°C
-40到85
°C
-40至125℃的
QS 9000质量标准
ESD保护> 2000伏
（ MIL STD 883C M3015.7 ）
闭锁抗扰度> 100毫安
封装： PDIP28 （ 600万）
SOP28 （ 330万）
引脚配置
引脚说明
北卡罗来纳州
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
信号名称
VCC
W（ WE）
E2 （ CE2 ）
A8
A9
A11
G（ OE ）
A10
E1 （ CE1 ）
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
信号说明
地址输入
IN / OUT数据
芯片使能1
芯片使能2
OUTPUT ENABLE
写使能
电源电压
地
没有连接
A0 - A12
DQ0 - DQ7
E1
E2
G
W
VCC
VSS
北卡罗来纳州
PDIP
22
SOP
21
20
19
18
17
16
15
顶视图
2004年4月20日
1
U6264B
框图
A4
A5
A6
A7
A8
A9
A11
A12
A0
A1
A2
A3
A10
行解码器
行地址
输入
记忆细胞
ARRAY
256排x
256列
列地址
输入
列解码器
DQ0
通用数据的I / O
检测放大器/
写控制逻辑
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
V
CC
V
SS
W
G
地址
变化
探测器
时钟
发电机
E2
E1
1
真值表
经营模式
待机/未选择
内部读
读
写
* H或L
E1
*
H
L
L
L
E2
L
*
H
H
H
W
*
*
H
H
L
G
*
*
H
L
*
DQ0 - DQ7
高-Z
高-Z
高-Z
数据输出低Z
数据输入高阻
2
2004年4月20日
U6264B
特征
所有电压都参考V
SS
= 0V （接地） 。
所有特征都在该电源电压范围内，并在规定的工作温度范围内有效。
动态测量是基于对一个上升和下降时间
≤
5纳秒，介于10％和90 ％的V测量
I
，以及
V的输入电平
IL
= 0 V和V
IH
= 3 V的所有输入和输出信号的定时基准电平为1.5伏，
除吨的
DIS
-times ，在这种情况下，过渡测量
±
200毫伏的稳态电压。
绝对最大额定值
a
电源电压
输入电压
输出电压
功耗
工作温度
C型
K型
A型
C / K型
A型
符号
V
CC
V
I
V
O
P
D
T
a
分钟。
-0.3
-0.3
-0.3
-
0
-40
-40
-55
-65
马克斯。
7
V
CC
+ 0.5
b
V
CC
+ 0.5
b
1
70
85
125
125
150
100
单位
V
V
V
W
°C
°C
°C
°C
°C
mA
储存温度
输出短路电流
在V
CC
= 5 V和V
O
= 0 V
c
a
T
英镑
| I
OS
|
b
c
应力大于“绝对最大额定值”，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力等级
只是，和功能的条件下超出本规范的业务部门所标明的设备操作不暗示。
暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响其可靠性
最大电压为7 V
不超过1输出应在同一时间被短路。短路的持续时间不应该超过30秒。
推荐
工作条件
电源电压
数据保持电压
输入低电压
d
输入高电压
d
符号
V
CC
V
CC （ DR ）
V
IL
V
IH
条件
分钟。
4.5
2.0
-0.3
2.2
马克斯。
5.5
单位
V
V
0.8
V
CC
+ 0.3
V
V
-2 V的脉冲宽度为10 ns
2004年4月20日
3
U6264B
电气特性
电源电流 - 运行模式
符号
I
CC （ OP ）
V
CC
V
IL
V
IH
t
cW
V
CC
V
E1
= V
E2
或V
E2
C型
K型
A型
V
CC
V
E1
= V
E2
或V
E2
V
CC （ DR ）
V
E1
= V
E2
或V
E2
C型
K型
A型
V
CC
I
OH
V
CC
I
OL
V
CC
V
OH
V
CC
V
OL
V
CC
V
IH
C / K型
A型
V
CC
V
IL
C / K型
A型
V
CC
V
OH
C / K型
A型
V
CC
V
OL
C / K型
A型
条件
= 5.5 V
= 0.8 V
= 2.2 V
= 70纳秒
= 5.5 V
= V
CC
- 0.2 V
= 0.2 V
2
5
100
= 5.5 V
= 2.2 V
= 0.8 V
= 2V
= V
CC （ DR ）
- 0.2 V
= 0.2 V
1
3
50
= 4.5 V
= -1.0毫安
= 4.5 V
= 3.2毫安
=
=
=
=
4.5 V
2.4 V
4.5 V
0.4 V
2.4
0.4
-1
3.2
A
A
A
V
V
mA
mA
3
A
A
A
mA
分钟。
马克斯。
55
单位
mA
电源电流 - 待机模式
（ CMOS电平）
I
CC （SB）
电源电流 - 待机模式
（ TTL电平）
电源电流 - 数据保留
模式
I
CC(SB)1
I
CC （ DR ）
输出高电压
输出低电压
输出高电流
输出低电流
输入漏电流
高
V
OH
V
OL
I
OH
I
OL
I
IH
= 5.5 V
= 5.5 V
-
-
= 5.5 V
= 0V
-1
-2
= 5.5 V
= 5.5 V
-
-
= 5.5 V
= 0V
-1
-2
-
-
A
A
1
2
A
A
-
-
A
A
1
2
A
A
低
I
IL
输出漏电流
高在三态输出
I
OHZ
在低三态输出
I
OLZ
4
2004年4月20日
U6264B
开关特性
Alt键。
时间到输出中低Z
周期
写周期时间
读周期时间
存取时间
低E1或E2 HIGH到数据有效
G低到数据有效
地址到数据有效
脉冲宽度
把脉冲宽度
芯片使能写操作的结束
设置时间
地址建立时间
芯片使能写操作的结束
把脉冲宽度
数据建立时间
数据保持时间
从写结束地址保持
从地址变更输出保持时间
高E1或E2低到输出的高阻
W低到输出的高阻
摹高到输出的高阻
t
LZ
t
WC
t
RC
t
ACE
t
OE
t
AA
t
WP
t
CW
t
AS
t
CW
t
WP
t
DS
t
DH
t
AH
t
OH
t
HZCE
t
HZWE
t
HZOE
符号
IEC
t
T（ QX ）
t
cW
t
cR
t
一（ E）
t
一（ G）
t
a(A)
t
w(W)
t
W（ E）
t
SU（ A）
t
SU（ E）
t
SU（ W）
t
SU（ D）
t
H（ D）
t
H（ A）
t
V（A）
t
DIS （ E）
t
DIS （ W）
t
DIS （ G）
分钟。
5
70
70
-
-
-
50
65
0
65
50
35
0
0
5
0
0
0
25
30
25
70
40
70
马克斯。
10
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
数据保留模式E1-控制
4.5 V
V
CC （ DR ）
≥
2 V
2.2 V
t
DR
0V
数据保留
t
REC
2.2 V
E1
0V
V
CC
数据保留模式E2-控制
V
CC
V
CC （ DR ）
≥
2 V
t
DR
0.8 V
数据保留
V
E2(DR)
≤
0.2 V
t
REC
0.8 V
E2
4.5 V
V
E2(DR)
≥
V
CC （ DR ）
- 0.2 V或V
E2(DR)
≤
0.2 V
V
CC （ DR ）
- 0.2 V
≤
V
E1(DR)
≤
V
CC （ DR ）
+ 0.3 V
芯片取消到数据保留时间
营业恢复时间
t
DR
:
t
REC
:
分0 NS
闵吨
cR
2004年4月20日
5
U6264B
标准的8K ×8 SRAM
特点
!
8192 ×8位CMOS静态RAM
!
70 ns的访问时间
!
常见的数据输入和
!
!
!
!
!
!
描述
的U6264B是一个静态RAM的制造
采用CMOS工艺factured
技术具有以下ope-
评价方式：
- 阅读
- 待机
- 写
- 数据保留
存储器阵列的基础上的
6晶体管单元。
该电路是由活化的崛起
素E2（ E1处= L）或下降沿的边沿
E1的边缘（在E 2 = H）。该
地址和控制输入端开路
同时。根据本
W和G中，数据的信息
输入或输出，是活动的。在一个
读周期，数据输出
由G的下降沿激活，
事后的数据字读会
可在输出DQ0 -
DQ7 。地址变更后，
数据输出变成高阻态，直到
新读出的信息是可用的。
数据输出没有首选
状态。如果存储器是由驱动
CMOS电平的有效状态，
并且如果存在的没有变化
地址，数据输入和控制
信号W或G ，操作电流
租金（在我
O
= 0 mA）的下降到
在工作电流的值
待机模式。 Read周期
由E2或下降沿完成
W或通过E1的上升沿
分别。
数据保存期限保证下
2五除E2的，所有
输入包括NOR门，所以
没有上拉/下拉电阻
是必需的。这门电路
可以实现低功耗
通过激活待机要求
与TTL电平也。
如果电路是由灭活
E2 = L时，待机电流（ TTL）的
下降到150
A
典型值。
!
!
!
!
!
!
输出
三态输出
典型值。工作电源电流
70纳秒： 10毫安
＆ LT ; 2
A
在T
a
≤
70 °C
数据保持电流为2 V ：
＆ LT ; 1
A
在T
a
≤
70 °C
TTL / CMOS兼容
自动降低功率
耗散在漫长读取或写入
周期
电源电压为5 V
工作温度范围：
0到70
°C
-40到85
°C
-40至125℃的
QS 9000质量标准
ESD保护> 2000伏
（ MIL STD 883C M3015.7 ）
闭锁抗扰度> 100毫安
封装： PDIP28 （ 600万）
SOP28 （ 330万）
引脚配置
引脚说明
北卡罗来纳州
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
信号名称
VCC
W（ WE）
E2 （ CE2 ）
A8
A9
A11
G（ OE ）
A10
E1 （ CE1 ）
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
信号说明
地址输入
IN / OUT数据
芯片使能1
芯片使能2
OUTPUT ENABLE
写使能
电源电压
地
没有连接
A0 - A12
DQ0 - DQ7
E1
E2
G
W
VCC
VSS
北卡罗来纳州
PDIP
22
SOP
21
20
19
18
17
16
15
顶视图
2004年4月20日
1
U6264B
框图
A4
A5
A6
A7
A8
A9
A11
A12
A0
A1
A2
A3
A10
行解码器
行地址
输入
记忆细胞
ARRAY
256排x
256列
列地址
输入
列解码器
DQ0
通用数据的I / O
检测放大器/
写控制逻辑
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
V
CC
V
SS
W
G
地址
变化
探测器
时钟
发电机
E2
E1
1
真值表
经营模式
待机/未选择
内部读
读
写
* H或L
E1
*
H
L
L
L
E2
L
*
H
H
H
W
*
*
H
H
L
G
*
*
H
L
*
DQ0 - DQ7
高-Z
高-Z
高-Z
数据输出低Z
数据输入高阻
2
2004年4月20日
U6264B
特征
所有电压都参考V
SS
= 0V （接地） 。
所有特征都在该电源电压范围内，并在规定的工作温度范围内有效。
动态测量是基于对一个上升和下降时间
≤
5纳秒，介于10％和90 ％的V测量
I
，以及
V的输入电平
IL
= 0 V和V
IH
= 3 V的所有输入和输出信号的定时基准电平为1.5伏，
除吨的
DIS
-times ，在这种情况下，过渡测量
±
200毫伏的稳态电压。
绝对最大额定值
a
电源电压
输入电压
输出电压
功耗
工作温度
C型
K型
A型
C / K型
A型
符号
V
CC
V
I
V
O
P
D
T
a
分钟。
-0.3
-0.3
-0.3
-
0
-40
-40
-55
-65
马克斯。
7
V
CC
+ 0.5
b
V
CC
+ 0.5
b
1
70
85
125
125
150
100
单位
V
V
V
W
°C
°C
°C
°C
°C
mA
储存温度
输出短路电流
在V
CC
= 5 V和V
O
= 0 V
c
a
T
英镑
| I
OS
|
b
c
应力大于“绝对最大额定值”，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力等级
只是，和功能的条件下超出本规范的业务部门所标明的设备操作不暗示。
暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响其可靠性
最大电压为7 V
不超过1输出应在同一时间被短路。短路的持续时间不应该超过30秒。
推荐
工作条件
电源电压
数据保持电压
输入低电压
d
输入高电压
d
符号
V
CC
V
CC （ DR ）
V
IL
V
IH
条件
分钟。
4.5
2.0
-0.3
2.2
马克斯。
5.5
单位
V
V
0.8
V
CC
+ 0.3
V
V
-2 V的脉冲宽度为10 ns
2004年4月20日
3
U6264B
电气特性
电源电流 - 运行模式
符号
I
CC （ OP ）
V
CC
V
IL
V
IH
t
cW
V
CC
V
E1
= V
E2
或V
E2
C型
K型
A型
V
CC
V
E1
= V
E2
或V
E2
V
CC （ DR ）
V
E1
= V
E2
或V
E2
C型
K型
A型
V
CC
I
OH
V
CC
I
OL
V
CC
V
OH
V
CC
V
OL
V
CC
V
IH
C / K型
A型
V
CC
V
IL
C / K型
A型
V
CC
V
OH
C / K型
A型
V
CC
V
OL
C / K型
A型
条件
= 5.5 V
= 0.8 V
= 2.2 V
= 70纳秒
= 5.5 V
= V
CC
- 0.2 V
= 0.2 V
2
5
100
= 5.5 V
= 2.2 V
= 0.8 V
= 2V
= V
CC （ DR ）
- 0.2 V
= 0.2 V
1
3
50
= 4.5 V
= -1.0毫安
= 4.5 V
= 3.2毫安
=
=
=
=
4.5 V
2.4 V
4.5 V
0.4 V
2.4
0.4
-1
3.2
A
A
A
V
V
mA
mA
3
A
A
A
mA
分钟。
马克斯。
55
单位
mA
电源电流 - 待机模式
（ CMOS电平）
I
CC （SB）
电源电流 - 待机模式
（ TTL电平）
电源电流 - 数据保留
模式
I
CC(SB)1
I
CC （ DR ）
输出高电压
输出低电压
输出高电流
输出低电流
输入漏电流
高
V
OH
V
OL
I
OH
I
OL
I
IH
= 5.5 V
= 5.5 V
-
-
= 5.5 V
= 0V
-1
-2
= 5.5 V
= 5.5 V
-
-
= 5.5 V
= 0V
-1
-2
-
-
A
A
1
2
A
A
-
-
A
A
1
2
A
A
低
I
IL
输出漏电流
高在三态输出
I
OHZ
在低三态输出
I
OLZ
4
2004年4月20日
U6264B
开关特性
Alt键。
时间到输出中低Z
周期
写周期时间
读周期时间
存取时间
低E1或E2 HIGH到数据有效
G低到数据有效
地址到数据有效
脉冲宽度
把脉冲宽度
芯片使能写操作的结束
设置时间
地址建立时间
芯片使能写操作的结束
把脉冲宽度
数据建立时间
数据保持时间
从写结束地址保持
从地址变更输出保持时间
高E1或E2低到输出的高阻
W低到输出的高阻
摹高到输出的高阻
t
LZ
t
WC
t
RC
t
ACE
t
OE
t
AA
t
WP
t
CW
t
AS
t
CW
t
WP
t
DS
t
DH
t
AH
t
OH
t
HZCE
t
HZWE
t
HZOE
符号
IEC
t
T（ QX ）
t
cW
t
cR
t
一（ E）
t
一（ G）
t
a(A)
t
w(W)
t
W（ E）
t
SU（ A）
t
SU（ E）
t
SU（ W）
t
SU（ D）
t
H（ D）
t
H（ A）
t
V（A）
t
DIS （ E）
t
DIS （ W）
t
DIS （ G）
分钟。
5
70
70
-
-
-
50
65
0
65
50
35
0
0
5
0
0
0
25
30
25
70
40
70
马克斯。
10
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
数据保留模式E1-控制
4.5 V
V
CC （ DR ）
≥
2 V
2.2 V
t
DR
0V
数据保留
t
REC
2.2 V
E1
0V
V
CC
数据保留模式E2-控制
V
CC
V
CC （ DR ）
≥
2 V
t
DR
0.8 V
数据保留
V
E2(DR)
≤
0.2 V
t
REC
0.8 V
E2
4.5 V
V
E2(DR)
≥
V
CC （ DR ）
- 0.2 V或V
E2(DR)
≤
0.2 V
V
CC （ DR ）
- 0.2 V
≤
V
E1(DR)
≤
V
CC （ DR ）
+ 0.3 V
芯片取消到数据保留时间
营业恢复时间
t
DR
:
t
REC
:
分0 NS
闵吨
cR
2004年4月20日
5
U6264B
标准的8K ×8 SRAM
特点
!
8192 ×8位CMOS静态RAM
!
70 ns的访问时间
!
常见的数据输入和
!
!
!
!
!
!
描述
的U6264B是一个静态RAM的制造
采用CMOS工艺factured
技术具有以下ope-
评价方式：
- 阅读
- 待机
- 写
- 数据保留
存储器阵列的基础上的
6晶体管单元。
该电路是由活化的崛起
素E2（ E1处= L）或下降沿的边沿
E1的边缘（在E 2 = H）。该
地址和控制输入端开路
同时。根据本
W和G中，数据的信息
输入或输出，是活动的。在一个
读周期，数据输出
由G的下降沿激活，
事后的数据字读会
可在输出DQ0 -
DQ7 。地址变更后，
数据输出变成高阻态，直到
新读出的信息是可用的。
数据输出没有首选
状态。如果存储器是由驱动
CMOS电平的有效状态，
并且如果存在的没有变化
地址，数据输入和控制
信号W或G ，操作电流
租金（在我
O
= 0 mA）的下降到
在工作电流的值
待机模式。 Read周期
由E2或下降沿完成
W或通过E1的上升沿
分别。
数据保存期限保证下
2五除E2的，所有
输入包括NOR门，所以
没有上拉/下拉电阻
是必需的。这门电路
可以实现低功耗
通过激活待机要求
与TTL电平也。
如果电路是由灭活
E2 = L时，待机电流（ TTL）的
下降到150
A
典型值。
!
!
!
!
!
!
输出
三态输出
典型值。工作电源电流
70纳秒： 10毫安
＆ LT ; 2
A
在T
a
≤
70 °C
数据保持电流为2 V ：
＆ LT ; 1
A
在T
a
≤
70 °C
TTL / CMOS兼容
自动降低功率
耗散在漫长读取或写入
周期
电源电压为5 V
工作温度范围：
0到70
°C
-40到85
°C
-40至125℃的
QS 9000质量标准
ESD保护> 2000伏
（ MIL STD 883C M3015.7 ）
闭锁抗扰度> 100毫安
封装： PDIP28 （ 600万）
SOP28 （ 330万）
引脚配置
引脚说明
北卡罗来纳州
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
信号名称
VCC
W（ WE）
E2 （ CE2 ）
A8
A9
A11
G（ OE ）
A10
E1 （ CE1 ）
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
信号说明
地址输入
IN / OUT数据
芯片使能1
芯片使能2
OUTPUT ENABLE
写使能
电源电压
地
没有连接
A0 - A12
DQ0 - DQ7
E1
E2
G
W
VCC
VSS
北卡罗来纳州
PDIP
22
SOP
21
20
19
18
17
16
15
顶视图
2004年4月20日
1
U6264B
框图
A4
A5
A6
A7
A8
A9
A11
A12
A0
A1
A2
A3
A10
行解码器
行地址
输入
记忆细胞
ARRAY
256排x
256列
列地址
输入
列解码器
DQ0
通用数据的I / O
检测放大器/
写控制逻辑
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
V
CC
V
SS
W
G
地址
变化
探测器
时钟
发电机
E2
E1
1
真值表
经营模式
待机/未选择
内部读
读
写
* H或L
E1
*
H
L
L
L
E2
L
*
H
H
H
W
*
*
H
H
L
G
*
*
H
L
*
DQ0 - DQ7
高-Z
高-Z
高-Z
数据输出低Z
数据输入高阻
2
2004年4月20日
U6264B
特征
所有电压都参考V
SS
= 0V （接地） 。
所有特征都在该电源电压范围内，并在规定的工作温度范围内有效。
动态测量是基于对一个上升和下降时间
≤
5纳秒，介于10％和90 ％的V测量
I
，以及
V的输入电平
IL
= 0 V和V
IH
= 3 V的所有输入和输出信号的定时基准电平为1.5伏，
除吨的
DIS
-times ，在这种情况下，过渡测量
±
200毫伏的稳态电压。
绝对最大额定值
a
电源电压
输入电压
输出电压
功耗
工作温度
C型
K型
A型
C / K型
A型
符号
V
CC
V
I
V
O
P
D
T
a
分钟。
-0.3
-0.3
-0.3
-
0
-40
-40
-55
-65
马克斯。
7
V
CC
+ 0.5
b
V
CC
+ 0.5
b
1
70
85
125
125
150
100
单位
V
V
V
W
°C
°C
°C
°C
°C
mA
储存温度
输出短路电流
在V
CC
= 5 V和V
O
= 0 V
c
a
T
英镑
| I
OS
|
b
c
应力大于“绝对最大额定值”，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力等级
只是，和功能的条件下超出本规范的业务部门所标明的设备操作不暗示。
暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响其可靠性
最大电压为7 V
不超过1输出应在同一时间被短路。短路的持续时间不应该超过30秒。
推荐
工作条件
电源电压
数据保持电压
输入低电压
d
输入高电压
d
符号
V
CC
V
CC （ DR ）
V
IL
V
IH
条件
分钟。
4.5
2.0
-0.3
2.2
马克斯。
5.5
单位
V
V
0.8
V
CC
+ 0.3
V
V
-2 V的脉冲宽度为10 ns
2004年4月20日
3
U6264B
电气特性
电源电流 - 运行模式
符号
I
CC （ OP ）
V
CC
V
IL
V
IH
t
cW
V
CC
V
E1
= V
E2
或V
E2
C型
K型
A型
V
CC
V
E1
= V
E2
或V
E2
V
CC （ DR ）
V
E1
= V
E2
或V
E2
C型
K型
A型
V
CC
I
OH
V
CC
I
OL
V
CC
V
OH
V
CC
V
OL
V
CC
V
IH
C / K型
A型
V
CC
V
IL
C / K型
A型
V
CC
V
OH
C / K型
A型
V
CC
V
OL
C / K型
A型
条件
= 5.5 V
= 0.8 V
= 2.2 V
= 70纳秒
= 5.5 V
= V
CC
- 0.2 V
= 0.2 V
2
5
100
= 5.5 V
= 2.2 V
= 0.8 V
= 2V
= V
CC （ DR ）
- 0.2 V
= 0.2 V
1
3
50
= 4.5 V
= -1.0毫安
= 4.5 V
= 3.2毫安
=
=
=
=
4.5 V
2.4 V
4.5 V
0.4 V
2.4
0.4
-1
3.2
A
A
A
V
V
mA
mA
3
A
A
A
mA
分钟。
马克斯。
55
单位
mA
电源电流 - 待机模式
（ CMOS电平）
I
CC （SB）
电源电流 - 待机模式
（ TTL电平）
电源电流 - 数据保留
模式
I
CC(SB)1
I
CC （ DR ）
输出高电压
输出低电压
输出高电流
输出低电流
输入漏电流
高
V
OH
V
OL
I
OH
I
OL
I
IH
= 5.5 V
= 5.5 V
-
-
= 5.5 V
= 0V
-1
-2
= 5.5 V
= 5.5 V
-
-
= 5.5 V
= 0V
-1
-2
-
-
A
A
1
2
A
A
-
-
A
A
1
2
A
A
低
I
IL
输出漏电流
高在三态输出
I
OHZ
在低三态输出
I
OLZ
4
2004年4月20日
U6264B
开关特性
Alt键。
时间到输出中低Z
周期
写周期时间
读周期时间
存取时间
低E1或E2 HIGH到数据有效
G低到数据有效
地址到数据有效
脉冲宽度
把脉冲宽度
芯片使能写操作的结束
设置时间
地址建立时间
芯片使能写操作的结束
把脉冲宽度
数据建立时间
数据保持时间
从写结束地址保持
从地址变更输出保持时间
高E1或E2低到输出的高阻
W低到输出的高阻
摹高到输出的高阻
t
LZ
t
WC
t
RC
t
ACE
t
OE
t
AA
t
WP
t
CW
t
AS
t
CW
t
WP
t
DS
t
DH
t
AH
t
OH
t
HZCE
t
HZWE
t
HZOE
符号
IEC
t
T（ QX ）
t
cW
t
cR
t
一（ E）
t
一（ G）
t
a(A)
t
w(W)
t
W（ E）
t
SU（ A）
t
SU（ E）
t
SU（ W）
t
SU（ D）
t
H（ D）
t
H（ A）
t
V（A）
t
DIS （ E）
t
DIS （ W）
t
DIS （ G）
分钟。
5
70
70
-
-
-
50
65
0
65
50
35
0
0
5
0
0
0
25
30
25
70
40
70
马克斯。
10
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
数据保留模式E1-控制
4.5 V
V
CC （ DR ）
≥
2 V
2.2 V
t
DR
0V
数据保留
t
REC
2.2 V
E1
0V
V
CC
数据保留模式E2-控制
V
CC
V
CC （ DR ）
≥
2 V
t
DR
0.8 V
数据保留
V
E2(DR)
≤
0.2 V
t
REC
0.8 V
E2
4.5 V
V
E2(DR)
≥
V
CC （ DR ）
- 0.2 V或V
E2(DR)
≤
0.2 V
V
CC （ DR ）
- 0.2 V
≤
V
E1(DR)
≤
V
CC （ DR ）
+ 0.3 V
芯片取消到数据保留时间
营业恢复时间
t
DR
:
t
REC
:
分0 NS
闵吨
cR
2004年4月20日
5
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UKW1C222MRD
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U2731B-NFN
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UCC27519DBVT
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